S220至S240步骤的示意图。
[0029]图11是图10和图12中P处放大示意图。
[0030]图12是本实用新型第四个实施例的S220至S240步骤的示意图。
[0031]图13是本实用新型第三个和第四个实施例的S250步骤的示意图。
[0032]图14是本实用新型第三实施例的流程图。
【具体实施方式】
[0033]下面将结合附图对本实用新型作进一步详述。
[0034]参考图1、图2，图2是图1中A-A面剖面图，本实用新型第一个实施例是一种防伪结构，该防伪结构包括片状的单晶硅模块001，单晶硅模001块具有镂空区域，该防伪结构还包括紫外荧光模块002，紫外荧光模块002镶嵌于所述镂空区域，在本实施例中紫外荧光模块002完全填充了所述镂空区域。
[0035]所述的紫外荧光模块002，是指在单位防伪结构000中，由各个紫外荧光子模块构成的总和，各个子模块之间离散分布，所述紫外荧光模块002可以是一个图形或字符，也可以是由多数个子模块组成一组图形或字符串，在本实施例中，紫外荧光模块002是一组字符串“Red”，由离散分布的三个子模块“R”、“e”、“d”构成;所述的单晶硅模块001，是指在单位防伪结构中，由各个单晶硅子模块构成的总和，各个子模块之间离散分布，所述单晶硅模块可以是一个图形或字符，也可以是由多数个子模块组成一组图形或字符串，在本实施例中，单晶硅模块001由四个离散分布子模块构成，即字符“R”上部的封闭部分、字符“e”上部的封闭部分、字符“d”下部封闭部分、还有字符串“Red”周围的部分;在本实施例中单位防伪结构000就是指一个防伪结构。
[0036]再次参考图2，在本实施例中，所述紫外荧光模块002底面与单晶硅模块001底面位于同一平面上，所述紫外荧光模块002与单晶硅模块001厚度一致。
[0037]所述紫外荧光模块002是紫外荧光粉均匀固化在光固胶之中的结构;所述紫外荧光材料是外荧光粉与光固胶的均匀混合物。紫外荧光粉是由金属(锌、镉)硫化物或稀土氧化物与微量活性剂配合，经煅烧而成。
[0038]在可见光下，紫外荧光模块002设置成白色，在紫外光照射下，紫外荧光模块002是彩色的，面且不同的紫外荧光模块子模块可以设置成不同的颜色，在本实施例中，字符串“Red”是同一种颜色和，应当理解，也可以是不同色彩的，在第三个实施例中说明了不同色彩子模块的制备手段;单晶硅模块001设置成无色;而且在可见光下，白色紫外荧光模块或整体无色构成第一防伪信息，第一防伪信息具有隐蔽性;在紫外光照射下，彩色的紫外荧光模块构成第二防伪信息。
[0039]参考图1、图3，图3是图1中A-A面剖面图，本实用新型第二个实施例是一种防伪结构，与本实用新型第一个实施例的不同之处在于，所述紫外荧光模块002底面与单晶硅模块001底面位于同一平面上，所述紫外荧光模块002比单晶硅模块001厚度大，本实施例可见光下立体效果加强。
[0040]参考图4至图11、图13至图14，本实用新型第三个实施例是一种防伪结构的制备方法，即制备本实用新型第一个实施例所描述的防伪结构的制备方法，该方法包括以下步骤:SI 10，提供玻璃基底;S120，在玻璃基底上面镀附着层;S130，在附着层上面镀牺牲层;S140，在牺牲层上面镀单晶硅层;S150，在单晶硅层上面涂布光固胶;S160，提供紫外线光源，提供第一淹模板，将S150步骤涂布的光固胶涂层曝光;S170，提供显影液，显影;S180，提供纯净水，清洗;S190，提供等离子刻蚀装备，刻蚀没有光固胶保护的单晶硅层，即镂空区域及各个单位防伪结构之外的周边区域;S200，提供清洗液，清洗，就是清洗掉用于保护无定硅层的光固胶;S210，在单晶硅表面涂布紫外荧光粉和光固胶的混合物;S215步骤，刮胶;S220，提供第二淹模板，将S200步骤涂布的混合物涂层曝光;S230，显影;S240，用纯净水清洗;S250，提供牺牲层蚀刻液，刻蚀牺牲层;S260，提供清洗过滤装备及纯净水，清洗，过滤;其中，SI 20步骤，所述附着层是Cr或Ni或不锈钢，所述镀是指真空镀;S130步骤，所述牺牲层是Al或Cu，所述镀是指真空镀；S170步骤，所述提供显影液，显影液是四甲基加水;所述显影，用显影液固化部分光固胶;S180步骤，清洗，用纯净水清洗掉S170显影步骤未固化部分光固胶。
[0041]所述S150步骤，还包括提供悬涂装备步骤，用悬涂方法涂布。所述S210步骤，还包括提供喷涂装备步骤，用喷涂方法涂布。所述S215步骤，刮胶，还包括提供刮胶装备，将单晶硅表面的S210步骤喷涂的混合物刮去。刮胶装备可以外购;也可以SMT刮锡机刮胶，工作时不装丝网，送料轨道下设置废胶回收装置即可完成。
[0042]所述光固胶可以选择正光固胶和负光固胶其中的一种，所述S170步骤提到的固化部分光固胶是指，曝光或未曝光的部分光固胶，具体地，对于正光固胶曝光的部分光固胶不固化，未曝光的部分光固胶固化;对应地，对于负光固胶曝光的部分光固胶固化，未曝光的部分光固胶不固化。
[0043]所述SllO提供玻璃基底，还包括把玻璃片切成方形或长方形，以及倒角、抛光、清洗、干燥步骤，供玻璃基底的厚度介于0.3至0.5毫米之间。
[0044]所述S200步骤所述提供清洗液，清洗液是丙酮。
[0045]所述S190步骤刻蚀单晶硅层，所用气体是CF6，当然也可以增加辅助气体。
[0046]所述S250步骤，提供牺牲层蚀刻液，对于S130步骤所镀的牺牲层是Al的话，提供蚀刻液是盐酸、氢氧化钠中的一种;对于S130步骤所镀的牺牲层是Cu的话，提供蚀刻液是盐酸和三氯化铁的水溶液。
[0047]再次参考图4，是本实施例的SllO至S150步骤的示意图，在玻璃基底101上面镀附着层102，在附着层102上面镀牺牲层103，在牺牲层103上面镀单晶硅层104，在单晶硅层104上面涂布光固胶105，成为第一半成品100供下一步骤加工；再次参考图5，是本实施例的S160至S180步骤的示意图，提供紫外线光源999，提供第一淹模板901，将第一半成品100的光固胶涂层曝光，提供显影液，显影，提供纯净水，清洗，第一半成品100的光固胶105只留下用保护单晶硅层104的部分已经固化的光固胶201，成为第二半成品200供下一步骤加工;再次参考图6，是本实施例的S190步骤的示意图，S190，提供等离子刻蚀装备，刻蚀没有光固胶保护的单晶硅层，即刻蚀掉镂空区域301及各个单位防伪结构之外的周边区域，露出部分牺牲层103，成为第三半成品300供下一步骤加工;再次参考图7，是本实施例的S200步骤的示意图，提供清洗液，清洗掉第三半成品300用保护单晶硅层104的部分已经固化的光固胶201，在牺牲层103上只留下无定形模块001，成为第四半成品400供下一步骤加工;再次参考图8，是本实施例的S210步骤的示意图，在单晶硅表面涂布紫外荧光粉和光固胶的混合物501，实际上牺牲层的表面也必须一起涂布工艺上才能实施，本实施例采用喷涂方式，在单晶硅层很薄的情况下，也可以采用悬涂，镂空区域也可以涂满，选择悬涂与喷涂只是等同替换没有实质，只要将镂空区域填满，没有什么区别，成为第五半成品500供下一步骤加工;再次参考图9，是实施例的S215步骤的示意图，刮胶，还包括提供刮胶装备，将单晶硅表面的S210步骤喷涂的混合物刮去，成为第五半成品500a供下一步骤加工;再次参考图10，是本实施例的S220至S2