将温度监视单元11的输出信号TEMP与电流量控制信号ICON对应起来的电流量控制信号生成单元12、通过电流量控制信号ICON改变第I电流源11和第2电流源12的电流量的功能，与图13的实施方式同样地，关于OUT输出电压的上升、下降，在高温时，能够使上升、下降时间dt减少，并能够减少基于高边驱动用NMOS晶体管7的电力损失PdH和与此相伴的发热。
[0150]根据以上，能够防止高边驱动用NMOS晶体管7中的发热、过温度损坏。
[0151]此外，如图24所示，通过将温度监视单元11配置在高边驱动用NMOS晶体管7近旁，能够防止局部的、过度的高边驱动用NMOS晶体管7中的发热、过温度损坏。高边驱动用NMOS晶体管7近旁例如是将温度监视单元11安装在用于安装高边驱动用NMOS晶体管7的绝缘基板上的情况。
[0152]实施例4
[0153]作为本发明的第4实施方式，作为集成化多个负载驱动斜率控制装置的例子，图20表示不是过温度时降低EMI噪声，在过温度时防止驱动用晶体管的过温度损坏的结构例。
[0154]在此，作为负载驱动斜率控制装置I例如图13或图23那样，具有电流量控制信号ICON的输入，作为集成电路100具备温度监视单元11和电流量控制信号单元12。
[0155]基于温度监视器11的温度信息TEMP为高温时，能够使OUTl和0UT2的电压的上升、下降时间dt减少，并使各通道中的基于负载驱动斜率控制装置I的高边驱动用NMOS晶体管7的电力损失PdH和与此相伴的发热减少。
[0156]根据以上，在不是过温度时，能够减少EMI噪声，并能够防止高边驱动用NMOS晶体管7中的发热、过温度损坏。
[0157]实施例5
[0158]作为本发明的第5实施方式，作为集成化与多个负载对应的负载驱动斜率控制装置的例子，图21表示驱动2个负载，且不是过温度时降低EMI噪声，在过温度时防止驱动用晶体管的过温度损坏的结构例。
[0159]在此，作为负载驱动斜率控制装置1，例如图14或图24那样，具有电流量控制信号ICON的输入，将温度监视单元11配置在高边驱动用NMOS晶体管7近旁，具有温度信息TEMP作为输出信号，作为集成电路100具备温度监视单元11和电流量控制信号单元12。
[0160]负载驱动斜率控制装置I在各通道的温度监视器11的温度信息为高温时，能够针对各通道使OUT的电压的上升、下降时间dt减少，并使负载驱动斜率控制装置1、各通道的高边驱动用NMOS晶体管7的电力损失PdH、与此相伴的发热减少。
[0161]根据以上，在不是过温度时能够减少EMI噪声，并能够防止高边驱动用NMOS晶体管7中的发热、过温度损坏。
[0162]此外，如图22所示，也可以是独立于各通道的负载驱动斜率控制装置1，在集成电路100内具备温度监视单元11的结构。
[0163]在以上的实施例3?5中，能够提供一种不是过温度时降低EMI噪声，过温度时防止驱动用晶体管的过温度损坏的负载驱动斜率控制装置。另外，与实施例1同样地，负载2并不局限于螺线管或电感器，作为负载驱动并不局限于高边驱动器。此外，在附图中未进行显示，但在某高温(例如180°C )为了可靠地防止高边驱动用NMOS晶体管7的过温度损坏，使用温度监视单元11监视某高温(例如180°C )时，也可以将输入信号INH设定为断开，或进行断开高边驱动用NMOS晶体管7的栅极的控制。
[0164]另外，本发明并不局限于上述的实施例，还可以包括各种变形例。例如，上述的实施例是为了便于理解本发明而进行的详细说明，并不一定必须具备说明的所有结构。此外，也可以将某实施例的结构的一部分置换成其他实施例的结构，并且，也可以对某实施例的结构增加其他实施例的结构。此外，可以对各实施例的结构的一部分进行其他结构的追加
/删除/置换。
[0165]此外，控制线或信号线表示了认为说明上有必要的线，并不一定必须示出产品上的所有的控制线或信号线。
[0166]符号说明
[0167]I负载驱动斜率控制装置
[0168]2 负载
[0169]3、3L电流源控制单元
[0170]4预驱动器
[0171]5 电容
[0172]6a?6c恒定电流源
[0173]7尚边驱动用晶体管
[0174]8 二极管
[0175]9a ?9d 开关
[0176]10低边驱动用晶体管
[0177]11温度监视单元
[0178]12电流量控制信号生成单元
[0179]13驱动器
[0180]100集成电路
[0181]INH、INL 输入信号
[0182]SI?S2控制信号
[0183]Il?13电流源
[0184]ICON电流量控制信号
[0185]TEMP温度信息信号
【主权项】
1.一种负载驱动控制装置，其特征在于，具备: 驱动用晶体管，其驱动负载； 预驱动器，其经由所述驱动用晶体管的接通断开控制端子来进行驱动； 电容，其与所述预驱动器的输入侧连接； 第I电流源，其通过第I信号控制接通断开，并产生对所述电容进行充电的电流；以及 第2电流源，其通过第2信号控制接通断开，并产生对所述电容进行放电的电流， 通过对所述电容进行充电或放电，使所述预驱动器的输出电压变化， 通过所述预驱动器的所述输出电压，使所述驱动用晶体管进行接通断开， 通过使所述驱动用晶体管进行接通断开，驱动所述负载的电压波形的上升和下降的斜率为线性。2.根据权利要求1所述的负载驱动控制装置，其特征在于， 所述驱动用晶体管是与高压电源侧连接并驱动所述负载的高边驱动用晶体管。3.根据权利要求1所述的负载驱动控制装置，其特征在于， 所述驱动用晶体管是与GND侧连接并驱动所述负载的低边驱动用晶体管。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的负载驱动控制装置，其特征在于， 所述预驱动器具有由N型和P型晶体管构成的源极跟随电路或由运算放大器构成的电压跟随电路。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的负载驱动控制装置，其特征在于， 从公共的信号输入端子取得包含所述第I信号和所述第2信号的第3信号， 基于所述第3信号改变所述第I电流源和所述第2电流源的电流量，由此改变用于驱动所述负载的电压波形的上升以及下降的斜率。6.根据权利要求5所述的负载驱动控制装置，其特征在于，具有: 温度监视单元，其取得与所述驱动用晶体管相关的温度信息信号；以及 电流量控制信号生成单元，其输出与所述温度信息信号对应的所述第3信号。7.根据权利要求6所述的负载驱动控制装置，其特征在于， 将所述温度监视单元配置在用于安装所述驱动用晶体管的绝缘基板上。8.根据权利要求5至7中的任一项所述的负载驱动控制装置，其特征在于， 至少将I个或多个通道的所述驱动用晶体管和I个或多个通道的所述第3信号形成在同一娃基板上。9.根据权利要求5至7中的任一项所述的负载驱动控制装置，其特征在于， 至少将I个或多个通道的所述驱动用晶体管、I个或多个通道的所述第3信号、和I个或多个通道的所述温度监视单元形成在同一硅酮基板上。10.一种负载驱动控制装置，其特征在于，具有: 驱动用晶体管，其驱动负载； 第I电流源，其通过第I信号控制接通断开，由此产生用于对所述驱动用晶体管的接通断开控制端子的电容进行充电的电流； 第2电流源，其通过第2信号控制接通断开，由此产生用于对所述驱动用晶体管的接通断开控制端子的电容进行放电的电流；以及 如下功能:通过对控制所述驱动用晶体管的接通断开的端子的电容进行充电或放电，使所述驱动用晶体管进行接通断开；通过包含所述第I信号和所述第2信号的第3信号改变所述第I电流源和所述第2电流源的电流量，由此改变用于驱动所述负载的电压波形的上升以及下降的斜率。11.根据权利要求10所述的负载驱动控制装置，其特征在于，具有: 温度监视单元，其取得与所述驱动用晶体管相关的温度信息信号；以及 电流量控制信号生成单元，其输出与所述温度信息信号对应的所述第3信号。12.根据权利要求11所述的负载驱动控制装置，其特征在于， 将所述温度监视单元配置在用于安装所述驱动用晶体管的绝缘基板上。13.根据权利要求10至12中的任一项所述的负载驱动控制装置，其特征在于， 至少将I个或多个通道的所述驱动用晶体管和I个或多个通道的所述第3信号形成在同一娃基板上。14.根据权利要求10至12中的任一项所述的负载驱动控制装置，其特征在于，具有: 半导体集成电路，其至少将I个或多个通道的所述驱动用晶体管、I个或多个通道的所述第3信号、和I个或多个通道的所述温度监视单元形成在同一硅基板上。15.根据权利要求5、6、7、10、11或12中任一项所述的负载驱动控制装置，其特征在于，具有: 半导体集成电路，其至少将I个或多个通道的所述驱动用晶体管、I个或多个通道的所述温度监视单元形成在同一娃基板上。
【专利摘要】提供一种负载驱动斜率控制装置，其能够降低EMI噪声，并且降低驱动用晶体管的接通断开时的电力损失和发热，在过温度时防止驱动用晶体管的过温度损坏。本发明的负载驱动控制装置具备：驱动用晶体管，其驱动负载；预驱动器，其经由所述驱动用晶体管的接通断开控制端子来进行驱动；电容，其与所述预驱动器的输入侧连接；第1电流源，其通过第1信号控制接通断开，并产生对所述电容进行充电的电流；以及第2电流源，其通过第2信号控制接通断开，并产生对所述电容进行放电的电流，通过对所述电容进行充电或放电使所述预驱动器的输出电压变化，通过所述预驱动器的所述输出电压使所述驱动用晶体管进行接通断开，通过使所述驱动用晶体管进行接通断开，使驱动所述负载的电压波形的上升和下降的斜率为线性。
【IPC分类】H03K17/08, H03K17/16
【公开号】CN105009452
【申请号】CN201380073766
【发明人】川田隆弘, 大浦亮一, 曾根原理仁, 阿部义孝, 山下毅雄
【申请人】日立汽车系统株式会社
【公开日】2015年10月28日
【申请日】2013年12月13日
【公告号】WO2014132523A1