50b上依次层叠发热部即发热层50a(导电层)以及分型(離型)层50c而形成(参照图4)。此外，只要定影带50具备发热层50a即可，对层构造没有限定。
[0040]例如，基层50b由聚酰亚胺树脂(PI)形成。例如，发热层50a由铜(Cu)等非磁性金属形成。例如，分型层50c由四氟乙烯.全氟烷氧基乙烯基醚共聚树脂(PFA)等氟树脂形成。
[0041]为了进行急速的预热，定影带50使发热层50a薄层化而减小热容量。热容量小的定影带50缩短预热所需要的时间，节约功耗。
[0042]例如，定影带50为了缩小热容量而使发热层50a的铜层的厚度为10 μ m。例如，发热层50a被镍等保护层覆盖。镍等保护层抑制铜层的氧化。镍等保护层使定影带50的机械强度提高。
[0043]此外，发热层50a可以通过在由聚酰亚胺树脂形成的基层50b上进行无电解镍电镀的同时进行铜电镀而形成。通过进行无电解镍电镀，使基层50b和发热层50a的紧贴强度提高。通过进行无电解镍电镀，从而使定影带50的机械强度提高。
[0044]另外，基层50b的表面可以通过喷砂或者化学蚀刻而粗糙。通过使基层50b的表面粗糙，使基层50b和发热层50a的镍电镀的紧贴强度进一步提高。
[0045]另外，可以使钛(Ti)等金属分散于形成基层50b的聚酰亚胺树脂中。通过使金属分散于基层50b，使基层50b和发热层50a的镍电镀的紧贴强度进一步提高。
[0046]例如，发热层50a可以由镍、铁(Fe)、不锈钢、铝(Al)以及银(Ag)等形成。发热层50a可以使用两种以上的合金，还可以将两种以上的金属重叠为层状。
[0047]图3是第一实施方式所涉及的IH线圈单元52的透视图。
[0048]如图3所不，IH线圈单兀52具备主线圈56 (第一线圈)、第一磁芯57以及第二磁芯58。
[0049]主线圈56通过高频电流的施加而产生磁通量。主线圈56配置于定影带50的外周侧。主线圈56与定影带50在厚度方向相对。主线圈56在定影带50的宽度方向(以下称为“带宽方向”)上使长度方向一致。
[0050]第一磁芯57以及第二磁芯58覆盖主线圈56的与定影带50相反侧(以下称为“背面侧”)。第一磁芯57以及第二磁芯58抑制主线圈56产生的磁通量在背面侧泄露。第一磁芯57以及第二磁芯58使来自主线圈56的磁通量集中于定影带50。
[0051]第一磁芯57具备多个片翼部(片翼部)57a。多个片翼部57a以沿着主线圈56的长度方向的中心线56d为轴对称地相互配置为交错状。
[0052]第二磁芯58配置于第一磁芯57的长度方向的两侧。第二磁芯58具备跨越主线圈56的两翼的多个两翼部58a。
[0053]例如，片翼部57a以及两翼部58a由镍-锌合金(N1-Zn)以及锰镍合金(Mn-Ni)等磁性材料形成。
[0054]第一磁芯57利用多个片翼部57a限制主线圈56产生的磁通量。主线圈56产生的磁通量以中心线56d为轴对称而被主线圈56的每个片翼相互限制。第一磁芯57利用多个片翼部57a将来自主线圈56的磁通量集中于定影带50。
[0055]第二磁芯58利用多个两翼部58a限制主线圈56产生的磁通量。主线圈56产生的磁通量被第一磁芯57的两侧中的主线圈56的两翼限制。第二磁芯58利用多个两翼部58a将来自主线圈56的磁通量集中于定影带50。第二磁芯58的磁通量集中力比第一磁芯57的磁通量集中力大。
[0056]主线圈56具备第一翼56a、第二翼56b。第一翼56a夹着中心线56d而配置于一侦1|。第二翼56b夹着中心线56d配置于另一侧。在第一翼56a和第二翼56b之间即主线圈56的长度方向的内侧，形成有窗部56c。
[0057]例如，主线圈56使用绞合线。绞合线是将被绝缘材料即耐热性聚酰胺酰亚胺包覆的铜线材料多根捆扎而形成。主线圈56是围绕导电性的线圈而形成的。
[0058]如图2所示，主线圈56通过来自变换器驱动电路68的高频电流的施加而使磁通量产生。例如，变换器驱动电路68具备IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘棚■双极型晶体管)元件 68a 以及 MOSFET (Metal Oxide semiconductor field effectTransistor，金氧半场效晶体管)元件(未图示)等开关元件。IGBT元件68a与MOSFET元件连接。通过将IGBT元件68a以及MOSFET元件交替接通(ON) /断开(OFF)，使高频电流在主线圈56流动。通过使高频电流在主线圈56流动，从而在主线圈56的周围产生高频磁场。通过上述高频磁场的磁通量，在定影带50的发热层50a产生涡电流。通过上述涡电流和发热层50a的电阻，产生焦耳热。通过上述焦耳热的产生，对定影带50加热。
[0059]例如，IGBT元件68a的接通期间为恒定的。通过使MOSFET元件的接通期间变化，从而在主线圈56中流动的高频电流变化。伴随在主线圈56中流动的高频电流的变化，电磁感应加热的输出变化。
[0060]发热辅助板69被配置在定影带50的内周侧。从带宽方向观察，发热辅助板69沿着定影带50的内周面形成为圆弧形状。发热辅助板69夹着定影带50而与主线圈56相对。发热辅助板69具有低于发热层50a的居里点的磁性材料(强磁性材料)。通过主线圈56产生的磁通量，在发热辅助板69和定影带50之间产生磁通量。通过上述磁通量的产生，在定影带50的发热层50a产生焦耳热。通过上述焦耳热的产生，辅助主线圈56的定影带50的加热。
[0061]发热辅助板69圆弧形状的两端被基台(未图示)支撑。发热辅助板69的径向外侧面从定影带50的内周面远离。例如，发热辅助板69的径向外侧面和定影带50的内周面之间的间隔为Imm?2mm左右。此外，发热辅助板69的径向外侧面可以接触定影带50的内周面。
[0062]例如，带宽方向上的发热辅助板69的长度大于带宽方向上的通过纸张区域的长度(以下称为“片材宽”)。此外，片材宽是使用的片材中最短边宽大的片材的宽。例如，片材宽稍微大于A3纸张的短边宽。
[0063]图4是第一实施方式所涉及的主线圈56的磁通量向定影带50以及发热辅助板69的磁路的说明图。
[0064]如图4所示，主线圈56产生的磁通量形成定影带50的发热层50a感应的第一磁路81。第一磁路81形成为包围主线圈56的第一翼56a以及第二翼56b。第一磁路81通过第一磁芯57以及第二磁芯58、发热层50a。另外，主线圈56产生的磁通量形成发热辅助板69感应的第二磁路82。第二磁路82形成于在定影带50的径向(以下称为“带径向”)与第一磁路81邻接的位置。第二磁路82通过发热辅助板69和发热层50a。
[0065]发热辅助板69由居里点为220°C?230°C的铁、镍合金等的整磁合金制的薄片金属部件形成。发热辅助板69如超过居里点则失去磁性。具体而言，发热辅助板69如超过居里点则由强磁性变化为顺磁性。发热辅助板69如超过居里点则不形成第二磁路82，不辅助定影带50的加热。通过由整磁合金形成发热辅助板69，以居里点为界限，低温时能够辅助定影带50的升温，且高温时能够抑制定影带50的过度升温。
[0066]此处，定影带50的发热通过IH控制电路67的电力控制而被调整。为了保持带温度为恒定，IH线圈单元52被控制为恒定的输出。在由整磁合金形成发热辅助板69的情况下，发热辅助板69如超过居里点则失去磁性，不形成第二磁路82。如不形成第二磁路82，则IH线圈单元52的负载(电阻)减少。
[0067]IH控制电路67在变换器驱动电路68流动的电流增加仅相当于IH线圈单元52的负载的减少，保持IH线圈单元52的输出为恒定。如在变换器驱动电路68流动的电流增加，则由于在IGBT元件68a流动的电流也增加，因此存在使IGBT元件68a的温度过度上升、使IGBT元件68a破损的可能性。因此在本实施方式中，如后所述，通过测定第二线圈84a的电阻而推断发热辅助板69的磁性变化。于是，IH控制电路67控制IH线圈单元52，以使在测定的上述电阻小于阈值时电磁感应加热的输出降低。
[0068]此外，发热辅助板69可以由具备铁、镍以及不锈钢等磁性特性的薄片金属部件形成。另外，发热辅助板69如具备磁性特性，则可以由包含磁性粉末的树脂等形成。另外，发热辅助板69可以由以下磁性材料(铁氧体)形成。磁性材料(铁氧体)通过感应电流的磁通量并促进定影带50的发热。磁性材料(铁氧体)即使暴露于感应电流的磁通量，自身也不发热。发热辅助板69不限定于薄板部件。
[0069]如图2所示，罩(shield)76被配置于发热辅助板69的内周侧。罩76形成为与发热辅助板69同样的圆弧形状。罩76将圆弧形状的两端支撑在基台(未图示)上。此外，罩76可以支撑发热辅助板69。例如，罩76由铝以及铜等非磁性材料形成。罩76遮断来自IH线圈单元52的磁通量。罩76抑制磁通量影响热敏电阻的测定电压等。
[0070]夹持垫53是将定影带50的内周面向加压辊51侧按压的按压部。在定影带50和加压辊51之间形成有夹持部54。夹持垫53在定影带50和加压辊51之间具有形成夹持部54的夹持部形成面53a。夹持部形成面53a从带宽方向观察在定影带50的内周侧弯曲形成凸状。夹持部形成面53a从带宽方向观察沿着加压辊51的外周面而弯曲。
[0071]例如，加压辊51在芯铁的周围具备耐热性的硅海绵以及硅氧橡胶层等。例如，在加压辊51的表面配置有分型层。分型层由PFA树脂等