定影装置的制造方法_3

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氟类树脂形成。加压辊51利用加压机构对定影带50加压。加压辊51是与夹持垫53 —起对定影带50加压的加压部。
[0072]作为定影带50以及加压辊51的驱动源,设置有一个电动机51b。电动机51b由主体控制电路101控制的电动机驱动电路51c驱动。电动机51b经由第一齿轮列(未图示)与加压辊51连接。电动机51b经由第二齿轮列以及单向超越离合器而与带驱动部件(都未图示)连接。加压棍51根据电动机51b沿箭头q方向进行旋转。在定影带50以及加压辊51抵接时定影带50从动于加压辊51,沿箭头u方向旋转。在定影带50以及加压辊51背离时定影带50通过电动机51b沿箭头u方向旋转。此外,定影带50也可以独立于加压辊51而具备驱动源。
[0073]中央热敏电阻61以及边缘热敏电阻62测定带温度。带温度的测定结果被输入至主体控制电路101。中央热敏电阻61被配置于带宽方向内侧。边缘热敏电阻62在带宽方向被配置在IH线圈单元52的加热区域且非通过纸张区域。主体控制电路101控制IH线圈单元52,以使在边缘热敏电阻62测定出的带温度在阈值以上时使电磁感应加热的输出停止。定影带50的非通过纸张区域过度升温时通过使电磁感应加热的输出停止,从而防止定影带50的损伤。
[0074]主体控制电路101根据中央热敏电阻61以及边缘热敏电阻62的带温度的测定结果,对IH控制电路67进行控制。IH控制电路67通过主体控制电路101的控制对变换器驱动电路68输出的高频电流的大小进行控制。定影带50根据变换器驱动电路68的输出,保持各种控制温度范围。IH控制电路67具备未图示的CPU、ROM以及RAM。
[0075]恒温装置63作为定影装置34的安全装置而发挥作用。恒温装置63在定影带50异常发热、温度上升至遮断阈值时进行动作。通过恒温装置63的动作,流向IH线圈单元52的电流被遮断。通过流向IH线圈单元52的电流的遮断,MFP 10停止驱动,抑制定影装置34异常发热。
[0076]下面,对使定影带50发热的IH线圈单元52的控制系统110进行详细叙述。
[0077]图5是示出以第一实施方式所涉及的IH线圈单元52的控制为主体的控制系统110的框图。
[0078]如图5所示,控制系统110具备系统控制部100、主体控制电路10UIH电路120以及电动机驱动电路51c。
[0079]控制系统110利用IH电路120向IH线圈单元52提供电力。IH电路120具备整流电路121、IH控制电路67、变换器驱动电路68以及电流测定电路122。
[0080]IH电路120经由继电器112从交流电源111被输入电流。IH电路120将输入的电流通过整流电路121进行整流并提供给变换器驱动电路68。继电器112在切断恒温装置63的情况下遮断来自交流电源111的电流。变换器驱动电路68具备IGBT元件68a的驱动IC 68bO IH控制电路67根据中央热敏电阻61以及边缘热敏电阻62的带温度的测定结果,对驱动IC68b进行控制ο IH控制电路67控制驱动IC 68b,并控制IGBT元件68a的输出。电流测定电路122将IGBT元件68a的输出的测定结果发送至IH控制电路67。IH控制电路67根据电流测定电路122的IGBT元件68a的输出的测定结果,对驱动IC 68b进行控制,以使IH线圈单元52的输出为恒定。
[0081]主体控制电路101从电阻测定电路84b取得后述的测定值R(参照图7)。主体控制电路101根据测定值R控制IH线圈单元52。主体控制电路101判定测定值R是否小于阈值Rt。主体控制电路101根据上述判定结果,进行定影装置34的驱动的继续以及IH线圈单元52的输出的降低中任一项的控制。此外,IH线圈单元52的输出的降低包括IH线圈单元52的停止。
[0082]图6是第一实施方式所涉及的定影装置34的主要部分的侧视图。
[0083]如图6所示,第二线圈单元84具备第二线圈84a、电阻测定电路84b(电阻测定部)。第二线圈单元84测定发热辅助板69是否处于已超过居里点的状态。第二线圈84a与主线圈56分体构成。第二线圈84a通过通电产生通过发热辅助板69的磁场。例如,第二线圈84a使用绞合线的线圈。电阻测定电路84b测定第二线圈84a的电阻。第二线圈84a的电阻的测定结果被输入至主体控制电路101。
[0084]下面,在发热辅助板69中在定影带50的周方向(以下称为“带周方向”),将以夹着定影带50与IH线圈单元52相对的区域设为对向区域69a。发热辅助板69的端部69c是发热辅助板69的带周方向的端部,其是邻接于对向区域69a的区域。发热辅助板69的端部69c在带径方向上不夹着定影带50与IH线圈单元52相对。
[0085]另外,IH线圈单元52的端部52c是第一磁芯57以及第二磁芯58的带周方向的端部,其包括向带径方向内侧突出的区域。
[0086]第二线圈84a被配置于与发热辅助板69相对且不与主线圈56相对的区域SI (参照图2)。具体而言,区域SI在带径方向位于IH线圈单元52的端部52c和定影带50之间。区域SI是在带周方向从主线圈56的外侧至发热辅助板69的端部69c的范围。区域SI在带周方向与IH线圈单元52的端部52c相对且夹着定影带50与发热辅助板69的端部69c相对。区域SI中的带周方向的一端(内侧端)在带径方向面对IH线圈单元52的端部52c和主线圈56之间的边界。区域SI中的带宽方向的另一端(外侧端)在带径方向夹着定影带50面对发热辅助板69的端部69c的前端(圆弧形状的两端)。
[0087]在本实施方式中,第二线圈84a被配置于定影带50的外周侧。第二线圈84a夹着定影带50与发热辅助板69的端部69c相对。
[0088]此外,第二线圈84a在不与主线圈56相对的范围内可以夹着定影带50与发热辅助板69的对向区域69a相对。
[0089]第二线圈84a与定影带50离开指定间隔而被固定。第二线圈84a在带宽方向至少与通过纸张区域相对。例如,第二线圈84a与定影带50的中央部相对。
[0090]第二线圈84a的大小小于主线圈56的大小。这是因为第二线圈84a通过通电产生通过发热辅助板69的磁场,电阻测定电路84b可以测定第二线圈84a的电阻。
[0091]此外,与使第二线圈84a的大小与主线圈56同等以上的情况相比较,能够将第二线圈84a容易地配置于上述区域SI。
[0092]第二线圈84a产生的磁通量形成定影带50的发热层50a感应的第三磁路85。第三磁路85通过发热层50a。另外,第二线圈84a产生的磁通量在发热辅助板69超过居里点而失去磁性之前,形成发热辅助板69感应的第四磁路86。第四磁路86形成于在带径方向与第三磁路85邻接的位置。第四磁路86通过发热辅助板69和发热层50a。第二线圈84a的电阻伴随发热辅助板69的磁性的变化而变化。S卩,第二线圈84a的电阻根据是否形成第四磁路86而变化。
[0093]通过使微弱的高频电流(以下称为“高频微弱电流”)在第二线圈84a中流动,能够测定第二线圈84a的电阻。例如,在第二线圈84a的上游侧和下游侧连接电阻测定电路84b,根据第二线圈84a的上游侧和下游侧中的电流值测定上述电阻。此外,高频微弱电流为比变换器驱动电路68输出的高频电流弱的电流。
[0094]接着,参照图7,对第一实施方式所涉及的定影装置34的动作的一个例子进行说明。
[0095]图7是示出第一实施方式所涉及的定影装置34的动作的一个例子的流程图。
[0096]在ActlOO,电阻测定电路84b在第二线圈84a流动高频微弱电流。例如,高频微弱电流为频率60kHz、电流10mA。
[0097]在ActlOl,电阻测定电路84b测定第二线圈84a的电阻。在本实施方式中,以电阻测定电路84b测定到的第二线圈84a的电阻为“测定值R”。主体控制电路101从电阻测定电路84b取得测定值R。
[0098]此外,主体控制电路101可以经由逻辑电路等其他电路取得测定值R。
[0099]在Actl02,主体控制电路101判定在ActlOl已取得的测定值R是否小于阈值Rt (例如 1[Ω])。
[0100]根据以下理由,通过判定测定值R是否小于阈值Rt,能够判断发热辅助板69的磁性的变化。
[0101]测定值R为阈值Rt以上的情况下,发热辅助板69超过居里点具有强磁性。发热辅助板69具有强磁性的情况下,第二线圈84a产生的磁通量形成第三磁路85以及第四磁路86。
[0102]另一方面,测定值R小于阈值Rt的情况下,发热辅助板69超过居里点而变化为顺磁性。发热辅助板69变为顺磁性的情况下,第四磁路86丧失。
[0103]因此,通过判定测定值R是否小于阈值Rt,能够推断发热辅助板69的磁性变化。
[0104]主体控制电路101在判定为测定值R小于阈值Rt的时候(Actl02为是)使处理进入Actl04。主体控制电路101在判定测定值R在阈值Rt以上的情况下(Actl02为否),使处理进入Actl03。
[0105]在Act 103,定影装置34继续驱动。例如,定影装置34在进行连续通过纸张以及预热等高输出驱动的情况下,继续高输出驱动。
[0106]在Actl04,主体控制电路101根据测定值R控制IH线圈单元52。根据以下理由,进行基于测定值R的主体控制电路101的控制。
[0107]在Actl05,主体控制电路101根据测定值R判定是否停止IH线圈单元52。例如,
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