接线异层设置，因此，可以将第二修复线、第三修复线和第四修复线均与栅线同层设置，第二连接线、第三连接线和第四连接线均与数据线同层设置;或者，也可以将第二修复线、第三修复线和第四修复线均与数据线同层设置，第二连接线、第三连接线和第四连接线均与栅线同层设置，这样，可以进一步地简化栅极驱动电路的制作工艺，降低生产成本。
[0066]需要说明的是，在本发明实施例提供的上述栅极驱动电路中，各第一移位寄存器和各第二移位寄存器的其他信号端与相应的信号线电性连接，例如，如图1所示，各第一移位寄存器Stagel、Stage2……StageN的低电平信号端VGL和第二移位寄存器stagel的低电平信号端VGL分别与低电平信号线9电性连接。
[0067]需要说明的是，在本发明实施例提供的上述栅极驱动电路中，如图1所示，可以增加设置一个第二移位寄存器stage I，这样，只能对一级第一移位寄存器进行修复。为了能够对多级第一移位寄存器进行修复，可以增加设置多个第二移位寄存器，在此不做限定；例如，如图3所示，增加设置两个第二移位寄存器stagel和stage2。具体地，可以根据实际情况设置第二移位寄存器的数量。
[0068]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述栅极驱动电路中，如图1所示，可以将各第二移位寄存器设置于第一级第一移位寄存器Stagel远离第二级第一移位寄存器Stage2的一侧；或者，也可以将各第二移位寄存器设置于最后一级第一移位寄存器StageN远离倒数第二级第一移位寄存器StageN-1的一侧;或者，如图3所示，还可以将一部分第二移位寄存器设置于第一级第一移位寄存器Stagel远离第二级第一移位寄存器Stage2的一侧，将剩余的第二移位寄存器设置于最后一级第一移位寄存器StageN远离倒数第二级第一移位寄存器StageN-1的一侧，在此不做限定。
[0069]需要说明的是，在一部分第二移位寄存器位于第一级第一移位寄存器远离第二级第一移位寄存器的一侧，且剩余的第二移位寄存器位于最后一级第一移位寄存器远离倒数第二级第一移位寄存器的一侧时，可以选择距离出现异常的第一移位寄存器较近的第二移位寄存器进行修复，从而可以保证第一修复线、第二修复线、第三修复线和第四修复线的电阻较小，第一修复线、第二修复线、第三修复线和第四修复线分别与连接线之间的耦合电容较小，从而可以优化修复效果。
[0070]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述栅极驱动电路中，如图3所示，位于第一级第一移位寄存器Stagel远离第二级第一移位寄存器Stage2—侧的第二移位寄存器的数量等于位于最后一级第一移位寄存器StageN远离倒数第二级第一移位寄存器StageN-1一侧的第二移位寄存器的数量;此时，可以将各第二移位寄存器以两个划分为一组，各组包含的第二移位寄存器互不相同，每组包含的两个第二移位寄存器分别位于第一级第一移位寄存器Stagel远离第二级第一移位寄存器Stage2的一侧和最后一级第一移位寄存器StageN远离倒数第二级第一移位寄存器StageN-1的一侧;较佳地，可以将每组包含的两个第二移位寄存器共用一条第二修复线3，共用一条第三修复线5，且共用一条第四修复线7，这样，可以节省一条第二修复线3、一条第三修复线5和一条第四修复线7的设置，从而可以节省第二修复线3、第三修复线5和第四修复线7的占用空间。
[0071]针对本发明实施例提供的上述栅极驱动电路，本发明实施例还提供了一种栅极驱动电路的修复方法，在第一移位寄存器出现异常时，如图4所示，包括如下步骤:
[0072]S401、将第二移位寄存器的第一修复线与出现异常的第一移位寄存器的第一连接线所连接的时钟信号线熔融连接，断开出现异常的第一移位寄存器的时钟信号端与第一连接线的连接;例如，以如图1所示的栅极驱动电路的第三级第一移位寄存器Stage3出现异常为例，对其进行修复后如图5所示，将第二移位寄存器stagel的第一修复线2与第三级第一移位寄存器Stage3的第一连接线I所连接的时钟信号线CLKl和CLK3熔融连接，断开第三级第一移位寄存器Stage3的时钟信号端CLKA和CLKB与第一连接线I的连接(如图5所示的X所示)，这样，可以避免出现异常的第三级第一移位寄存器Stage3对栅极驱动电路产生影响；
[0073]S402、将第二移位寄存器的第二修复线与出现异常的第一移位寄存器的第二连接线熔融连接，断开出现异常的第一移位寄存器的开启信号端与第二连接线的连接;例如，如图5所示，将第二移位寄存器stagel的第二修复线3与第三级第一移位寄存器Stage3的第二连接线4熔融连接，断开第三级第一移位寄存器Stage3的开启信号端INPUT与第二连接线4的连接(如图5所示的X所示)，这样，可以避免出现异常的第三级第一移位寄存器Stage3对栅极驱动电路产生影响；
[0074]S403、将第二移位寄存器的第三修复线与出现异常的第一移位寄存器的第三连接线熔融连接，断开出现异常的第一移位寄存器的输出信号端与第三连接线的连接;例如，如图5所示，将第二移位寄存器stagel的第三修复线5与第三级第一移位寄存器Stage3的第三连接线6熔融连接，断开第三级第一移位寄存器Stage3的输出信号端OUT与第三连接线6的连接(如图5所示的X所示)，这样，可以避免出现异常的第三级第一移位寄存器Stage3对栅极驱动电路产生影响；
[0075]S404、将第二移位寄存器的第四修复线与出现异常的第一移位寄存器的第四连接线熔融连接，断开出现异常的第一移位寄存器的复位信号端与第四连接线的连接;例如，如图5所示，将第二移位寄存器stagel的第四修复线7与第三级第一移位寄存器Stage3的第四连接线8熔融连接，断开第三级第一移位寄存器Stage3的复位信号端RESET与第四连接线8的连接(如图5所示的X所示)，这样，可以避免出现异常的第三级第一移位寄存器Stage3对栅极驱动电路产生影响。
[0076]需要说明的是，本发明实施例提供的上述修复方法中的步骤S401、步骤S402、步骤S403和步骤S404的执行并没有先后顺序，在此不做限定。
[0077]在具体实施是，在本发明实施例提供的上述修复方法中，熔融连接可以通过镭射的方式来实现，或者，也可以通过其他手段来实现，在此不做限定。
[0078]在具体实施时，本发明实施例提供的上述修复方法中，在选择共用同一条第二修复线、同一条第三修复线和同一条第四修复线的两个第二移位寄存器分别对两个第一移位寄存器进行修复时，如图6所示，还可以包括如下步骤:
[0079]S601、将两个第二移位寄存器共用的第二修复线在该第二修复线上的两个熔融点之间的位置处断开;例如，以如图3所示的栅极驱动电路的第三级第一移位寄存器Stage3和倒数第三级第一移位寄存器StageN-2出现异常为例，对其进行修复后如图7所示，利用位于第一级第一移位寄存器Stagel远离第二级第一移位寄存器Stage2—侧的第二移位寄存器stage I代替第三级第一移位寄存器Stage3工作，利用位于倒数第一级第一移位寄存器StageN远离倒数第二级第一移位寄存器StageN-1—侧的第二移位寄存器stage2代替倒数第三级第一移位寄存器StageN-2工作，将两个第二移位寄存器stagel和stage2共用的第二修复线3在该第二修复线上的两个熔融点A和B之间的位置处C断开(如图7所示的X所示)，这样，可以避免两级第二移位寄存器stagel和stage2的开启信号在同一条第二修复线3上发生冲突而导致信号异常；
[0080]S602、将两个第二移位寄存器共用的第三修复线在该第三修复线上的两个熔融点之间的位置处断开;例如，如图7所示，将两个第二移位寄存器stagel和stage2共用的第三修复线5在该第三修复线上的两个熔融点D和E之间的位置处F断开(如图7所示的X所示)，这样，可以避免两级第二移位寄存器stagel和stage2的输出信号在同一条第三修复线5上发生冲突而导致信号异常；
[0081]S603、将两个第二移位寄存器共用的第四修复线在该第四修复线上的两个熔融点之间的位置处断开;例如，如图7所示，将两个第二移位寄存器stagel和stage2共用的第四修复线7在该第四修复线上的两个熔融点G和H之间的位置处I断开(如图7所示的X所示)，这样，可以避免两级第二移位寄存器stagel和stage2的复位信号在同一条第四修复线7上发生冲突而导致信号异常。
[0082]需要说明的是，本发明实施例提供的上述修复方法中的步骤S401、步骤S402、步骤S403、步骤S404、步骤S601、步骤S602和步骤S603的执行并没有先后顺序，在此不做限定。
[0083]较佳地，在本发明实施例提供的上述修复方法中，在出现异常的第一移位寄存器位于显示面板的上半部分时，选择位于第一级第一移位寄存器远离第二级第一移位寄存器一侧的第二移位寄存器进行修复;在出现异常的第一移位寄存器位于显示面板的下半部分时，选择位于最后一级第一移位寄存器远离倒数第二级第一移位寄存器一侧的第二移位寄存器进行修复。例如，如图7所示，第三级第一移位寄存