一种垂直型薄膜晶体管及其制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种垂直型薄膜晶体管及其制作方法。
【背景技术】
[0002] 平面式薄膜晶体管具有易与电路整合之优点，因而被广泛应用于电路中。然而，平 面式薄膜晶体管会占据较多的基板表面区域，使得电路的密集度无法提升。此外，在液晶显 示器领域中，随着画面日益精细，其单一画素之面积也越来越小，致使现有的平面式薄膜薄 膜晶体管所占据画素面积之比例越来越大，此则造成了开口率下降，对比度不高之问题。
[0003] 因此，为了克服平面式薄膜晶体管的面积限制，有人提出了垂直型薄膜晶体管。然 而制造垂直型薄膜晶体管的方法因为其需复杂的多道光罩制程，因此并不适用于量产。
【发明内容】
[0004] 鉴于此，有必要提供一种垂直型薄膜晶体管的制作方法，该方法包括： 提供基板，在所述基板上依次形成第一金属层、第二金属层W及第一光阻层； 图案化所述第一光阻层W形成第一光阻图案，所述第一光阻图案包括中央第一光阻图 案W及位于所述中央第一光阻图案两侧且与所述中央第一光阻图案相间隔的边缘第一光 阻图案； 刻蚀第一金属层与第二金属层，W形成与所述边缘第一光阻图案对应的边缘第一金属 层与边缘第二金属层W及与所述中央第一光阻图案对应的中央第一金属层与中央第二金 属层； 去除所述中央第一光阻图案； 去除所述中央第二金属层； 去除所述边缘第一光阻图案； 形成覆盖所述玻璃基板、边缘第二金属层W及中央第一金属层的半导体层，并去除覆 盖在所述玻璃基板上的半导体层W形成位于所述边缘第二金属层上的边缘半导体层W及 位于所述中央第一金属层上的中央半导体层； 形成覆盖所述玻璃基板、边缘半导体层W及中央半导体层的第Ξ金属层，并在所述第 Ξ金属层上对应所述中央半导体层的位置形成第二光阻图案； 去除未被所述第二光阻图案覆盖的第Ξ金属层W及边缘半导体层，W形成中央第Ξ金 属层；W及 去除所述第二光阻图案。 阳〇化]还有必要提供一种垂直型薄膜晶体管。所述垂直型薄膜晶体管包括基板、二闽极、 第一电极、第二电极W及通道层。所述第一电极、第二电极与通道层夹于所述二闽极之间。 所述通道层夹于所述第一电极与第二电极之间。所述闽极包括第一金属层与第二金属层。 所述第一金属层与所述第一电极形成在所述玻璃基板上。所述第二金属层形成在所述第一 金属层上。所述通道层形成在所述第一电极上。所述第二电极形成在所述通道层上。
[0006] 相较于现有技术，本发明所提供的垂直型薄膜晶体管及其制作方法，由于仅需采 用两张光罩即可，流程简单，且能够降低生产成本，易用于量产。
【附图说明】
[0007] 图1是本发明实施方式所提供的垂直型薄膜晶体管的示意图。
[000引图2是制作图1中垂直型薄膜晶体管的流程图。
[0009] 图3至图13是图2流程图中各步骤的示意图。
[0010] 主要元件符号说明
如下【具体实施方式】将!结合上述附图进一^说明本发明。 '
【具体实施方式】
[0011] 请参阅图1，为本发明实施方式所提供的垂直型薄膜晶体管200的示意图。所述 垂直型薄膜晶体管200设置于一透明基板210上，其包括二闽极220,第一电极230、第二电 极240、通道层250 W与闽极绝缘层270。所述第一电极230为源极与漏极之其中一者，第 二电极240为源极与漏极之其中另一者。在本实施例中，所述第一电极230为源极230,所 述第二电极240为漏极240。
[0012] 所述源极230、漏极240与通道层250夹于所述二闽极220之间。所述通道层250 夹于所述源极230与漏极240之间并位于所述二闽极220之间。所述闽极220包括边缘第 一金属层2611与边缘第二金属层2621。所述边缘第一金属层2611与源极230形成在所述 玻璃基板210上。所述边缘第二金属层2621设置在所述边缘第一金属层2611上。所述通 道层250形成在所述源极230上。所述漏极240形成在所述通道层250上。所述闽极绝缘 层270覆盖在所述透明基板210、二闽极220 W及漏极240上并填充在所述二闽极220与源 极230之间、所述二闽极220与漏极240之间W及所述二闽极220与通道层250之间W将 所述二闽极220与所述源极230、漏极240、通道层250相互隔绝。
[0013] 在本实施方式中，所述边缘第一金属层2611的材质与所述源极230的材质相同， 所述边缘第二金属层2621、边缘第一金属层2611、W及漏极240的材质均不相同。具体地， 所述边缘第一金属层2611与所述源极230的材质为铁，所述边缘第二金属层2621的材质 为侣，所述漏极240的材质为铜。可W理解，所述源极230与漏极240均为与通道层250相 接处的导体，因此在其它实施方式中，所述源极230可作为漏极，同时所述漏极240可作为 源极，对此并不限定。
[0014] 请参阅图2,为该垂直型薄膜晶体管200的制作方法的流程图。该方法包括如下步 骤： 步骤S201，请参阅图3,提供玻璃基板210,并在所述玻璃基板210上依次形成第一金 属层261、第二金属层262 W及第一光阻层263。其中，所述第一金属层261与第二金属层 262的材质不同。在本实施方式中，所述第一金属层261的材质为铁，所述第二金属层262 的材质为侣。
[0015] 步骤S202,请参阅图4,通过灰阶光罩图案化该第一光阻层263 W形成第一光阻图 案，所述第一光阻图案包括边缘第一光阻图案2631 W及中央第一光阻图案2632。所述边缘 第一光阻图案2631位于所述中央第一光阻图案2632两侧且与所述中央第一光阻图案2632 相间隔。所述边缘第一光阻图案2631的厚度大于所述中央第一光阻图案2632的厚度。
[0016] 步骤S203,请参阅图5,刻蚀第一金属层261与第二金属层262。被刻蚀后的该第 一金属层261包括与所述边缘第一光阻图案2631对应的边缘第一金属层2611 W及与所述 中央第一光阻图案2632对应的中央第一金属层2612。被刻蚀后的该第二金属层262包括 与所述边缘第一光阻图案2631对应的边缘第二金属层2621 W及与所述中央第一光阻图案 2632对应的中央第二金属层2622。所述边缘第一金属层2611与边缘第二金属层2621共 同作为该垂直型薄膜晶体管200的闽极。所述中央第一金属层2612作为该垂直型薄膜晶 体管200的源极或漏极。
[0017] 步骤S204,请参阅图6,去除所述中央第一光阻图案2632。具体地，通过氧离子灰 化处理，将所述第一光阻图案整体减薄。由于所述中央第一光阻图案2632的厚度小于所述 边缘第一光阻图案2631的厚度，在所述中央第一光阻图案2632被灰化去除后，仍能保留部 分所述边缘第一光阻图案2631。
[0018] 步骤S205,请参阅图7,通过刻蚀的方式去除所述中央第二金属层2622。由于所述 第一金属层261与第二金属层262的刻蚀速率不同，因此在通过刻蚀去除所述中央第二金 属层2622时不会破坏所述中央第一金属层2612。
[0019] 步骤S206,请参阅图8,去除所述边缘第一光阻图案2631。
[0020] 步骤S207,请参阅图9,形成覆盖所述玻璃基板210、边缘第二金属层2621及中央 第一金属层2612的半导体层，并去除覆盖在所述玻璃基板210上的半导体层，W形成位于 所述边缘第二金属层2621上的边缘半导体层2641 W及位于所述中央第一金属层2612上 的中央半导体层2642。具体地，在所述半导体层形成后，将所述边缘第二金属层2621与中 央第一金属层2612作为光罩从所述玻璃基板210远离所述边缘第二金属层2621与中央第 一金属层2612的一侧进行曝光，之后去除未被所述边缘第二金属层2621与中央第一金属 层2612遮挡的半导体层，从而形成所述边缘半导体层2641与中央半导体层2642。在本实 施方式中，所述边缘半导体层2641 W及中央半导体层2642的材质