为氧化半导体。
[0021] 步骤S208,请参阅图10,形成覆盖所述玻璃基板210、边缘半导体层2641 W及中央 半导体层2642的第Ξ金属层265,并在所述第Ξ金属层265上对应所述中央半导体层2642 的位置形成第二光阻图案266。其中，所述第Ξ金属层265与所述第二金属层262的材质W 及刻蚀速率均不相同。在本实施方式中，所述第Ξ金属层265的材质为铜。所述第二光阻 图案266可W是先在所述第Ξ金属层265上形成一层第二光阻层，再通过光罩制程定义出 所述第二光阻图案266的位置。
[0022] 步骤S209,请参阅图11，去除未被所述第二光阻图案266覆盖的第Ξ金属层265 W及边缘半导体层2641，W形成中央第Ξ金属层2651。在本实施方式中，通过湿刻蚀的方 式将未被所述第二光阻图案266覆盖的第Ξ金属层265与边缘半导体层2641 -并去除。在 另一实施方式中，可先通过干刻蚀的方式将未被所述第二光阻图案266覆盖的第Ξ金属层 265去除，再通过湿刻蚀的方式将未被所述第二光阻图案266覆盖的边缘半导体层2641去 除。若采用此方法，所述第Ξ金属层265可与所述第二金属层262的材质相同。
[0023] 步骤S210,请参阅图12,去除所述第二光阻图案266。
[0024] 步骤S211，请参阅图13,形成覆盖所述玻璃基板210、边缘第二金属层2621 W及中 央第Ξ金属层2651并填充于所述边缘第一金属层2611、边缘第二金属层2621与中央第一 金属层2612、通道层2642、中央第Ξ金属层2651之间的闽极绝缘层270。其中，所述边缘第 一金属层2611与边缘第二金属层2621共同作为所述垂直型薄膜晶体管200的闽极220,所 述中央第一金属层2612与所述中央第Ξ金属层2651分别作为所述垂直型薄膜晶体管200 的源极230与漏极240,所述中央半导体层2642作为所述垂直型薄膜晶体管200的信道层 250。可W理解，在其它实施方式中，所述边缘第一金属层2611或所述边缘第二金属层2621 可单独作为所述垂直型薄膜晶体管200的闽极220。
[00巧]上述所提供的垂直型薄膜晶体管200的制作方法，由于仅需采用两张光罩即可， 流程简单，且能够降低生产成本，易用于量产。
[00%] W上实施例仅用W说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发 明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可W对本发明的技术方案进行修改 或等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。
【主权项】
1. 一种垂直型薄膜晶体管的制作方法，该方法包括： 提供基板，在所述基板上依次形成第一金属层、第二金属层以及第一光阻层； 图案化所述第一光阻层以形成第一光阻图案，所述第一光阻图案包括中央第一光阻图 案以及位于所述中央第一光阻图案两侧且与所述中央第一光阻图案相间隔的边缘第一光 阻图案； 刻蚀第一金属层与第二金属层，以形成与所述边缘第一光阻图案对应的边缘第一金属 层与边缘第二金属层以及与所述中央第一光阻图案对应的中央第一金属层与中央第二金 属层； 去除所述中央第一光阻图案； 去除所述中央第二金属层； 去除所述边缘第一光阻图案； 形成覆盖所述玻璃基板、边缘第二金属层以及中央第一金属层的半导体层，并去除覆 盖在所述玻璃基板上的半导体层以形成位于所述边缘第二金属层上的边缘半导体层以及 位于所述中央第一金属层上的中央半导体层； 形成覆盖所述玻璃基板、边缘半导体层以及中央半导体层的第三金属层，并在所述第 三金属层上对应所述中央半导体层的位置形成第二光阻图案； 去除未被所述第二光阻图案覆盖的第三金属层以及边缘半导体层，以形成中央第三金 属层；以及 去除所述第二光阻图案。2. 如权利要求1所述的垂直型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该方法还包括： 在去除所述第二光阻图案后，形成覆盖所述玻璃基板、边缘第二金属层以及中央第三 金属层并填充于所述边缘第一金属层、边缘第二金属层与中央第一金属层之间、所述边缘 第一金属层、边缘第二金属层与通道层之间以及所述边缘第一金属层、边缘第二金属层与 中央第三金属层之间的闸极绝缘层。3. 如权利要求1所述的垂直型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一金属层 与第二金属层的材质不同。4. 如权利要求3所述的垂直型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一金属层 的材质为钛，所述第二金属层的材质为铝。5. 如权利要求1所述的垂直型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，通过灰阶光罩图 案化所述第一光阻层，所述边缘第一光阻图案的厚度大于所述中央第一光阻图案的厚度。6. 如权利要求5所述的垂直型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，通过氧离子灰化 处理，将所述中央第一光阻图案与所述边缘第一光阻图案整体减薄以去除所述中央第一光 阻图案。7. 如权利要求1所述的垂直型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述半导体层 形成后，将所述边缘第二金属层与中央第一金属层当做光罩从所述玻璃基板远离所述边缘 第二金属层与中央第一金属层的一侧进行曝光，之后去除未被所述边缘第二金属层与中央 第一金属层遮挡的半导体层，从而形成所述边缘半导体层与中央半导体层。8. 如权利要求1所述的垂直型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述半导体层的 材质为氧化半导体。9. 如权利要求1所述的垂直型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第三金属层 与第二金属层的材质不同，在所述第二光阻图案形成后，通过湿刻蚀的方式将未被所述第 二光阻图案覆盖的第三金属层与边缘半导体层一并去除。10. 如权利要求9所述的垂直型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第三金属层 的材质为铜。11. 如权利要求1所述的垂直型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述第二光阻 图案形成后，通过干刻蚀的方式将未被所述第二光阻图案覆盖的第三金属层去除，再通过 湿刻蚀的方式将未被所述第二光阻图案覆盖的边缘半导体层去除。12. -种垂直型薄膜晶体管，所述垂直型薄膜晶体管包括基板、二闸极、第一电极、第二 电极以及通道层，所述第一电极、第二电极与通道层夹于所述二闸极之间，所述第一电极为 源极与漏极之其中一者，所述第二电极为源极与漏极之其中另一者，所述通道层夹于所述 第一电极与第二电极之间，所述闸极包括第一金属层与第二金属层，所述第一金属层与所 述第一电极形成在所述玻璃基板上，所述第二金属层形成在所述第一金属层上，所述通道 层形成在所述第一电极上，所述第二电极形成在所述通道层上。13. 如权利要求12所述的垂直型薄膜晶体管，其特征在于，所述垂直型薄膜晶体管还 包括闸极绝缘层，所述闸极绝缘层覆盖在所述基板、第二金属层以及第二电极上并填充在 所述二闸极与第一电极之间、所述二闸极与第二电极之间以及所述二闸极与通道层之间以 将所述二闸极与所述第一电极、第二电极以及通道层相互隔绝。14. 如权利要求12所述的垂直型薄膜晶体管，其特征在于，所述第一电极为源极，所述 第二电极为漏极。15. 如权利要求12所述的垂直型薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属层与所述第 一电极的材质相同，且与第二金属层的材质及第二电极材质不同。16. 如权利要求15所述的垂直型薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属层与所述第 一电极的材质为钛。17. 如权利要求15所述的垂直型薄膜晶体管，其特征在于，所述第二金属层的材质为 铝，所述第二电极的材质为铜。
【专利摘要】一种垂直型薄膜晶体管，所述垂直型薄膜晶体管包括透明基板、设置于所述透明基板上的二闸极、位于所述二闸极之间并设置于所述透明基板上的源极、形成在所述源极上的通道层以及形成在所述通道层上的漏极。本发明还提供一种垂直型薄膜晶体管的制作方法。本发明仅需采用两张光罩即可制得所述垂直型薄膜晶体管。
【IPC分类】H01L21/336, H01L29/786
【公开号】CN105655403
【申请号】
【发明人】林欣桦, 高逸群, 李志隆, 施博理, 方国龙
【申请人】业鑫科技顾问股份有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2014年12月3日