管)反向并联或采用晶闸管(单向晶闸管)反向并联一功率二极管的方式相比，具有性价比高、电路更简单的优点。
[0048]以上实施例各元器件之间的连接关系包括直接连接、间接连接、直接并联、间接并联，在三相或多极开关中应用时，增加相应路数即可，工作原理相同，仍在本专利保护范围。
[0049]以上实施例，稳压器件Zl的稳压值可以设定为20V左右，电容Cl的电容值可以设定为100微法左右，电容Cl的放电电荷足够满足触发晶闸管(单向晶闸或双向晶闸管)的瞬间触发电流，第一电阻Rl可以采用电阻，通过第一电阻Rl的电流可以远小于触发晶闸管导通所需的最小触发电流(一般几十安培晶闸管的可靠触发导通的触发电流为几十毫安)，第一电阻Rl的电阻值可以比较大，工作电流可以设定为I毫安内，即使设定为I毫安，工作电压为380V，则第一电阻Rl功耗仅为0.38W，如工作电压220V，则第一电阻Rl功耗仅为0.22W;第一元件Rl也可以改用一电容，或采用一电阻与一电容串联电路，工作原理相同，也在本专利保护范围内。
[ΟΟδΟ]在实际应用中，第一半导体开关OPTl、半导体开关0ΡΤ2可以为一三极管、一光电親合器或一光电耦合器驱动晶体管电路(见图5)。
[0051]本发明复合开关晶闸管电路，在单相交流供电系统中使用时，相对于晶闸管的第一端(即晶闸管的主回路端)的另一端电源也定义为中性线。
[0052]综上所述，本发明具有以下优点:
[0053]1.晶闸管的触发信号直接由交流电网通过限流元件提供，无需变压器、无需高压电子开关，具有可靠性高、性价比高的优点。
[0054]2.采用电容储能触发方式，瞬间输出电流大、触发能力强，同时限流元件工作电流可以远小于触发晶闸管导通的最小触发电流，工作能耗低。
[0055]3.当用于电容负载时，不存在由于变压器触发脉冲占空比和高压电子开关电路的本身电压降带来的过零触发盲区，接通涌流更小。
【主权项】
1.一种复合开关晶闸管电路，其特征是:其包括与机械开关并联的一晶闸管、第一电阻、一单向导通器件、第一电容、第一半导体开关、第一稳压器件，所述第一电阻、所述单向导通器件、所述第一电容串联而成第一串联电路，所述第一串联电路的一端与所述晶闸管的第一端连接，所述第一串联电路的另一端与所述晶闸管的第三端连接，所述第一电容通过所述第一半导体开关、所述晶闸管的第二端、所述第一端形成放电回路，所述第一电容与所述第一稳压器件并联或所述第一电容与所述单向导通器件串联而成的串联电路与所述第一稳压器件并联。2.根据权利要求1所述的复合开关晶闸管电路，其特征是:所述第一电容通过所述第一半导体开关与所述第二端、所述第一端并联。3.根据权利要求1所述的复合开关晶闸管电路，其特征是:通过所述第一电阻的电流小于触发所述晶闸管导通所需的最小触发电流。4.根据权利要求1所述的复合开关晶闸管电路，其特征是:所述第一稳压器件为一稳压二极管，所述单向导通器件为一二极管。5.根据权利要求1所述的复合开关晶闸管电路，其特征是:所述第一半导体开关为一三极管、一光电親合器或一光电親合器驱动晶体管电路。6.根据权利要求5所述的复合开关晶闸管电路，其特征是:还包括第二电阻，所述第二电阻串联在所述放电回路中。7.根据权利要求1所述的复合开关晶闸管电路，其特征是:所述晶闸管为双向晶闸管，所述第一端为所述双向晶闸管的第一阳极，所述第二端为所述双向晶闸管的触发极，所述第三端为所述双向晶闸管的第二阳极。8.根据权利要求7所述的复合开关晶闸管电路，其特征是:所述第一电阻与所述单向导通器件连接，所述第二阳极的电源通过所述第一电阻、所述单向导通器件对所述第一电容负向充电，所述第一电容的负向充电端通过所述第一半导体开关与所述触发极连接，所述第一电容的另一端与所述第一阳极连接。9.根据权利要求7所述的复合开关晶闸管电路，其特征是:所述第一电容的负向充电端与所述单向导通器件的阳极连接，所述第一电容的另一端通过所述第一电阻与所述第二阳极连接，所述单向导通器件的阴极与所述双向晶闸管的第一阳极连接，所述第一电容的负向充电端与所述触发极连接，所述第一电容与所述单向导通器件串联而成的串联电路与所述第一半导体开关并联。10.根据权利要求1所述的复合开关晶闸管电路，其特征是:所述晶闸管为单向晶闸管，所述第一端为所述单向晶闸管的阴极，所述第二端为所述单向晶闸管的触发极，所述第三端为所述单向晶闸管的阳极。11.根据权利要求10所述的复合开关晶闸管电路，其特征是:所述单向晶闸管的阳极的电源通过所述第一电阻、所述单向导通器件对所述第一电容正向充电，所述第一电容的正向充电端通过所述第一半导体开关与所述触发极连接，所述第一电容的另一端与所述单向晶闸管的阴极连接。12.根据权利要求10所述的复合开关晶闸管电路，其特征是:所述第一电容的正向充电端与所述单向导通器件的阴极连接，所述第一电容的另一端与所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述单向晶闸管的阳极连接，所述单向导通器件的阳极与所述单向晶闸管的阴极连接，所述第一电容的正向充电端与所述触发极连接，所述第一电容与所述单向导通器件串联而成的串联电路与所述第一半导体开关并联。13.根据权利要求1至12中任一权利要求所述的复合开关晶闸管电路，其特征是:还包括第二电容、第三电阻、第二稳压器件，所述第二电容、所述第三电阻、所述第二稳压器件串联而成第二串联电路，所述第二串联电路的两端分别与所述第一端、所述第三端连接，所述第二电容、所述第三电阻、所述第二端、所述第一端与至少一半导体开关串联而成一串联电路，所述第一端与所述第二稳压器件的一端连接，所述第二电容、所述第三电阻串联而成的串联电路与所述半导体开关连接的共同端与所述第二稳压器件另一端连接。14.根据权利要求13所述的复合开关晶闸管电路，其特征是:所述半导体开关耐压值小于所述晶闸管主回路的额定工作电压。15.根据权利要求14所述的复合开关晶闸管电路，其特征是:所述半导体开关为一三极管、一光电耦合器或一光电耦合器驱动晶体管电路或为所述第一半导体开关。
【专利摘要】本发明复合开关晶闸管电路属于电学领域，是一种适合于复合开关中应用的复合开关晶闸管电路，其包括与机械开关并联的一晶闸管、第一电阻、一单向导通器件、第一电容、第一半导体开关、第一稳压器件，所述第一电阻、所述单向导通器件、所述第一电容串联而成第一串联电路，所述第一串联电路的一端与所述晶闸管的第一端连接，所述第一串联电路的另一端与所述晶闸管的第三端连接，所述第一电容通过所述第一半导体开关、所述晶闸管的第二端、所述第一端形成放电回路，所述第一电容与所述第一稳压器件并联或所述第一电容与所述单向导通器件串联而成的串联电路与所述第一稳压器件并联，本发明具有性价比高、接通涌流小、可靠性高的优点。
【IPC分类】H03K17/081, H03K17/78
【公开号】CN105656469
【申请号】
【发明人】郭桥石
【申请人】广州市金矢电子有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2016年2月26日