专利名称：一种薰衣草快速繁殖的方法
技术领域：
本发明属于植物种苗快速繁殖技术领域，更具体涉及一种薰衣草快速繁殖的方法，适合于香料植物快速繁殖。
背景技术：
Lavandula Linn.薰衣草属，唇形科。半灌木或小灌木，稀为草本。叶线形至披针形或羽状分裂。轮伞花序具2 10花，通常在枝顶聚集成顶生间断或近连续的穗状花序。花蓝色或紫色，具短梗或近无梗。约28种，分布于大西洋群岛及地中海地区至索马里，巴基斯坦及印度假我国仅栽培2种。花中含芳香油，是世界上重要的天然香料植物之一。由于其花穗提取的精油具有清新而芳香宜人的香气，被广泛地应用于多种日用化妆品中，是调香中重要的原料品种，亦是医药和化工的重要的原料之一；薰衣草自古就广泛使用于医疗上，茎和叶都可入药，有健 胃、发汗、止痛之功效，是治疗伤风感冒、腹痛、湿疹的良药；因其叶形花色优美典雅，蓝紫色花序颖长秀丽，也是一种重要的观赏植物。薰衣草原产于地中海沿岸、欧洲各地及大洋洲列岛，后被广泛栽种于英国及南斯拉夫，现美国的田纳西州，曰本的北海道也有大量种植。新疆伊犁于1964年引进法国薰衣草，由于其优越的气候条件和优良的品质，栽种培面积迅速扩大。2010年伊梨河谷地区栽培薰衣草面积达5400hm2，占全国薰衣草种植面积的90%左右,是全国最大的薰衣草种植基地，与法国的普罗旺斯、日本北海道的富良野称为世界上三大薰衣草基地。伊犁与法国普罗旺斯天然香料少于产区域处于同一纬度，沙谷地带三面环山，属半干旱气候区，气候条件下和水土光热资源适合薰衣草栽培，可生产出优质一流的芳香植物资源，伊犁薰衣草作为名贵天然香料作物成为世界八大顶级品种之一。薰衣草的繁殖以播种、扦插、和分株繁殖为主。但播种繁殖后代分离，不能保持优良品种的纯度；扦插繁成活率低且需要大量的母本，不能满足市场的需求；而且，长期的营养繁殖易出现品种退化现象。为此，采用植物组织培养技术，工厂化生产薰衣草的优良单株、品系和品种的种苗，一可以克服播种和扦插带来的品种混杂、种性退化等问题，二可以不受自然气候的影响全年生长优质种苗，还能在短期内加快薰衣草产业的更新换代，推动产业的快速发展，也能为进一步的育种研究提供材料和技术支持，对促进我国芳香植物产业的健康持续发展也具有重要的意义。目前，有关薰衣草组织培养已有报道，有通过茎尖、茎段获得再生植株；中国专利号CN200410085334X —种薰衣草组织培养方法是用薰衣草叶片为外殖体诱导愈伤组织并进行悬浮培养获得再生植株；中国专利号CN200610059350. O以薰衣草下胚轴为外植体分化出芽获得再生植株。
发明内容
本发明的目的是在于提供了一种薰衣草快速繁殖的方法，方法简便易行，操作方便，繁殖、生根速度快，根系健壮、成活率高。采用此种方法能快速繁殖出大量具有健壮、发达根系的薰衣草种苗，满足了规模化种植的需求，为薰衣草优质种苗大规模生产及遗传转化体系的建立奠定基础。为了达到上述目的，本发明采用以下技术措施本发明以薰衣草新梢为外植体，5-7天出芽后即可进行继代培养，培养15 25天就可直接进行生根和炼苗，生根率可达98%以上。本发明与其它组培方法相比在诱导芽和继代培养方面具有程序简单、快速 的优点；在生根培养方面，由于生根和炼苗是同步进行的，把传统的组织培养的生根、炼苗二个步骤合二为一，缩短了生产周期、提高了组培苗的成活率、降低了组培苗的生产成本。一种薰衣草快速繁殖的方法，其步骤是a、以薰衣草新梢作为外植体，将新梢切成2-3cm长的茎段，用浓度为O. 1%氯化汞消毒4-8分钟，用无菌水冲洗3-4次，再将新梢段切成1-2芽一节，接入配制好的培养基中，这种培养基包括MS基本培养基和附加不同成份的物质；置于温度为20-28°C，光照强度3000 lOOOOLx，每天光照12-16小时，培养5_7天，其侧芽长出新梢，萌发率80% ；b、切取培养萌发的新梢，接入配制好的培养基中进行继代培养，每15-25天扩繁一次;C、从扩繁的组培苗上切取3-5cm长的嫩梢插入全光照喷雾插床，直接进行生根和炼苗，30 40天后即可生根移栽。这种插床以砂或珍珠岩为基质。本发明提供了一种薰衣草种苗快速繁殖的高效体系，与现有技术相比，具有以下优点和效果，方法易行，操作方便，繁殖速度快，20天的增殖倍数达到4-5倍，一年一个芽可繁殖100万株种苗。生根培养与一般的植物组织培养技术相比方法简单易行，把生根和炼苗二个步骤合二为一，提高了组织培养苗的移栽成活率、降低了组织培养苗的生产成本。
具体实施例方式实施例I :一种薰衣草快速繁殖的方法，其步骤是I、以薰衣草新梢作为外植体，将新梢切成3或4cm长的段，用浓度为O. 1%氯化汞消毒5或6或7或8或9或10分钟，用无菌水冲洗3或4次。2、将新梢段切成I或2芽一节，接入配制好的培养基中，这种培养基包括MS基本培养基和附加不同成份的物质，其中附加成份为琼脂6000-8000mg/L，糖20000-30000mg/L混配。3、光照培养，温度为24或25或26或27或28°C，光强为3000或5000或8000或lOOOOLx,每天光照12或13或14或15或16小时的条件下培养5或6或7天，使侧芽长出新梢；4、切取培养萌发的新梢，接入配制好的培养基中进行继代培养，这种培养基包括MS基本培养基和附加不同成份的物质，其中附加成份为ΒΑ0. 2-4mg/L、ΚΤ0. 5-1. 0mg/L、ΝΑΑ0. 01-0. 4mg/L、IBA0. 1-0. 5mg/L、琼脂 6000-8000mg/L，糖 20000-30000mg/L 混配；每 15或18或22或25天扩繁一次。5、从扩繁的组培苗上切取3或4或5cm长的嫩梢，扦插于全光照喷雾的插床中，这种扦插床以河砂或珍珠岩为基质；喷灌浓度为50或60或70或80或90或IOOppm的IBA或200ppm的生根粉，30或34或37或40天后可生根移栽。所述的MS基本培养基的成份(单位mg/L)
权利要求
1.一种薰衣草快速繁殖的方法，其步骤是 a.以薰衣草新梢作为外植体，将新梢切成2-3cm长的茎段,用浓度为O.1%氯化汞消毒4-8分钟，用无菌水冲洗3-4次，再将新梢段切成1-2芽一节，接入配制好的培养基中，这种培养基包括MS基本培养基和附加不同成份的物质；置于温度为20-28°C，光照强度3000 lOOOOLx，每天光照12-16小时，培养5_7天，其侧芽长出新梢； b.切取培养萌发的新梢，接入配制好的培养基中进行继代培养，每15-25天扩繁一次； c.从扩繁的组培苗上切取3-5cm长的嫩梢插入全光照喷雾插床，直接进行生根和炼苗，30 40天后即可生根移栽； 所述的MS基本培养基的成份，单位mg/L NH4NO,I(M)KNO31900CaCi2 · 2H；0440MgSO_丨· TH2O370KH2PO4170KI0.83Η；.ΒΟ 6.2MnSO4 · 4Η2022.3ZnSO.., · 7Η,08.6Na2MoO4 · 2Η00.25CiiSO4 · 5Η200.015CoCl2 · 6Η200.025FeSO4 · 7Η2027.8Na2 · EDTA · 2Η037.3肌醇100烟酸0.5盐酸吡哆醇0.5盐酸硫胺素0.1甘氨酸2 所述的附加成份BA0.2-4mg/LKT0.5-1.0 mg/LNAA0.0l-0.4mg/LIBA0.1-1.0 mg/L 琼脂6000-8000mg/L糖20000-40000mg/L生根粉0.1-1.0 mg/L。
全文摘要
本发明公开了一种薰衣草快速繁殖的方法，其步骤a、以薰衣草新梢作为外植体，将新梢切成2-3cm长的茎段，用0.1%氯化汞消毒，用无菌水冲洗，再将新梢段切成1-2芽一节，接入配制好的培养基中，这种培养基包括MS 基本培养基和附加不同成份的物质；置于温度为20-28℃，光照强度3000～10000Lx，每天光照12-16小时，培养5-7天，其侧芽长出新梢；b、切取培养萌发的新梢，接入配制好的培养基中进行继代培养，每15-25天扩繁一次；c、从扩繁的组培苗上切取3-5cm长的嫩梢插入全光照喷雾插床，直接进行生根和炼苗，30～40天后即可生根移栽；本发明方法易行，操作方便，繁殖、生根速度快，根系健壮、成活率高。
文档编号A01H4/00GK102823492SQ20121027942
公开日2012年12月19日 申请日期2012年8月8日 优先权日2012年8月8日
发明者杨波, 李洪林 申请人:中国科学院武汉植物园