本发明涉及一种组织培养技术，具体是矮珍珠的组织培养方法。
背景技术：
矮珍珠虽属有茎水草，但茎部却不是直立的，而是爬行在底部生长。由于爬行生长的匍匐枝会呈扩散状蔓延开来，最后铺满整个底部，而匍匐枝上的叶片又是浓密地生长，感觉起来宛如草坪一般。一般在种植矮珍珠时了避免柔软的细根无法颐利攀附在底砂之中，因此在底砂的选择上应尽量使用较细的砂子。矮珍珠，几乎不到1cm高，绿色匍匐嫩枝附有短根组织，对称生长的匙型叶片长0.8cm宽0.3cm，叶尖较钝，稍呈锯齿状，叶柄几乎与叶片等长。气生叶腺可长出短茎的白色单瓣花，直径0.3cm，有5片花瓣、4株雄蕊。虽然生长蔓延颇为缓慢，但是，可以长得很浓密，其一旦长好后的密植度，犹如碧绿的草原，是一种装饰性非常强的前景草。然而，矮珍珠传统的育苗繁殖方法产量降低，病毒积累严重，品种退化，品质和产量大幅度下降，种植效益下降。组培快繁技术已在很多植物上作为经济、高效的繁殖方法应用，周期短、繁殖系数高、成本低，并不受时间和空间的制约。
技术实现要素：
本发明针对现有技术的不足，满足人工快速繁育、大面积丰产栽培的需要，提供一种矮珍珠的组织培养方法。
为了实现上述目的，本发明采用了以下技术方案：
矮珍珠的组织培养方法，包括如下步骤：
(1)获取外植体并消毒
选取健壮植株新生的幼嫩枝芽，自来水洗涤枝芽表面污垢尘土，先酒精浸泡，再升汞消毒，最后无菌水冲洗干净后得到消毒外植体，
(2)初代培养
将消毒外植体分割成带芽茎段，然后接入初代培养基中培养32～36天获得不定芽，
初代培养条件为：温度为24±2℃，湿度为63～68％，光照时间为8～10小时/天，光照强度为2200～25001x，初代培养第1～7天，每天施加超声场1～2小时，超声场功率为8～12W/cm2，超声场频率为20～22KHz，初代培养第8～15天，每天施加超声场4～5小时，超声场功率为15～18W/cm2，超声场频率为25～26KHz；
初代培养基为：在ER培养基基础上，再添加碘酸钾0.1～0.5mg/L，添加2,4-D 0.6～0.8mg/L，添加多效唑1.2～1.3mg/L；
(3)继代培养
将不定芽转移至继代培养基中培养40～45天获得继代培养苗，
继代培养条件为：温度为24±2℃，湿度为70～75％，光照时间为10～12小时/天，光照强度为2800～32001x，
继代培养基为：在MS培养基基础上，先将硝酸铵的浓度调整为1200～1300mg/L，另外再添加尿素100～120mg/L，添加ABA3～3.5mg/L，添加吲哚乙酸0.5～0.8mg/L，添加谷氨酰胺5.0～5.5mg/L，添加活性炭200～300mg/L；
(4)生根培养
将继代培养苗转移至生根培养基中培养20～25天得到矮珍珠幼苗，
生根培养条件为：温度为30±2℃，湿度为40～50％，光照时间为12～15小时/天，光照强度为3500～42001x，
生根培养基为：在N6培养基基础上，另外再添加钼酸铵0.01～0.02mg/L，添加TDZ 1.5～2.0mg/L，添加支链淀粉130～150mg/L，用氢氧化钠调节pH为7.0～7.2；
(5)炼苗和移栽
生根培养结束后，打开培养瓶盖，在自然光下进行开瓶练苗5～7天，然后将矮珍珠幼苗用清水多次冲洗去除残留培养基，移栽至自然水体中。
与现有技术相比较，本发明具备的有益效果：
有效地提高矮珍珠的繁殖系数，为矮珍珠商业化生产提供充足的种苗源。与播种繁殖相比，组织培养法能有效缩短育苗周期，能够在室内大量连续地生产，实现工厂化、专业化和规模化，不受季节、温度、地域影响，获得大量的无菌苗，提高种苗的载培成活率，提高产量和品质。
具体实施方式
下面通过实施例对本发明的技术方案作进一步阐述。
实施例1
矮珍珠的组织培养方法，包括如下步骤：
(1)获取外植体并消毒
选取健壮植株新生的幼嫩枝芽，自来水洗涤枝芽表面污垢尘土，先酒精浸泡，再升汞消毒，最后无菌水冲洗干净后得到消毒外植体，
(2)初代培养
将消毒外植体分割成带芽茎段，然后接入初代培养基中培养32天获得不定芽，
初代培养条件为：温度为22℃，湿度为63％，光照时间为8小时/天，光照强度为22001x，初代培养第1～7天，每天施加超声场1小时，超声场功率为8W/cm2，超声场频率为20KHz，初代培养第8～15天，每天施加超声场4小时，超声场功率为15W/cm2，超声场频率为25KHz；
初代培养基为：在ER培养基基础上，再添加碘酸钾0.1mg/L，添加2,4-D 0.6mg/L，添加多效唑1.2mg/L；
(3)继代培养
将不定芽转移至继代培养基中培养40～45天获得继代培养苗，
继代培养条件为：温度为26℃，湿度为70％，光照时间为10小时/天，光照强度为28001x，
继代培养基为：在MS培养基基础上，先将硝酸铵的浓度调整为1200mg/L，另外再添加尿素100mg/L，添加ABA3mg/L，添加吲哚乙酸0.5mg/L，添加谷氨酰胺5.0mg/L，添加活性炭200mg/L；
(4)生根培养
将继代培养苗转移至生根培养基中培养20～25天得到矮珍珠幼苗，
生根培养条件为：温度为28℃，湿度为40％，光照时间为12小时/天，光照强度为35001x，
生根培养基为：在N6培养基基础上，另外再添加钼酸铵0.01mg/L，添加TDZ 1.5mg/L，添加支链淀粉130mg/L，用氢氧化钠调节pH为7.0；
(5)炼苗和移栽
生根培养结束后，打开培养瓶盖，在自然光下进行开瓶练苗5～7天，然后将矮珍珠幼苗用清水多次冲洗去除残留培养基，移栽至自然水体中。
实施例2
矮珍珠的组织培养方法，包括如下步骤：
(1)获取外植体并消毒
选取健壮植株新生的幼嫩枝芽，自来水洗涤枝芽表面污垢尘土，先酒精浸泡，再升汞消毒，最后无菌水冲洗干净后得到消毒外植体，
(2)初代培养
将消毒外植体分割成带芽茎段，然后接入初代培养基中培养36天获得不定芽，
初代培养条件为：温度为26℃，湿度为68％，光照时间为10小时/天，光照强度为25001x，初代培养第1～7天，每天施加超声场2小时，超声场功率为12W/cm2，超声场频率为22KHz，初代培养第8～15天，每天施加超声场5小时，超声场功率为18W/cm2，超声场频率为26KHz；
初代培养基为：在ER培养基基础上，再添加碘酸钾0.5mg/L，添加2,4-D 0.8mg/L，添加多效唑1.3mg/L；
(3)继代培养
将不定芽转移至继代培养基中培养45天获得继代培养苗，
继代培养条件为：温度为26℃，湿度为75％，光照时间为12小时/天，光照强度为32001x，
继代培养基为：在MS培养基基础上，先将硝酸铵的浓度调整为1300mg/L，另外再添加尿素120mg/L，添加ABA3.5mg/L，添加吲哚乙酸0.8mg/L，添加谷氨酰胺5.5mg/L，添加活性炭300mg/L；
(4)生根培养
将继代培养苗转移至生根培养基中培养20～25天得到矮珍珠幼苗，
生根培养条件为：温度为32℃，湿度为50％，光照时间为15小时/天，光照强度为42001x，
生根培养基为：在N6培养基基础上，另外再添加钼酸铵0.02mg/L，添加TDZ 2.0mg/L，添加支链淀粉150mg/L，用氢氧化钠调节pH为7.2；
(5)炼苗和移栽
生根培养结束后，打开培养瓶盖，在自然光下进行开瓶练苗5～7天，然后将矮珍珠幼苗用清水多次冲洗去除残留培养基，移栽至自然水体中。