1.一种甘草种植方法，包括：
步骤（1）整地；
步骤（2）施肥；
步骤（3）覆膜；
步骤（4）播种，
所述步骤（1）整地包括深松、碎土和成垄环节，在进行整地时，深松土壤，深松沟宽，沟上自然起垄；
所述步骤（2）施肥时，进行垄上机械集中施肥；
所述步骤（4）播种采用膜下精量点播技术，进行膜下精量点播时，采用一垄多行点播技术，播种深度3.0cm以下，种穴轻微覆土2.0cm以下，在播种前，甘草种子经稀盐酸搅拌浸泡，经稀盐酸搅拌浸泡，
其特征在于：在甘草茎部长至4-6cm时，掐去甘草顶端幼芽，破坏其顶端生长点，可使甘草纵向长势停止。
2.根据权利要求1所述的甘草种植方法，其特征在于：所述步骤（1）整地包括深松、碎土和成垄环节，在进行整地时，深松土壤0.5-2.5m，深松沟宽20-60cm，沟上自然起垄。
3.根据权利要求1所述的甘草种植方法，其特征在于：所述步骤（2）施肥时，进行垄上机械集中施肥，施肥深度10-16cm。
4.根据权利要求1所述的甘草种植方法，其特征在于：所述步骤（4）播种采用膜下精量点播技术，进行膜下精量点播时，采用一垄双行点播或一垄四行点播技术，播种深度1.6-1.9cm，种穴轻微覆土1.4-1.8cm。
5. 根据权利要求1所述的甘草种植方法，其特征在于：在播种前，甘草种子经稀盐酸搅拌浸泡，经稀盐酸搅拌浸泡 18-25min，浸泡温度为20-30℃。
6.根据权利要求1所述的甘草种植方法，其特征在于：所述步骤（2）所施用肥料为液态有机肥。
7.根据权利要求1所述的甘草种植方法，其特征在于：在甘草茎部长至4-6cm时，掐去甘草顶端幼芽后，在顶端进行表面消毒。
8.根据权利要求7所述的甘草种植方法，其特征在于：所述表面消毒步骤包括，（1）用消毒液将甘草顶端表面擦拭干净；（2）用蒸馏水清洗。
9.根据权利要求8所述的甘草种植方法，其特征在于：所述消毒液为酒精。