本发明属于蔬菜遗传育种领域，具体涉及一种适用于南瓜种间杂交重组自交系创制的技术方法。
背景技术：
南瓜是重要的葫芦科蔬菜经济作物，它包括中国南瓜、印度南瓜、美洲南瓜等。中国南瓜抗病性、耐热性强，但不耐寒、熟性迟、嫩瓜品质差，一般以食用老熟瓜为主，而印度南瓜早熟、品质佳，但抗病性弱、耐热性差，一般以食用嫩瓜为主。因此，印度南瓜与中国南瓜的种间杂交是改良南瓜抗性和品质等性状的重要途径。印度南瓜与中国南瓜的种间杂交，因存在杂交亲和性障碍，上世纪几十年来寻求打破种间杂交障碍的研究未能获得理想结果，f1代能成活但自交不育，回交一次恢复可育性后未作进一步研究。有研究证实，印度南瓜与中国南瓜栽培种之间存在部分亲和，只要材料选用得当，可以用中国南瓜改良印度南瓜，并成功选育出种间杂交组合应用于生产。日本学者通过中国南瓜和印度南瓜种间杂交获得了‘新土佐’杂交南瓜。但对如何获得种间杂交自交系材料至今未见报道。若在印度南瓜与中国南瓜之间创造出种间自交系的桥梁亲本，则可为利用种间杂交开展优质抗病抗逆南瓜品种选育开辟了新途径。
技术实现要素：
本发明要解决的技术问题是提供一种南瓜种间杂交重组自交系的创制方法，采用本发明的方法能解决中国南瓜和印度南瓜杂交困难、难于获得种间杂种及其自交后代的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种南瓜种间杂交重组自交系的创制方法，包括以下步骤：
以印度南瓜作母本、中国南瓜作父本获得f1杂交种子，再以印度南瓜作为轮回亲本通过回交自交的方法，获得种间重组自交系；该种间重组自交系具备可育后代的性能。
作为本发明的南瓜种间杂交重组自交系的创制方法的改进：
所述作为母本的印度南瓜为‘栗子蔓’、‘胜荣’，
所述作为父本的中国南瓜为‘象鼻子’。
作为本发明的南瓜种间杂交重组自交系的创制方法的进一步改进：
以‘栗子蔓’为p1，以‘胜荣’为p2，以‘象鼻子’为p3，
先以p1和p3杂交，得f1；
用p2对f1进行第一次回交，得bc1f1；
用p2对bc1f1进行第二次回交，得bc2f1；
将bc2f1依次进行一～五次自交，对应得到bc2f2～bc2f6，该自交四代bc2f5、自交五代bc2f6具备可育后代的性能。
即，随着自交代数的增加，后代育性逐渐恢复，到自交四代和自交五代的高代自交系，其育性基本接近正常水平，该重自组自交系繁殖性能优良。
本发明采用印度南瓜作母本、中国南瓜作父本获得f1杂交种子，再通过轮回亲本多代回交自交的方法，以获得种间重组自交系的技术方法，该种间重组自交系具备可育后代的性能。重组自交系bc2f6的平均单果种子数为199，接近正常水平，说明经过二代回交和多代自交后其后代的育性已基本回复正常，具备优越的繁殖性能。
南瓜种间杂交成功率受双亲基因型和杂交方式的影响，父母本的选择影响杂交一代的可育性，杂交一代大多不育，自交难于获得可育后代，从而阻碍重组自交系的选育。本发明在选择合适的中国南瓜和印度南瓜基因型基础上，通过印度南瓜作母本、中国南瓜作父本获得f1杂交种子，再以印度南瓜作为轮回亲本多代回交自交的方法，成功获得重组自交系的技术方法。本方法适用于中国南瓜和印度南瓜重组自交系的培育，可操作性强，可以广泛用于中国南瓜和印度南瓜种质资源的改良和具有双亲优势的杂交一代品种的选育。
本发明设定的南瓜种间杂交获得重组自交系的技术方法，可广泛用于南瓜种间杂交自交系的创制和杂交一代新品种的选育。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细说明。
图1为中国南瓜与印度南瓜种间bc2f6自交系的育成过程示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行进一步描述，但本发明的保护范围并不仅限于此：
实施例1、南瓜种间杂交重组自交系的创制方法、依次进行以下步骤：
1材料与方法
1.1试验材料及来源：
印度南瓜p1和p2，均为自交系材料。其中p1是从日本协和种苗株式会社的印度南瓜品种栗子蔓中选育出来的多代自交系，p2是从日本武藏野种苗株式会社的印度南瓜品种胜荣中选育出来的多代自交系。中国南瓜p3，为中国南瓜象鼻子的多代自交系。
1.2试验方法：
从2006春季至2009年秋季进行，每年种植春、秋两季，四年共种植8茬。其中2006年春季分别以印度南瓜p1、p2作为亲本，中国南瓜p3为亲本进行正反交，2006年秋季至2007年春季用印度南瓜p2对p1×p3回交两次，2007年秋季至2009年秋季进行五次自交。即，先以p1和p3杂交，得f1；用p2对f1进行第一次回交，得bc1f1；用p2对bc1f1进行第二次回交，得bc2f1；将bc2f1依次进行五次自交，对应得到bc2f2～bc2f6。
在杂交(包括上述正交、反交、回交)或自交中，于前1d下午4～5时用塑料夹夹住次日将开花的雌花和雄花，次日春季上午8～10时(秋季7～9时)去夹授粉后再重新夹雌花以防串粉(即，用雄花人工授粉后重新将雌花夹住以防自然授粉所导致的串粉)，直至花冠自然脱落。授粉后50～55d(秋季55～60d)采收，后熟5～7d(秋季10～15d)后全部分单瓜考查取种。
2结果与分析
2.1以中国南瓜作母本，印度南瓜作父本，较难获得可育的f1代种子。反之，可以获得少量可育的f1代种子(见表1)。
表1、2006年春季中国南瓜与印度南瓜种间杂交结果数及f1代种子出苗数
备注：瓜果数即座果数，指瓜(果)的个数；单瓜种子数即每个瓜(果实)含有的种子数。
2006年秋季种植印度南瓜和中国南瓜的种间f1，结果表现为长势旺、茎蔓粗、叶片大、根系发达、抗逆性强等特点。其中在抗逆性方面，主要表现为对白粉病和蔓叶枯病较强的抗性以及极强的抗寒能力。
2.2种间f1代及回交一代bc1f1进行自交，较难获得可育自交种子，具体而言：以中国南瓜作母本，印度南瓜作父本配制的杂交组合中(表1中的p3×p1，p3×p2)均未能获得正常出苗的f1种子，而以印度南瓜作母本，中国南瓜作父本配制的种间f1(表1中的p1×p3，p2×p3)及其回交和自交后代的育性逐渐回复正常。
但用印度南瓜花粉进行回交授粉，得到了回交1～2代材料，具体而言：在对印度南瓜和中国南瓜正反交种间杂种f1自交不能得到果实的情况下，改用印度南瓜p2的花粉对以印度南瓜为母本、中国南瓜为父本的‘p1×p3’进行杂交授粉(近似一次回交)和回交(近似两次回交)，获得了可育的回交后代种子(见表2)即，bc1f1和bc2f1。
本发明在对印度南瓜和中国南瓜正反交种间杂种f1自交不能得到果实的情况下，改用印度南瓜p2的花粉对以印度南瓜为母本、中国南瓜为父本的‘p1×p3’进行杂交授粉(近似一次回交)和回交(近似两次回交)，获得了可育的回交后代种子(见表2)。由于两次用印度南瓜花粉授粉以及食用品质的人为选择因素，回交后代的植株、瓜果性状明显趋向于印度南瓜。
表2、2006年秋季至2009年秋季中国南瓜与印度南瓜种间f1回交、自交后单瓜种子情况
从上表平均单瓜种子数的数据看，随着自交代数的增加，后代育性逐渐恢复，到自交四代和五代的高代自交系其育性基本接近正常水平。
2.3对回交两次bc2f1材料进行自交，获得可育种子以及可育的自交bc2f6。
2007年秋季，种植bc2f1材料36株，经自交获得3个自交瓜，平均单瓜种子数44粒。再经过五次自交，于2009年秋季，获得了可育的自交五代种子，平均单瓜种子数为199粒，最大单瓜种子数达315粒，平均单株坐果数0.74个，单瓜种子重24～68g，平均44.9g，千粒重186～270g，平均193g。完全恢复了自交可孕性。田间观察表明，自交五代植株与果实的植物学特征，多数明显趋向于印度南瓜，但有2个株系的多数果实仍保留不完整但很明显的中国南瓜特征——果梗基部膨大呈多角形，这2个株系(分别为3个果和8个果)的平均单果种子数分别为205粒和124粒，平均单果种子重分别为39.3g和32g，千粒重分别为191g和252g。
2.4自交4～5代材料(bc2f5～bc2f6)的生物学特性和植物学特征，兼具中国南瓜和印度南瓜的特点。
根据2009年春季、秋季种植情况，自交4～5代的果实食用品质、早熟性(第一雌花节位和开花时间)、叶片特征、种子特征等性状趋向于印度南瓜，具有肉质坚实、粉质强、早熟、叶片厚而圆无白斑，种子表面光滑等；而长势、瓜蔓不定根生长习性、后期分枝性、叶片寿命、果瓤特征、雄花开花前花瓣表面和雌花胚株表面的绒毛等性状趋向中国南瓜，具有长势强、抗病性强、瓜蔓易生不定根、春季种植生长后期较耐高温、秋季种植生长后期较耐低温、果瓤分布松散易与种子分离、绒毛较长等；抗病性、对温度的反应等生物学特征，介于印度南瓜与中国南瓜之间。而作为“种”的主要特征，果柄和柄座以及果实特征，这一种间自交后代，应属介于中国南瓜和印度南瓜的中间杂种。另外，种子长宽度及长宽比比较，种间自交系zj40-1-1-20-2-6为16.l×9.6mm和1.66：1，而印度南瓜自交系ny6为14.8×10.2mm和1.45：1。种间自交系较为细长，也介于中国南瓜与印度南瓜之间。
根据上文，可得知：(1)印度南瓜与中国南瓜的种间杂交，正反交存在显著差异。种间杂交以印度南瓜为母本、中国南瓜为父本能得到极少量f1种子，反之难度较大。(2)回交可以提高种间杂交后代的自交可孕性。种间f1以及bc1f1均表现为自交不孕，但用印度南瓜为两次轮回亲本的bc2f2自交可孕，可以获得可育的bc2f6种子。(3)种间自交系bc2f6可与印度南瓜正反交，也可用中国南瓜花粉对其授粉得到正常数量f1种子，但用其花粉对中国南瓜授粉仍难获得杂交种子。
对比例、以‘栗子蔓’为p1，以‘胜荣’为p2，以‘象鼻子’为p3，
以印度南瓜作母本、中国南瓜作父本进行p2×p3杂交，得到f1，再用p1对f1进行第一次回交，但是不能得到bc1f1种子。
最后，还需要注意的是，以上列举的仅是本发明的若干个具体实施例。显然，本发明不限于以上实施例，还可以有许多变形。本领域的普通技术人员能从本发明公开的内容直接导出或联想到的所有变形，均应认为是本发明的保护范围。