本发明涉及生物技术领域，具体是一种霍山米斛的种植方法。
背景技术
霍山米斛学名霍山石斛，是兰科石斛属的草本植物，“形似钗斛细小，短只寸许”，与《中华人民共和国药典》中记载的铁皮石斛并非同一物种。霍山米斛生长缓慢，目前人工种植引进铁皮石斛、铜皮石斛等高产石斛进行种源优化，不知情者常把产于霍山的各种石斛都理解为霍山石斛。霍山米斛原产于大别山区的安徽省霍山县，属地标产品，大多生长在云雾缭绕的山谷溪边潮湿之地，多簇生。目前，野生霍山米斛已很难看到，市面上基本都是野生种源移植，霍山人工种植主要有米斛、铁皮石斛、铜皮石斛。
随着时代的进步和科学的发展，人类解决了种苗组织培养和大棚种植等技术问题，产量是提高了，而质量却在下降。野外栽培的米斛产量低，受自然因素控制，收成受气候影响大，大棚种植的石斛品质又得不到保证。因此，针对这一现状，迫切需要开发一种霍山米斛的种植方法，以克服当前实际应用中的不足。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种霍山米斛的种植方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种霍山米斛的种植方法，包括以下步骤：
1）选苗：选择根系发达、苗体健壮的幼苗，在密闭大棚中对幼苗进行组织营养培育，通过散光对棚内照射，选择培育较好的大苗；
2）基质：对基质高温处理以杀死有害微生物和病虫卵，再对基质进行发酵处理，所述基质分为上下两层，下层基质为碎石块，上层基质由小石子、瓜子片和松树皮组成；
3）基地处理：将已添加好基质的基地进行田间规划，在基地的基质上均匀铺洒细粉，所述细粉由蚕沙加工的粉末，在基质上刨出小坑；
4）栽种：将在大棚中培养的米斛苗或者野外采集的米斛大苗的根部植入小坑中，适量洒水，保持基地的湿度为70～80%；
5）定植管理：做好病虫害的定期检查，平时注意清除基地中杂草和落叶，在米斛生长的旺盛期，用浓度40～50%的沼液或腐熟农家肥清液每5天对植株根部雾化喷洒1次，连续75～90天，期间干旱无雨每周对植株根部雾化喷水2～3次，上午11点以前进行；
6）收获：选择栽种3～4年的生长状况良好的米斛，采出其老茎，保留当年新茎和上年花茎，进行培育幼苗和留种。
作为本发明进一步的方案：在步骤1）中，密闭大棚中的照度为4000～4500lux，温度为22～25℃，湿度为75～85%。
作为本发明进一步的方案：在步骤1）中，密闭大棚中的遮阴度为70%，无直射光照。
作为本发明进一步的方案：在步骤2）中，碎石块和小石子基质为火山石。
作为本发明进一步的方案：在步骤2）中，松树皮基质，通过添加碱性溶液中和松树皮中的酸，再使用高温蒸煮30分钟，取出让其自然冷却晾干，松树皮基质含水量为60%。
作为本发明进一步的方案：在步骤3）中，每平方基地均匀铺洒120克细粉。
作为本发明进一步的方案：在步骤3）中，小坑间的距离为8×8cm，坑深为3cm。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：该霍山米斛的种植方法，收获的米斛品质优良，既保证了米斛的品质，又大大提高了米斛的产量，保持米斛自然生长的特性和良好的遗传稳定性，防止物种退化，种植后基本无需大量人工干预，大大减少了劳力和人工费用，种植技术易于掌握、投资少、成本低，有利于大面积推广应用。
具体实施方式
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
本发明实施例中，一种霍山米斛的种植方法，包括以下步骤：
1）选苗：选择根系发达、苗体健壮的幼苗，在密闭大棚中（密闭大棚中的遮阴度为70%，无直射光照）对幼苗进行组织营养培育，通过散光对棚内照射，棚内照度为4000lux，温度为22℃，湿度为75%，选择培育较好的大苗；
2）基质：对基质高温处理以杀死有害微生物和病虫卵（红蜘蛛和土蚕的卵等），再对基质进行发酵处理，所述基质分为上下两层，下层基质为碎石块（火山石），上层基质由小石子（火山石）、瓜子片和松树皮组成，所述松树皮基质，通过添加碱性溶液中和松树皮中的酸，再使用高温蒸煮30分钟，取出让其自然冷却晾干，松树皮基质含水量为60%；
3）基地处理：将已添加好基质的基地进行田间规划，在基地的基质上均匀铺洒细粉（每平方基地均匀铺洒120克细粉），所述细粉由蚕沙加工的粉末，在基质上刨出小坑，小坑间的距离为8×8cm，坑深为3cm；
4）栽种：将在大棚中培养的米斛苗或者野外采集的米斛大苗的根部植入小坑中，适量洒水，保持基地的湿度为70%；
5）定植管理：做好病虫害的定期检查，平时注意清除基地中杂草和落叶，在米斛生长的旺盛期，用浓度40%的沼液或腐熟农家肥清液每5天对植株根部雾化喷洒1次，连续75天，期间干旱无雨每周对植株根部雾化喷水2次，上午11点以前进行；
6）收获：选择栽种3年的生长状况良好的米斛，采出其老茎，保留当年新茎和上年花茎，进行培育幼苗和留种。
本实施例米斛种苗种植的成活率94.5％。
实施例2
本发明实施例中，一种霍山米斛的种植方法，包括以下步骤：
1）选苗：选择根系发达、苗体健壮的幼苗，在密闭大棚中（密闭大棚中的遮阴度为70%，无直射光照）对幼苗进行组织营养培育，通过散光对棚内照射，棚内照度为4500lux，温度为25℃，湿度为85%，选择培育较好的大苗；
2）基质：对基质高温处理以杀死有害微生物和病虫卵（红蜘蛛和土蚕的卵等），再对基质进行发酵处理，所述基质分为上下两层，下层基质为碎石块（火山石），上层基质由小石子（火山石）、瓜子片和松树皮组成，所述松树皮基质，通过添加碱性溶液中和松树皮中的酸，再使用高温蒸煮30分钟，取出让其自然冷却晾干，松树皮基质含水量为60%；
3）基地处理：将已添加好基质的基地进行田间规划，在基地的基质上均匀铺洒细粉（每平方基地均匀铺洒120克细粉），所述细粉由蚕沙加工的粉末，在基质上刨出小坑，小坑间的距离为8×8cm，坑深为5cm；
4）栽种：将在大棚中培养的米斛苗或者野外采集的米斛大苗的根部植入小坑中，适量洒水，保持基地的湿度为80%；
5）定植管理：做好病虫害的定期检查，平时注意清除基地中杂草和落叶，在米斛生长的旺盛期，用浓度50%的沼液或腐熟农家肥清液每5天对植株根部雾化喷洒1次，连续90天，期间干旱无雨每周对植株根部雾化喷水3次，上午11点以前进行；
6）收获：选择栽种4年的生长状况良好的米斛，采出其老茎，保留当年新茎和上年花茎，进行培育幼苗和留种。
本实施例米斛种苗种植的成活率95.2％。
实施例3
本发明实施例中，一种霍山米斛的种植方法，包括以下步骤：
1）选苗：选择根系发达、苗体健壮的幼苗，在密闭大棚中（密闭大棚中的遮阴度为70%，无直射光照）对幼苗进行组织营养培育，通过散光对棚内照射，棚内照度为4250lux，温度为23.5℃，湿度为80%，选择培育较好的大苗；
2）基质：对基质高温处理以杀死有害微生物和病虫卵（红蜘蛛和土蚕的卵等），再对基质进行发酵处理，所述基质分为上下两层，下层基质为碎石块（火山石），上层基质由小石子（火山石）、瓜子片和松树皮组成，所述松树皮基质，通过添加碱性溶液中和松树皮中的酸，再使用高温蒸煮30分钟，取出让其自然冷却晾干，松树皮基质含水量为60%；
3）基地处理：将已添加好基质的基地进行田间规划，在基地的基质上均匀铺洒细粉（每平方基地均匀铺洒120克细粉），所述细粉由蚕沙加工的粉末，在基质上刨出小坑，小坑间的距离为8×8cm，坑深为4cm；
4）栽种：将在大棚中培养的米斛苗或者野外采集的米斛大苗的根部植入小坑中，适量洒水，保持基地的湿度为75%；
5）定植管理：做好病虫害的定期检查，平时注意清除基地中杂草和落叶，在米斛生长的旺盛期，用浓度45%的沼液或腐熟农家肥清液每5天对植株根部雾化喷洒1次，连续82天，期间干旱无雨每周对植株根部雾化喷水3次，上午11点以前进行；
6）收获：选择栽种3.5年的生长状况良好的米斛，采出其老茎，保留当年新茎和上年花茎，进行培育幼苗和留种。
本实施例米斛种苗种植的成活率96.8％。
该霍山米斛的种植方法，收获的米斛品质优良，既保证了米斛的品质，又大大提高了米斛的产量，保持米斛自然生长的特性和良好的遗传稳定性，防止物种退化，种植后基本无需大量人工干预，大大减少了劳力和人工费用，种植技术易于掌握、投资少、成本低，有利于大面积推广应用。
以上的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些也应该视为本发明的保护范围，这些都不会影响本发明实施的效果和专利的实用性。