一种盐碱地利用咸水移栽出芽后柽柳大苗的方法与流程

本发明涉及盐碱地植物移栽建林技术领域，具体涉及一种盐碱地利用咸水移栽出芽后柽柳大苗的方法。

背景技术：

中华柽柳（tamarixchinensis）是滨海盐碱地常见的乡土植物，其耐盐、耐旱、耐水淹，能够适应滨海重盐碱地中严酷的自然环境，因此大量用于滨海盐碱地植被建设和园林绿化工程。近年来，科研人员利用中华柽柳的野生变异单株选育出多个景观效果优良的园林绿化用中华柽柳新品种，如“海柽1号”，“盐松”等，并在重盐碱地（盐分含量高于8gkg^-1）绿化中大规模推广。

目前，为提高栽植成活率，行业内技术人员大多采用柽柳大苗移栽的方法在重盐碱地上造林和绿化。一般情况下，柽柳的萌发时间为3月底至4月初，而柽柳的移栽时间通常选于3月份，这是因为从4月份开始柽柳已经发芽，移栽后柽柳大苗的根系不能提供足够的水分，就会导致其成活率降低。所以柽柳大苗的移栽时间多局限在3月份。此外，目前技术下柽柳移栽后需浇灌大量的淡水以保证柽柳的成活率，但是滨海盐碱地淡水资源缺乏，且春季和初夏降水量少，浇灌淡水的耗资成为盐碱地造林的主要成本之一。可见，目前柽柳大苗移栽中主要存在以下三个方面的技术难题：1、移栽时令短，限制了柽柳移栽数量和建林面积；2、移栽成活率低；3、移栽后浇灌所需淡水资源缺乏，移栽成本高。这些是制约重盐碱地柽柳大苗移栽造林的主要因素。因此，如果行业内能够研发出新的柽柳大苗的移栽方法，且能够降低淡水的使用量，降低盐碱地绿化成本，提高移栽成活率，打破移栽季节限制，这对滨海盐碱地原土植被建设有非常重要的意义。

技术实现要素：

本发明的目的是提供一种盐碱地利用咸水移栽出芽后柽柳大苗的方法，以解决现有技术大苗移栽存在的移栽时令受限、成活率低、移栽成本高的问题。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：一种盐碱地利用咸水移栽出芽后柽柳大苗的方法，包括以下步骤：

（a）挖掘柽柳大苗，保留至少2个30cm以上的粗根，修剪大苗顶部和主干上已萌发的枝叶，获得1m长的大苗主干；

（b）将大苗在24小时内运输至盐碱地栽植点，取栽植点的咸水，将大苗浸泡于咸水中，浸泡24~72h；所述咸水的含盐量为10~15gl^-1，所述咸水的温度为14~18℃；

（c）挖树坑，每个树坑底部撒施磷酸二胺45~55g，每个树坑栽植一株浸泡后的大苗；

（d）抽取栽植点的咸水给栽植后的大苗浇水，浇水量20~30l/株；所述咸水含盐量小于15gl^-1；

（e）将整个树坑表面覆盖地膜，地膜中间开口，柽柳大苗伸出地膜，用土将树坑边缘的地膜压实，即可。

步骤（a）将1m长的大苗主干根系方向一致、对齐，每10株一捆进行捆绑。

步骤（b）中大苗浸泡于咸水中是指将成捆的大苗并排堆放浸泡于咸水中，树苗全部没于所述咸水中。

步骤（c）每个树坑的直径为50-60cm、深度为60-80cm。

步骤（c）栽植大苗填埋树坑时，土壤覆盖表层超过柽柳大苗主干移栽前原土覆盖印4-6cm，埋土踩实后树坑上方留有浇灌蓄水空间。

步骤（d）栽植点的咸水是指从栽植点的沟渠、坑塘或地下抽取的咸水。

在步骤（e）覆膜后，栽植2周时检测树坑表层土壤含水量，若含水量低于25%，再次浇灌所述咸水15~20l/株。

本发明提供了盐碱地利用咸水移栽出芽后柽柳大苗的方法，该方法通过起苗、修剪、浸泡咸水、栽植、咸水浇灌、覆膜以及二次咸水浇灌，特别是将修剪好的大苗浸泡于特定温度下的咸水一定时间，提高发芽后柽柳大苗的移栽成活率，而且可以直接利用当地丰富的咸水进行浇灌，这不仅能够打破柽柳大苗移栽的季节限制，也能够显著降低淡水的使用量，降低盐碱地绿化的成本，而且显著提高了移栽后柽柳大苗的成活率，这对滨海盐碱地原土植被建设有重要的意义。

附图说明

图1为捆绑后的大苗浸泡咸水的状态图。

图2为栽植后树坑及大苗的位置示意图。

图3为柽柳大苗移栽于小区后的状态图。

图4为柽柳大苗在不同处理下的芽长统计结果。

图5为柽柳大苗在不同处理下的芽数量统计结果。

图6为移栽20天和50天时柽柳大苗在不同处理下的成活率统计结果。

图7为移栽20天和50天时柽柳大苗在不同处理下的顶芽高度统计结果。

图8为移栽50天时不同处理下移栽后的海柽1号的萌发特征状态图。

图9为移栽50天时不同处理下移栽后的海柽1号的生长状况图。

具体实施方式

以下的实施例便于更好地理解本发明，但并不限定本发明。下述实施例中的实验方法，若未特别指明，实施例中所用的实验材料、用具等，如无特殊说明，均为本领域常规器件，可从商业途径得到。

实施例1

试验地点：位于河北省海兴县小山乡，土壤为滨海盐渍化潮土，土壤含盐量为8.6gkg^-1，土壤水分含量为22%。

试验品种：柽柳大苗为2015年扦插繁育，品种为密叶柽柳“海柽1号”，地径4~5cm。

试验方法：

（1）起苗及修苗：2019年4月20日人工挖掘柽柳树苗，新叶长度8~15cm，挖取时留取2个30cm长的粗根，保留较长的粗根可以增加柽柳大苗自身的储水量，利于成活；剪去1m以上的部分，并剪去主干上已经萌发的全部枝叶，将幼苗根系方向对齐，每10株一捆进行捆绑，以便于浸泡；

（2）咸水浸泡：将捆绑好的大苗在一天之内运输至栽植点，就地挖掘土坑设置塑料膜水池，将抽取的地下咸水置于水池内（若当地有现成的沟渠、坑塘直接利用即可），将捆绑好的大苗浸泡在咸水水池中，检测水池中咸水的含盐为12.45gl^-1，温度为16.5℃。一般情况下，咸水的含盐量为10~15gl^-1，盐分含量过高和过低都不利于柽柳的成活，盐分含量过低出芽后容易使得叶片抽干，而盐分含量过高会限制柽柳新芽的萌发；咸水的温度一般不高于18℃度，温度过高会造成树干上生长藻类，不利于成活；浸泡时将柽柳大苗全部浸泡于咸水中为最佳状态；

试验共分为3个处理组，每个处理分三个小区栽植，每个小区36株，每个处理移栽108株柽柳大苗，3个处理栽植324株；

三个处理分别为：

对照组：大苗修剪后不做浸泡处理，当日直接栽植，栽植的条件与其他试验组相同；

试验组1：捆好的大苗浸泡咸水24h后进行栽植；

试验组2：捆好的大苗浸泡咸水72h后进行栽植；

捆好的大苗浸泡咸水的状态图如图1所示。

（3）栽植：树坑为人工挖掘，树坑的直径50cm、深度60cm，由于滨海盐碱地土壤黏重，根系生长困难，若采用机械打坑时，尽量使坑内有较多疏松的土壤，栽植柽柳前，在每个树坑底部撒施磷酸二胺50g，于4月20日当日、21日和23日分别将三个处理组的树苗根部埋置于树坑中，每个树坑栽植一株大苗，栽植大苗填埋树坑时，土壤表层覆盖柽柳大苗主干超过柽柳主干原土印5cm，埋土踩实后树坑上方留有浇灌蓄水空间，栽植后树坑及大苗的位置示意图见图2；其栽植后于小区内的状态图如图3所示。

（4）咸水浇灌：栽植后的大苗采用沟渠内的地表咸水进行浇灌，检测其该咸水含盐量12.83gl^-1，栽植后立即浇咸水20-30l；

（5）套树覆膜：浇灌1天后用地膜覆盖树坑，用80cm×80cm的地膜中间开口，套过大苗将整个树坑上方盖严，用不少于3cm厚的土将树坑边缘压住。

此后，由于栽植后正为干旱季节，土壤蒸发旺盛，需要补充土壤水分，栽植2周后根据土壤含水量是否低于25%，进行再次浇灌，浇灌咸水量为15~20l/株。

（6）调查试验结果：2019年5月9日调查不同处理下栽植柽柳的成活率（萌发新芽的视为成活植株），测定萌发植株上顶芽的高度、最长芽的长度（芽长）以及新萌发芽的数量（芽数量）；其不同处理下芽长统计结果如图4所示，不同处理下芽数量统计结果如图5所示。

2019年6月10日再次调查成活率，测定树干上顶芽的高度。5月9号和6月10统计不同处理下柽柳大苗成活率的结果如图6所示，5月9号和6月10统计不同处理下柽柳大苗的顶芽高度结果如图7所示。

从5月9日和6月10日不同调查时间的调查统计结果显示，浸泡过的柽柳成活率和主干顶芽的高度显著高于未浸泡的，而浸泡时间对柽柳的成活率的影响不明显；栽植后20日，浸泡72h的处理有加多的萌芽数量和较大的芽长，但是浸泡24h和浸泡72h的处理成活率和顶芽高度无显著差异。

6月10日时不同处理下移栽后的海柽1号的萌发特征如图8所示、生长状况如9所示。从生长和调查结果显示，咸水浸泡可以促进柽柳的发芽，提高柽柳的成活率并降低主干的抽干长度（顶芽距离主干顶部的距离），可以看出浸泡时间24h已经达到促进成活的效果，但是浸泡72h促进柽柳成活的效果与24h相当，虽然在早期在一定程度上促进了柽柳的萌芽速度，但是成活率并没有显著好于24h，也没有出现浸泡时间72小时抑制柽柳生长的问题。

研究结果证明，采用本发明提供的方法即使在非3月份移栽，并直接采用咸水浇灌，也可以显著提高柽柳大苗的成活率，同时还降低截干后的主干顶部的干枯长度。

本发明提供的栽植方法非常适用于滨海重盐碱地原土栽植，其在盐度10gkg^-1以上的重盐碱地栽植均可达到理想的成活率；适用于发芽后的柽柳移栽工作，栽植后二次萌芽早，主干上萌芽点高（主干干枯较短），成活率高；由于全部采用地下或者沟渠坑塘咸水，节约水资源，降低绿化成本。

事实上，本发明的产生在于发明人由于移栽时间延误，于2018年5月初在滨海盐碱地中栽植柽柳，此时柽柳大苗均已发芽，所以导致成活率较低（小于50%），而偶然将部分不能及时栽种而浸泡于咸水沟中的柽柳大苗进行了栽植，然而此后惊奇地发现栽植后浸泡过的这些柽柳大苗不仅成活率高，且发芽快，由此发现浸泡柽柳大苗可以提高移栽的成活率，而且可以打破移栽的时令限制，还可以一直采用咸水灌溉，减低成本。于是设计了上述实施例的对照实验得到了本发明。

以上仅是本发明的若干个具体实施例。本发明不限于以上实施例，还可以有许多变形。本领域的普通技术人员能从本发明公开的内容直接导出或联想到的所有变形，均应认为是本发明的保护范围。