一种广热带睡莲休眠越冬的方法与流程

本发明属于农业种植
技术领域：
，具体涉及一种广热带睡莲休眠越冬的方法。
背景技术：
：睡莲为睡莲科(nymphaeaceae)睡莲属(tv/fflpaaea)植物的统称，多年生水生草本植物，花叶倶美，花色丰富，开花期长，观赏价值极高；睡莲的根能吸收水中的铅、汞、苯酚等有毒物质，是难得的水体净化植物；此外睡莲还具有一定的药用价值。睡莲主要分布于亚热带、温带地区。睡莲生长时，花和叶浮于水面上，茎部位于水中，根部位于水下的泥土中。广热带睡莲属于睡莲属中的一个亚属，直接栽种于露天环境泥土中的广热带睡莲的根系发达，形成地下肉质根状茎，广热带睡莲的营养主要从根部向花茎叶部位输送，使得花茎叶部位长势旺盛，当遇到逆境时，如遇到冬季寒冷天气时，无法休眠形成保护组织，因此常常受到冻害而致死。因此如何避免广热带睡莲受冻害而致死，提高广热带睡莲的越冬存活率对于广热带睡莲的繁殖至关重要。技术实现要素：本发明提供了一种广热带睡莲休眠越冬的方法，提高广热带睡莲的越冬存活率。本发明的技术方案为：一种广热带睡莲休眠越冬的方法，包括以下步骤：(1)将露天环境下生长的广热带睡莲植株的根部从泥土中挖取出来，保持广热带睡莲植株的其余部分依然处于原有生长环境中，然后将挖取出来的广热带睡莲植株的根部栽种于盛装有培养基质的花盆a中；(2)当漂浮于水面上的叶片区域的直径大小每减少10～40cm时，分别将广热带睡莲植株的根部取出，栽种于容积减小且盛装有培育基的花盆中，即进行换花盆操作，直至水面上的叶片消失，停止取出根部进行换花盆栽种的操作。本发明中步骤(2)换花盆的次数，根据漂浮于说水面上的叶片区域的直径大小进行更换，作为优选，所述步骤(2)中，至少进行两次换花盆的操作。作为优选，所述步骤(1)中栽种于花盆a时，所述广热带睡莲植株的叶片区域的直径为100～120cm。作为优选，所述步骤(2)中，当漂浮于水面上的叶片区域的直径大小为70～80cm时，将广热带睡莲植株的根部从花盆a中取出，进行第一次换花盆操作；当漂浮于水面上的叶片区域的直径大小为50～60cm时，进行第二次换花盆操作；当漂浮于水面上的叶片区域的直径大小为40～50cm时，进行第三次换花盆操作；当漂浮于水面上的叶片区域的直径大小为20～30cm时，进行第四次换花盆操作。进行四次换花盆操作只会，使得根部依次收缩减小，最后形成一个贮藏养分的休眠球保护组织进行越冬贮藏。作为优选，所述花盆a的直径为35cm，高为30cm。作为优选，所述步骤(2)中进行了两次换花盆操作，更换的花盆分别为花盆b和花盆c，所述花盆b的直径为30cm，高为25cm。作为优选，所述花盆c的直径为20cm，高为18cm。作为优选，所述花盆a中盛装有培养基，所述培养基质由黄泥、沙土以及泥炭混合而成。本发明中将原本栽种于泥土中的根部取出，栽种于花盆a中，使得供给根部营养的培养基发生变化，使得根部生长环境变化，改变广热带睡莲植株的生长，可以在供给广热带睡莲植株营养成分的同时，起到控制根部生长的作用。作为优选，所述黄泥、沙土以及泥炭的质量比为2：1：1。作为优选，所述步骤(2)中换的花盆中盛装的培养基均为泥土。与现有技术相比，本发明的有益效果体现在：本发明中可选择根系发达且花茎叶长势旺盛的广热带睡莲植株，保持在原有生长环境中，即花叶继续保持在原有环境的水面上，茎部继续保持在水中，将水面下的根部挖取出来栽种于花盆a中，即使得根部变成盆栽的方式生长，根部变换生长环境之后，相对于原有生长环境，盆栽的方式减少了根部的生长空间，可以起到控制根部生长的作用，根部生长收缩变小之后，可以起到减弱根部向花茎叶部位的养分供应。另外，本发明中当漂浮于水面上的叶片区域的直径减小之后，又将根部从花盆a中挖出，并栽种于容积小于花盆a的花盆中，随着叶片区域的逐渐减小，不断更换至容积较小的花盆中，进一步缩小根部生长空间，根部进一步收缩变小，并形成休眠球，根部的养分不能继续向植株上部的花茎叶供给养分，而转换形成上部的花茎叶向植株下部的根部输送养分。随着花茎叶的养分不断供给根部，上部的花茎叶部位逐渐消失，最后停止换盆，使得根部在最后的花盆中进行越冬贮藏，在最后的花盆中的根部形成休眠球保护组织，分化多个侧芽增殖，贮藏养分，抗寒性得到提高，大大提高了广热带睡莲的存活率。附图说明图1为本发明的流程示意图。具体实施方式下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚完整的描述。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。实施例1一种广热带睡莲休眠越冬的方法，包括以下步骤：(1)将露天环境下生长的广热带睡莲植株(漂浮于水面上的叶片的直径大小为100～120cm)的根部从泥土中挖取出来，然后将挖取出来的广热带睡莲植株的根部栽种于花盆a中，并保持广热带睡莲植株的其余部分依然处于原有生长环境中，其中花盆a中培养基质由黄泥、沙土以及泥炭混合而成，且黄泥、沙土以及泥炭的质量比为2：1：1。(2)当漂浮于水面上的叶片直径为40cm时，将广热带睡莲植株的根部从花盆a中挖出，栽种于花盆b中，其中，花盆b中的培养基质为泥土。(3)当叶片逐渐消失，将广热带睡莲植株的根部从花盆b中挖出，栽种于花盆c中越冬贮藏，其中，花盆c中的培养基质为泥土。另外，花盆a的容积大于花盆b的容积，花盆b的容积大于花盆c的容积，本实施例中花盆a的直径为35cm，高为30cm；花盆b的直径为30cm，高为25cm；花盆c的直径为20cm，高为18cm。本实施例中选择根系发达且花茎叶长势旺盛的广热带睡莲植株，保持在原有生长环境中，即花叶继续保持在原有环境的水面上，茎部继续保持在水中，将水面下的根部挖取出来栽种于花盆a中，再移栽于花盆b中，最后移栽于花盆c中进行越冬贮藏。实施例2一种广热带睡莲休眠越冬的方法，包括以下步骤：(1)将露天环境下生长的广热带睡莲植株(漂浮于水面上的叶片的直径大小为100～120cm)的根部从泥土中挖取出来，然后将挖取出来的广热带睡莲植株的根部栽种于花盆a中，并保持广热带睡莲植株的其余部分依然处于原有生长环境中，其中花盆a中培养基质为泥土，即与原有根部生长环境相同。(2)当漂浮于水面上的叶片直径为40cm时，将广热带睡莲植株的根部从花盆a中挖出，栽种于花盆b中，其中，花盆b中的培养基质为泥土。(3)当叶片逐渐消失，将广热带睡莲植株的根部从花盆b中挖出，栽种于花盆c中越冬贮藏，其中，花盆c中的培养基质为泥土。另外，花盆a的容积大于花盆b的容积，花盆b的容积大于花盆c的容积，本实施例中花盆a的直径为35cm，高为30cm；花盆b的直径为30cm，高为25cm；花盆c的直径为20cm，高为18cm。本实施例中选择根系发达且花茎叶长势旺盛的广热带睡莲植株，保持在原有生长环境中，即花叶继续保持在原有环境的水面上，茎部继续保持在水中，将水面下的根部挖取出来栽种于花盆a中，再移栽于花盆b中，最后移栽于花盆c中进行越冬贮藏。实施例3一种广热带睡莲休眠越冬的方法，包括以下步骤：(1)将露天环境下生长的广热带睡莲植株(漂浮于水面上的叶片的直径大小为100～120cm)的根部从泥土中挖取出来，然后将挖取出来的广热带睡莲植株的根部栽种于花盆a中，并保持广热带睡莲植株的其余部分依然处于原有生长环境中，其中花盆a中培养基质由黄泥、沙土以及泥炭混合而成，且黄泥和沙土以及泥炭的质量比为1：1：1。(2)当漂浮于水面上的叶片直径为40cm时，将广热带睡莲植株的根部从花盆a中挖出，栽种于花盆b中，其中，花盆b中的培养基质为泥土。(3)当叶片逐渐消失，将广热带睡莲植株的根部从花盆b中挖出，栽种于花盆c中越冬贮藏，其中，花盆c中的培养基质为泥土。另外，花盆a的容积大于花盆b的容积，花盆b的容积大于花盆c的容积，本实施例中花盆a的直径为35cm，高为30cm；花盆b的直径为30cm，高为25cm；花盆c的直径为20cm，高为18cm。本实施例中选择根系发达且花茎叶长势旺盛的广热带睡莲植株，保持在原有生长环境中，即花叶继续保持在原有环境的水面上，茎部继续保持在水中，将水面下的根部挖取出来栽种于花盆a中，再移栽于花盆b中，最后移栽于花盆c中进行越冬贮藏。实施例4一种广热带睡莲休眠越冬的方法，包括以下步骤：(1)将露天环境下生长的广热带睡莲植株(漂浮于水面上的叶片的直径大小为100～120cm)的根部从泥土中挖取出来，然后将挖取出来的广热带睡莲植株的根部栽种于花盆a中，并保持广热带睡莲植株的其余部分依然处于原有生长环境中，其中花盆a中培养基质由黄泥、沙土以及泥炭混合而成，且黄泥和沙土以及泥炭的质量比为2：1：1。(2)当漂浮于水面上的叶片区域的直径大小为70～80cm、50～60cm、40～50cm以及20～30cm时，分别进行换花盆操作，且花盆的直径大小依次减小，花盆中的培养基为泥土。对比例1本对比例与实施例1的区别在于，本对比例中移栽至花盆a中之后，一直保持在花盆a中越冬贮藏。对比例2本对比例与实施例1的区别在于，本对比例移栽至花盆b中之后，无需移栽至花盆c中贮藏，直接在花盆b中越冬贮藏。在同一种植区域内，划分成六个区域，在六个区域分别按照实施例1～3以及对比例1～3的方法越冬贮藏100株广热带睡莲植株，次年5月，观察生长情况，统计成活率，其中对比例3为植株一直保持原有生长方式越冬，结果见表1。由表1可以看出，采用实施例1～4的方式进行越冬贮藏时，次年广热带睡莲的存活率大大提高。表1项目实施例1实施例2实施例3实施例4对比例1对比例2对比例3成活率98％96％82％94％68％75％27％本发明不局限于上述可选实施方式，任何人在本发明的启示下都可得出其他各种形式，但不论在其方法步骤上作任何变化，凡是落入本发明权利要求界定范围内的技术方案，均落在本发明的保护范围之内。当前第1页1 2 3