一种可抑制杂草的可降解地膜烤烟栽培方法与流程

本发明涉及可降解地膜烤烟栽培除草领域，尤其涉及一种可抑制杂草的可降解地膜烤烟栽培方法。

背景技术：

1、烤烟亦称火管烤烟，源于美国的弗吉尼亚州，具有特殊的形态特征，因而也被称为弗吉尼亚型。烤烟是我国也是世界上栽培面积最大的烟草类型，是卷烟工业的主要原料，也被供作斗烟，烤烟叶片较大，烤后叶片颜色多为橘黄色或柠檬黄色，色泽较鲜亮，厚薄适中，以中部烟叶质量最佳。其含糖量较高，总氮和蛋白质含量偏低，烟碱含量中等。吸食有典型的烤烟香气，吸味柔和，劲头适中。

2、烤烟的产量需求量大，种植面积广，在田间管理的时候大多还是人工监测，部分地区会有杂草的产生，对于杂草的生长，就会导致烤烟栽培的优质苗的产量降低，导致后续的成效较低，现在在栽培的时候多采用膜下栽培，会采用可降解地膜，但是目前的可降解地膜并未与杂草一直有效结合。

3、因此，有必要提供一种可抑制杂草的可降解地膜烤烟栽培方法解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本发明提供一种可抑制杂草的可降解地膜烤烟栽培方法，解决了杂草的生长，就会导致烤烟栽培的优质苗的产量降低，导致后续的成效较低，现在在栽培的时候多采用膜下栽培，会采用可降解地膜，但是目前的可降解地膜并未与杂草一直有效结合的问题。

2、为解决上述技术问题，本发明提供的可抑制杂草的可降解地膜烤烟栽培方法，包括：

3、第一步；育苗，首先搭建育苗棚，然后根据地势与育苗盘确定规格，建成槽状的营养池，在营养池的槽内铺双层塑料薄膜,建成可以蓄水的育苗池，装基质土后分次浇水，播种前最后一次浇水为温水，然后进行播种，播种后盖种：

4、第二步；整地，选择烤烟种植前30-40天对田间进行整地起垄，翻垦深度不低于20cm，整地起垄的宽度根据烤烟的栽培方式而定，整地起垄的间距根据烤烟的栽培方式而定，整地起垄的形状具有弧度，在移栽前8-12天进行覆膜；

5、第三步，移栽，对选择第一步的健壮幼苗进行移栽，移栽后及时浇水，表面覆上一层薄土，若土壤缺失水分，在烟株15cm处挖深沟灌水，并用土覆盖保墒，雨季来临后停止浇水，移栽后在起垄的弧形顶部的幼苗破孔处添加杂草抑制剂；

6、第四步，田间管理，分为对烟田进行管理与检查、中耕培土、打顶除牙以及水分管理；

7、第五步，采收，下部叶在打顶后8-10天开始采收，下部叶与中部叶之间间隔5-8天，中部叶与上部叶之间间隔8-10天，从始采到终采共需55-60天，确保烤烟大田生长期在115-125天，采收后根据优质烟叶进行烘烤处理。

8、优选的，第二步中覆膜采用的是可降解杂草抑制膜，其可降解杂草抑制膜从上到下依次分为顶层、光照层、降解层以及抑制层。

9、优选的，所述抑制层分别包括第一抑制层、两个横向通道、第一竖道以及第二竖道，第一抑制层设置于上方的横向通道的顶部，第二竖道设置于两个横向通道之间，第一竖道设置于下方的横向通道的底部，且第一竖道和第二竖道交错设置。

10、优选的，所述可降解杂草抑制膜的覆膜方法包括以下步骤：

11、s1根据起垄的大小将可降解杂草抑制膜平铺在垄上，并将两边的可降解杂草抑制膜用土压紧；

12、s2在移栽的时候根据株数在可降解杂草抑制膜上开孔，然后在开孔处添加杂草抑制剂，在开孔处的四周的可降解杂草抑制膜的抑制层上向横向通道添加杂草抑制剂，杂草抑制剂通过两个横向通道分别流向第一竖道以及第二竖道内部。

13、优选的，所述顶层为保温层，由0-40重量份的二氧化硅、8-25重量份的纤维素、3-20份的碳酸镁、2-15重量份的硅酸钙、3-5重量份的偶联剂和5-20重量份的磷石膏混合制成。

14、优选的，所述光照层为光照分解层，由60-90重量份的光解剂组成。

15、优选的，所述降解层由0-100重量份的淀粉、30-60重量份的树脂、10-30重量份的硬脂酸铁、5-10重量份的增塑剂和30-45重量份的抗氧剂组成。

16、优选的，所述抑制层上的第一抑制层由乙草胺、莠去津、抗氧剂以及氟磺胺草醚混合制成。

17、优选的，所述横向通道的内径大于第一竖道以及第二竖道的内径。

18、与相关技术相比较，本发明提供的一种可抑制杂草的可降解地膜烤烟栽培方法具有如下有益效果：

19、本发明提供一种可抑制杂草的可降解地膜烤烟栽培方法，当可降解杂草抑制膜在降解的时候，贴合垄上的抑制层也会随之降解，最开始降解的是第一竖道，第一竖道降解里面的杂草抑制剂就会流出对垄上的杂草进行抑制，防止生出杂草，第一竖道降解后底部的横向通道内若有没有流完的杂草抑制剂会接着流出进行降解，也会对降解的慢的第一竖道进行补充，然后是第二竖道以及顶部的横向通道的降解进行抑制，当横向通道以及竖道都被降解了，没有抑制杂草可能会有部分杂草生出，此时的抑制层的第一抑制层就会接着抑制进行除草，使得能够长时间不同时候都会抑制杂草的生长，保证烤烟的栽培的效果，优质苗的产量大幅度提升。

技术特征：

1.一种可抑制杂草的可降解地膜烤烟栽培方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的可抑制杂草的可降解地膜烤烟栽培方法，其特征在于，第二步中覆膜采用的是可降解杂草抑制膜，其可降解杂草抑制膜从上到下依次分为顶层、光照层、降解层以及抑制层。

3.根据权利要求2所述的可抑制杂草的可降解地膜烤烟栽培方法，其特征在于，所述抑制层分别包括第一抑制层、两个横向通道、第一竖道以及第二竖道，第一抑制层设置于上方的横向通道的顶部，第二竖道设置于两个横向通道之间，第一竖道设置于下方的横向通道的底部，且第一竖道和第二竖道交错设置。

4.根据权利要求3所述的可抑制杂草的可降解地膜烤烟栽培方法，其特征在于，所述可降解杂草抑制膜的覆膜方法包括以下步骤：

5.根据权利要求2所述的可抑制杂草的可降解地膜烤烟栽培方法，其特征在于，所述顶层为保温层，由0-40重量份的二氧化硅、8-25重量份的纤维素、3-20份的碳酸镁、2-15重量份的硅酸钙、3-5重量份的偶联剂和5-20重量份的磷石膏混合制成。

6.根据权利要求2所述的可抑制杂草的可降解地膜烤烟栽培方法，其特征在于，所述光照层为光照分解层，由60-90重量份的光解剂组成。

7.根据权利要求2所述的可抑制杂草的可降解地膜烤烟栽培方法，其特征在于，所述降解层由0-100重量份的淀粉、30-60重量份的树脂、10-30重量份的硬脂酸铁、5-10重量份的增塑剂和30-45重量份的抗氧剂组成。

8.根据权利要求2所述的可抑制杂草的可降解地膜烤烟栽培方法，其特征在于，所述抑制层上的第一抑制层由乙草胺、莠去津、抗氧剂以及氟磺胺草醚混合制成。

9.根据权利要求1所述的可抑制杂草的可降解地膜烤烟栽培方法，其特征在于，所述横向通道的内径大于第一竖道以及第二竖道的内径。

技术总结
本发明提供一种可抑制杂草的可降解地膜烤烟栽培方法，包括：第一步；育苗，首先搭建育苗棚，然后根据地势与育苗盘确定规格，建成槽状的营养池，在营养池的槽内铺双层塑料薄膜,建成可以蓄水的育苗池，装基质土后分次浇水，播种前最后一次浇水为温水，然后进行播种，播种后盖种。本发明提供的可抑制杂草的可降解地膜烤烟栽培方法当可降解杂草抑制膜在降解的时候，最开始降解的是第一竖道，第一竖道降解里面的杂草抑制剂就会流出对垄上的杂草进行抑制，防止生出杂草，也会对降解的慢的第一竖道进行补充，抑制层的第一抑制层就会接着抑制进行除草，使得能够长时间不同时候都会抑制杂草的生长，保证烤烟的栽培的效果，优质苗的产量大幅度提升。

技术研发人员：蒋少阳,胡彪,安海波,陆淑珍,姚其友
受保护的技术使用者：黔南州烟草公司龙里县分公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15