一种高海拔种植霍山石斛的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种高海拔种植霍山石斛的方法，属于植物栽培技术领域。
【背景技术】
[0002]霍山石斛俗称米斛，是兰科石斛属的草本植物，中国国家地理标志产品，主产于大别山区的安徽省霍山县，大多生长在云雾缭绕的悬崖峭壁崖石缝隙间和参天古树上，生于山地林中树干上和山谷岩石上。霍山石斛能大幅度提高人体内SOD (延缓衰老的主要物质)水平，对经常熬夜、用脑、烟酒过度，体虚乏力的人群，经常饮用非常适宜。霍山石斛有明目作用，也能调和阴阳、壮阳补肾、养颜驻容，从而达到保健益寿的功效。
[0003]霍山石斛的生长条件极为苛刻，属于国家濒临灭绝的珍稀名贵中药材，是国家野生药材二级保护品种。在野生状态下，霍山石斛繁殖速率低、生长缓慢，加之掠夺性采挖，使其野生资源日益减少，远远不能满足国内外市场经济发展和临床医学的需要。我国的一些科研机构和企业单位对石斛的组培和人工栽培技术进行不断的探索和试验，取得了一定的成绩，但是尚存在石斛种植成活率低、生长速度慢、产量不高等问题。现在石斛种植大都在海拔300?500米，属于低海拔种植，而高海拔种植石斛，气温低，和低海拔种植石斛的方法存在差异性。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于:提供一种成活率高的高海拔种植霍山石斛的方法。
[0005]为了实现上述发明目的，本发明提供如下技术方案:
[0006]—种高海拔种植霍山石斛的方法，具体包括以下步骤:
[0007](I)种植场地的选择
[0008]选择通风良好的阔叶林疏林地，海拔600?800m，坡度不大于20°，日均光照强度5000?12000Lux;
[0009](2)整地做床
[0010]沿等高线方向修筑梯地，梯地宽度根据地势而定，平整土地、清除杂草和树根，在平整的土地上铺20?30cm厚的石块，再铺7?12cm厚的烁石，最后再铺松树皮和阔叶林落叶的混合物10公斤/m2，作为霍山石斛栽培基质；
[0011](3)霍山石斛种苗的准备
[0012]把霍山石斛种苗放入50 %多菌灵可湿性粉剂800倍液浸泡20?60秒，取出后用清水洗净即可种植；
[0013](4)栽种
[0014]栽种时间为4月中旬，按株距12?15cm，行距15?20cm的标准，将霍山石斛种苗固定在所述的栽培基质上，种植完成后，浇足定根水；
[0015](5)栽后管理
[0016]包括灌溉、施肥、遮阴和保暖防护:①灌溉:灌溉所用水的pH值5.5?7.0，喷斗间距0.8?1.2m，春天每4天喷灌一次，夏季每2天喷灌一次，秋季和冬季每5天喷灌一次;②施肥:次年2月向栽培基质上施用蚕粪100公斤/亩;③遮阴:夏季通过对场地树木的剪修或设置遮阳网控制遮光度，遮光度范围为50 %?70 % ;④保暖防护:12月份在霍山石斛种苗上覆盖阔叶林落叶，落叶将种苗完全包裹，第二年开春将阔叶林落叶拨开，露出来石斛苗；
[0017](6)采收
[0018]在种植的第二年11月中下旬进行采收，把叶子自然脱落下的成熟茎从根部剪下，嫩茎不采，留下继续生长。
[0019]优选地，所述步骤(2)中砾石的直径为2?6cm。
[0020]优选地，所述步骤(4)中霍山石斛种苗固定时3?5株为一丛。
[0021]优选地，所述步骤(5)中灌溉所用装置位置高于种苗位置。
[0022]优选地，所述步骤(5)中遮阳网固定在林间树木上，距离栽培基质I?2m。
[0023]与现有技术相比，本发明的有益效果是:
[0024]本发明利用高海拔地区作为霍山石斛的种植场地，选择合适森林树枝密度，充分利用高海拔地区的林地，回归霍山石斛原始生长状态，几乎没有病虫害，种植不需要与农业抢耕地;在种植的过程中，只施用了蚕粪，完全不使用化肥，生态环保，对人体无害;冬季对石斛苗的保暖防护中，就地取材，利用阔叶林落叶将其覆盖，起到防冻保暖的效果，第二年开春将阔叶林落叶拨开，落叶发生腐殖化和矿质化，形成腐殖质，可以有效改善栽培基质的肥力。
【具体实施方式】
[0025]下面对本发明的实施例作详细说明，本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
[0026]实施例1
[0027]一种高海拔种植霍山石斛的方法，具体包括以下步骤:
[0028](I)种植场地的选择
[0029]选择通风良好的阔叶林疏林地，海拔600m，坡度不大于20°，日均光照强度5000?12000Lux；
[0030](2)整地做床
[0031 ]沿等高线方向修筑梯地，梯地宽度根据地势而定，平整土地、清除杂草和树根，在平整的土地上铺25cm厚的石块，再铺I Ocm厚的烁石，最后再铺松树皮和阔叶林落叶的混合物10公斤/m2，作为霍山石斛栽培基质；
[0032](3)霍山石斛种苗的准备
[0033]把霍山石斛种苗放入50%多菌灵可湿性粉剂800倍液浸泡40秒，取出后用清水洗净即可种植；
[0034](4)栽种
[0035]栽种时间为4月中旬，按株距12cm，行距15cm的标准，将霍山石斛种苗固定在所述的栽培基质上，种植完成后，浇足定根水；
[0036](5)栽后管理
[0037]包括灌溉、施肥、遮阴和保暖防护:①灌溉:灌溉所用水的pH值5.5?7.0，喷斗间距
0.8m,春天每4天喷灌一次，夏季每2天喷灌一次，秋季和冬季每5天喷灌一次;②施肥:次年2月向栽培基质上施用蚕粪100公斤/亩;③遮阴:夏季通过对场地树木的剪修或设置遮阳网控制遮光度，遮光度范围为50 % ;④保暖防护:12月份在霍山石斛种苗上覆盖阔叶林落叶，落叶将种苗完全包裹，第二年开春将阔叶林落叶拨开，露出来石斛苗；
[0038](6)采收
[0039]在种植的第二年11月中下旬进行采收，把叶子自然脱落下的成熟茎从根部剪下，嫩茎不采，留下继续生长。
[0040]进一步地，所述步骤(2)中砾石的直径为2?6cm。
[0041]进一步地，所述步骤(4)中霍山石斛种苗固定时3株为一丛。
[0042]进一步地，所述步骤(5)中灌溉所用装置位置高于种苗位置。
[0043]进一步地，所述步骤(5)中遮阳网固定在林间树木上，距离栽培基质1.5m。
[0044]实施例2
[0045]—种高海拔种植霍山石斛的方法，具体包括以下步骤:
[0046](I)种植场地的选择
[0047]选择通风良好的阔叶林疏林地，海拔750m，坡度不大于20°，日均光照强度5000?12000Lux；
[0048](2)整地做床
[0049]沿等高线方向修筑梯地，梯地宽度根据地势而定，平整土地、清除杂草和树根，在平整的土地上铺30cm厚的石块，再铺12cm厚的烁石，最后再铺松树皮和阔叶林落叶的混合物10公斤/m2，作为霍山石斛栽培基质；
[0050](3)霍山石斛种苗的准备
[0051 ]把霍山石斛种苗放入50 %多菌灵可湿性粉剂800倍液浸泡60秒，取出后用清水洗净即可种植；
[0052](4)栽种
[0053]栽种时间为4月中旬，按株距15cm，行距20cm的标准，将霍山石斛种苗固定在所述的栽培基质上，种植完成后，浇足定根水；
[0054](5)栽后管理
[0055]包括灌溉、施肥、遮阴和保暖防护:①灌溉:灌溉所用水的pH值5.5?7.0，喷斗间距1.2m,春天每4天喷灌一次，夏季每2天喷灌一次，秋季和冬季每5天喷灌一次;②施肥:次年2月向栽培基质上施用蚕粪100公斤/亩;③遮阴:夏季通过对场地树木的剪修或设置遮阳网控制遮光度，遮光度范围为60 % ;④保暖防护:12月份在霍山石斛种苗上覆盖阔叶林落叶，落叶将种苗完全包裹，第二年开春将阔叶林落叶拨开，露出来石斛苗；
[0056](6)采收
[0057]在种植的第二年11月中下旬进行采收，把叶子自然脱落下的成熟茎从根部剪下，嫩茎不采，留下继续生长。
[0058]进一步地，所述步骤(2)中砾石的直径为2?6cm。
[0059]进一步地，所述步骤(4)中霍山石斛种苗固定时4株为一丛。
[0060]进一步地，所述步骤(5)中灌溉所用装置位置高于种苗位置。
[0061]进一步地，所述步骤(5)中遮阳网固定在林间树木上，距离栽培基质2m。
[0062]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种高海拔种植霍山石斛的方法，其特征在于，具体包括以下步骤: (1)种植场地的选择 选择通风良好的阔叶林疏林地，海拔600?800m，坡度不大于20°，日均光照强度5000?12000Lux； (2)整地做床 沿等高线方向修筑梯地，梯地宽度根据地势而定，平整土地、清除杂草和树根，在平整的土地上铺20?30cm厚的石块，再铺7?12cm厚的烁石，最后再铺松树皮和阔叶林落叶的混合物10公斤/m2，作为霍山石斛栽培基质； (3)霍山石斛种苗的准备 把霍山石斛种苗放入50%多菌灵可湿性粉剂800倍液浸泡20?60秒，取出后用清水洗净即可种植； (4)栽种 栽种时间为4月中旬，按株距12?15cm，行距15?20cm的标准，将霍山石斛种苗固定在所述的栽培基质上，种植完成后，浇足定根水； (5)栽后管理 包括灌溉、施肥、遮阴和保暖防护:①灌溉:灌溉所用水的PH值5.5?7.0，喷斗间距0.8?1.2m，春天每4天喷灌一次，夏季每2天喷灌一次，秋季和冬季每5天喷灌一次;②施肥:次年2月向栽培基质上施用蚕粪100公斤/亩;③遮阴:夏季通过对场地树木的剪修或设置遮阳网控制遮光度，遮光度范围为50%?70%;④保暖防护:12月份在霍山石斛种苗上覆盖阔叶林落叶，落叶将种苗完全包裹，第二年开春将阔叶林落叶拨开，露出来石斛苗； (6)米收 在种植的第二年11月中下旬进行采收，把叶子自然脱落下的成熟茎从根部剪下，嫩茎不采，留下继续生长。2.根据权利要求1所述的一种高海拔种植霍山石斛的方法，其特征在于，所述步骤(2)中石乐石的直径为2?6cm。3.根据权利要求1所述的一种高海拔种植霍山石斛的方法，其特征在于，所述步骤(4)中霍山石斛种苗固定时3?5株为一丛。4.根据权利要求1所述的一种高海拔种植霍山石斛的方法，其特征在于，所述步骤(5)中灌溉所用装置位置高于种苗位置。5.根据权利要求1所述的一种高海拔种植霍山石斛的方法，其特征在于，所述步骤(5)中遮阳网固定在林间树木上，距离栽培基质I?2m。
【专利摘要】本发明公开了一种高海拔种植霍山石斛的方法，属于植物栽培技术领域，具体包括以下步骤：种植场地的选择、整地做床、霍山石斛种苗的准备、栽种、栽后管理和采收。本发明利用高海拔地区作为霍山石斛的种植场地，选择合适森林树枝密度，充分利用高海拔地区的林地，回归霍山石斛原始生长状态，几乎没有病虫害，种植不需要与农业抢耕地；在种植的过程中，只施用了蚕粪，完全不使用化肥，生态环保，对人体无害；冬季对石斛苗的保暖防护中，就地取材，利用阔叶林落叶将其覆盖，起到防冻保暖的效果，第二年开春将阔叶林落叶拨开，落叶发生腐殖化和矿质化，形成腐殖质，可以有效改善栽培基质的肥力。
【IPC分类】A01G1/00
【公开号】CN105612989
【申请号】CN201510999079
【发明人】李彪, 王多林
【申请人】安徽霍山县松鹤堂中药材有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2015年12月25日