专利名称：三维培养条件下大位移细胞应变加载装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种用于生物力学研究的测定装置，特别涉及一种三维培养条件 下细胞接受机械应力刺激的加载实验装置。
背景技术：
近年来，随着生命科学与其他学科之间交叉研究的日益增多，生物力学作为应用 力学原理和方法对生物体中的力学问题进行定量研究的新兴学科，逐渐成为生物学领 域研究的热点。其中细胞对力学剌激的响应研究是目前生物力学研究的前沿领域之一。 然而由于人体体内环境极其复杂，该方面的体内研究也变的较为困难。而多种离体细 胞培养技术为在细胞层面上研究力学刺激的生物学效应提供了可能。研究表明力学刺 激会导致细胞骨架产生形变、引起骨架排列的变化，进而影响细胞形态、细胞自身的 力学性能、黏附力、增殖、分化等多个方面。
许多离体细胞力学实验方法已经被研究人员提出并用于生物体对力学因素的响应 等机理方面的研究，如基底拉伸、四点弯曲拉伸、流体静压力以及单独流体剪应力刺 激、流体剪应力组合等。同时也建立了许多力学加载的模型。公开号为CN 1847847 的中国专利公开了的一种细胞力学加载系统，该系统由底部固定有硅胶膜的培养腔构 成，硅胶膜上可以接种细胞，硅胶膜底部有顶升气囊，通过调整气囊内部气体的多少 产生变形，从而使硅胶膜变形产生平面的等双轴周期性拉应力或压应力。该装置虽然 操作简单、体积小，但外力使气囊产生的变形与其内部气体的初始压力密切相关，因 此难以做到十分精确的控制气囊变形；其次该装置中细胞接受到的形变没有直接的检 测系统。公开号为CN 1425905的专利发明了一种四点弯曲细胞力学加载仪，该装置 通过步进电机的转动，带动传动螺杆产生前后位移，推动压头(与细胞培养板上下各 有两个接触点)加载接种有细胞的培养板，使培养板及细胞产生变形。该装置可控性 好，重复精度高，由于需要使用但装置较为复杂，且由于培养板不同位置的形变不同， 所以不能保证细胞产生相同的形变。公开号为CN 1932510的专利公开了一种细胞拉 伸的加载装置，它通过控制器、驱动器控制步进电机转动，通过丝杆把转动转变为水 平方向的位移，拉动接种有细胞的培养膜，使细胞受到水平方向的拉伸变形，该装置 能够使细胞受力较为均匀，可以精确控制拉伸幅度和频率，拉伸距离也可以方便的调节，但该装置中使用步进电机作为驱动源，不可避免的带来磁场的干扰，而磁场作为 一种物理因素对细胞的影响作用目前尚不明确，对于我们研究细胞对力学刺激的响应 带来干扰因素。
上述三个专利所公开的装置均建立在单层细胞培养基础上，培养细胞单层生长, 在进行如形态观察、细胞染色等实验时较为方便，但缺乏体内环境下细胞所处的立体 空间，减弱了细胞间自分泌、旁分泌的相互影响和作用，而体细胞在受到力学刺激时 的环境是三维立体的，因此在进行该方面的研究时应该建立三维立体条件下细胞的研
究模型。公开号为CN 1567399的专利公开了一种三维培养条件下心肌细胞的力学刺 激装置，该装置利用组织工程的方法构建了细胞-胶原的复合体，形成细胞的三维培 养环境，再通过电机、飞轮、连杆和滑块把电机的转动变为水平方向上的运动，周期 性的加载细胞--胶原的复合体，使细胞受到力学刺激。该装置虽然实现了细胞的三维 生长环境，但其驱动仍然使用工作时产生磁场的电机，且对其加载幅度的调节需要停 机，给操作带来诸多不便；此外，该装置釆用过多的机械传动，工作时难免产生噪声
和热量，也存在长期工作中的磨损问题。 发明内容
为了克服现有技术结构复杂、存在磁场、热量等干扰因素等方面的不足，本实用 新型提供了一种三维培养条件下细胞或组织应变加载装置，结构简单，可不停机改变 加载振幅、频率等参数，避免磁场干扰，产生热量低，适用于三维培养条件下细胞的 力学加载实验装置。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:采用双压电晶片作为驱动源， 对细胞-多孔支架构成的三维复合体进行力学刺激。本实用新型主要针对三维培养条 件下对细胞进行力学刺激，包括双压电晶片驱动电源、双压电晶片驱动部分、细胞培 养单元以及激光位移传感器形变检测部分。采用双压电晶片是由于其技术成熟、可输 出较大位移。双压电晶片驱动部分主要由其核心部件双压电晶片、电极、电晶片固定 装置、传递柱塞、多孔固定材料构成；细胞培养单元由基底和培养小室构成；激光位 移传感器形变检测部分由激光探头和计算机组成。电源通过驱动线连接至双压电晶片 驱动部分的电极上，电极位于双压电晶片的两侧，与电晶片紧密连接，第三个电极从 电晶片中间层铜片引出。通过电晶片固定装置将双压电晶片固定在基底上，位移传递柱塞后端与双压电晶片的位移输出端固定在一起，前端与连接细胞-支架构成的三维 复合体的多孔固定材料固定。细胞-支架构成的三维复合体位于培养小室底部中央位 置，左右分别连接多孔固定材料， 一侧的多孔固定材料固定在培养小室壁上，另一侧 的多孔固定材料与位移传递柱塞固定连接。激光探头非接触安装于传递柱塞后端，与 计算机相连，检测传递柱塞的前后位移。
所述多孔固定材料为不会产生细胞毒性的多孔材料，如多孔聚乙烯等。
本实用新型中细胞培养单元采用有机玻璃或聚四氟乙烯材料制成，易于加工，同 时也可以方便的灭菌，防止可能的污染发生。
本实用新型的工作原理双压电晶片驱动电源提供双压电晶片需要的正弦波或其 他波形的电压，双压电晶片产生的弯曲变形或压电堆叠驱动器的前后位移通过位移传 递柱塞传递到细胞--多孔支架复合体上，细胞-多孔支架复合体两端分别和多孔固定材 料聚合在一起，以便柱塞前后运动时可以产生压縮或拉伸变形，进而使细胞产生周期 性的形变。通过与传递柱塞非接触安装的激光探头，检测传递柱塞的位移量，数据传 递至计算机，通过计算机软件的处理，实时显示位移波形。
本实用新型的有益效果是本实用新型可以对细胞施加正弦波或三角波等波形的
形变，频率范围为0-100Hz，变形幅度为最大可达lmm，并且采用构建多孔支架和细
胞复合体的方法提供了细胞生长所需的三维立体环境，最大程度的模拟了细胞体内的 生长环境。该装置采用双压电晶片作为加载细胞的动力，能够在不停机的情况下加载 振幅、频率，并可以方便的调节，而且其技术成熟、可输出较大位移。
本实用新型中的细胞力学加载实验装置输出产生多种形式的拉伸、压縮应变，具 有可操作性好，重复精度高，力学加载平稳，误差小，避免了步进电机作为驱动源时 带来的磁场干扰。可以提供细胞生长需要的三维立体培养环境等特点，能够十分精确 的控制使细胞产生的形变，相同条件下的实验有良好的一致性。可以作为生物力学中 对细胞进行力学刺激响应研究的实验装置。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1本实用新型所述的细胞三维培养应变加载装置的示意图2是本实用新型所述的细胞培养单元和双压电晶片驱动部分侧视图；图中，l-基底；2-引线接出端；3-引线；4-压电陶瓷卡套；5-双压电晶片；6-培养 小室；7-传动柱塞；8-胶原支架与细胞的复合体；9-多孔周定材料；10-激光 探头；ll-计算机；12-压电陶瓷驱动电源；
图3是本实用新型所述的细胞三维培养应变加载装置的三维示意图。
具体实施方式
实施例
参照图1、图2和图3，本实用新型装置包括双压电晶片驱动电源、双压电晶片驱 动部分、细胞培养单元以及激光位移传感器形变检测部分。双压电晶片驱动电源12 提供加载电压；双压电晶片驱动部分主要由其核心部件双压电晶片5、电极、电晶片 固定装置、传递柱塞7、多孔固定材料构成；细胞培养单元由基底1和培养小室6构 成激光位移传感器形变检测部分由激光探头IO和计算机11组成。其中电极为引线 接出端2，电晶片固定装置选用压电陶瓷卡套4，多孔固定材料使用多孔聚乙烯9，基 底l、压电陶瓷卡套4、细胞培养小室6均为有机玻璃材料，传动柱塞7材料为聚四氟 乙烯。基底l为该装置的底座，引线接出端2和培养小室6固定在基底1上。双压电 晶片5通过压电陶瓷卡套4固定在培养小室6前侧，引线3连接至引线接出端2上， 电源12通过引线3对双压电晶片5施加电压，使其产生前后形变。胶原温度升高时会 发生聚合作用，与多孔聚乙烯9凝结为一体，传动柱塞7传递的形变加载到胶原支架 与细胞的复合体8上。当需要进行细胞力学加载时，先调节电源12，输出需要波形的 电压，电压通过引线3加载到双压电晶片5上，由于双压电晶片5两端固定在细胞培 养小室6上，所以其中间部位会产生最大的形变，通过传动柱塞7传递到多孔聚乙烯 9，进而使胶原支架与细胞的复合体8产生变形。
激光探头10非接触安装在传动柱塞7的前方，用于收集传动柱塞7的形变信号， 信号经过计算机11软件处理，得到检测到的振动波形和振幅等参数。
权利要求1、三维培养条件下大位移细胞应变加载装置，包括双压电晶片驱动电源、双压电晶片驱动部分、细胞培养单元以及激光位移传感器形变检测部分，其特征在于所述双压电晶片驱动部分包括双压电晶片、电极、电晶片固定装置、传递柱塞、多孔固定材料；细胞培养单元由基底和培养小室构成；激光位移传感器形变检测部分包括激光探头和计算机；电源通过驱动线连接至双压电晶片驱动部分的电极上，电极位于双压电晶片的两侧，与电晶片紧密连接，第三个电极从电晶片中间层铜片引出；通过电晶片固定装置将双压电晶片固定在基底上，位移传递柱塞后端与双压电晶片的位移输出端固定在一起，前端与连接细胞--支架构成的三维复合体的多孔固定材料固定；细胞--支架构成的三维复合体位于培养小室底部中央位置，左右分别连接多孔固定材料，一侧的多孔固定材料固定在培养小室壁上，另一侧的多孔固定材料与位移传递柱塞固定连接；激光探头非接触安装于传递柱塞后端，与计算机相连，检测传递柱塞的前后位移。
2、 根据利用权利要求1所述的三维培养条件下大位移细胞应变加载装置，其特征在 于所述的多孔固定材料为不会产生细胞毒性的多孔材料。
3、 根据利用权利要求1所述的三维培养条件下大位移细胞应变加载装置，其特征在 于所述的细胞培养单元采用有机玻璃或聚四氟乙烯材料制成。
专利摘要本实用新型公开了一种三维培养条件下大位移细胞应变加载装置，将电源连接至双压电晶片电极上，电极位于双压电晶片两侧，与电晶片紧密连接，第三个电极从电晶片中间层铜片引出，双压电晶片固定在基底上，位移传递柱塞后端与双压电晶片的位移输出端固定在一起，前端与连接细胞-支架构成三维复合体的多孔固定材料固定；细胞-支架构成的三维复合体另一侧通过多孔固定材料固定在培养小室壁上，激光探头非接触安装于传递柱塞后端，检测传递柱塞的前后位移。本实用新型能够在不停机的情况下加载振幅、频率，并方便的调节；具有可操作性好，重复精度高，力学加载平稳，误差小，避免了磁场干扰，而且其技术成熟、可输出较大位移。
文档编号C12Q1/02GK201149589SQ2008200281
公开日2008年11月12日 申请日期2008年1月22日 优先权日2008年1月22日
发明者冲 丁, 澎 商, 杨鹏飞, 哲 王, 骞爱荣 申请人:西北工业大学