本发明涉及一种项链，特别涉及一种体温发电项链。
背景技术：
体温发电是利用身体表面与外界环境的温度差异来发电，这种方法是通过半导体，利用温差来获取电能。温差发电的基本原理是“泽贝克”效应，即两种不同的金属连接起来构成一个闭合回路时，如果两个连接点的温度不一样，就能产生微小的电压。现有的项链虽然有的具有照明功能，但是需要额外的电力来源。注意到项链一般佩戴在人体颈部，而人体颈部血管丰富，夜晚或冬季，颈部皮肤与外界环境温差明显。
技术实现要素：
本发明目的在于提供一种体温发电项链，人体在佩戴的过程中能够进行发电，并利用所发电量进行照明，简单实用，有效地利用和节约资源。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种体温发电项链，包括颈环、链体,其中，所述颈环内设有体温发电组件，所述体温发电组件包括颈环外侧的低导热环壳体，颈环内侧设有高导热环壳体；所述低导热环壳体与高导热环壳体之间至少设有一组p型半导体、n型半导体，进一步每组p型半导体、n型半导体连接后串联在一起；所述链体下方设有吊坠，进一步吊坠内设有照明灯；所述照明灯与体温发电组件通过链体内的电线接通。
进一步，所述p型半导体中掺有受主杂质。p型半导体，又称为空穴型半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成p型半导体。p型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故p型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子(空穴)的浓度就越高，导电性能就越强。
进一步，所述n型半导体中掺有施主杂质。n型半导体又称为电子型半导体，参与导电的主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是n型半导体。例如，含有适量五价元素砷、磷、锑等的锗或硅等半导体。
进一步，所述每组p型半导体、n型半导体沿颈环进行环状布设。
进一步，所述链体内设有线型led灯。
本发明的有益效果是：体温发电项链颈环内设有体温发电组件，体温发电组件包括颈环外侧的低导热环壳体，颈环内侧设有高导热环壳体，低导热环壳体与高导热环壳体之间至少设有一组p型半导体、n型半导体，进一步每组p型半导体、n型半导体连接后串联在一起，链体下方设有吊坠，进一步吊坠内设有照明灯，照明灯与体温发电组件通过链体内的电线接通。本发明能够利用人体体温发电，同时所发电量供照明装置进行照明，简单实用，能够有效地利用和节约资源。
附图说明
图1为体温发电项链结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。
如图1所示，一种体温发电项链，包括颈环1、链体2,颈环1内设有体温发电组件，体温发电组件包括颈环1外侧的低导热环壳体4，颈环1内侧设有的高导热环壳体5。低导热环壳体4与高导热环壳体5之间至少设有一组p型半导体、n型半导体，进一步每组p型半导体、n型半导体连接后串联在一起。链体2下方设有吊坠3，进一步吊坠3内设有照明灯6，照明灯6与体温发电组件通过链体2内的电线接通。
p型半导体中掺有受主杂质。p型半导体，又称为空穴型半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成p型半导体。p型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故p型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子(空穴)的浓度就越高，导电性能就越强。
n型半导体中掺有施主杂质。n型半导体又称为电子型半导体，参与导电的主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是n型半导体。例如，含有适量五价元素砷、磷、锑等的锗或硅等半导体。
每组p型半导体、n型半导体沿颈环进行环状布设。链体内设有线型led灯。项链佩戴过程中，低导热环壳体4与外界环境接触，高导热环壳体5与人体颈部皮肤接触，低导热环壳体4与高导热环壳体5之间形成温度差，p型半导体和n型半导体在热端连接，则在冷端可得到一个电压，将很多个这样的pn连结串联起来就可得到足够的电压，供照明灯6照明使用。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。