专利名称：用于减少成像设备中极化作用的方法和装置的制作方法
用于减成像设备中极化作用的方法和装置技术领域本申请是部分继续申请案并要求2005年6月22日駭的、美国专利申请 系列号11/159,374 " METHOD AND APPARATUS FOR REDUCING POLARIZATION WITHIN AN IMAGING DEVICE"的优先权，其在此全部引入作为参考。本发明通常涉及成像系统，更具体地，涉及在成像系统中对图像探测设备 的控制。
背景技术：
成像系统，诸如伽马照相机和计算机断层摄影(CT)成像系统，用于医 疗领域中以探测方j^f性辐射事件，例如分别从诸如患者的对象发出的140keV 范围内的伽马射线以及探测未IM^减的W"X射线。从这，测中形成一种输出，典型地为图形上示出^lt源在目标内的分布和域目标衰减分布的图像 形式。成像设备可具有一个或多个探测鄉数量的探测器，并具有一个或多个 探测穿过目标的X射线的探测器。齡探测的刻寸光子和3H寸的X射线光子 被称为"计数"，但是探测的和謝的X射线光子也被计算在内一起作为"信 号电流"。该探测器还确定不同空间位置处接收的计数的数量。接着图像仪利 用，相关计数记录来确定伽马源和X射线衰减器的分布，典型地为具有能表 示处理过的计数记录的不同颜色或明暗的图形图像形式，或能从这些计数中重 建图像。例如由碲鄉(CZT)或碲化镉(CdTe)制成的像素化半导，测器，提 供了一禾tMi伽马射线和X射线的经济方法。特别地，至少一种已知的成像系 统包括室温半导鹏射探测器(RTD)，其用于产生具有更高图像质量的图像。 在操作过程中，RTD利用光电效应、康普顿效应和域电子-电子翻寸中的至少 一种将辐射光子转化成电荷(Q)。将光子直接转化成电荷便于消除在已知闪烁 器技术中出现的发光和光探测以及相应的无效率环节。然而，为了在室温下进
行操作，RTD必须具有足够大的带隙能(BG)以M^材料中的自由载荷子的 数量(N)并允许施加较高的偏电压(偏高压HV)。其允i，测信号脉冲而不 产生本底电流(background electric current),此处指代为暗电流(Id)。在操作 过程中，暗电流可使读出电子器件饱和，并/或在测量信号电荷(Q)时降低信 噪比(SNR)。为了测量信号电荷(Q)，)),测电极和电子器件应用到RTD的表面。假设电荷迁移率(n)和载流子复合絲(T)足够高，贝U偏高压在电极 和电子器件上弓胞电荷(Q)的探测。然而，禾,CZT或CdTe材料制造的已知探测器可具有不足以被更大带隙 控制的暗电流dd)。因此，至少一些已知的成像系统包括能帮助 >自由载荷 子(N)和/或减少暗电流(Id)的冷却系统。例如，至少一种已知的成像系统 包括禾,液氮来帮助减少自由载荷子(N)和/或减少暗电流(Id)的冷却系统。 然而，禾U用液氮系统用在商业成像系统中通常是不切实际的。另一种已知的系 统冷冻水来控制CZT和电子器件温度，但是在工程和安全方面这也是非常昂 贵的。而且，至少一禾中已知的成像系统利用珀耳帖元件来帮助^>自由载荷子 (N)和/或减少暗电流(Id),这易于避免暗电流(Id)的不良增加，其由诸如 电子器件的周围m的热量而产生。因此，虽然已知的冷却系统在减少暗电流(Id)方面具有积极的效果，但 是，该7賴係统在电,移率(一 和载流子复合a (T)上具有相反的效果。例如，当在本征半导体设备(例如，降低等级的探测器禾n/或掺杂半导体设备)中的杂质和带边沿态的量增加时，冷却可通过增加电荷(Q)与这些被称为浅 和深捕获器(tr邻s)的定域态进行相互作用来降低电荷迁移率(n)和载流子 复合寿命")。更具体地，当利用碲锌镉(CZT)材料制造半导体设备时，其 中电荷迁移率、)和tr流子复合a (T)的结果是微小的，这种捕获器可成 为限制因素。发明内容在一个实施例中，樹共了一种控制图像探测设备的方法。该方飽撤合具 有至少一个,接触的图像^f测设备施加热并^^制所施加的热以调整图像探测 设备的鹏K平。在另一实施例中，衞共了一种图像探测设备，其包括基底、连接该基底的
至少一个,撤虫，以及构造成增加该基底M的热源。在又一鄉例中，提供了一种成像系统，其包括构造成魏光子通量的辐 針源和构造成接收光子通量并基于该光子通量产生响应的图像探测设备。图像探湖殿备至少部分禾,碲鄉(CZT)材料或碲化镉(CdTe)材料中至少一种 来制造，它们具有至少一种与该图像探测设备相连的TO接触。该成像系统进 一步包括构造，加图像探测设备^g的热源。
图1是根据本发明实施例构造的成像系统的透视图。 图2是图1所示系统的方框图。图3是根据本发明实施例构造的具有多个像素化半导，测器元件的代表性辐身條测器的截面图。图4是根据本发明实施例构造的辐射探测器的截面图，包括热源。图5是示出了利用图4戶标的热源M^探测器内极化的^f樣性方法的流程图。图6是图3所示辐^Mi器的透视图，包括根据本发明实施例构造的绝缘套。图7是图6所示辐射探测器的顶视图。
具体实施方式
图1和2示出了代表性的成像系统，例如计對几断层摄影(CT)成像系 统。系统10显示为包括以"第三代"CT成像系统为代表的台架12。台架12 具有朝台架12对侧上的探测器阵列18挪X射线束16的X射线管14 (此处 也被称为X射线源14)。探测器阵列18由多个探测:t^亍(未显示)构成，每 个探测翻于包括多个探测器元件20，它们共同敏则穿过目标，诸如在阵列18 和源14之间的医疗患者22，所娜的X射线。^h探测器元件20产生j樣 碰撞X射线束 艘的电信号，并因此用于估计当射束穿过目标或患者22时它 的衰减。在一次扫描以采集X射线挪繊的过程中，台架12和安驗其上 的部件围绕旋转中心24旋转。图2 ,示了一行探测器元件20 (gp， 一个探 测激亍)。然而，多层探测器阵列18可包括探测器元件20的多个平行探测器
行，使得在一次扫描期间可同步采劍应多个准平行或平行的行的鄉 。此外，如在此更详细地描述，将热源220设置成连接到探测器阵列18。系统10的控制机构26掌控台架12上部件的旋转和X射线源14的操作。 控制机构26包括向X射线源14衝共能量和计时信号的X射线控制器28以及 控制台架12上部件的旋^M和j體的台架电动a^制器30。控希晰构26中 的 采^统(DAS) 32从探测器元件20中赠莫拟 进行采样并将1纖 据转化皿字 用于后继处理。图像重建器34接 自DAS32的采样 字化的X射线数据并执行高速图像重建。重建的图像作为输入应用于计算机 36，期每该图像保存在存储设备38中。图像重建器34可以是在计##1 36上 运行的专门硬件或计^IW骄中。计算机36避5由具有離的控制台40接M自操作者的命令和扫描参 数。相关的显示器42，例如阴极射线管或其他M的显示设备，允i^作者观 察来自计對几36的重建图像和其他 。计穀几36 ^OT操作辭合出的命令和 参絲向DAS32、 X射线控制器28和台架电动丰鹏制器30 Jl^制信号和信 息。另外，计穀几36操作桌台电动禾鹏制器44，線台电动f鹏制器44控制 电动桌台46而将患者22定位在台架12内。特别的，桌台46部分的患者22 移动经过台架开口 48。在一个实施例中，计#^几36包括指令读取或接收设备50，例如^:驱动 器、CD-ROM驱动器、DVD驱动器、磁M (MOD)驱动器、或樹可期tfeic 字设备，包括网络连接设备，诸如i魏来自计算机可读介质52的指令禾n/微 据的以太网设备，该计##1可读介质52是诸如，、CD-ROM， DVD或诸如 网络或互联网的另一数字源、以及待开发的数字體。在另一实施例中，计算 机36运行保存在固件(未显示)中的指令。对计算机36进《彌程以执行此处 所描述并如此处所使用的功能，术语计對几并仅不限于本领域中被称为计算机 的那些集成电路，而是广泛指代计穀几、处理器、鹏制器、微型计飾、程 序逻辑控制器、专用集成电路和其他可编程电路，并且这些术语&t匕可互换使 用。虽然上面提到的特定实施例指代为第三代CT系统，此处所描述的方法可 等同地应用到第四代CT系统(固定式探测II"旋转X射线源)和第五代CT系 统(固定式探测器和X射线源)。然而，这些实施例同样也可结合更低端或更
早代的CT系统{顿，诸如具有单或双行CT探测器的CT系统。另外，虽然 在计,断层摄影成像系统中描述了此处所描述的方法和装置，可以构想将本 发明的益处应用雅如伽马照相机的其他医疗或非医疗成像系统中，和域典型 地应用于无损测试的Xik环境或运输环境中的系统，诸如像但不限于，机场或 其他运输中心的包裹扫描系统。图3是^^性的成像设 测器或图像探测设备100的f纖面正视图，其 可用于成像系统10中(图1和2所示)，根据本发明一个实施例进行构造并包 括多个像素化半导鹏测器元件102，该多个像素化半导條测器元件102能 结合例如将辐射相互作用事件局限在探测器和探测器基底104内来^g。探测 器100可由辐射响应半导^t才料构成，例如碲牵彌(CZT)晶体或碲化镉(CdTe) 晶体。然而，也可使用其他材料，例如，碘化汞(H&)和/或碘化铅(Pb、)。 M将连接到探测器基底104的第^面110 (显示为下表面)上的相应的多 个像素电极108,此处也被称为阳极，进行像素化，而可在基底104上形鹏 测器元件102。像素电极108的横截面大小和皿以及^像素电极108之间 的间隔便于确定^像素化探测器元件102的皿和大小。具体地，将^H象 素化探测器元件102与相应的像素电极108的纵轴114基本对齐地定位在最靠 近探测器基底104的第1面112处(显示为上表面)。探测器100的固有空 间^f辛率可由針像素化探测器元件102的大小及其它们之间的间隔来确定。而且，在代表性实施例中，第:^^面112可基本上由单一阴极电极154覆 盖。第^^面110具繊小的矩形(^i形戯他开邻)阵列，例如在大约 l平方毫米(mm2)与大约10mm2之间，通常将正方形像素电极108构造成阳 极。在操作期间在像素电极108与阴极154之间施加的电自在基底104内产 生电场(探测器场)。该探测器场可以劍列如大约1千魏蹄到大约3千伏 每棘。虽然在fa性实施例中将像素电极108描述成通常的正方形，不应将 这一皿理解为限定性的，因为可以构想像素电极108的其他皿，例如圆形 或区^i真充微。值得注意的是在一些半导体中，电流方向(例如，高压电流) 可以反转，例如在其中可设置共阳极和多个阴极。该方向通常取决于自由电荷 的相对迁移率和这些自由电荷的平均自由纟，巨离。像素化电极通常设在具有 更长平均fi^巨离的穀荒子的终点处。在操作中，将来自源140的光子通量144，例如激寸的伽马射线和鄉的 X射线144指向第1面112。值得注意的是该流量可以是校職的(例如，施力瞎少一维校准以M^娜光子至哒该探测器)或未校准的。当光子入射到 基底104上时，光子通常M吸ife^后继的电离来在基底104内丧失其所有能 量，并在基底104的较小局部区域内留下多对移动电子156和空穴158。作为 探测器场的结果，空穴158朝阴极154漂移而电子156朝像素电极108漂移， 从而感应出像素电极108和阴极154上的电荷。对像素电极108上的感应电荷 进行探测并识别至少以下其中一项探测光子的时间，探测光子在基底104上 沉淀有多少能量，以及在基底104上的哪个〗體发生光子妊作用，利用例如 读出电子器件160可劍共哪些信息。此外，读出电子器件160还可禾,阴极154 上的感应电荷来确定计时和能量信息。然而，值得注意的是，计时信息不能以 例如电流模式謝1H己录，而會糧不齢己录。在备选实施例中，成像设备包括准直器(未显示)，其包括多个穿过该准 直器界定的孔。在操作期间，将光子，例如从源140发射的伽马射线和透射的 X射线指向和/或穿过该准直器。禾'J用该准直器将光子进行校准，使得校准的光 子通量指向表面U2。本发明於实施例衛共了^H用于加热探测器100以鹏制探测器100的 驢。图4是4樣性探测器100的截面图，该探测器100包括至少一个且如图 所示的一对设在晶体202上的 撤虫200，戶脱晶体202例如是形成探测器 廳的探测元件的CZT晶体。可用倒可已知的的方式来樹共^l撤虫200和晶 体202的结构和构造。如此处所用的，^!^MM常是指不限制电流的金属和 半导体间的倒可连接处。电流本质上受接触区嫩卜的半导体电阻柳蹄肺非载流子M;接触器势垒时的热鄉率柳蹄U。值得注意的是，当涉及,^i虫时， 通常并不是指,接触的统性i-v特征，而仅仅是不限制电流的撤虫。此夕K直得注意的是l^l接触200可由樹可材料构成，例如金或铝，并可體(例如施 加)在晶体202的一个或多賴面上，诸如构造戯上面的膜廳。通劏鄉测器100构造成例如印刷电路板204的H该印刷顿各板204 包括电，件206，可将其构造成如下面更详细描述的读出电子器件160 (图3 所示)。同样可将连接器208设在印刷电路板204上，例如设在端部210处并 构造劇各印刷电路板204与成像系统10的1分，诸如成像系统10的控制部 分(图l所示)。 在代表性实施例中，探测器100还包括外部娜220，糊造成控制探测 器100的工作、鹏，例如增加探测器100的CZT材料鹏。*鄉220可包括 任何类型的加热元件，例如基于箔片电阻率进行加热的加热箔。然而，各个其 他实施例可包括例如热气源和风扇以便如下更详细描述地使热Kt行流通。此 夕卜可以构想出會巨掛共的其他热源以将热量分散到多个探测器(或探测器元件) 上，包括不同类型的导热体，例如附着到电阻加《繊的铜或铝棒(働鹏管)。 可替换地，如果纟鄉测器阵列热隔离，则由电子器件(例如，图2所示的DAS32 或图4所示的电子部件206)产生的热可加热探测器阵列^;件。值得注意的 是，M热量的可控移动(或可限制和可控的y賴口)會巨^f共鹏的控制。另外，将热源220构造成具有一定的厚度或吸收等级以便不吸收石魁童至蝶 测器100上的X射线222。同样可设置其他构造以便不吸收X射线222，包括例如利用气体进行热传导来加热，鹏设在探测器的其他或相对侧(例如，在 光子到达方向的相对侧)的源来强制空气流通。在备选实施例中，将加热元 件与至少一个S^I手魏200集成。在正鞭作期间，探测器100内的鹏基于 供给电子器件，例如附着到探测器腦的电子部件206的育瞳禾n/或操作探测器 励的外部环境鹏或者增加和域斷氐。例如，检查室内的环境气術驢可或 者增加和/或降低，从而增加和域降低探测器100的工作^it。从而，如此处 所用的，术语探测器謂的工作M^ffl来限定在已知探测器操作环境中的典型 状况下操作探测器100的亂因此，在4樣性实施例中，探测器100包括外部娜220，将其构造成把 探测器100的工作驗增加妾綱如高于典型工作離的驢。例如，并在代表 性实施例中，繊220包括定位在 撤虫200 —个或多个元件上(例如，在 其顶部或在表面上)的加热设备。在备选实施例中，将热源220定位在印刷电路板204上。在这一备选实施例中，加热元件或加热设靴设在i^l^i虫一个或多个元件的表面上。可替换地，利用多条ffi^各(未显示)可将热量传过印 刷电路板204。热源220的加热部分可包括加热设备，其分别具有第一电子绝 缘层(未显示)、第二电子绝缘层(未显示)和定位在第一和第二层之间电子 加热元件(未显示)。第一和第二层可由最佳地构造成将加热元件产生的热量 传递给探测器腦的材料制成，从而增加探测器100的工作離。在^f樣性实 施例中，第一和第二层由例如相对薄的塑料聚合材料制成。
在操作期间，激活热源220从而增加热源220的ag。增加热源220的温 度便于加热探测器廳的夕卜表面。并且例如，在4樣性实施例中，热源220施 加电压到加热元件(例如，铜加热箔)从而便于激活加热元件。具体地，当施 加给加热元件的电压增加时，探测器漏的工作鹏同样增加。雜，可自动 改变和控制电压以便于在所需》鹏下操作探测器騰。在另一fW性实施例中，热源220包括定位在临近探测器脂的加热设备。 在这一代表性实施例中，加热设备包括电子自组件(未显示)，和热产生设 备(未显示)。在一个实施例中，该热产生设备是诸如具有相X^显热流体流过 其中的散热器。在另一实施例中，该热产生设备是包括多个延伸其中的开口的 电子加热元件。在操作期间，#^舌自组件从而将皿组件产生的至少一部^流弓l导穿 过热产生设备以便于增加气流的驗。接着将加热过的空气引导到探测器100 的夕卜表面，从而加热探测器100的夕卜表面。在代表性实施例中，根据其他因氣例如，成像系统io (图i戶标)的mr作鹏，探测器ioo内的a^保持在近似10°C和近似100°C之间。各个实施例同样包離接到M 220的鹏传麟224。驢传繊224 敏则(例如湖糧)探测器100盼離，例如由繊220加热的探测器100的表 面的餘鹏专麟224还翻繊220的驗。将鹏专繊224构造成 掛共鹏信息从而允i權制探测器100的》驢。例如，根据由驗传繊224 所感观啲鹏，可调M源220的^g水平(例如增加或斷氏)，使得维持最 佳温度、所需温度和预定范围内的温度。 一旦接收用户的输入等，皿传感器 224可周期地、随mi也敏则预定时间间隔的、鹏。因此，*鄉220和驢传感 器224跑^Mi器100的《鹏控制。值得注意的是，可^顿一个或多个鹏传 来控制鹏。这样，在各个实施例中，針探测器或探测器元件不止一个 传繊。例如，在多个探测器的外罩或外壳内提供一个热电偶或电热调节器并 与温度调节装置控制的加热器一起使用。可替换地，每个探测器或探测器元件 可樹共一个传繊。图5是示出了控制探测器操作的代表性方法250的流程图，控制探测器操 作更特另啲是使^>探测器100内的极化便预行。这可舰利用例如M220 和《鹏传繊224来调Wgi器100的鹏进行體。值得注意的是，如叙匕
所用的，极化被定义为发生在探测器100内部的电荷的累积。因此，方法250 便于M^和域消除造成极化(例如，电荷捕捉)的状态。在代表性实施例中，方法250包括，在252中，将包括例如加热设备和任 意St传感器的至少一个热源耦合到图像探测设备。特别地，该 给图像探测设备的至少一个TO接触ilf共热量。可将该热源直,触到 接触的表面或将其定位在距离,接触的一鄉巨离处，从而热传递(例如通过气体吹送) 到 撤虫。通常，该热源在与图像探测设 。其后，在254中，控制该卖鄉以调整(例如增加或附氐)施加到图像探测 设备的鹏，这可改变图像探观股备的鹏。可4細具有从驢传繊反馈的 控制系统将图像探测设备的温度维持在例如预定的，或预定的温度范围内。 利用例如DC电流控制的光,^*||{共这一控制，以及 31^|{共更多或 更少的热量(例如，基于热源的加热部分的电阻率)来响应DC电流改变。因 此，可改变或f魏和断开电压电平和域电流以维持图像探测设备的鹏7jC平。 值得注意的是，即使当将供给包括图像探测设备的成像系统的电源关闭或转换 到备用模式时，仍维持图像探测设备的鹏。这样，当将供给成像系统或扫描 部分的电源关闭时，例如，在扫描之间时，供给热源的电源不会如此处所描述 的被关闭和控制以维持图像探测设备的^it。图6是探测器100的透视图，包括至少部分围绕探测器廳的绝缘层400。 图7是图6所示的探测器100的顶视图。更具体地，探测器100包括底面402、 第~#腼404，第二侧面406，与第一侧面404相对的第三侧面408，与第二侧 面406相对的第四侧面410。探测器謂还包括上表面412。在代表性实施例中，至少一个,撤虫200 (图4戶标)如前面戶;MS少部分覆盖探测器上表面412。在代表性实施例中， 220的加热设备312 (图4所示)定位在至 少一个,接触200的顶部，从而例如便于增加探测器100内的》鹏。此外，在代表性实施例中，探测器100还包fi^色缘层400以便于将禾,加 热设备312所产生的热量保持在探测器廳内。更具体地，可以或不可以用绝 缘层400至少部分覆M面402、第~^则面404，第二侧面406，第三侧面408， 和第四侧面410中的至少一个以便于保赚测器廳内的热量。在{该性实施 例中，绝缘层400基賴誠面402、第一侧面404、第二侧面406、第三侧面 408、禾口/，四侧面410中的每一个，以便于保^^测器100内的热量。在另
一实施例中，绝缘层400S^面402、第"f则面404，第二侧面406，第三侧 面408，第四侧面410和包括探测器100上表面的加热设备312以便于<^^ 测器100内的热量。例如，繊测器100和域多个探测器组{快同或#^魁也完 ^i寸闭在绝缘层400内。在4樣性实施例中，如果利用绝缘层400至少部分覆 ^A射辐射的表面，例如探测器100的阴极侧，则该绝缘层400可由对辐射基 本透明的材料制造，例如该绝缘层的厚度介于近似2 S^tJ近似5 S3fct间， 并由例如泡沫孚服制造。在一个实施例中，绝缘层400是大小选择为至少部分密封探测器100的泡 沫绝缘材料。在另一实施例中，绝缘层400是利用纤维绝缘材料构成的绝缘衬 垫，例如其由至少一部分探测器100的夕卜表鹏绕。禾,此^J^M的绝缘层400帮助保赚测器100内所增加的工作》驢。例 如，在操作期间利用加热设备312 )!^^测器100的工作^g增加到预定的工作 《鹏。当探测器的驗已经达到预定^it时，绝缘层400便刊tMi器维持在 预定的温度，这样减少了加热设备100所耗费的會糧，因为没有利用加热设备 312来补偿对周围环境的热损失。因此，绝缘层400便于M^、探测器的热损失， 并从而M^包括加热设备312的探测器100所消耗的总能量。该绝縦使鹏 更容易被传S^和控制电足^e制。战成像设繊测器樹共了M^成像探测器内部极化的成本高效且可靠的 手段。更特别地，该成像探测器包括共同起作用以^>探测器廳内部的电流 和极化的至少一个 和热源。示出的探测器部件并不限于此处所描述的特定的实施例，而是与此处所描 述的其他部件中3紋地并分离地，或者重复地利用探测器的部件。例如，上述 探测器部件同样可与不同的成像系统结合使用。此处所描述的系统和方法实施 例的技术效果包括在利用CZT材料制造的探测器中，M将至少一个,接 触耦合到探测器上并将该探测mt加热到高于典型的工作温度，来提高探测 器的性能，例如高流量、暗电流和光谱改进。此外，加热探测器与禾,i^i接触的组合可,更低的暗电流和更高的电荷迁移率和絲。这反过来育,高NM和CT应用的會糧光谱和高速操作。 另外，加热探测器和利用欧姆接触的组合便于防止高流量的减敏现象 (desensitization)、信号相关的不稳定性和育糧响应降级，同曰fii加有用的通量
限制。而且，M^暗电流允i條测器直接f眙到读取电子器件上。直接耦合的电子器件能更简单地粒并能够M^的输入电容。M^的输入电容育,M^噪 音并增加信号。低暗电流防止半导体内的信号相关的加热，信号相关的加热是 增益和计数率不稳定性的来源。信号相关的不稳定性非常重要并且不能校准偏 离，这样可防止在某些医疗成像应用中4顿半导繊测器。这样，利用此处所 描述的方法和體提高探测器在高和低流量的响应便于利用更低和域相对较便宜等级的CZT材料来制造该探测器。因此，此处所描述的探测器能在娜医疗成像中实现光子计数，从而提供 光子计数技术戶;ff页期的信号噪声(有时也称Swank噪声)的降低。这一噪声降 低可导致提高的图像质量或减少的患者剂量。在,医疗成像中的光子计数还 可M^从电流模式检测器中的暗电流得到的噪声，其影响图像中从最小探测器 信号幅度得到的部分。另外，信号响应，例如M^、的光谱尾带(spectral tail)， 可在诸如同步双同位素成像的核医学应用中禾,此处所描述的半导胸射探测 器，其中两个源的能量太靠近了以至于不能用已知的探测器来^f,。用于具有 M^、尾带光谱成分的NM应用的CZT的成功操作同样允许灵icg/^f,率的折 衷魏一步地优化。邀寸成像中提高的能量辨JI率能允许在例如钙化积分应用 中进行會糧^11及由此的材半 定。虽然依据各^f寺定的实施例己经描述了本发明，本领域普通技术人员将会 意识到可在权利要求的精神和范围内进行改动来实施本发明M实施例。
雜列表 10系统12台架14X射线管鄉16X射线18探测器阵列20探测器元件22医疗患者24旋转中心26控制机构28X射线控制器30台架电动鹏制器32繊采縣统(DAS)34图像重建器36计穀几38存储设备40控制台42相魏示器44桌台电动机腔制器46电动桌台48台架开口50接收设备52计穀几可读介质100图像探测设备102探测器元件104探测器基底 108像素电极 110第^面 112第1面 114纵轴
140源144光子(:gi寸的伽马射线和透射的x射线)154单个阴极电极 156移动电子 158空穴160读出电子器件 200 ,鰂 202晶体 204电路板 206电子部件 208连接器 210结束 220外部繊 222 X射线 224鹏专離 250代表性方法252方法250包括将可至少一賴括例如加热设备和任意鹏传繊的热源耦合到图像探测设备254控制该热源以调整施加至幅像探测设备的鹏，这可改变图像探测设备的温度312加热设备 400绝缘层 402底表面 404第H则 406第二侧 408第三侧 410第四侧 412上表面
权利要求
1、一种控制图像探测设备的方法(250)，所述方法包括给具有至少一个欧姆接触的图像探测设备施加热(252)；和控制(254)所施加的热以调整图像探测设备的温度水平。
2、 根据权利要求1的方法(250)，其中施加热(252)包含直接加热图像探测设备。
3、 根据权利要求1的方法(250),其中施加热(252)包含间接加热图像 探测设备。
4、 根据权利要求1的方法(250)，进一步包舒,驗传繊来控制热 量的驗水平，将该鹏传繊构造成敏则图像探测设备盼鹏。
5、 根据权利要求1的方法(250)，进一步包含将电阻相关加热设备耦合 到至少一个欧姆接触上并控帝嘛过该电阻相关加热设备的电流以控制温度水 平。
6、 一种图像探测设备(謂)包含 基底(104);至少一4^合到该基底的i^l接触(200);和 构造自加该基底、皿的热源(220)。
7、 根据权利要求6的图像探测设备(100),其中热源(220)包含构造成基于所施加的电^7K平而改变，水平的加热设备。
8、 根据权利要求6的图像探测设备(100)，其中繊(220)包含加热箔以增加该基底的，。
9、 根据权利要求6的图像探测设备(100)，其中将 (220)构造,非扫槲莫式期间保持增力啲基底鹏水平。
10、 一种成像系统(10)，包括构造成，光子通量的辐lt源(140);构造成接收光子通量，于该光子通量产生响应的图i象探测设备(ioo)， 该图像探测设备至少部分利用碲锌镉(CZT)材料和碲化镉(CdTe)材料的至 少一种来制造，將至少一个,撤虫(200)孝給到该图像探测设备；和构造成增加该图像探测设备温度的热源(220)。
全文摘要
提供了一种用于减少成像设备中极化作用的方法(250)和设备，并包括控制图像探测设备(100)的方法。该方法包括施加热(252)到具有至少一个欧姆接触(200)的图像探测设备上并控制所施加的热以调整图像探测设备的温度水平。
文档编号A61B6/00GK101116620SQ20071014941
公开日2008年2月6日 申请日期2007年8月3日 优先权日2006年8月3日
发明者A·G·费什勒, H·阿尔特曼, I·布列维斯, J·-P·布尼克, U·德罗尔 申请人:Ge医疗系统以色列有限公司