专利名称：植入体表面和用于降低磨损的处理的制作方法
技术领域：
用作受试者内替换性结构的植入体已经得到了广泛的应用。提高此类植入 体的耐久度和持久性有众多的优点，比如延长此类植入体的i顿寿命，并减少 未来替换此类植入体的需求。附图1A和1B描绘了^杯关节IIA体100的一部分。植入体的头110和 杯120可以以球窝关节的形式相对于彼此运动。在头110和杯120都是金属性 的情况下，结构IIO, 120的相对表面115， 125可以在形狀上互补，可以被称 为金属对金属(Metal-on-metal，在此记为"MOM")表面，其形成了在结构110 和120之间的界面130。如附图1A和1B所示，MOM表面不总是接触其互补 表面。如附图1B所示的放大示意图，相对的MOM表面115, 125可以经构造 以隔幵指定距离，所鄉巨离中可以在植入时填充间隙体液以在表面115, 125之 间允许相对运动。但是，MOM表面之间的偶然接触并不必然被禁止。
期望制造这样的MOM表面，其具有一种或多种低磨损特性，例如趋向于 不产生特定物质和/或具有相对光滑的表面。例如，会有利地是防止在MOM表 面之间的界面区域内累禾鹏粒。此鄉粒会磨损和退化MOM表面，导致在关 节表面之间摩擦增加，这进一步加速HA体表面的退化。相应地，需要改进的 植入体，其表面趋于具有一种或多种低磨损特性。同样，需要具有此类表面， 例如改性的MOM表面，的植入体的生产方法。
发明内容
某些示范性的实旨案涉及具有陶氐的易磨损性的表面的植入体。植入体 可以包括金属基底，例如铬-钴合金，植入体可以是Ai^品，餅与体液相接 触。植入体可以具有基底，所述基底可以适于包括具有多个凹坑的金属对基底 (MOS)表面。凹坑可以使用凹坑密度棘征，所述凹坑密度大于某一选定值， 例如10个凹敏100um2。 MOS表面也可以被减少(depleted of)尺寸小于选定 值例如大约15um的夹杂物，和/或相对于未经处理的钴-铬表面尺寸较小的夹 杂物。MOS表面可以具有备钴比率大于大约2的含氧化物层。备钴比率可以 可选地小于大约20，大约15,或大约10。含氧化物层可以具有大于大约20A的厚度。M0S表面可以具有这样的部分该部分的表面粗糙度由小于大约1 ti m, 大约0.6wm，或大约O.liim的Ra表征。其他的示范性的实施方案涉及根据本申请描述的任意方法制作的植入体。
根据以下详细说明并结合附图(不必按比例纟賴ij) ^更全面的理解本发 明的各个方面，其中
OOIO]附图1A显示了植入体的头-杯关节的侧视亂附图1B显示了附图1A的头和杯结构之间的界面的放大的侧视图；附图2B显示了在MOM表面上执行磨损微之前，MOM表面的原子组 戯d深度关系图，使用x射线光电子光谱(XPS)确定原子组成；
附图2C显示了在执行磨损试验之前，MOM表面的扫描电子显微照片 (SEM);附图2E显示了经3百万次磨损微循环之后，该MOM表面的SEM; IP017附图3显示了根据本发明某些实施方案的M基底表面的方法的流程图； [(K)18]附图4A显示了根据本发明的某些实 案钴-俗钼盘的表面的SEM,， 所述盘在6NHC1内被化学蚀刻；
(K)19]附图犯显示了附图4A的盘表面经抛光、等离子体处理和最后的HC1处 理后的SEM;附图4C显示了附图4B中的盘表面的原子组戯卩深度的关系图，舰使 用XPS确定原子组成；
0021附图5A显示了根据本发明的某些实 案钴-铬-钼盘表面的SEM,，所 M在1 NHC1内被电化学鹏ij;
(X)22]附图5B显示了附图5A中的盘表面的一部分的放大SEM:附图5E显示了显示在附图5F中的盘表面的原子组戯卩深度的关系图，通 过〈3^ffi XPS确定原子组成；附图5F显示了显示在附图5C中的盘表面经等离子体和HC1处理后的 SEM;附图6A显示了根据本发明的某些实施方案，经电化学t^ij处理过的股骨 头假体表面的SEM;附图6C显示了对于附图6B中的表面，其经氧等离子体处理和暴露于硝 酸之后，该表面的原子组成和深度的关系曲线，使用XPS确定原子组成。
具体实施例方式—定的示范性的实施方案将在此被描述，从而提供对在此公开的器械和方 法的结构、功能、制作和使用的原理的全面理解。这些实施方案的一个或多个 例子在附图中被阐述。本领域技术人员会理解在此特定描述并在附图中举例示 出的器械和方法是非限制性的示范性的实施方案，本发明的范围仅仅由权利要 求来限定。结合一个示范性的实施方，例说明或描述的特征可以与其他实施 方案的特征相结合。这样的改变和变化也意欲被包括在本发明的范围内。
本发明的一些实施方案涉及方法和器械,所述器械可以包括具有一种或多 种低磨损特性的基底表面。相应地，基底的表面，比如可以在植入体例如假体 植入体中使用的基底表面，可以具有一种或多种特性，例如减少的夹杂物(例 如碳化物)含量、可以被光滑化的带凹坑表面、和具有抗腐蚀和/或磨损的组成 的钝化层。在许多实施方案中，这些表面设计为与另一个基底表面交界如果 该表面不具有一种或多种低磨损特性的话，经皿面之间长期的相对运动这会 导致表面退化。如本申请全文所利用的，对象的"表面"表示对象的边界，其 可以包括紧邻所述边界的局部材料。相应地，该表面可以包括一层或更多层原 子的厚度，和可以厚至大约10纳米。MOS界面的非限制的例刊括金属对金属(MOM)、聚溯对金属、和 陶，金属的组合。基底的金属性表面可以包括樹可适于植Af,认体内的金属， 即，任何生物相容的金属。适合的金属包括，但不限于钛，钽，和不锈钢。优 选地，该金属性表面包括选自钛，钛合金，钽，钽合金，不鄉，含铬合金， 含钴合金，钴-铬合金和钴-铬-钼合金所组成的组中的金属。在特定的实施方案 中，植入体的金属性表面包括钴-铬-钼合金。此类合金的特定例^括用于外科 植入体的，钴-28铬4钼合金，其符合ASTM Fl 537^00标准，和钴-28铬-6 钼合皿件，其符合ASTM F75-01标准。某些实^案涉及包括具有提高的 Q: Co比的钴-船金的金属性表面。同样地，某些表面Ji^制造的植入体的部 分，其被选择以模仿准稳态磨损表面的一种或多禾術性，这可以使得表面具有 低磨损特性。循环磨损逸验在钴-铬-钼(CoCrMo)表面样品上迸行以模拟在受试者中 才IA体使用后在MOM表面上磨损的效果。附图2A是数据图，其示出了在循 环，过程中，两个CoQMo表面之间的界面处金属对金属磨损的结果。图中 描绘了在CoCrMo表面磨损i，过程中两种截然不同的模式。第一模式210是 "磨合模式"，在此期间从CoCrMo表面损失大量金属。第二模式220是"准稳 态模式"，在此期间来自CoOMo表面的金属损失率非常低^稳态。
形皿基底表面中的凹坑可以采用各种方式来表征，并且所述凹坑可以依 赖于基底的本性和其中的夹杂物(例如，碳化物)的尺寸。在特别的实施方案 中，以这样的方式来形成提供数目足以允许相对表面之间，例如植入体的相 对MOS表面之间，润滑的凹坑。例如，凹坑的密度可以大于大约IO个凹敏IOO um2。凹坑的尺寸也可以变化。例如，所形成的凹坑可以包括小于大约15 um 或小于大约10 a m的平均尺寸。凹坑的平均尺寸可以{柳本领域^人员知道的任何技术棘征。在一个非限律啲例子中，平均尺寸可以由平均有效直径来 定义，所述平均有效直径是使用凹坑的平均横截面积并假定横截面是完美的圆 ，截面而计算出来的。在表面上形成凹坑的方法可以使用任何用于形成与在此公开的实施方案 相一致的结构的技术，包括在本领域技术人员的知识范围之内的方法。例如， 可以使用蚀亥啦术来形成凹坑和/或从表面去除夹杂物。当在金属性表面上进行 蚀刻时，可以使用化学蚀刻技术。在某些实施方案中，化学蚀刻可以优先g 成夹杂物(例如碳化物)的去除以在暴露表面上形成凹坑。无须受限于任何特 别的理论，化学蚀刻可以造成夹杂物(例如碳化物微粒)和植入体之间相界的 溶解，这样可以允许去除夹^tl。此类化学蚀刻技术可以依赖于将被蚀刻和/或形成凹坑的表面的性质。可 以使用包括酸溶液，如包,囟酸(例如HC1)的酸的多种蚀亥喊体^it行化 学，ij,所述，!J流体可以任i^包括所述酸的盐(例如，HC1的氯化盐)。例 如，含铬金属(例如，钴-船金)的化学蚀刻可<顿于2005年6月23日提交 的美国专利申请公开No.US2006/0293758Al所描述的鹏lj餘)^有效;tlk3i行，名称为"Implants with Textured Surface and Methods for Producing the Same",其全
部内容通过全文引用而结合进来。蚀刻溶液暴露的浓度、温度和时间可以发生 变化，具体取决于什么对于获得所需的蚀刻结果是有效的。例如，对于某些金 属性合金(例如含船金)，可以1顿氢卤酸例如HC1，浓度大于大约3M，温 度从大约20'C到大约IO(TC,时间至少大约1小时。对刊寺定基底(例如，金属性基底)而言，化学鹏何以任选地包括电化 学蚀刻。电化学蚀刻可使用合适的溶液，当该溶液暴露于所要蚀刻的表面时， 选定的电流流过该蚀刻溶液。在某些实施方案中，电化学蚀刻可以使得夹杂物 更有效地被去除(例如相对于一些纯化学蚀刻M更彻底地去除夹^I);相对 于某些典型的化学蚀刻技术，电化学嫩IM顿苛亥暇度较低的化学品，劍氐的 鹏，和/離短的蚀刻时间；和/或相对于一些典型的化学蚀刻技术总嫩)M^， 但同时仍然去除夹，和/或形成凹坑。可以和在此论述的一些实施方案一起使 用的电化学蚀刻的方面和方法公开在2008年2月13日提交的序列号为 12/030689，名称为"Metallic Implant"的美国专利申请中，该专利申请在itbM过 引用被结合ii^。
0046]电化学懒赂液可以包含至少一种电解质，所述电解质充分地传输电流以 便可以进行电化学懒ij。蚀刻溶液可以是合适配制的电解质溶液，例如7jC溶液， 其具有至少一种可溶于该溶液中的无机化合物和可溶于该溶液中的有机化合 物。可利用的无机化储可以配制鹏液形式，所述溶液例如碱性溶液、酸性 溶液、盐溶液或上述溶液的任意组合。碱性溶液可以包括化合物的任何组合， 例如氢氧化物(例如，NaOH， KOH)和碳酸盐(例如Na2CO3， K2C03, NaHC03)。 盐溶液的例子包括任何单一类型盐或盐的组合，所述盐包括氯化物、磷酸盐、 硫酸盐、亚硫酸盐、亚硝酸盐、硝酸盐、及其混合物。在特定的实施方案中， 无机化合物包括酸溶液。酸溶液的例^括H2S04、 HC1、 HN03、 HOOCCH3、 H3P04和HC103中任一单一，或组合。可能的有机化，包,和醇(例如， 乙醇)。溶液各种组分的浓度可以是任何适于有效ifeit行电化学蚀刻的浓度(例 如，任何组分的浓度可以从大约0.01M至溶液的饱和点之间变化，或从大约 0.05M至大约5M，或可以是相对弱的酸浓度，例如低于大约5M, 4M，或3M)。 施加到溶液中的电流密度可以是任意适合的水平(例如，高于大约1M/cm2)。 该过程可以进行有效的时间以获得期望的蚀刻(例如，从大约30秒至大约1小时)。可以进行电化学蚀亥啲温度可以是任何有效的温度，但是在某些实施方案
中有利的是4柳相对劍氐的、驗(例如，低于大约80'C， 70'C, 60'C， 50'C， 或40'C;航室温附近的温度范围内，如大约10'C至大约35。C)。
当表面(例如，带凹坑的表面)被蚀刻或具有某种粗m时，该表面可以 在某些部分进行光滑化，与本发明某些实施方案相一致。S31使鹏啲表面的 一部分，例如与在MOS界面中4顿的另一條面相对的部分，光滑化，发生表 面退化的(例如由于MOS表面之间的相对运动所弓胞的粗糙化)发生率被减小 了。在这种情况下，表面中的凹坑可以被保持，同时该表面可以由于蚀亥喊其 它凹坑形成方法而相对于初始表面被光滑化。例如，凹坑可以被配置以允许为 MOS界面存储有效的润滑流体。在某些瞎况下，表面的光滑化足以使得在光滑
itt前所述蚀刻表面的Ra值高于光滑化之后的Ra值。通常，Ra具有和本领域技
术人员所理解的一致的含义。例如，其可以被定义为在某选定的评价长度内偏 离平均线的轮廓高度偏差的绝对值的算术平均。在某些实施方案中，光滑化表
面(例如，该表面的一部分被抛光而不具有凹坑)的Ra值可以小于大约1 ，
或小于大约0.6微米，或小于大约0.1微米。在某些实施方案中，在植入体的表面上存在含氧化物层可使得该表面耐腐 蚀和/或减少该表面的磨损率(例如，相对于缺少含氧化物层或有薄层含氧化物 层的^IA体表面)。相应地，含氧化物层可以是改性的含氧化物层，例如，使氧 化物层相对于自然形成的氧化物层更厚。在某些情况下，含氧化物层(例如， 改性的)可以Ji^例如暴露于体液的MOS表面的环境高度耐腐蚀。高耐腐蚀可 以是相对于选定类型的表面而言的，例如具有自然形成的氧化物层的表面或具有属于某种其他类型情况的含氧化物层的表面。含氧化物层可以 加到各种
表面上，例如植入体的带凹坑表面，不含氧化物的表面，和/或预先具有含氡化 物层以进一步加厚和/或改变雜性质的表面。在某些实 案中，含氧化物层 可以被施加至格种鄉的基底上，包括金属性表面，例如含铬表面(例如，钴-备钼合金化的表面)。
〖0050]如本申请所j顿的，措词"含氧化物的"标包括至少一种氧化物组分的 部分，但是其他的材料也可以该氧化物组分(一种或多种)相混合。例如，含 氧化物膜可以包含多种化学氧化物。在各种实施方案中，含氧化物层可以是厚 的，和/或具有选定的厚度。在特定的实施方案中，所述厚度肖滩大于该材料当 置于选定的环境例如环境条件中的自然产生的氧化物厚度，和/駄于械定次 数的循环后经过磨损i微的MOS表面的氧化物厚度(例如，经过大约3百万次 循环^^大约2百万次循环后大约15A)。在某些实施方案中，含氧化物层可以 具有大于大约10A、大约15A、駄约20A的厚度。在某个实 案中，含氧 化物层具有小于大约200 A、 150 A或100 A的厚度。在某些实施方案中，表面经形成自一种或多种氧化性组分的等离子体， 以便，在该表面上形成含氧化物层，所述含氧化物层可以是厚的。等离子体 的氧化性组分可以包括氧、水、乙醇、过氧化氢或它们的混合物。在某些实施 方案中，氧化性气体等离子体可以例如形成自氧气、氧气与空气的混合物、或 前述之一连同一种或多种非还原气体。非还原气体包g、氖、氮、氤和氪。 在某些实施方案中，氩和/或氦是m的。在某，逸的实施方案中，氧气在气 体中的含量大于3%。在某些优选的实施方案中，氧气在气体中的含量在 3%^00%之间。多个适用于实践本发明方面的气体等离子体处理系统是商业可获得的，这 样的系统为本领域技术人员所了解。在某些实施方案中，等离子体可以通过在 适合的压力条件下的气态环境下产生放电而生成。典型的等离子处理系统具有能被保持在期望压力(典型的大气压或低于大气压)下的腔。将被处理的表面 被放置在含有选定气体的所述腔内，适合的能量源(例如，放电)被用于将该 气体转变为等离子体。用于该气体等离子体氧化的能量源是能够提供足够的能 量以电离至少一部分氧化性气体形成气体等离子体的能量源。至少有三种能源
己经广泛地用于提供该能量。这些能源包括DC电能、射频(RF)肖旨和微波能。 由于RF能源典型地具有最大的灵敏度和最抗干扰,一些实駄案j顿RF能源。
附图6A和6B描绘了经处理的l^钴-钼股骨头假体的表面。附图6A显示 了经电化学嫩啲股骨头的5000倍放大的SEM。附图6B显示了同一股骨头在 表面经过如下处理后的5000倍放大的SEM:其表面被3/5 n m织物抛光至Ra 歡约是O.l nm，由用1000瓦能源形成的氧等离子体处理大约1小时，和经硝 酸在54'C处理大约半个小时。附图6B显示了抛光产生了明显更光滑的表面。 附图6C显示了在附图6B中经处理过的股骨头上执行XPS深度扫描所获得的结 果。鹏610、 620、 630分别对应于钴、铬和钼的原子百分比作为深度的函数。 所^E线显示了在头表面处的铬钴比率M高于大约3.5。
等效替换
0071]尽管本发明根,定方法、结构和器MiS行了描述，但是应当理解的是， 本领域技术人员在考虑了本发明之后育腿行各种变形和改变。例如，在此论述 的方法和组成可以在一些实施方案中制备植入体的金属性表面以外使用。同样， 结合一个实施方案所举例说明的或描绘的特征可以与其他实施方案的特征相结 合。此类改变和变形也意欲包括在本发明的范围之内。本领域技术人员将认识 到或者仅使用常规试验手段就能够确定基于上述实施方案的本发明的进一步的 特征和优点。相应地，本发明不被已经特别显示和描述的内容所限定，而是由 附属的权利要求来限定。
10072]所有公幵出版物和参考文献 明确3151引用而全文结糊来。术语"a"
和"an"可以交^4吏用，并等价于在本申请中使用的措辞"一个或多个"。除非
另有所指，术语"包括"，"具有"，"包含"和"包括"被解释为幵放式术语(即，
表示"包括，但不限于")。本文中提到数值范围仅仅旨在作为賴虫提到落在该
范围内的齡单个值的简便做法(除一哝本文中有另夕卜说明)，并且針单个值
被结合到说明书中就像它在本文中单个提到了一样。在此描述的全部方法可以
以任何适合的顺序被执行，除3瞎此另有说明或者否则与上下文明确相矛盾。
任何和全部实施例或者在此提供的示例性语言(例如，"比如")的使用仅为了
更好的举例说明本发明而并不对发明的范围提出限制，除非另外有声明。说明 书中的语言不应当被理解为表明预示任何未声明的要素作为实施本发明的必要要素。本发明包括以下方面1 .用于处理植入体以减小所述植入体在受试者内使用时的磨损特征的方法，包 括
在所述植入体的表面的至少一部分中形成多个凹坑；和 在所述带凹坑的表面上形成高度耐腐蚀的含氧化物层，相对于在所述表面
上的自然发生的氧化物层，所述含氧化物层增加了所述带凹坑的表面的抗腐蚀
性，
所述方法生成了经处理的表面，所述经处理的表面相对于未经处理的表面 具有减小的磨损特征。
2. 根据方面1的方法，其中形戯万述多个凹坑包括{顿基于化学的蚀刻技术。
3. 根据方面2的方法，其中所述基于化学的蚀刻狱包括基于电化学的嫩啦 术。
4. 根据方面1的方法,其中形成所述多个凹坑包括^^述植入体的所，面去除 多个夹杂物。
5. 根据方面1的方法，其中形成所述含氧化物层包括使用具有至少一种氧化成 分的等离子体处理所述表面。
6. 根据方面5的方法，进一步包括在形成所述含氧化物层之后，用酸接触所述 带凹坑的表面。
7. 根据方面5的方法，其中所述带凹坑的表面包括钴-船金，所述钴-铬合金的 铬钴之比大于大约2。
8. 根据方面1的方法,其中形成所述含氧化物层包括形成厚度大于大约10A的所 述含氧化物层。
9. 根据方面1的方法，其中形成所述含氧化物层包括选择性地提高在所述含氧
化物层中至少一种组分的相对量。
10. 根据方面9的方法，其中形^^f述含氧化物层包括^^,，所述含氧
化物层以选择性地提高所述至少一种组分。
U.根据方面9的方法，其中所述駄体包括钴-船金，和选择性地提高至少一
种组分的所述相对量包括选择性地提高所述含氧化物层中铬相对于钴的量。
12. 根据方面1的方法，其中在所述经处理的表面上的铬钴之比在大约2到大约 20的范围。
13. 根据方面1的方法，进一步包括在所述带凹坑的表面上形^^f述含氧化物层之前^M述带凹坑的表面光滑化。
14. 根据方面13的方法,其中使所述带凹坑的表面光滑化包括抛光所述带凹坑的 表面。
15. 根据方面13的方法，其中至少一部分所述带凹坑的表面的特征在于，&值小 于大约0.6Mm。
16. 根据方面1的方法，其中所^^处理的表面包括所述植入体的至少一部^ 属对基底(MOS)表面。
17. 具有降低的易磨损性的表面的^A体，包括
基底，所述基底适于包括具有多个凹坑的金属对基底(MOS)表面，所述 MOS表面包括含氧化物层，所述含氧化物层具有大于大约2的铬钴比和大于大 约20A的厚度。
18. 根据方面17的植入体，其中所述MOS表面基本不接触，。
19. 根据方面17的植入体，其中所述MOS表面包括至少一个用小于大约0.6Mm 的Ra值表征的表面粗糙度的部分。
20. 根据方面17的植入体，其中所述铬钴比小于大约20。
2L根据方面17的植入体，其中所述MOS表面被减少了尺寸小于大约15Mm的 夹緣
22, 根据方面17的植入体，其中所述MOS表面相对于未经处理的钴-铬表面被减 少了夹杂物。
23, 根据方面17的植入体，其中所述MOS表面上的所述多个凹坑具有大于约10 个凹敏100Mn^的密度。
24. 根据方面17的植入体，其中所述基底包括铬-钴合金。
25. t!A体，其具有适于用作金属对基底表面的经鹏的表面，所述经处理的表 面Mii包括下列的方法来生成
在铬-钴合金表面的至少一部分上形成多个凹坑，所述带凹坑的表面相对于 未经凹坑化鹏的铬-钴表面具有^^的夹M^量； ^^f述带凹坑的表面的至少一部分光滑化； ^^f述光滑ibl的带凹織面上形成高度抗腐蚀的含氧化物层；和
Mii选择性地提高所述含氧化物层中至少一种组分的相对量从而对所述含
氧化物层进行改性。
权利要求
1.处理植入体以减小所述植入体在受试者内使用时的磨损特征的方法，包括在所述植入体的表面的至少一部分中形成多个凹坑；和在所述带凹坑的表面上形成高度耐腐蚀的含氧化物层，相对于在所述表面上的自然发生的氧化物层，所述含氧化物层增加了所述带凹坑的表面的抗腐蚀性，所述方法生成了经处理的表面，所述经处理的表面相对于未经处理的表面具有减小的磨损特征。
2. 根据权禾腰求1的方法，其中形卿万述多个凹坑包括{顿基于化学的嫩啦 术。
3. 根据权利要求2的方法，其中所述基于化学的m啦术包括基于电化学的1^iJ技术。
4. 根据权利要求1的方法，其中形成所述多个凹坑包括^0f述植入体的所述表面 去除多个夹杂物。
5. 根据权利要求1的方法，其中形^^ 述含氧化物层包括i顿具有至少一种氧 化成分的等离子体处理所述表面。
6. 根据权利要求5的方法，进一步包括在形^^f述含氧化物层之后，用酸接触 所述带凹坑的表面。
7. 根据权利要求5的方法，其中所述带凹坑的表面包括钴-铬合金，所述钴-船 金的铬钴之比大于大约2。
8. 根据权利要求1的方法，其中形^^f述含氧化物层包括形成厚度大于大约10A 的所述含氧化物层。
9. 根据权利要求1的方法，其中形^^f述含氧化物层包括选择性地提高^^ 述含氧化物层中至少一种组分的相对量。
10. 根据权禾腰求9的方法，其中形^^f述含氧化物层包括j顿麟处理所述含氧化物层以选择性地提高所述至少一种组分。
11. 根据权利要求9的方法，其中所述ltA体包括钴-铬合金，和选择性地提高至少一种组分的所述相对量包括选择性地提高所述含氧化物层中铬相对于钴的
12. 根据权利要求11的方法，其中在所^^,的表面上的铬钴之比在大约2到 大约20的范围。
13. 根据权利要求1的方法，进一步包括^^述带凹坑的表面上形J^f述含氧 化物层之前^^f述带凹坑的表面光滑化。
14. 根据权利要求13的方法，其中使所述带凹坑的表面光滑化包括抛光所述带凹 坑的表面。
15. 根据权利要求13的方法，其中至少一部分所述带凹坑的表面的特征在于， Ra值小于大约0.6Mm。
16. 根据权利要求1的方法，其中所述经处理的表面包括所述^A体的至少一部 分金属对基底(MOS)表面。
全文摘要
本发明涉及植入体表面和用于降低磨损的处理，尤其公开了涉及植入体表面处理的方法和器械。在一些例子中，表面被处理以具有当植入体在受试者内使用时可以赋予一种或多种低磨损特性的特征。作为一个例子，植入体的金属性表面可以被处理以在表面内形成凹坑，接着可选地通过光滑化步骤减小所述带凹坑的表面的粗糙度。等离子处理可以被用于在表面上形成含氧化物层(例如高度抗腐蚀和/或厚的)。酸处理也可以被用于作为形成含氧化物层的方法的一部分。其他方法的例子也被公开，还公开了能显示出低磨损特性的植入体表面的特征。
文档编号A61F2/00GK101606868SQ20091014970
公开日2009年12月23日 申请日期2009年4月28日 优先权日2008年4月28日
发明者L·小萨尔瓦蒂, S·X·杨 申请人:德普伊产品公司