用于中子捕获治疗的射束整形体的制作方法
【专利摘要】为了改善中子射源的通量与品质，本发明的一个方面提供一种用于中子捕获治疗的射束整形体，其中，射束整形体包括靶材、邻接与靶材的缓速体、包围在缓速体外的反射体、与缓速体邻接的热中子吸收体、设置在射束整形体内的辐射屏蔽和射束出口，靶材与自射束入口入射的质子束发生核反应以产生中子，中子形成中子射束，中子射束限定一根主轴，缓速体将自靶材产生的中子减速至超热中子能区，反射体将偏离主轴的中子导回主轴以提高超热中子射束强度，缓速体和反射体之间设置间隙通道以提高超热中子通量，热中子吸收体用于吸收热中子以避免治疗时与浅层正常组织造成过多剂量，辐射屏蔽用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量。
【专利说明】用于中子捕获治疗的射束整形体
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种射束整形体，尤其涉及一种用于中子捕获治疗的射束整形体。
【背景技术】
[0002] 随着原子科学的发展，例如钴六十、直线加速器、电子射束等放射线治疗已成为癌 症治疗的主要手段之一。然而传统光子或电子治疗受到放射线本身物理条件的限制，在杀 死肿瘤细胞的同时，也会对射束途径上大量的正常组织造成伤害；另外由于肿瘤细胞对放 射线敏感程度的不同，传统放射治疗对于较具抗辐射性的恶性肿瘤(如：多行性胶质母细胞 瘤（glioblastoma multiforme)、黑色素细胞瘤（melanoma))的治疗成效往往不佳。
[0003] 为了减少肿瘤周边正常组织的辐射伤害，化学治疗（chemotherapy)中的标靶治疗 概念便被应用于放射线治疗中；而针对高抗辐射性的肿瘤细胞，目前也积极发展具有高相 对生物效应（relative biological effectiveness, RBE)的福射源，如质子治疗、重粒子 治疗、中子捕获治疗等。其中，中子捕获治疗便是结合上述两种概念，如硼中子捕获治疗，借 由含硼药物在肿瘤细胞的特异性集聚，配合精准的中子射束调控，提供比传统放射线更好 的癌症治疗选择。
[0004] 硼中子捕获治疗（Boron Neutron Capture Therapy, BNCT)是利用含硼（iqB)药 物对热中子具有高捕获截面的特性，借由kiBOi, a) 7Li中子捕获及核分裂反应产生4He和 7Li两个重荷电粒子。参照图1和图2,其分别示出了硼中子捕获反应的示意图和 kiB(η，α ) 7Li中子捕获核反应方程式，两荷电粒子的平均能量约为2. 33MeV，具有高线性转移（Linear Energy Transfer, LET)、短射程特征，α粒子的线性能量转移与射程分别为150 keV/μ m、 8 μ m，而7Li重荷粒子则为175 keV/μ m、5 μ m，两粒子的总射程约相当于一个细胞大小， 因此对于生物体造成的辐射伤害能局限在细胞层级，当含硼药物选择性地聚集在肿瘤细胞 中，搭配适当的中子射源，便能在不对正常组织造成太大伤害的前提下，达到局部杀死肿瘤 细胞的目的。
[0005] 因硼中子捕获治疗的成效取决于肿瘤细胞位置含硼药物浓度和热中子数量，故又 被称为二元放射线癌症治疗（binary cancer therapy);由此可知，除了含硼药物的开发， 中子射源通量与品质的改善在硼中子捕获治疗的研究中占有重要角色。
【发明内容】
[0006] 为了改善中子射源的通量与品质，本发明的一个方面提供一种用于中子捕获治疗 的射束整形体，其中，射束整形体包括靶材、邻接与靶材的缓速体、包围在缓速体外的反射 体、与缓速体邻接的热中子吸收体、设置在射束整形体内的辐射屏蔽和射束出口，靶材与自 射束入口入射的质子束发生核反应以产生中子，中子形成中子射束，中子射束限定一根主 轴，缓速体将自靶材产生的中子减速至超热中子能区，反射体将偏离主轴的中子导回主轴 以提高超热中子射束强度，缓速体和反射体之间设置间隙通道以提高超热中子通量，热中 子吸收体用于吸收热中子以避免治疗时与浅层正常组织造成过多剂量，辐射屏蔽用于屏蔽 渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量。
[0007] 射束整形体进一步用于加速器硼中子捕获治疗。
[0008] 加速器硼中子捕获治疗通过加速器将质子束加速，靶材由金属制成，质子束加速 至足以克服靶材原子核库伦斥力的能量，与靶材发生核反应以产生中子。
[0009] 射束整形体能将中子缓速至超热中子能区，并降低热中子及快中子含量，超热中 子能区在〇. 5eV到40keV之间，热中子能区小于0. 5eV，快中子能区大于40keV，缓速体由具 有快中子作用截面大、超热中子作用截面小的材料制成，反射体由具有中子反射能力强的 材料制成，热中子吸收体由与热中子作用截面大的材料制成。
[0010] 作为一种优选地，缓速体由 D20、AlF3、Fluental?、CaF2、Li2C0 3、MgF#P Al 203中的 至少一种制成。
[0011] 进一步地，反射体由Pb或Ni中的至少一种制成，热中子吸收体由6Li制成，热中 子吸收体和射束出口之间设有空气通道。
[0012] 辐射屏蔽包括光子屏蔽和中子屏蔽。作为一种优选地，光子屏蔽由Pb制成，中子 屏蔽由PE (聚乙烯）制成。
[0013] 作为一种优选地，缓速体设置成包含一个柱体状和与柱体状邻接的一个锥体状的 形状或者设置成两个相反方向相互邻接的锥体状。
[0014] 本发明实施例中所述的"柱体"或"柱体状"是指沿着图示方向的一侧到另一侧其 外轮廓的整体趋势基本不变的结构，外轮廓的其中一条轮廓线可以是线段，如圆柱体状的 对应的轮廓线，也可以是曲率较大的接近线段的圆弧，如曲率较大的球面体状的对应的轮 廓线，外轮廓的整个表面可以是圆滑过渡的，也可以是非圆滑过渡的，如在圆柱体状或曲率 较大的球面体状的表面做了很多凸起和凹槽。
[0015] 本发明实施例中所述的"锥体"或"锥体状"是指沿着图示方向的一侧到另一侧其 外轮廓的整体趋势逐渐变小的结构，外轮廓的其中一条轮廓线可以是线段，如圆锥体状的 对应的轮廓线，也可以是圆弧，如球面体状的对应的轮廓线，外轮廓的整个表面可以是圆滑 过渡的，也可以是非圆滑过渡的，如在圆锥体状或球面体状的表面做了很多凸起和凹槽。
【专利附图】
【附图说明】
[0016] 图1是硼中子捕获反应示意图。
[0017] 图2是kiB(n，a ) 7Li中子捕获核反应方程式。
[0018] 图3是本发明第一实施例中的用于中子捕获治疗的射束整形体的平面示意图，其 中，在缓速体和反射体之间设置有间隙通道。
[0019] 图4是本发明第二实施例中的用于中子捕获治疗的射束整形体的平面示意图，其 中，缓速体设置成双锥体，且第一实施例中的间隙通道位置以缓速体材料填充。
[0020] 图5是本发明第三实施例中的用于中子捕获治疗的射束整形体的平面示意图，其 中，缓速体设置成双锥体，且第一实施例中的间隙通道位置以反射体材料填充。
[0021] 图6是中子能量与中子角度双微分的中子产率图。
[0022] 图7是本发明第四实施例中的用于中子捕获治疗的射束整形体的平面示意图，其 中，缓速体设置成柱体。
[0023] 图8是本发明第五实施例中的用于中子捕获治疗的射束整形体的平面示意图，其 中，缓速体设置成柱体+锥体。
【具体实施方式】
[0024] 中子捕获治疗作为一种有效的治疗癌症的手段近年来的应用逐渐增加，其中以硼 中子捕获治疗最为常见，供应硼中子捕获治疗的中子可以由核反应堆或加速器供应。本发 明的实施例以加速器硼中子捕获治疗为例，加速器硼中子捕获治疗的基本组件通常包括用 于对带电粒子(如质子、氘核等）进行加速的加速器、靶材与热移除系统和射束整形体，其中 加速带电粒子与金属靶材作用产生中子，依据所需的中子产率与能量、可提供的加速带电 粒子能量与电流大小、金属靶材的物化性等特性来挑选合适的核反应，常被讨论的核反应 有 7Li (p，n) 7Be及9Be (p，n)9B,这两种反应皆为吸热反应。两种核反应的能量阀值分别为 I. 881MeV和2. 055MeV，由于硼中子捕获治疗的理想中子源为keV能量等级的超热中子，理 论上若使用能量仅稍高于阀值的质子轰击金属锂靶材，可产生相对低能的中子，不须太多 的缓速处理便可用于临床，然而锂金属（Li)和铍金属（Be)两种靶材与阀值能量的质子作 用截面不高，为产生足够大的中子通量，通常选用较高能量的质子来引发核反应。
[0025] 理想的靶材应具备高中子产率、产生的中子能量分布接近超热中子能区(将在下 文详细描述)、无太多强穿辐射产生、安全便宜易于操作且耐高温等特性，但实际上并无法 找到符合所有要求的核反应，本发明的实施例中采用锂金属制成的靶材。但是本领域技术 人员熟知的，靶材的材料也可以由其他除了上述谈论到的金属材料之外的金属材料制成。
[0026] 针对热移除系统的要求则根据选择的核反应而异，如7Li (p，n) 7Be因金属靶材(锂 金属)的熔点及热导系数差，对热移除系统的要求便较9Be (p，n) 9B高。本发明的实施例中采 用7Li (p, n) 7Be的核反应。
[0027] 无论硼中子捕获治疗的中子源来自核反应堆或加速器带电粒子与靶材的核反应， 产生的皆为混合辐射场，即射束包含了低能至高能的中子、光子；对于深部肿瘤的硼中子捕 获治疗，除了超热中子外，其余的辐射线含量越多，造成正常组织非选择性剂量沉积的比例 越大，因此这些会造成不必要剂量的辐射应尽量降低。除了空气射束品质因素，为更了解中 子在人体中造成的剂量分布，本发明的实施例中使用人体头部组织假体进行剂量计算，并 以假体射束品质因素来作为中子射束的设计参考，将在下文详细描述。
[0028] 国际原子能机构（IAEA)针对临床硼中子捕获治疗用的中子源，给定了五项空气射 束品质因素建议，此五项建议可用于比较不同中子源的优劣，并供以作为挑选中子产生途 径、设计射束整形体时的参考依据。这五项建议分别如下： 超热中子射束通量 Epithermal neutron flux > I X IO9 n/cm2s 快中子污染 Fast neutron contamination < 2 x ICT13 Gy_cm2/n 光子污染 Photon contamination < 2 x ICT13 Gy-cm2/n 热中子与超热中子通量比值 thermal to epithermal neutron flux ratio〈0· 05 中子电'流与通量比值 epithermal neutron current to flux ratio > 0. 7 注：超热中子能区在〇. 5eV到40keV之间，热中子能区小于0. 5eV，快中子能区大于 40keV〇
[0029] 1、超热中子射束通量： 中子射束通量和肿瘤中含硼药物浓度共同决定了临床治疗时间。若肿瘤含硼药物浓度 够高，对于中子射束通量的要求便可降低；反之，若肿瘤中含硼药物浓度低，则需高通量超 热中子来给予肿瘤足够的剂量。IAEA对于超热中子射束通量的要求为每秒每平方厘米的超 热中子个数大于1〇9,此通量下的中子射束对于目前的含硼药物而言可大致控制治疗时间 在一小时内，短治疗时间除了对病人定位和舒适度有优势外，也可较有效利用含硼药物在 肿瘤内有限的滞留时间。
[0030] 2、快中子污染： 由于快中子会造成不必要的正常组织剂量，因此视之为污染，此剂量大小和中子能量 呈正相关，因此在中子射束设计上应尽量减少快中子的含量。快中子污染定义为单位超热 中子通量伴随的快中子剂量，IAEA对快中子污染的建议为小于2 X KT13 Gy-Cm2/n。
[0031] 3、光子污染（Y射线污染）： Y射线属于强穿辐射，会非选择性地造成射束路径上所有组织的剂量沉积，因此降低 Y射线含量也是中子束设计的必要要求，Y射线污染定义为单位超热中子通量伴随的Y 射线剂量，IAEA对γ射线污染的建议为小于2 X 10_13 Gy-Cm2/n。
[0032] 4、热中子与超热中子通量比值： 由于热中子衰减速度快、穿透能力差，进入人体后大部分能量沉积在皮肤组织，除黑色 素细胞瘤等表皮肿瘤需用热中子作为硼中子捕获治疗的中子源外，针对脑瘤等深层肿瘤应 降低热中子含量。IAEA对热中子与超热中子通量比值建议为小于0. 05。
[0033] 5、中子电流与通量比值： 中子电流与通量比值代表了射束的方向性，比值越大表示中子射束前向性佳，高前向 性的中子束可减少因中子发散造成的周围正常组织剂量，另外也提高了可治疗深度及摆位 姿势弹性。IAEA对中子电流与通量比值建议为大于0. 7。
[0034] 利用假体得到组织内的剂量分布，根据正常组织及肿瘤的剂量-深度曲线，推得 假体射束品质因素。如下三个参数可用于进行不同中子射束治疗效益的比较。
[0035] 1、有效治疗深度： 肿瘤剂量等于正常组织最大剂量的深度，在此深度之后的位置，肿瘤细胞得到的剂量 小于正常组织最大剂量，即失去了硼中子捕获的优势。此参数代表中子射束的穿透能力，有 效治疗深度越大表示可治疗的肿瘤深度越深，单位为cm。
[0036] 2、有效治疗深度剂量率： 即有效治疗深度的肿瘤剂量率，亦等于正常组织的最大剂量率。因正常组织接收总剂 量为影响可给予肿瘤总剂量大小的因素，因此参数影响治疗时间的长短，有效治疗深度剂 量率越大表示给予肿瘤一定剂量所需的照射时间越短，单位为cGy/mA-min。
[0037] 3、有效治疗剂量比： 从大脑表面到有效治疗深度，肿瘤和正常组织接收的平均剂量比值，称之为有效治疗 剂量比；平均剂量的计算，可由剂量-深度曲线积分得到。有效治疗剂量比值越大，代表该 中子射束的治疗效益越好。
[0038] 为了使射束整形体在设计上有比较依据，除了五项IAEA建议的空气中射束品质 因素和上述的三个参数，本发明实施例中也利用如下的用于评估中子射束剂量表现优劣的 参数： 1、照射时间彡30min (加速器使用的质子电流为IOmA) 2、 30. ORBE-Gy可治疗深度彡7cm 3、 肿瘤最大剂量> 60. ORBE-Gy 4、 正常脑组织最大剂量< 12. 5RBE-Gy 5、 皮肤最大剂量< ILORBE-Gy 注：RBE (Relative Biological Effectiveness)为相对生物效应，由于光子、中子会 造成的生物效应不同，所以如上的剂量项均分别乘上不同组织的相对生物效应以求得等效 剂量。
[0039] 为了改善中子射源的通量与品质，本发明的实施例是针对用于中子捕获治疗的射 束整形体提出的改进，作为一种优选地，是针对用于加速器硼中子捕获治疗的射束整形体 的改进。如图3所示，本发明第一实施例中的用于中子捕获治疗的射束整形体10,其包括射 束入口 11、靶材12、邻接与靶材12的缓速体13、包围在缓速体13外的反射体14、与缓速体 13邻接的热中子吸收体15、设置在射束整形体10内的辐射屏蔽16和射束出口 17,靶材12 与自射束入口 11入射的质子束发生核反应以产生中子，中子形成中子射束，中子射束限定 一根主轴X，缓速体13将自靶材12产生的中子减速至超热中子能区，反射体14将偏离主轴 X的中子导回主轴X以提高超热中子射束强度，缓速体13和反射体14之间设置间隙通道 18以提高超热中子通量，热中子吸收体15用于吸收热中子以避免治疗时与浅层正常组织 造成过多剂量，辐射屏蔽16用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量。
[0040] 加速器硼中子捕获治疗通过加速器将质子束加速，作为一种优选实施例，靶材 12由锂金属制成，质子束加速至足以克服靶材原子核库伦斥力的能量，与靶材12发生 7Li (p，n) 7Be核反应以产生中子。射束整形体10能将中子缓速至超热中子能区，并降低热中 子及快中子含量，缓速体13由具有快中子作用截面大、超热中子作用截面小的材料制成， 作为一种优选实施例，缓速体 13 由 D20、A1F3、Fluental?、CaF2、Li2CO 3、MgFJP Al 203中的 至少一种制成。反射体14由具有中子反射能力强的材料制成，作为一种优选实施例，反射 体14由Pb或Ni中的至少一种制成。热中子吸收体15由与热中子作用截面大的材料制成， 作为一种优选实施例，热中子吸收体15由 6Li制成，热中子吸收体15和射束出口 17之间 设有空气通道19。辐射屏蔽16包括光子屏蔽161和中子屏蔽162,作为一种优选实施例， 辐射屏蔽16包括由铅（Pb)制成的光子屏蔽161和由聚乙烯（PE)制成的中子屏蔽162。
[0041] 其中，缓速体13设置成两个相反方向相互邻接的锥体状，如图3所示的方向，缓 速体13的左侧为向着左侧逐渐变小的锥体状，缓速体13的右侧为向着右侧逐渐变小的锥 体状，两者相互邻接。作为一种优选地，缓速体13的左侧设置为向着左侧逐渐变小的锥体 状，而右侧也可以设置成其他形体状与该锥体状相互邻接，如柱体状等。反射体14紧密的 包围在缓速体13周围，在缓速体13和反射体14之间设置有间隙通道18,所谓的间隙通道 18指的是未用实体材料覆盖的空的容易让中子束通过的区域，如该间隙通道18可以设置 为空气通道或者真空通道。紧邻缓速体13设置的热中子吸收体15由很薄的一层 6Li材 质制成，辐射屏蔽16中的由Pb制成的光子屏蔽161可以与反射体14设置为一体，也可以 设置成分体，而辐射屏蔽16中由PE制成的中子屏蔽162可以设置在邻近射束出口 17的位 置。在热中子吸收体15和射束出口 17之间设置有空气通道19,于此区域可持续将偏离主 轴X的中子导回主轴X以提高超热中子射束强度。假体B设置在距离射束出口 17约Icm 处。本领域技术人员熟知的，光子屏蔽161可以由其他材料制成，只要起到屏蔽光子的作用 就行，中子屏蔽162也可以由其他材料制成，也可以设置在其它地方，只要能够满足屏蔽渗 漏中子的条件就行。
[0042] 为了比较设置有间隙通道的射束整形体与未设置间隙通道的射束整形体的差异， 如图4和图5所示，其分别示出了将间隙通道采用缓速体填充的第二实施例和将间隙通道 采用反射体填充的第三实施例。首先参照图4,该射束整形体20包括射束入口 21、靶材22、 邻接与靶材22的缓速体23、包围在缓速体23外的反射体24、与缓速体23邻接的热中子吸 收体25、设置在射束整形体20内的辐射屏蔽26和射束出口 27,靶材22与自射束入口 21 入射的质子束发生核反应以产生中子，中子形成中子射束，中子射束限定一根主轴XI，缓速 体23将自靶材22产生的中子减速至超热中子能区，反射体24将偏离主轴Xl的中子导回 主轴Xl以提高超热中子射束强度，缓速体23设置成两个相反方向相互邻接的锥体状，缓速 体23的左侧为向着左侧逐渐变小的锥体状，缓速体23的右侧为向着右侧逐渐变小的锥体 状，两者相互邻接，热中子吸收体25用于吸收热中子以避免治疗时与浅层正常组织造成过 多剂量，辐射屏蔽26用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量。
[0043] 作为一种优选地，第二实施例中的靶材22、缓速体23、反射体24、热中子吸收体25 和辐射屏蔽26可以与第一实施例中的相同，而其中的辐射屏蔽26包括由铅（Pb)制成的光 子屏蔽261和由聚乙烯（PE)制成的中子屏蔽262,该中子屏蔽262可以设置在射束出口 27 处。在热中子吸收体25和射束出口 27之间设置有空气通道28。假体Bl设置在距离射束 出口 27约Icm处。
[0044] 请参照图5,该射束整形体30包括射束入口 31、靶材32、邻接与靶材32的缓速体 33、包围在缓速体33外的反射体34、与缓速体33邻接的热中子吸收体35、设置在射束整形 体30内的辐射屏蔽36和射束出口 37,靶材32与自射束入口 31入射的质子束发生核反应 以产生中子，中子形成中子射束，中子射束限定一根主轴X2,缓速体33将自靶材32产生的 中子减速至超热中子能区，反射体34将偏离主轴X2的中子导回主轴X2以提高超热中子射 束强度，缓速体33设置成两个相反方向相互邻接的锥体状，缓速体33的左侧为向着左侧逐 渐变小的锥体状，缓速体33的右侧为向着右侧逐渐变小的锥体状，两者相互邻接，热中子 吸收体35用于吸收热中子以避免治疗时与浅层正常组织造成过多剂量，辐射屏蔽36用于 屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组织剂量。
[0045] 作为一种优选地，第三实施例中的靶材32、缓速体33、反射体34、热中子吸收体35 和辐射屏蔽36可以与第一实施例中的相同，而其中的辐射屏蔽36包括由铅（Pb)制成的光 子屏蔽361和由聚乙烯（PE)制成的中子屏蔽362,该中子屏蔽362可以设置在射束出口 37 处。在热中子吸收体35和射束出口 37之间设置有空气通道38。假体B2设置在距离射束 出口 37约Icm处。
[0046] 下面采用MCNP软件(是由美国洛斯阿拉莫斯国家实验室（LosAlamos National Laboratory)开发的基于蒙特卡罗方法的用于计算三维复杂几何结构中的中子、光子、带电 粒子或者耦合中子/光子/带电粒子输运问题的通用软件包)对这三种实施例的模拟计算： 其中，如下表一示出了空气中射束品质因素在这三种实施例中的表现(表格中各名词 的单位同上所述，在此不再赘述，下同）： 表一：空气中射束品质因素
【权利要求】
1. 一种用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述射束整形体包括射束入 口、靶材、邻接与所述靶材的缓速体、包围在所述缓速体外的反射体、与所述缓速体邻接的 热中子吸收体、设置在所述射束整形体内的辐射屏蔽和射束出口，所述靶材与自所述射束 入口入射的质子束发生核反应以产生中子，所述中子形成中子射束，所述中子射束限定一 根主轴，所述缓速体将自所述靶材产生的中子减速至超热中子能区，所述反射体将偏离所 述主轴的中子导回所述主轴以提高超热中子射束强度，所述缓速体和所述反射体之间设置 间隙通道以提高超热中子通量，所述热中子吸收体用于吸收热中子以避免治疗时与浅层正 常组织造成过多剂量，所述辐射屏蔽用于屏蔽渗漏的中子和光子以减少非照射区的正常组 织剂量。
2. 根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述射束整 形体进一步用于加速器硼中子捕获治疗。
3. 根据权利要求2所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：加速器硼中 子捕获治疗通过加速器将质子束加速，所述靶材由金属制成，所述质子束加速至足以克服 靶材原子核库伦斥力的能量，与所述靶材发生核反应以产生中子。
4. 根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述射束 整形体能将中子缓速至超热中子能区，并降低热中子及快中子含量，所述超热中子能区在 0. 5eV到40keV之间，所述热中子能区小于0. 5eV，所述快中子能区大于40keV，所述缓速体 由具有快中子作用截面大、超热中子作用截面小的材料制成，所述反射体由具有中子反射 能力强的材料制成，所述热中子吸收体由与热中子作用截面大的材料制成。
5. 根据权利要求4所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述缓速体 由D20、A1F3、Fluental?、CaF2、Li2C03、MgFjPA1 203 中的至少一种制成。
6. 根据权利要求4所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述反射体 由Pb或Ni中的至少一种制成，所述热中子吸收体由6Li制成，所述热中子吸收体和所述射 束出口之间设有空气通道。
7. 根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述辐射屏 蔽包括光子屏蔽和中子屏蔽。
8. 根据权利要求4所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述缓速体 设置成包含至少一个锥体状的形状。
9. 根据权利要求8所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述缓速体 设置成包含一个柱体状和与所述柱体状邻接的一个锥体状的形状。
10. 根据权利要求8所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述缓速体 设置成两个相反方向相互邻接的锥体状。
【文档编号】A61N5/10GK104511096SQ201410743692
【公开日】2015年4月15日 申请日期:2014年12月8日 优先权日:2014年12月8日
【发明者】刘渊豪, 李珮仪 申请人:南京中硼联康医疗科技有限公司