本发明涉及近视抑制物品用光源及近视抑制物品用光源的使用方法。
背景技术：
近年来，伴随着智能手机和平板终端等电子设备的普及，近视等眼疾病的发病人数在世界中有所增加。
作为近视，例如可列举出屈光性近视或轴性近视，大多的近视为轴性近视。就轴性近视而言，近视伴随着眼轴长的伸长而发展，伸长是不可逆的。如果近视发展而变成强度近视，则也可能成为失明的原因。因此，要求预防近视的方法、延迟近视的发展的方法等近视抑制方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-181739号公报
专利文献2：国际公开第2015/186723号
技术实现要素：
本发明的一个方案所要解决的课题之一是抑制近视。
实施方式的近视抑制物品用光源具备发光部。由发光部放射的光的发光光谱从360nm～400nm的第1波长连续至超过400nm的第2波长。
附图说明
图1是表示发光光谱的例子的图。
图2是表示发光光谱的例子的图。
图3是用于说明近视抑制物品用光源的使用方法例的图。
图4是表示发光部的构成例的平面示意图。
图5是表示发光部的构成例的断面示意图。
图6是表示发光部的其它构成例的断面示意图。
图7是表示发光部的其它构成例的断面示意图。
图8是表示发光光谱的图。
图9是表示发光光谱的图。
图10是表示发光光谱的图。
图11是表示发光光谱的图。
图12是表示发光光谱的图。
图13是表示发光光谱的图。
具体实施方式
以下，参照附图对实施方式进行说明。需要说明的是，附图是示意性的图，例如厚度与平面尺寸的关系、各层的厚度的比率等有可能会与现实的情况不同。另外，在实施方式中，会对实质上相同的构成要素标注相同的符号，并省略说明。
实施方式的近视抑制物品用光源具备能够放射光的发光部。所谓近视抑制物品用光源是近视抑制光源之一，是能够放射具有抑制近视的特性的光的光源。作为近视的抑制，例如可列举出预防近视或延迟近视的发展等。作为近视抑制物品用光源，例如可列举出在用于抑制近视的医疗行为中所使用的医疗用光照射装置等。近视抑制物品用光源并不限于此，也可以用于显示装置、照明设备等发光装置。对于显示装置、照明设备的具体例子会在后面叙述。
发光部根据所供给的电源电压来放射光。由发光部放射的光例如为白色光。由发光部放射的光的色温优选为例如2600K～7000K、进而为4000K～6700K。发光部例如具备使用了LED(Light Emitting Diode：发光二极管)的发光二极管元件。发光部并不限于发光二极管元件，也可以具备白炽灯泡或荧光灯。
图1是表示由发光部放射的光的发光光谱的例子的图。横轴为光的波长，纵轴为光的相对发光强度(任意值)。发光光谱例如通过基于JIS-C-8152的标准的全光束测定来进行测定。
图1中所示的发光光谱为从360nm～400nm的波长连续至超过400nm的波长的曲线状。换言之，从360nm～400nm的波长至超过400nm的波长为止的各波长的发光强度超过0。即，实施方式的近视抑制物品用光源能够放射在从360nm～400nm的波长到超过400nm的波长具有发光强度的光。
发光光谱也可以从380nm～400nm的波长连续至超过400nm的波长。另外，发光光谱也可以从380nm～400nm的波长连续至超过400nm且为700nm以下、甚至连续至超过400nm且为750nm以下的波长。进而，发光光谱也可以从380nm～400nm的波长连续至750nm以上的波长。例如，在发光部中使用白炽灯泡的情况下，有时发光光谱会延伸至红外区域的波长。
图1中所示的发光光谱在400nm以下的波长区域具有发光强度峰，在超过400nm的波长区域具有多个发光强度峰。在400nm以下的波长区域的发光强度峰中，光的发光强度最大的波长优选为360nm～400nm。此外，发光光谱也可以在400nm以下的波长区域具有多个发光强度峰。另外，360nm～400nm的波长区域也可以具有发光强度比超过400nm的波长区域高的发光强度峰。进而，发光光谱也可以在超过400nm的波长区域具有宽幅区域。
发光光谱并不限于此，也可以在400nm以下的波长区域不具有发光强度峰。所谓不具有发光强度峰的情况例如为具有下述光谱形状的情况等：在400nm以下的波长区域没有极大值，发光强度从360nm到400nm变高。这种情况下，在400nm以下的波长区域中光的发光强度最大的波长优选为360nm～400nm。
就发光光谱而言，优选如图1中所示的那样、低于360nm的波长区域的发光强度为0。换言之，发光光谱优选在低于360nm的波长区域不具有发光强度。
图2是表示由发光部放射的光的发光光谱和显示出与上述光相同的色温的黑体辐射光谱的例子的图。横轴为光的波长，纵轴为光及黑体辐射的相对发光强度(任意值)。发光光谱例如通过基于JIS-C-8152的标准的全光束测定来进行测定。黑体辐射也被称为黑体放射，相当于自然光(太阳光)。自然光的色温因时间而不同。例如，晌午的自然光的色温约为5100K，早晨的自然光的色温约为2700K至4200K，傍晚的自然光的色温约为2700K。
图2中所示的发光光谱P(λ)为从360nm～400nm的波长区域的波长连续至超过400nm的可见区域的波长的曲线状。换言之，从360nm～400nm的波长区域的波长至超过400nm的可见区域的波长为止的各波长的发光强度超过0。即，实施方式的近视抑制物品用光源能够放射在从360nm～400nm的波长区域的波长到超过400nm的可见区域的波长具有发光强度的光。
发光光谱P(λ)也可以从380nm～400nm的波长区域的波长连续至超过400nm的可见区域的波长。另外，发光光谱P(λ)也可以从380nm～400nm的波长区域的波长连续至超过400nm且为700nm以下、甚至连续至超过400nm且为750nm以下的波长。进而，发光光谱P(λ)也可以从380nm～400nm的波长区域的波长连续至750nm以上的红外区域的波长。例如，在发光部中使用白炽灯泡的情况下，发光光谱P(λ)有时会延伸至红外区域的波长。
图2中所示的发光光谱P(λ)在400nm以下的波长区域具有发光强度峰，在超过400nm的可见区域具有多个发光强度峰。在波长区域的发光强度峰中上述光的发光强度最大的波长优选为360nm～400nm。此外，发光光谱P(λ)也可以在400nm以下的波长区域具有多个发光强度峰。另外，360nm～400nm的波长区域也可以具有发光强度比超过400nm的可见区域高的发光强度峰。进而，发光光谱P(λ)也可以在超过400nm的可见区域具有宽幅区域。
发光光谱P(λ)并不限于此，也可以在400nm以下的波长区域不具有发光强度峰。所谓不具有发光强度峰的情况例如为具有下述光谱形状的情况等：在400nm以下的波长区域没有极大值，发光强度从360nm到400nm变高。这种情况下，在400nm以下的波长区域中上述光的发光强度最大的波长优选为360nm～400nm。
就发光光谱而言，优选如图2中所示的那样、低于360nm的波长区域的发光强度为0。换言之，发光光谱优选在低于360nm的波长区域不具有发光强度。
如图1及图2中所示的那样，在实施方式的近视抑制物品用光源中，由发光部放射的光的光谱(P(λ))延伸至360nm～400nm的波长区域。以往，已知：眼睛由于接受包含紫外光等紫外区域的光而导致容易发生损伤。如果眼睛发生损伤，则有可能引起近视等视力的降低。紫外光可以根据波长而分类成UVA、UVB、UVC。UVA的波长范围为315nm～400nm。UVB的波长范围为280nm～315nm。UVC为100nm～280nm。
但是，如由实施方式的近视抑制物品用光源所放射的光那样，按照低于360nm的波长区域的光成分得到降低、发光光谱(P(λ))延伸至400nm以下的波长区域中的360nm～400nm的波长区域、并且具有特定的形状的方式进行了调整的光具有例如与紫外光或可见光等相比减小受光者的眼轴长的伸长程度的特性。因而，通过照射该光，从而能够抑制受光者的近视。
就实施方式的近视抑制光源而言，即使受验者不佩戴具有特殊的透射光谱的眼镜也具有与透过该眼镜的光的发光光谱同等的光特性。因此，即使不佩戴眼镜也能够抑制近视，所以能够提高便利性。
为了提高近视的抑制效果，优选如图1中所示的那样，按照在发光光谱中从300nm到400nm的波长区域A的发光强度的积分值a相对于从400nm到800nm的波长区域B的光的发光强度的积分值b之比a/b为超过0.1且低于0.5的方式来调整发光光谱的形状。按照使a/b达到超过0.1且低于0.5的方式进行了调整的光由于不仅能够减小上述眼轴长的伸长程度，而且与自然光的发光光谱的差异小，因此对人体的不良影响得以降低，能够提高近视抑制效果。
另外，为了提高近视的抑制效果，优选由发光部放射的光满足：
式1：∫B(λ)V(λ)dλ＝∫P(λ)V(λ)dλ
(P(λ)表示由发光部放射的光的发光光谱，B(λ)表示显示出与上述光相同色温的黑体辐射光谱，V(λ)表示分光视感效率光谱(光谱光视效率光谱))
并且，满足：
式2：B(λ’)≤P(λ’)
(P(λ’)表示从300nm到400nm的波长区域中的上述光的发光强度的最大值，B(λ’)表示在上述光的发光强度为上述最大值的波长处的黑体辐射强度)。
黑体辐射光谱B(λ)通过普朗克分布而求出。普朗克分布由下述的数学式求出。
[数学式1]
在上述数学式中，h表示普朗克常数，c表示光速度，λ表示波长，e表示自然对数的底，k表示玻耳兹曼常数，T表示色温。在黑体辐射光谱中，h、c、e、k为常数。因而，如果色温确定，则可以求出与波长相应的发光光谱。
所谓分光视感效率是由CIE(Commission International de l’Eclairage：CIE)规定的标准分光比视感度。由CIE规定的分光视感效率光谱V(λ)是在555nm具有最大峰值波长的向上凸的曲线状。由此可知：人类能够以最高的感度识别波长为约555nm的光。
P(λ)×V(λ)表示分光视感效率光谱V(λ)的区域中的近视抑制物品用光源的发光强度，B(λ)×V(λ)表示分光视感效率光谱V(λ)的区域中的黑体辐射强度。因而，式1表示在分光视感效率光谱V(λ)的区域中由发光部放射的光的发光光谱的积分值与黑体辐射光谱的积分值相同。另外，式2表示360nm～400nm的波长区域的发光强度峰的最大值P(λ’)与和最大值P(λ’)相同的波长时的黑体辐射强度B(λ’)的比较。
按照满足式1及式2的方式进行了调整的光由于不仅能够减小上述眼轴长的伸长程度，而且与自然光的发光光谱的差异小，因此对人体的不良影响得到降低，能够提高近视抑制效果。为了提高近视的抑制效果，由发光部放射的光更优选进一步满足：
式3：B(λ’)≤P(λ’)≤B(λ’)×15
接下来，对近视抑制物品用光源的使用方法例进行说明。图3是用于说明近视抑制物品用光源的使用方法例的图。近视抑制物品用光源的使用方法例如图3中所示的那样具备由发光部1对被照射部10照射光1a的工序。被照射部10例如为受光者(人或人以外的脊椎动物等)的眼睛。
在对被照射部10照射光1a的工序中，按照被照射部10处的光的从300nm到400nm的除400nm以外的波长区域的辐射照度达到10μW/cm2～400μW/cm2的方式来调整发光部1与被照射部10的间隔L以及对发光部1进行供给的电源电压的值。通过对受光者的眼睛照射被调整为上述辐射照度的光，从而能够提高近视的抑制效果。
实施方式的近视抑制物品用光源不仅能够实现近视的高抑制效果，而且能够放射与自然光的发光光谱相近的光。因而，实施方式的近视抑制物品用光源并不限于医疗用光照射装置，例如也可以作为照明器具(例如室内灯、车内灯、机舱内灯、路灯、台灯、聚光灯等)、显示装置(例如电视、个人电脑用显示器、游戏机、便携式媒体播放器、手机、平板终端、可穿戴设备、3D眼镜、虚拟眼镜、便携型图书阅读器、车载导航仪、数码相机、车内显示器、飞机内显示器等)中所具备的背光源等发光装置来进行使用。即使在接受到发光装置的光的情况下，也能够抑制近视。
接下来，对发光部1的构成例进行说明。图4是表示发光部的一部分的构成例的平面示意图。图5是表示发光部的一部分的构成例的断面示意图。图4及图5中所示的发光部的一部分具备发光二极管元件21和发光二极管元件22。此外，也可以使用白炽灯泡或荧光灯等来代替发光二极管元件22。
在图4及图5中，发光二极管元件21被设置于基板11上，发光二极管元件22被设置于基板12上。作为基板11及基板12，例如可列举出铝基板等。铝基板由于能够放出发光二极管元件21及发光二极管元件22的热，因此优选。并不限于此，也可以使用其他的金属基板或树脂基板等。在基板11及基板12的表面具有导电性的情况下，发光二极管元件21及发光二极管元件22优选例如隔着设置于基板11或基板12上的绝缘膜来进行搭载。发光二极管元件21及发光二极管元件22也可以与基板11或基板12电连接或者与设置于基板11或基板12上的布线电连接。
发光二极管元件21及发光二极管元件22根据由电源电路30供给的电源电压而进行发光。发光二极管元件21及发光二极管元件22的发挥效力所需的电源电压的值也可以互不相同。此时，通过将发光二极管元件21的搭载基板与发光二极管元件22的搭载基板分开设置，使得由电源电路30供给不同值的电源电压变得容易。并不限于此，发光二极管元件21及发光二极管元件22也可以设置于一个基板上。
在图4中，发光二极管元件21及发光二极管元件22分别配置有多个。此时，多个发光二极管元件21彼此串联或并联地连接，多个发光二极管元件22彼此串联或并联地连接。发光二极管元件21的数目及发光二极管元件22的数目并没有特别限定，例如可以根据近视抑制物品用光源的用途来进行适当设定。
由发光二极管元件21放射的光的发光光谱优选例如在360nm～400nm的波长区域具有发光强度峰。图5中所示的发光二极管元件21具备发光二极管芯片211和覆盖发光二极管芯片211的层212。
由发光二极管元件22放射的光的发光光谱优选例如在超过400nm的波长区域具有发光强度峰。图5中所示的发光二极管元件22具备发光二极管芯片221和覆盖发光二极管芯片221的层222。
由发光二极管芯片211、221放射的光的发光光谱优选例如在360nm～400nm具有发光强度峰。作为发光二极管芯片211、221，例如可以使用具有InGaN系、GaN系、AlGaN系等发光二极管的芯片。发光二极管可以通过改变例如各材料的含量或各层的厚度等来调整发光光谱。
层212及层222例如包含有机硅树脂或环氧树脂等。另外，层222包含荧光体。将包含荧光体的层也称为荧光体层。荧光体层也可以不包含树脂。
荧光体层优选包含下述荧光体，该荧光体包含例如红色荧光体、绿色至黄色荧光体以及蓝色荧光体的3种以上。荧光体例如为粒子状。各荧光体的种类和配合比可以根据对发光二极管元件所要求的包含色温、发光光谱等在内的发光特性来进行适当设定。3种以上的荧光体被由发光二极管芯片放射的光的至少一部分激发从而放射出包含超过400nm的波长区域的光。
各荧光体的最大峰值波长优选为不同。通过使各荧光体的最大峰值波长不同，从而能够在可见区域或超过400nm的波长区域中使发光光谱的形状成为宽幅状。另外，在由各荧光体放射的光的发光光谱中，辐射强度峰的半值宽度优选为40nm以上、进而为50nm～100nm。
荧光体层优选按照使合计成为100重量份的方式含有例如58重量份～75重量份的蓝色荧光体、3重量份～30重量份的绿色至黄色荧光体和2重量份～18重量份的红色荧光体。通过设定为上述混合比，从而能够实现例如图1或图2中所示的发光光谱。
由蓝色荧光体放射的光的发光光谱优选例如在430nm～460nm的波长区域具有发光强度峰。作为蓝色荧光体，例如也可以使用具有式(1)所表示的组成的铕(Eu)活化碱土类氯磷酸盐荧光体。
通式：(Sr1-x-y-zBaxCayEuz)5(PO4)3·Cl (1)
(式中，x、y及z为满足0≤x<0.5、0≤y<0.1、0.005≤z<0.1的数)
由绿色至黄色荧光体放射的光的发光光谱优选例如在490nm～580nm的波长区域具有发光强度峰。作为绿色至黄色荧光体，例如也可以使用选自下述荧光体中的至少1种：具有式(2)所表示的组成的铕(Eu)及锰(Mn)活化碱土类铝酸盐荧光体、具有式(3)所表示的组成的铕(Eu)及锰(Mn)活化碱土类硅酸盐荧光体、具有式(4)所表示的组成的铈(Ce)活化稀土类铝酸盐荧光体、具有式(5)所表示的组成的铕(Eu)活化赛隆荧光体及具有式(6)所表示的组成的铕(Eu)活化赛隆荧光体。
通式：(Ba1-x-y-zSrxCayEuz)(Mg1-uMnu)Al10O17 (2)
(式中，x、y、z及u为满足0≤x<0.2、0≤y<0.1、0.005<z<0.5、0.1<u<0.5的数)
通式：(Sr1-x-y-z-uBaxMgyEuzMnu)2SiO4 (3)
(式中，x、y、z及u为满足0.1≤x≤0.35、0.025≤y≤0.105、0.025≤z≤0.25、0.0005≤u≤0.02的数)
通式：RE3AxAl5-x-yByO12：Cez (4)
(式中，RE表示选自Y、Lu及Gd中的至少1种元素，A及B为成对的元素，(A、B)为(Mg、Si)、(B、Sc)、(B.In)中的任一者，x、y及z为满足x<2、y<2、0.9≤x/y≤1.1、0.05≤z≤0.5的数)
通式：(Si、Al)6(O、N)8：Eux (5)
(式中，x为满足0<x<0.3的数)
通式：(Sr1-xEux)αSiβAlγOδNω (6)
(式中，x、α、β、γ、δ及ω为满足0<x<1、0<α≤3、12≤β≤14、2≤γ≤3.5、1≤δ≤3、20≤ω≤22的数)
由红色荧光体放射的光的发光光谱优选例如在580nm～630nm的波长区域具有发光强度峰。作为红色荧光体，例如也可以使用选自下述荧光体中的至少1种：具有式(7)所表示的组成的铕(Eu)及铋(Bi)活化氧化钇荧光体、具有式(8)所表示的组成的铕活化碱土类氮铝硅化物(nitridoaluminosilicates)荧光体及具有式(9)所表示的组成的铕(Eu)活化赛隆荧光体。
通式：(Y1-x-yEuxBiy)2O3 (7)
(式中，x及y为满足0.01≤x<0.15、0.001≤y<0.05的数)
通式：(Ca1-x-ySrxEuy)SiAlN3 (8)
(式中，x及y为满足0≤x<0.4、0<y<0.5的数)
通式：(Sr1-xEuz)αSiβAlγOδNω (9)
(式中，x、α、β、γ、δ及ω为满足0<x<1、0<α≤3、5≤β≤9、1≤γ≤5、0.5≤δ≤2、5≤ω≤15的数)
发光部的构成并不限于图4及图5中所示的构成。图6及图7是表示发光部的一部分的其它构成例的断面示意图。
图6中所示的发光部的一部分与图4及图5中所示的发光部相比，作为发光二极管元件22，其构成差异在于，在基板12的绝缘表面上包含发光二极管元件22R、发光二极管元件22G、发光二极管元件22B和发光二极管元件22Y。由发光二极管元件22R放射的光、由发光二极管元件22G放射的光、由发光二极管元件22Y放射的光或者由发光二极管元件22B放射的光在超过400nm的波长区域具有发光强度峰。需要说明的是，发光二极管元件22只要包含发光二极管元件22R、发光二极管元件22G、发光二极管元件22B及发光二极管元件22Y中的至少一个即可。另外，也可以使用将发光二极管元件22B与黄色荧光体组合而成的白色发光二极管元件。
发光二极管元件22R具有发光二极管芯片221R和覆盖发光二极管芯片221R的层222R。作为发光二极管芯片221R，可列举出具备能够发出红色光的发光二极管的芯片。由发光二极管芯片221R放射的光(由发光二极管元件22R放射的光)的发光光谱优选例如在580nm～630nm的波长区域具有发光强度峰。
发光二极管元件22G具有发光二极管芯片221G和覆盖发光二极管芯片221G的层222G。作为发光二极管芯片221G，可列举出具备能够发出绿色光的发光二极管的芯片。由发光二极管芯片221G放射的光(由发光二极管元件22G放射的光)的发光光谱优选例如在490nm～580nm的波长区域具有发光强度峰。
发光二极管元件22Y具有发光二极管芯片221Y和覆盖发光二极管芯片221Y的层222Y。作为发光二极管芯片221Y，可列举出具备能够发出黄色光的发光二极管的芯片。由发光二极管芯片221Y放射的光(由发光二极管元件22Y放射的光)的发光光谱优选例如在550nm～580nm的波长区域具有发光强度峰。
发光二极管元件22B具有发光二极管芯片221B和覆盖发光二极管芯片221B的层222B。作为发光二极管芯片221B，可列举出具备能够发出蓝色光的发光二极管的芯片。由发光二极管芯片221B放射的光(由发光二极管元件22B放射的光)的发光光谱优选例如在430nm～460nm的波长区域具有发光强度峰。
层222R、层222G、层222Y及层222B各自包含有机硅树脂或环氧树脂等。层222R、层222G、层222Y及层222B各自也可以不包含荧光体。其他的说明可以适当援引层222的说明。
图7中所示的发光部与图5中所示的发光部相比，其构成差异在于，具备设置于基板13上的发光二极管元件23来代替发光二极管元件21及发光二极管元件22。关于基板13的说明，可以适当援引基板11或基板12的说明。
发光二极管元件23具有：发光二极管芯片231；和覆盖发光二极管芯片231且包含上述蓝色荧光体、上述绿色至黄色荧光体、上述红色荧光体和上述树脂的层232。3种以上的荧光体被由发光二极管芯片231放射的光的一部分激发从而放射包含超过400nm的波长区域的光。对于其他荧光体及树脂，可以适当援引上述的说明。
由发光二极管芯片231放射的光的发光光谱优选例如在360nm～400nm的波长区域具有发光强度峰。由3种以上的荧光体放射的光的发光光谱优选例如在超过400nm的波长区域具有发光强度峰。
层232可以透射发光二极管芯片231的光的另一部分。因而，由发光二极管元件23放射的光的发光光谱在360nm～400nm的波长区域具有第1发光强度峰，在超过400nm的波长区域具有第2发光强度峰。
为了透射发光二极管芯片231的光的另一部分，优选例如将层232减薄。层232的厚度优选为例如300μm～1000μm。另外，为了透射发光二极管芯片231的光的另一部分，优选调整层232中所含的荧光体粒子的平均粒径(粒度分布的中等值(D50))。荧光体粒子的平均粒径优选例如为10μm～50μm。
由具备图4至图7中所示的构成的发光部放射的光的光谱按照下述方式进行调整：如图1中所示的那样，从360nm～400nm的波长区域的波长连续至超过400nm的波长区域的波长，并且延伸至360nm～400nm的波长区域的发光光谱具有特定的形状；或者如图2中所示的那样，从上述360nm～400nm的波长区域的波长连续至超过400nm的可见区域的波长，并且延伸至360nm～400nm的波长区域的发光光谱具有特定的形状，并且上述光满足式1及上述式2。因而，通过由发光部照射光，从而能够抑制受光者的近视。另外，如图1中所示的那样，在发光光谱中，通过调整从300nm到400nm的波长区域A的发光强度的积分值a相对于从400nm到800nm的波长区域B的光的发光强度的积分值b之比a/b，从而能够提高近视抑制效果。需要说明的是，发光部的构成并不限于图4至图7中所示的构成。
实施例
(实施例1)
制作了具备紫外线灯、白色荧光灯、电源、调整各个灯的输出功率的控制电路和外壳的近视抑制物品用光源。
紫外线灯具有与市售的紫外线灯(例如Toshiba Lighting&Technology公司制的型号FL10BLB)相同的结构。紫外线灯具有在内表面具有荧光体膜的玻璃管。荧光体膜包含硅酸钡荧光体作为近紫外光的发光材料。通过对由上述紫外线灯放射的光进行测定而得到的发光光谱在365nm的波长处具有峰值波长，且从340nm的第1波长连续至410nm的第2波长。
荧光灯具有与市售的荧光灯(例如Toshiba Lighting&Technology公司制的型号FL20SS)相同的结构。荧光灯具有包含下述荧光体的白色发光材：作为蓝色荧光体的1重量份的铕活化碱土类磷酸盐荧光体、作为绿色至黄色荧光体的35重量份的铈、铽共活化磷酸镧荧光体(通称LAP)、和作为红色荧光体的64重量份的铕活化氧化钇荧光体料。由上述荧光灯放射的白色光的色温为5000K。
在由实施例1的近视抑制物品用光源放射的光的发光光谱中，按照从300nm到400nm的波长区域A的发光强度的积分值a相对于从400nm到800nm的波长区域B的光的发光强度的积分值b之比a/b达到0.45的方式调整了紫外线灯与荧光灯的输出功率比。将由此时的近视抑制物品用光源放射的光的发光光谱示于图8中。
按照由实施例1的近视抑制物品用光源放射的光满足式：∫B(λ)V(λ)dλ＝∫P(λ)V(λ)dλ、并且满足式2：B(λ’)×13.6＝P(λ’)的方式，调整了紫外线灯与荧光灯的输出功率比。将由此时的近视抑制物品用光源放射的光的发光光谱和显示出与上述光相同的色温的黑体辐射光谱示于图9中。
就上述近视抑制物品用光源而言，由荧光灯放射的光与由紫外线灯放射的光这2种光被混合。但是，由紫外线灯放射的光对于由近视抑制物品用光源放射的光的色温的影响可忽视。因而，由上述近视抑制物品用光源放射的光的色温与荧光灯相同为5000K。
将实施例1的近视抑制光源配置在距离被检眼为30cm的位置，按照在被检眼的照射部处从300nm到400nm的除400nm以外的波长区域的辐射照度达到100μW/cm2的方式调整了由近视抑制光源放射的光。通过对被检眼照射上述调整后的光，确认了实施方式中所示的近视的抑制效果。
(实施例2)
制作了具备发光二极管元件、电源、调整发光二极管元件的输出功率的控制电路和外壳的近视抑制物品用光源。
发光二极管元件具有：GaN系发光二极管芯片；和覆盖GaN系发光二极管芯片且包含发光材料的层。由发光二极管元件放射的光的发光光谱在380nm处具有峰值波长，且从365nm连续至410nm。
包含发光材料的层包含：作为蓝色荧光体的72重量份的铕活化碱土类磷酸盐荧光体、作为绿色至黄色荧光体的21重量份的铕、锰共活化碱土类镁硅酸盐荧光体和作为红色荧光体的7重量份的铕活化钙铝硅氮化物(calciumnitridoaluminosilicates)荧光体。
包含发光材料的层透射由GaN系发光二极管芯片放射的光的一部分。因而，由实施例2的近视抑制物品用光源放射的光包含：由GaN系发光二极管芯片放射的第1光成分；和被包含发光材料的层激发的第2光成分。此时，第1光成分与第2光成分的强度比根据包含发光材料的层的厚度而发生变化。另外，由实施例2的近视抑制物品用光源放射的光的色温即使第1光成分与第2光成分的强度比发生变化也不易发生变化，约为5000K。
在由实施例2的近视抑制物品用光源放射的光的发光光谱中，按照从300nm到400nm的波长区域A的发光强度的积分值a相对于从400nm到800nm的波长区域B的光的发光强度的积分值b之比a/b成为0.10的方式调整了包含发光材料的层的厚度。将由此时的近视抑制物品用光源放射的光的发光光谱示于图10中。
由实施例2的近视抑制物品用光源放射的光按照满足式：∫B(λ)V(λ)dλ＝∫P(λ)V(λ)dλ、并且满足式2：B(λ’)×3.2＝P(λ’)的方式调整了包含发光材料的层的厚度。将由此时的近视抑制物品用光源放射的光的发光光谱和显示出与上述光相同的色温的黑体辐射光谱示于图11中。
将实施例2的近视抑制光源配置在距离被检眼为30cm的位置，按照在被检眼的照射部处从300nm到400nm的除400nm以外的波长区域的辐射照度达到46μW/cm2的方式调整了由近视抑制光源放射的光。通过对被检眼照射上述调整后的光，确认了实施方式中所示的近视的抑制效果。
(实施例3)
制作了具备第1发光二极管元件、第2发光二极管元件、电源、调整第1及第2发光二极管元件各自的输出功率的控制电路和外壳的近视抑制物品用光源。
第1发光二极管元件具有第1GaN系发光二极管芯片。由第1发光二极管元件放射的光在380nm处具有峰值波长，且从365nm连续至410nm。
第2发光二极管元件具有：第2GaN系发光二极管芯片；和覆盖GaN系发光二极管芯片且包含发光材料的层。由第2发光二极管元件放射的光在400nm处具有峰值波长。
包含发光材料的层包含：作为蓝色荧光体的72重量份的铕活化碱土类磷酸盐荧光体；作为绿色至黄色荧光体的21重量份的铕；锰共活化碱土类镁硅酸盐荧光体；和作为红色荧光体的7重量份的铕活化钙铝硅氮化物荧光体。
由实施例3的近视抑制物品用光源放射的光包含被包含发光材料的层激发的光成分作为主要成分。另外，由实施例3的近视抑制物品用光源放射的光的色温为约5000K。
在由实施例3的近视抑制物品用光源放射的光的发光光谱中，按照从300nm到400nm的波长区域A的发光强度的积分值a相对于从400nm到800nm的波长区域B的光的发光强度的积分值b之比a/b成为0.45的方式调整了第1发光二极管元件与第2发光二极管元件的输出功率比。将由此时的近视抑制物品用光源放射的光的发光光谱示于图12中。此外，a/b的值通过调整例如包含发光材料的层的厚度来进行控制。
按照由实施例3的近视抑制物品用光源放射的光满足∫B(λ)V(λ)dλ＝∫P(λ)V(λ)dλ、并且满足式2：B(λ’)×7.1＝P(λ’)的方式调整了第1发光二极管元件与第2发光二极管元件的输出功率比。将由此时的近视抑制物品用光源放射的光的发光光谱和显示出与上述光相同的色温的黑体辐射光谱示于图13中。
将实施例3的近视抑制光源配置在距离被检眼为30cm的位置，按照在被检眼的照射部处从300nm到400nm的除400nm以外的波长区域的辐射照度达到100μW/cm2的方式调整了由近视抑制光源放射的光。通过对被检眼照射上述调整后的光，确认了实施方式中所示的近视的抑制效果。
需要说明的是，对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提出的，并不意图限定发明的范围。这些新颖的实施方式可以其它各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围内，可以进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围和主旨中，同时包含于权利要求书中所记载的发明和其等同的范围内。