一种新型超薄吸收芯体的制作方法

文档序号:18916187发布日期:2019-10-19 03:11阅读:233来源:国知局
一种新型超薄吸收芯体的制作方法

本实用新型涉及一次性卫生用品领域,尤其涉及一种新型超薄吸收芯体。



背景技术:

本申请人于中国专利号:CN201610065234.3公开一种吸收芯,包括棉芯层、高分子层,所述棉芯层的上下两侧分别设有上层材料层与下层材料层,所述高分子层包括立体上层材料层、立体下层材料层、高分子,所述立体上层材料层与立体下层材料层经过辊压形成复数个热压点,所述立体上层材料层上相邻的复数个热压点包围形成一凸部,所述高分子填充于凸部的内部空间内,所述上层材料层、下层材料层、立体上层材料层为高透液性能材料层,所述棉芯层与上层材料层、下层材料层之间采用热熔胶粘合,所述下层材料层与立体上层材料层之间采用热熔胶粘合。这种方式制作而成的超薄芯体虽然成本较低,但是吸收率并不高。



技术实现要素:

本实用新型要解决的技术问题是提供一种结构简单、成本较低的新型超薄吸收芯体。其解决了现有超薄芯体存在的吸收率不高的技术问题。

为达到上述目的,本实用新型的技术方案是:一种新型超薄吸收芯体,包括亲水表层、亲水底层、设于亲水表层与亲水底层之间的木浆层,所述木浆层的上表面设有复数个沿长度方向的上凹槽,所述木浆层的下表面通设有复数个下凹槽,各上凹槽与各下凹槽错位设置,各下凹槽的宽度均等于相邻两上凹槽之间的间距,各下凹槽设于相邻两上凹槽之间,各上凹槽内铺设有第一SAP高分子层,各下凹槽内铺设有第二SAP高分子层。

优选的,各上凹槽通过热压合的方式形成。

优选的,各下凹槽的深度大于上凹槽的深度。

优选的,各下凹槽底部的水平高度高于各上凹槽底部的水平高度。

优选的,所述第一SAP高分子层与第二SAP高分子层的重量大于总重量的50%。

上述技术方案具有如下有益效果:本新型超薄吸收芯体通过上凹槽、下凹槽的设置,并且分别在其上设置第一SAP高分子、第二SAP高分子这样可以减少SAP高分子的铺设,而且通过各上凹槽与各下凹槽错位设置,各下凹槽的宽度均等于相邻两上凹槽之间的间距,各下凹槽设于相邻两上凹槽之间,这样可以实现全面的液体吸收,吸收率也较大,而且这样也可以保持一种干爽的状态;进一步的,各上凹槽通过热压合的方式形成,这样可以有效保持上凹槽的形态,从而在吸水后不会造成穿戴不适的问题;进一步的,通过各下凹槽的深度大于上凹槽的深度这样可以提高吸收效果;进一步的,各下凹槽底部的水平高度高于各上凹槽底部的水平高度,这样可以进一步提高吸收效果;进一步的,通过重量的限制,可以减少SAP高分子的浪费,降低成本。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体的实施方式对本实用新型作进一步详细说明。

参考图1所示,本实施例提供一种新型超薄吸收芯体,包括亲水表层1、亲水底层2、设于亲水表层1与亲水底层2之间的木浆层3,所述木浆层3的上表面设有复数个沿长度方向的上凹槽31,所述木浆层3的下表面通设有复数个沿长度方向的下凹槽32,各上凹槽31与各下凹槽32错位设置,各下凹槽32的宽度均等于相邻两上凹槽31之间的间距,各下凹槽32设于相邻两上凹槽31之间,各上凹槽31内铺设有第一SAP高分子层4,各下凹槽32内铺设有第二SAP高分子层5。各上凹槽31通过热压合的方式形成。各下凹槽32的深度大于上凹槽31的深度。各下凹槽32底部的水平高度高于各上凹槽31底部的水平高度。所述第一SAP高分子层4与第二SAP高分子层5的重量大于总重量的50%,优选的重量为总重量的60%。

本新型超薄吸收芯体通过上凹槽、下凹槽的设置,并且分别在其上设置第一SAP高分子、第二SAP高分子这样可以减少SAP高分子的铺设,而且通过各上凹槽与各下凹槽错位设置,各下凹槽的宽度均等于相邻两上凹槽之间的间距,各下凹槽设于相邻两上凹槽之间,这样可以实现全面的液体吸收,吸收率也较大,而且这样也可以保持一种干爽的状态;进一步的,各上凹槽通过热压合的方式形成,这样可以有效保持上凹槽的形态,从而在吸水后不会造成穿戴不适的问题;进一步的,通过各下凹槽的深度大于上凹槽的深度这样可以提高吸收效果;进一步的,各下凹槽底部的水平高度高于各上凹槽底部的水平高度,这样可以进一步提高吸收效果;进一步的,通过重量的限制,可以减少SAP高分子的浪费,降低成本。

以上仅是本实用新型一个较佳的实施例,本领域的技术人员按权利要求作等同的改变都落入本案的保护范围。

当前第1页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1