磁共振成像的系统和方法与流程

本申请涉及一种放射治疗系统，更具体地，涉及一种结合放射治疗和磁共振成像技术的图像引导放射治疗系统。

背景技术：

1、目前，对象(如肿瘤)的放射治疗因难以追踪对象在不同治疗阶段的变化(如运动)而受到影响。如今，各种成像技术可用于在每次治疗之前或治疗期间提供对象的实时图像。例如，磁共振成像(mri)设备可以与放射治疗设备结合使用，以提供对象的磁共振图像。磁共振成像设备和放射治疗设备组合，形成磁共振成像图像引导治疗设备，在不造成干扰的情况下，将磁共振成像设备的组件(例如，至少两个主磁线圈、至少两个屏蔽磁线圈、一个或以上梯度线圈等)和放射治疗设备的组件(例如，直线加速器)设置于相对紧凑的空间中可能会遇到困难。因此，希望提供一种提供高治疗质量且具有紧凑结构的治疗设备。

技术实现思路

1、根据本申请的一个方面，提供一种放射治疗系统。放射治疗系统可以包括磁共振成像(mri)设备，被配置为获取与对象的感兴趣区域(roi)相关的磁共振成像数据，所述磁共振成像设备包括磁体；以及放射治疗设备，被配置为将放射束施加到至少部分所述感兴趣区域。所述放射治疗设备包括直线加速器，被配置为加速电子以产生所述放射束，所述直线加速器位于由所述磁体的内表面形成的腔室中，并且所述直线加速器的长度方向与所述磁体的轴线平行。

2、在一些实施例中，所述磁共振成像设备还包括：设置于所述腔室中的一个或以上梯度线圈，所述一个或以上梯度线圈环绕所述磁体的轴线。

3、在一些实施例中，所述一个或以上梯度线圈为分裂式梯度线圈。

4、在一些实施例中，所述直线加速器设置于由所述一个或以上梯度线圈的内表面形成的开口内。

5、在一些实施例中，所述直线加速器设置于或靠近所述腔室的端部。

6、在一些实施例中，所述放射治疗设备还包括环绕所述直线加速器的环形放射屏蔽组件。

7、在一些实施例中，所述直线加速器位于两个相邻的分裂式梯度线圈之间的间隙中。

8、在一些实施例中，所述直线加速器设置于或靠近所述腔室的长度方向上的所述腔室的中点处。

9、在一些实施例中，所述放射治疗设备还包括环绕部分所述直线加速器的放射屏蔽组件，所述环绕的部分所述直线加速器更靠近所述磁体的所述轴线。

10、在一些实施例中，所述放射治疗设备还包括至少一个偏转磁铁，被配置为使所述电子向靶偏转，当所述电子碰撞到所述靶时产生所述放射束。

11、在一些实施例中，所述靶与所述磁体的所述轴线之间的距离大于所述直线加速器与所述磁体的所述轴线之间的距离。

12、在一些实施例中，所述直线加速器位于远离所述放射束从所述靶到至少部分所述感兴趣区域的路径。

13、在一些实施例中，所述直线加速器位于对应于所述腔室的第一圆周角的第一位置，所述靶位于对应于所述腔室的第二圆周角的第二位置，所述第一圆周角不等于所述第二圆周角。

14、在一些实施例中，所述至少一个偏转磁铁包括永磁体。

15、在一些实施例中，所述放射治疗设备包括一个微波组件，所述微波组件被配置为加速电子，所述微波组件通过波导与所述线性加速器可操作地耦合。

16、在一些实施例中，所述磁体包括至少两个主磁线圈；至少两个屏蔽线圈，所述至少两个屏蔽磁线圈环绕所述磁体的轴线，并沿圆周或其一部分设置，与所述至少两个主磁线圈相比，所述至少两个屏蔽磁线圈距离所述磁体的所述轴线的半径更大；以及一种环形低温恒温器，其中设置有所述至少两个主磁线圈和所述至少两个屏蔽线圈。

17、本申请的一部分附加特性可以在以下描述中进行说明。通过对以下描述和相应附图的研究或者对实施例的生产或操作的了解，本申请的一部分附加特性对于本领域技术人员是明显的。本申请的特征可以通过对以下描述的具体实施例的各个方面的方法、手段和组合的实践或使用得以实现和达到。

技术特征：

1.一种放射治疗系统，包括：

2.根据权利要求1所述的放射治疗系统，其特征在于，所述磁共振成像设备还包括：

3.根据权利要求2所述的放射治疗系统，其特征在于，所述一个或以上梯度线圈为分裂式梯度线圈。

4.根据权利要求3所述的放射治疗系统，其特征在于，所述直线加速器设置于由所述一个或以上梯度线圈的内表面形成的开口内。

5.根据权利要求4所述的放射治疗系统，其特征在于，所述直线加速器设置于或靠近所述腔室的端部。

6.根据权利要求4所述的放射治疗系统，其特征在于，所述放射治疗设备还包括环绕所述直线加速器的环形放射屏蔽组件。

7.根据权利要求3所述的放射治疗系统，其特征在于，所述直线加速器位于两个相邻的分裂式梯度线圈之间的间隙中。

8.根据权利要求7所述的放射治疗系统，其特征在于，所述直线加速器设置于或靠近所述腔室的长度方向上的所述腔室的中点处。

9.根据权利要求7所述的放射治疗系统，其特征在于，所述放射治疗设备还包括环绕部分所述直线加速器的放射屏蔽组件，所述环绕的部分所述直线加速器更靠近所述磁体的所述轴线。

10.根据权利要求7所述的放射治疗系统，其特征在于，所述放射治疗设备还包括：

11.根据权利要求10所述的放射治疗系统，其特征在于，所述靶与所述磁体的所述轴线之间的距离大于所述直线加速器与所述磁体的所述轴线之间的距离。

12.根据权利要求11所述的放射治疗系统，其特征在于，所述直线加速器位于远离所述放射束从所述靶到至少部分所述感兴趣区域的路径。

13.根据权利要求11所述的放射治疗系统，其特征在于，所述直线加速器位于对应于所述腔室的第一圆周角的第一位置，所述靶位于对应于所述腔室的第二圆周角的第二位置，所述第一圆周角不等于所述第二圆周角。

14.根据权利要求10-13中任一权利要求所述的放射治疗系统，其特征在于，所述至少一个偏转磁铁包括永磁体。

15.根据权利要求1-14中任一权利要求所述的放射治疗系统，其特征在于，所述放射治疗设备包括一个微波组件，所述微波组件被配置为加速电子，所述微波组件通过波导与所述直线加速器可操作地耦合。

16.根据权利要求1-15中任一权利要求所述的放射治疗系统，其特征在于，所述磁体包括：

技术总结
本申请涉及一种放射治疗系统(100)。该放射治疗系统(100)可以包括磁共振成像(MRI)设备(200)，被配置为获取与对象的感兴趣区域(ROI)相关的磁共振成像数据，该磁共振成像设备(200)包括磁体(601)；以及放射治疗设备(250)，被配置为将放射束施加到至少部分感兴趣区域。放射治疗设备(250)包括直线加速器(612)，被配置为加速电子以产生放射束，该直线加速器(612)位于由磁体(601)的内表面形成的腔室(620)(720)中，该直线加速器(612)的长度方向与磁体(601)的轴线(610)(710)平行。

技术研发人员：倪成,汪鹏,余兴恩
受保护的技术使用者：上海联影医疗科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12