抗返卤泛霜的墙体用菱镁水泥发泡砖的配方和制造工艺的制作方法

文档序号:1938509阅读:243来源:国知局
专利名称:抗返卤泛霜的墙体用菱镁水泥发泡砖的配方和制造工艺的制作方法
技术领域
本发明涉及一种复合材料制品的改性和令能产品的配方及加工工艺技术,特别是 抗返卤泛霜的墙体用菱镁水泥发泡保温砖的配方及其制造工艺。
背景技术
关于菱镁制品减轻自身重量的技术如中国专利申请号200520121956.3新型菱镁 大棚骨架以及具有抗返卤泛霜功能的中国专利申请号91106378.1抗吸潮返卤性 菱镁水泥,它们各自都只具有单一的功能,不能同时具有两者功能,因此有改进 的必要。

发明内容
本发明的目的是要做成既具有抗返卤泛霜功能同时又具有自身重量轻的墙体用 的菱镁水泥发泡保温节能的砖块,使其具有背景技术的所有优点,克服其缺点, 本发明的目的是通过采用有机硅憎水剂和发泡剂的相关技术实现的,其组方(重
量%)和制造工艺如下 (—),组方配比(重量%)
含氧化镁85%的工业级氧化镁58%、含氯化镁50%的工业级氯化镁21. 6%、聚乙烯 醇2%、有机硅憎水剂0.6 1.6%、发泡剂碳酸氢铵或碳酸铵1 2%,增强用的玻 璃纤维熟丝或生丝、中碱适量,水17.5%。 (二)生产工艺如下 M: L将氯化镁加入水中充分搅拌溶解制得氯化镁溶液l。
2. 将聚乙烯醇加入9(TC水中使其充分溶化,制成含聚乙烯醇6.7%的溶液2。
3. 将有机硅憎水剂加入溶液l、 2的泡合液中搅拌均匀得溶液3。
4. 将氧化镁加入溶液3中搅拌均匀得糊状浆料。
5. 将发泡剂加入糊状浆料中均匀搅拌得发泡浆料。
6. 将发泡浆料注入砖模中刮平,在4(TC条件下保持8小时即可降温脱模,常温 下养护15天即可使用。
本发明的优点和积极效果
1. 本发明的菱镁水泥制发泡墙砖既具有抗返卤泛霜功能,同时又具有重量轻, 保、温性能好的节能功能。
2. 本发明采用有机砖僧水剂,'在保证材料内部间隙的表面均有抗水抗返卤泛霜 功能外,同时可使材料表面碳化成憎水性特别耐久稳定的僧水性表面。
3. 抗返卤泛霜与发泡减轻重量一次性完成,组份简单、工艺容易、材料与工艺 成本均低,同时极大地提升了产品性能价格比,为推广应用创造了良好的条 件。
具体实施例方式
组方配比(重量%)与上面三中(一)的组方相同,生产工艺与上面三中(二) 的生产工艺相同。
3实施例1.
含氧化镁85%的工业级氧化镁58%、含氯化镁50%的工业级氯化镁21. 6%、聚 乙烯醇2%、有机硅增水剂0. 6%、发泡剂碳酸氢铵1%,中碱生玻纤或熟玻纤增强 材料适量,水17. 5%。
实施例2
含氧化镁85%的工业级氧化镁58%、含氯化镁50%的工业级氯化镁21. 6%、聚 乙烯醇2%、有机硅增水剂1.6%、发泡剂碳酸氢铵2%,中碱生玻纤或熟玻纤增强 材料适量,水17. 5%。
实施例1和实施例2的具体制造工艺均与上面三中的(二)中的工艺相同。
权利要求
1.本发明涉及一种复合材料制品的改性和节能产品的配方及加工工艺技术,特别是抗返卤泛霜的墙体用菱镁水泥发泡保温砖的配方及其制造工艺,其特征在于组方(重量%)如下含氧化镁85%的工业级氧化镁58%、含氯化镁50%的工业级氯化镁21.6%、聚乙烯醇2%、有机硅憎水剂0.6~1.6%、发泡剂碳酸氢铵或碳酸铵1~2%,增强用的玻璃纤维熟丝或生丝、中碱适量,水17.5%。
2. 按照权利要求1的一种复合材料制品的改性和节能产品的配方及加工工艺技 术,特别是抗返卤泛霜的墙体用菱镁水泥发泡保温砖的配方及其制造工艺,其特征在于 生产工艺如下-① 将氯化镁加入水中充分搅拌溶解制得氯化镁溶液1;② 将聚乙烯醇加入9(TC水中使其充分溶化,制成含聚乙烯醇6. 7%的溶液2;③ 将有机硅憎水剂加入溶液1、 2的混合液中搅拌均匀得溶液3;④ 将氧化镁加入溶液3中搅拌均匀得糊状浆料;⑤ 将发泡剂加入糊状浆料中均匀搅拌得发泡浆料;⑥ 将发泡浆料注入砖模中刮平,在4(TC条件下保持8小时即可降温脱模,常温 下养护15天即可使用。
全文摘要
本发明发泡砖的配方和制造工艺的组方(重量%)如下含氧化镁85%的工业级氧化镁58%、含氯化镁50%的工业级氯化镁21.6%、聚乙烯醇2%、有机硅憎水剂0.6~1.6%、发泡剂碳酸氢铵或碳酸铵1~2%,增强用的玻璃纤维熟丝或生丝、中碱适量,水17.5%。它的生产工艺如下①将氯化镁加入水中溶解制得氯化镁溶液1;②将聚乙烯醇加入90℃水中溶化,制成含聚乙烯醇6.7%的溶液2;③将有机硅憎水剂加入溶液1、2得溶液3;④将氧化镁加入溶液3中搅拌均匀得糊状浆料;⑤将发泡剂加入糊状浆料中得发泡浆料;⑥将发泡浆料注入砖模中刮平,在40℃条件下保持8小时即可降温脱模,常温下养护15天即可使用。
文档编号C04B28/32GK101659539SQ20081011920
公开日2010年3月3日 申请日期2008年8月28日 优先权日2008年8月28日
发明者仇剑梅, 仇剑锋, 仇锦明, 焦清华 申请人:北京玉佳明三态离子科学研究院有限公司
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