晶圆片激光加工方法
【专利摘要】本发明提供了一种晶圆片激光加工方法，其包括如下步骤：a）提供晶圆片；b）贴膜；c）由离所述晶圆片的外缘预定距离处沿所述晶圆片的切割道向内进行一轮激光切割；d）去膜；e）对去膜后的晶圆片进行蒸镀处理；f）贴膜；g）裂片；h）倒膜：i）扩膜；j）测试。在激光切割中，由离晶圆片的外缘预定距离处开始切割，使得由晶圆片的外缘至该预定距离处的部分不被切割，体上保证了晶圆片的可操作强度，也不易破裂，大大地增加了加工的良率，降低破片率。
【专利说明】晶圆片激光加工方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种晶圆片激光加工方法。
【背景技术】
[0002]随着市场需求的不断增加，LED制造业对产能、成品率和发光亮度的要求越来越高。激光加工技术已经成为LED制造业首要的工具，成为高亮度LED晶圆加工的行业标准。
[0003]激光划片使得晶圆微裂纹以及微裂纹扩张大大减少，LED单体之间的距离大大减小，这样不但提高产能，而且增加了生产效率。这里所说的激光划片指的是激光切割晶圆片。
[0004]请参阅图1，在传统的晶圆片加工工艺中，将待切割的晶圆片10定位于一台激光切割设备上，激光切割设备控制激光由所述晶圆片10的边缘沿切割道11切割所述晶圆片
10。在后续去除所述晶圆片背面的贴膜的工序中，所述晶圆片边缘极易因撕膜力的作用而破裂，破片率较高，影响后续加工，无法满足生产的要求。
【发明内容】
[0005]本发明实施例的目的在于提供一种晶圆片激光加工方法，旨在解决传统的晶圆片加工工艺中因晶圆片的边缘被切割而使后续加工的破片率高的问题。
[0006]本发明实施例是这样实现的，一种晶圆片激光加工方法，其包括如下步骤:
[0007]a)提供晶圆片，所述晶圆片具有正面及带有电极的背面，所述晶圆片的背面设置有切割道；
[0008]b)于所述晶圆片背面贴膜；
[0009]c)将贴膜的晶圆片定位于一激光切割设备中，所述激光切割设备发出的激光由离所述晶圆片的外缘预定距离处沿所述晶圆片的切割道向内进行一轮激光切割；
[0010]d)切割完成后，去除所述晶圆片背面的贴膜；
[0011]e)对去膜后的晶圆片进行蒸镀处理，以提高所述晶圆片的亮度；
[0012]f)于所述晶圆片的背面贴膜；
[0013]g)将贴膜后的晶圆片于一裂片机中进行裂片；
[0014]h)倒膜，即于所述晶圆片的正面贴膜，然后去除所述晶圆片背面的贴膜；
[0015]i)扩膜，即将所述晶圆片切割后所形成的晶粒的距离拉大；
[0016]j )对各个晶粒进行测试。
[0017]本发明的晶圆片激光加工方法在一轮激光切割中，由离所述晶圆片的外缘预定距离处开始切割，使得由所述晶圆片的外缘至该预定距离处的晶圆片部分不被切割，这样整体上保证了所述晶圆片的可操作强度，也不易破裂，大大地增加了加工的良率，降低破片率。所述晶圆片由于制程的关系，外缘向内的预定距离范围内品质不稳定，即使传统的加工方式，该范围内的晶圆片也是做正常报废处理的，所以本发明的晶圆片激光加工方法并没有造成多余的浪费。【专利附图】
【附图说明】
[0018]图1示出了预备采用传统的晶圆片激光加工方法进行加工的晶圆片。
[0019]图2示出了预备采用本发明实施例提供的晶圆片激光加工方法的晶圆片。
[0020]图3是本发明实施例提供的晶圆片激光加工方法的工业级精密相机拍照的示意图。
【具体实施方式】
[0021]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0022]请参阅图2和图3，本发明实施例提供的晶圆片激光加工方法包括如下步骤:
[0023]a)提供晶圆片20，所述晶圆片20具有正面21及带有电极(图未示)的背面22，所述晶圆片20的背面22设置有切割道23 ；
[0024]b)于所述晶圆片20的背面22贴膜；
[0025]c)将贴膜的晶圆片20定位于一激光切割设备(图未示)中，所述激光切割设备发出的激光由离所述晶圆片20的外缘预定距离处沿所述晶圆片20的切割道23向内进行一轮激光切割；
[0026]d)切割完成后，去除所述晶圆片20背面的贴膜；
[0027]e)对去I旲后的晶圆片20进行蒸锻处理，以提闻所述晶圆片20的売度；
[0028]f)于所述晶圆片20的背面贴膜；
[0029]g)将切割后的晶圆片20于一裂片机(图未示)中进行裂片；
[0030]h)倒膜，即于所述晶圆片20的正面21贴膜，然后去除所述晶圆片20背面22的贴膜；
[0031]i)扩膜，即将所述晶圆片20切割后所形成的晶粒的距离拉大；
[0032]j)对各个晶粒进行测试。
[0033]在步骤f )和g)之间还包括将贴膜的晶圆片20定位于所述激光切割设备中并使所述激光切割设备发出的激光沿所述晶圆片20的切割道23进行另一轮激光切割的步骤A)。
[0034]在步骤c)中，根据所述晶圆片20的厚度不同，可能同一切割道23内会切割2次或多次的情况。在步骤c)中，所述一轮激光切割包括多次切割。
[0035]在步骤c)中，所述预定距离为所述晶圆片20上离所述晶圆片20的外缘为0.2mm?1.5臟的距离。
[0036]在步骤e)中，进行蒸镀处理是为了适应市场对晶粒的高亮度需求。在步骤g)中，所述晶圆片20的未切割的部分也在裂片机中被裂开。
[0037]步骤d)、步骤e)和步骤f)中需要保证所述晶圆片20不至于裂开而产生破裂碎片不良的问题，因此，本发明的晶圆片激光加工方法中，于距离所述晶圆片20的外缘向内距离为0.2mm?1.5mm的范围内不进行激光加工，这样整体上保证了所述晶圆片20的可操作强度，也不易破裂，大大地增加了加工的良率，降低破片率。所述晶圆片20由于制程的关系，外缘向内的0.2mm?1.5mm范围内品质不稳定，即使传统的加工方式，该范围内的晶圆片也是做正常报废处理的，所以本发明的晶圆片激光加工方法并没有造成多余的浪费。
[0038]扩膜是将晶粒连膜一起扩大后，可上下左右对晶粒进行外观检查以及在挑选不良晶粒时不会划伤或误挑周边好的晶粒，保证产量。
[0039]于步骤c)中，在切割之前，通过工业级精密相机30把所述晶圆片20的整体图形先拍照保留，再通过图形处理后生成所述晶圆片20的外形轮廓的各点坐标，软件根据所述坐标计算所述晶圆片20的外缘向内0.2mm?1.5mm的距离范围内不被激光切割到的算法，通过软件控制所述激光切割设备在算好的坐标处开启和关闭激光，从而达到所述晶圆片20的外缘向内0.2mm?1.5mm的距离范围内不被激光所切割。
[0040]所述激光切割设备包括532nm波长的激光器或1064nm波长的激光器或其他波长的激光器。
[0041]在步骤g)之前，所述晶圆片20均是一整片，不会裂开，只有在步骤g)中，所述晶圆片20才会裂开。
[0042]本发明的晶圆片激光加工方法是以目前最先进的晶圆片表面激光切割加工和晶圆片内部隐形激光切割加工的不断发展为基础，以进行各种晶圆片激光工艺研究为重要前提，是应高科技激光加工领域不断开发新工艺的大环境下，诞生的一种先进激光加工方法。
[0043]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种晶圆片激光加工方法，其包括如下步骤: a)提供晶圆片，所述晶圆片具有正面及带有电极的背面，所述晶圆片的背面设置有切割道; b)于所述晶圆片背面贴膜； c)将贴膜的晶圆片定位于一激光切割设备中，所述激光切割设备发出的激光由离所述晶圆片的外缘预定距离处沿所述晶圆片的切割道向内进行一轮激光切割； d)切割完成后，去除所述晶圆片背面的贴膜； e)对去膜后的晶圆片进行蒸镀处理，以提高所述晶圆片的亮度； f )于所述晶圆片的背面贴膜；g)将贴膜后的晶圆片于一裂片机中进行裂片； h)倒膜，即于所述晶圆片的正面贴膜，然后去除所述晶圆片背面的贴膜； i)扩膜，即将所述晶圆片切割后所形成的晶粒的距离拉大； j)对各个晶粒进行测试。
2.如权利要求1所述的晶圆片激光加工方法，其特征在于:在步骤f)和g)之间还包括将贴膜的晶圆片定位于所述激光切割设备中并使所述激光切割设备发出的激光沿所述晶圆片的切割道进行另一轮激光切割的步骤A)。
3.如权利要求1或2所述的晶圆片激光加工方法，其特征在于:在步骤c)中，所述预定距离为所述晶圆片上离所述晶圆片的外缘为0.2mm?1.5mm的距离。
4.如权利要求3所述的晶圆片激光加工方法，其特征在于:于步骤c)中，在切割之前，通过工业级精密相机把所述晶圆片的整体图形先拍照保留，再通过图形处理后生成所述晶圆片的外形轮廓的各点坐标，软件根据所述坐标计算所述晶圆片的外缘向内0.2mm?1.5mm的距离范围内不被激光切割到的算法，通过软件控制所述激光切割设备在算好的坐标处开启和关闭激光，从而达到所述晶圆片的外缘向内0.2mm?1.5mm的距离范围内不被激光所切割。
5.如权利要求1或2所述的晶圆片激光加工方法，其特征在于:所述激光切割设备包括532nm波长的激光器。
6.如权利要求1或2所述的晶圆片激光加工方法，其特征在于:所述激光切割设备包括1064nm波长的激光器。
【文档编号】B28D5/00GK103545253SQ201210246763
【公开日】2014年1月29日 申请日期:2012年7月17日 优先权日:2012年7月17日
【发明者】高昆, 叶树铃, 邴虹, 陈红, 李瑜, 庄昌辉, 张红江, 刘立文, 欧明辉, 迟彦龙, 马国东, 高云峰 申请人:深圳市大族激光科技股份有限公司