专利名称：一种骨瓷釉中彩的工艺流程的制作方法
技术领域：
本发明属于陶瓷制品生产方法技术领域，具体涉及一种骨瓷釉中彩的工艺流程。
背景技术：
传统的骨瓷陶瓷中骨炭含量都在45%左右，其生产方法是坯体高温烧制定型，施釉后低温烧成，贴花后再次烧制，因此该工艺是三步烧制才能完成，由于骨炭含量高和烧制次数多，增加了产品的生产成本，且由于烧制温度不合理，这种产品在长时间使用后，会发生画面磨损的问题，且这种贴花装饰画面效果直白，缺乏艺术性。
发明内容
本发明主要针对传统的生产骨瓷陶瓷产品存在骨炭含量高、烧 制次数多、成本高和贴花效果差的问题，提供一种骨炭含量少、烧制次数少、成本低、外观效果好的骨瓷釉中彩的工艺流程。本发明为实现上述目的而采取的技术方案为一种骨瓷釉中彩的工艺流程包括以下步骤(I)配料取下列百分含量的组分，混合均匀，制成原料石英15 20、长石25 30、骨炭5 10、高岭土 10 13、氧化招5 10、滑石粉5 10和砂石20 25 ;(2)粉碎将步骤(I)混合均匀的原料经粗粉碎和细粉碎两步制成150 200目的原料粉；(3)浆料在原料粉中添加1. 04 1. 22倍原料重量的水混合均匀，制成浆料；(4)除铁将浆料过200 220目的筛子后用高磁除铁器出除去浆料中的铁；(5)滤水按照常规方法滤去步骤(4)中除铁后浆料中的水，保持水的百分含量在20 25% ；(6)真空练泥按照常规方法采用真空练泥机练泥，制成泥料；(7)储存在20 25°C储存泥料3 5天；(8) 二次练泥使用前再次采用真空练泥机练泥，然后直接用成型机将二次练泥后的泥料压制成型，即坯体；(9)干燥在40 50°C下干燥坯体I 2天；(10)修洗除去干燥后坯体的多余边缘，使坯体边缘光滑；(11)施釉按照常规方法在步骤(10)的坯体上施釉；(12) 二次干燥在40 50°C下干燥施釉坯体I 2天；(13)烧制将二次干燥后的施釉坯体放置天然气隧道窑中，在1300 1350°C温度下烧制10 12小时，然后冷却至70 80°C时运出天然气隧道窑；( 14)拣选分类按照常规方法对烧制出来的坯体拣选分类；(15)产品贴花按照常规方法将拣选出来的坯体分类贴花；
(16) 二次烧制贴花后，在1200 1220°C温度下烧制2 3小时，凉至常温后检验包装制成产品。为表明本发明产品的质量，申请人委托质量监督检验局对采用本发明工艺流程制备的产品进行了抽检，抽检结果见表I和表2 :表I瓷盘检验结果
权利要求
1.一种骨瓷釉中彩的工艺流程，其特征是包括以下步骤 (1)配料取下列百分含量的组分，混合均匀，制成原料 石英15 20、长石25 30、骨炭5 10、高岭土 10 13、氧化招5 10、滑石粉5 10和砂石20 25 ; (2)粉碎将步骤(I)混合均匀的原料经粗粉碎和细粉碎两步制成150 200目的原料粉； (3)浆料在原料粉中添加1.04 1. 22倍原料重量的水混合均匀，制成浆料； (4)除铁将浆料过200 220目的筛子后用高磁除铁器出除去浆料中的铁； (5)滤水按照常规方法滤去步骤(4)中除铁后浆料中的水，保持水的百分含量在20 25% ； (6)真空练泥按照常规方法采用真空练泥机练泥，制成泥料； (7)储存在20 25°C储存泥料3 5天； (8)二次练泥使用前再次采用真空练泥机练泥，然后直接用成型机将二次练泥后的泥料压制成型，即坯体； (9)干燥在40 5(TC下干燥还体I 2天； (10)修洗除去干燥后坯体的多余边缘，使坯体边缘光滑； (11)施釉按照常规方法在步骤(10)的坯体上施釉； (12)二次干燥在40 50°C下干燥施釉坯体I 2天； (13)烧制将二次干燥后的施釉坯体放置天然气隧道窑中，在1300 1350°C温度下烧制10 12小时，然后冷却至70 80°C时运出天然气隧道窑； (14)拣选分类按照常规方法对烧制出来的坯体拣选分类； (15)产品贴花按照常规方法将拣选出来的坯体分类贴花； (16)二次烧制贴花后，在1200 1220°C温度下烧制2 3小时，凉至常温后检验包装制成产品。
全文摘要
本发明属于陶瓷制品生产方法技术领域，具体涉及一种骨瓷釉中彩的工艺流程。本发明主要解决传统的生产骨瓷陶瓷产品存在骨炭含量高、烧制次数多、成本高和贴花效果差的问题。本发明的技术方案为一种骨瓷釉中彩的工艺流程经过配料、粉碎、浆料、除铁、滤水、真空练泥、储存、二次练泥、干燥、修洗、施釉、二次干燥、烧制、拣选分类、产品贴花、二次烧制等步骤制成。本发明具有骨炭含量少、烧制次数少、成本低、外观效果好的优点。
文档编号C04B33/02GK103011763SQ20121050171
公开日2013年4月3日 申请日期2012年11月28日 优先权日2012年11月28日
发明者李德华, 冯晓东 申请人:应县优尊陶瓷有限责任公司