半导体分立器件去毛刺装置及半导体分立器件工艺系统的制作方法

1.本技术是有关于一种装置，详细来说，是有关于一种半导体分立器件去毛刺装置及半导体分立器件工艺系统。


背景技术：

2.在先前技术中，模具容易因为机械耗损的情况造成溢料，进而使得半导体分立器件产品在接脚位置生成毛刺。一般而言，毛刺通常会生长在接脚位置的上下两端。传统上是以人工方式手持锉刀将毛刺去除。然而以人工方式进行作业的效率低下，并且经常性地接触半导体分立器件产品，容易对半导体分立器件产品造成形变，进而使得半导体分立器件产品容易损坏。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本技术提出一种半导体分立器件去毛刺装置及半导体分立器件工艺系统来解决上述问题。
4.依据本技术的一实施例，提出一种半导体分立器件去毛刺装置。所述半导体分立器件去毛刺装置包括刮刀单元以及控制部件。所述控制部件连接至所述刮刀单元。所述控制部件经配置以控制所述刮刀单元相对于半导体分立器件产品进行运动以刮除所述半导体分立器件产品的毛刺。
5.依据本技术的一实施例，所述刮刀单元包括上下相对设置的第一刮刀组以及第二刮刀组。
6.依据本技术的一实施例，所述第一刮刀组和所述第二刮刀组的每一者包括多个并排设置的刮刀。
7.依据本技术的一实施例，所述控制部件包括第一控制单元以及第二控制单元。所述第一控制单元经配置以控制所述刮刀单元在垂直方向上运动以夹持所述半导体分立器件产品。所述第二控制单元经配置以控制所述刮刀单元在水平方向上运动以刮除所述半导体分立器件产品的毛刺。
8.依据本技术的一实施例，所述第一控制单元包括气缸。所述气缸经配置以控制所述第一刮刀组以及所述第二刮刀组在垂直方向的运动。
9.依据本技术的一实施例，所述第二控制单元包括电机丝杠滑台，经配置以控制所述第一刮刀组以及所述第二刮刀组在水平方向的运动。
10.依据本技术的一实施例，所述刮刀单元还包括连接至所述第一刮刀组以及所述第二刮刀组的缓冲弹簧。
11.依据本技术的一实施例，所述半导体分立器件去毛刺装置还包括残渣清除模组。所述残渣清除模组连接至刮刀单元。所述残渣清除模组经配置以对刮刀单元进行残渣清除作业。
12.依据本技术的一实施例，提出一种半导体分立器件工艺系统。所述半导体分立器
件工艺系统包括上述半导体分立器件去毛刺装置、上料装置以及下料装置。所述上料装置经配置以从半导体分立器件弹夹中抓取所述半导体分立器件产品并传送至所述半导体分立器件去毛刺装置。所述下料装置经配置以将所述半导体分立器件产品自所述半导体分立器件去毛刺装置中取出并放入所述半导体分立器件弹夹内。
13.依据本技术的一实施例，所述上料装置包括弹夹放置单元、抓料单元、传输单元以及驱动单元。所述弹夹放置单元经配置以承载所述半导体分立器件弹夹。所述抓料单元经配置以从所述半导体分立器件弹夹中抓取所述半导体分立器件产品，并在垂直方向上移动所述半导体分立器件产品。所述传输单元经配置以自所述抓料单元接收所述半导体分立器件产品，并将所述半导体分立器件产品沿水平方向移动至所述半导体分立器件去毛刺装置。所述驱动单元经配置以驱动所述抓料单元和所述传输单元。
14.依据本技术的一实施例，所述下料装置包括传输单元、抓料单元、弹夹放置单元以及驱动单元。所述传输单元经配置以自所述半导体分立器件去毛刺装置取出所述半导体分立器件产品，并在水平方向上移动所述半导体分立器件产品。所述抓料单元经配置以自所述传输单元接收所述半导体分立器件产品，并将所述半导体分立器件产品沿垂直方向移动至所述半导体分立器件弹夹中。所述弹夹放置单元经配置以承载所述半导体分立器件弹夹。所述驱动单元经配置以驱动所述抓料单元和所述传输单元。
15.依据本技术的一实施例，所述半导体分立器件工艺系统还包括压料装置。所述压料装置设置于所述半导体分立器件去毛刺装置上方。所述压料装置经配置以固定所述半导体分立器件产品。
16.本技术提出的半导体分立器件去毛刺装置以及半导体分立器件工艺系统可以快速地将半导体分立器件产品上的毛刺去除，并且不会对半导体分立器件产品造成形变，进而避免半导体分立器件产品的损坏。
附图说明
17.附图是用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本技术，但并不构成对本技术的限制。在附图中：
18.图1a及图1b分别演示半导体分立器件产品的立体视图和侧视视图。
19.图2演示依据本技术一实施例的半导体分立器件去毛刺装置的方块示意图。
20.图3演示依据本技术一实施例的半导体分立器件去毛刺装置的立体视图。
21.图4a和图4b分别演示依据本技术一实施例的刮刀单元的剖视视图和前视视图。
22.图5演示依据本技术一实施例的刮刀单元进行去毛刺作业的示意图。
23.图6a演示依据本技术一实施例的第一控制单元的前视视图。
24.图6b演示依据本技术一实施例的第二控制单元的侧视视图。
25.图7演示依据本技术一实施例的半导体分立器件工艺系统的方块示意图。
26.图8演示依据本技术一实施例的半导体分立器件工艺系统的示意图。
27.图9a演示依据本技术一实施例的上料装置的剖视视图。
28.图9b演示依据本技术一实施例的下料装置的剖视视图。
29.图10演示依据本技术一实施例的压料装置的示意图。
具体实施方式
30.以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述之组件与配置的具体例子系用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在下文的描述中，将一第一特征形成于一第二特征上或之上，可能包括某些实施例其中所述的第一与第二特征彼此直接接触；且也可能包括某些实施例其中还有额外的组件形成于上述第一与第二特征之间，而使得第一与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用组件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。
31.再者，在此处使用空间上相对的词汇，譬如「之下」、「下方」、「低于」、「之上」、「上方」及与其相似者，可能是为了方便说明图中所绘示的一组件或特征相对于另一或多个组件或特征之间的关系。这些空间上相对的词汇其本意除了图中所绘示的方位之外，还涵盖了装置在使用或操作中所处的多种不同方位。可能将所述设备放置于其他方位(如，旋转90度或处于其他方位)，而这些空间上相对的描述词汇就应该做相应的解释。
32.虽然用以界定本技术较广范围的数值范围与参数皆是约略的数值，此处已尽可能精确地呈现具体实施例中的相关数值。然而，任何数值本质上不可避免地含有因个别测试方法所致的标准偏差。在此处，「约」通常系指实际数值在一特定数值或范围的正负10％、5％、1％或0.5％之内。或者是，「约」一词代表实际数值落在平均值的可接受标准误差之内，视本技术所属技术领域中具有通常知识者的考虑而定。当可理解，除了实验例之外，或除非另有明确的说明，此处所用的所有范围、数量、数值与百分比(例如用以描述材料用量、时间长短、温度、操作条件、数量比例及其他相似者)均经过「约」的修饰。因此，除非另有相反的说明，本说明书与附随权利要求书所揭示的数值参数皆为约略的数值，且可视需求而更动。至少应将这些数值参数理解为所指出的有效位数与套用一般进位法所得到的数值。在此处，将数值范围表示成由一端点至另一端点或介于二端点之间；除非另有说明，此处所述的数值范围皆包括端点。
33.图1a及图1b演示半导体分立器件产品sw的立体视图和侧视视图。一般来说，由于机械耗损等原因，使得模具容易产生溢料的情况，造成半导体分立器件产品sw在接脚位置pl容易生成毛刺mc。通常毛刺mc会生长在接脚位置pl的上下两侧。本技术提出了半导体分立器件去毛刺装置和半导体分立器件工艺系统来解决半导体分立器件产品sw的毛刺问题。
34.图2演示依据本技术一实施例的半导体分立器件去毛刺装置1的方块示意图。在某些实施例中，半导体分立器件去毛刺装置1经配置以去除半导体分立器件产品(例如半导体分立器件产品sw)上的毛刺(例如毛刺mc)。在某些实施例中，半导体分立器件去毛刺装置1包括刮刀单元11以及控制部件12。在某些实施例中，控制部件12连接至所述刮刀单元11。在某些实施例中，控制部件12经配置以控制刮刀单元11相对于半导体分立器件产品sw进行运动以刮除半导体分立器件产品sw的毛刺mc。
35.图3演示依据本技术一实施例的半导体分立器件去毛刺装置2的立体视图。在某些实施例中，半导体分立器件去毛刺装置2经配置以去除半导体分立器件产品(例如半导体分立器件产品sw)上的毛刺(例如毛刺mc)。在某些实施例中，半导体分立器件去毛刺装置2可以用以实现图2实施例的半导体分立器件去毛刺装置1。在某些实施例中，半导体分立器件
去毛刺装置2包括刮刀单元21以及控制部件22。在某些实施例中，控制部件包括第一控制单元22a和第二控制单元22b。在某些实施例中，半导体分立器件去毛刺装置2是左右对称结构，以同时去除半导体分立器件产品sw两侧的毛刺mc。
36.请同时参考图3、图4a和图4b，图4a和图4b分别演示依据本技术一实施例的刮刀单元21的剖视视图和前视视图。在某些实施例中，刮刀单元21包括第一刮刀组211和第二刮刀组212。在某些实施例中，第一刮刀组211和第二刮刀组212上下相对设置。在某些实施例中，第一刮刀组211和第二刮刀组212的每一者包括多个并排设置的刮刀g21。在某些实施例中，多个并排设置的刮刀g21沿y方向排列延伸。在某些实施例中，刮刀单元21还包括连接至第一刮刀组211和第二刮刀组212的缓冲弹簧s21。在某些实施例中，缓冲弹簧s21在z方向上提供缓冲功能。
37.在图4a的实施例中，第一刮刀组211和第二刮刀组212的刮刀g21具有不同形状。然而，此并非本技术的一限制。在某些实施例中，第一刮刀组211和第二刮刀组212的刮刀g21可以具有相同形状。参考图5，图5演示依据本技术一实施例的刮刀单元21进行去毛刺作业的示意图。在某些实施例中，当要进行去毛刺作业时，刮刀单元21沿垂直方向(如z方向)运动，使得第一刮刀组211和第二刮刀组212闭合以夹持半导体分立器件产品sw。此时，第一刮刀组211和第二刮刀组212分别从半导体分立器件产品sw上下两侧接近半导体分立器件产品sw的毛刺mc。接着，刮刀单元21在水平方向(如x方向)上移动，使得第一刮刀组211和第二刮刀组212上的刮刀g21将半导体分立器件产品sw上下两侧毛刺mc割除，借此完成去毛刺作业。
38.请同时参考图3和图6a，图6a演示依据本技术一实施例的第一控制单元22a的前视视图。在某些实施例中，第一控制单元22a经配置以控制刮刀单元21在垂直方向(如z方向)上的运动。在某些实施例中，第一控制单元22a包括气缸221和气缸222。在某些实施例中，气缸221和气缸222分别连接到第一刮刀组211和第二刮刀组212。在某些实施例中，气缸221和气缸222控制第一刮刀组211和第二刮刀组212在垂直方向(如z方向)上的闭合以及分开。当要进行去毛刺作业时，气缸221和气缸222控制第一刮刀组211和第二刮刀组212沿垂直方向(如z方向)运动，使得第一刮刀组211和第二刮刀组212闭合以夹持半导体分立器件产品sw。当去毛刺作业完成时，气缸221和气缸222控制第一刮刀组211和第二刮刀组212沿垂直方向(如z方向)运动，使得第一刮刀组211和第二刮刀组212分开以便取出半导体分立器件产品sw。
39.请同时参考图3和图6b，图6b演示依据本技术一实施例的第二控制单元22b的侧视视图。在某些实施例中，第二控制单元22b经配置以控制刮刀单元21在水平方向(如x方向)上的运动。在某些实施例中，第二控制单元22b包括电机丝杠滑台231。在某些实施例中，电机丝杠滑台231连接到第一控制单元22a和刮刀单元21。当第一控制单元22a控制第一刮刀组211和第二刮刀组212闭合以夹持半导体分立器件产品sw后，电机丝杠滑台231控制刮刀单元21在水平方向(如x方向)上移动，通过水平移动刮刀g21来去除半导体分立器件产品sw的毛刺mc。
40.需说明的是，本技术并不限定控制刮刀单元21相对于半导体分立器件产品sw在x方向进行运动来完成去毛刺作业。在某些实施例中，刮刀单元21可以相对半导体分立器件产品sw在y方向或z方向上进行运动来完成去毛刺作业。此并非本技术的一限制。只要在夹
持半导体分立器件产品sw后，通过刮刀g21相对于半导体分立器件产品sw的运动来去除毛刺mc都应隶属于本技术的范畴。
41.另外，虽然在上述实施例中，是通过刮刀g21的直线运动来完成去毛刺作业，然而，在其他实施例中，第一刮刀组211和第二刮刀组212的刮刀g21可以在刮刀单元21夹持半导体分立器件产品sw时覆盖并笼罩毛刺mc，接着，刮刀g21可以进行旋转运动以将毛刺mc自半导体分立器件产品sw上割除。
42.再次参考图3，在某些实施例中，半导体分立器件去毛刺装置2还包括残渣清除模组24。在某些实施例中，残渣清除模组24连接至刮刀单元21。在某些实施例中，残渣清除模组24经配置以对刮刀单元21的刮刀g21进行残渣清除作业。在某些实施例中，残渣清除模组24另经配置以存储刮刀g21所去除的毛刺mc。
43.通过本技术提出的半导体分立器件去毛刺装置2可以快速地将半导体分立器件产品sw上的毛刺mc去除，并且不会对半导体分立器件产品sw造成形变，进而避免半导体分立器件产品sw的损坏。
44.图7演示依据本技术一实施例的半导体分立器件工艺系统6的方块示意图。在某些实施例中，半导体分立器件工艺系统6经配置以对半导体分立器件产品(如半导体分立器件产品sw)进行去毛刺作业。在某些实施例中，半导体分立器件工艺系统6包括半导体分立器件去毛刺装置60、上料装置61以及下料装置62。在某些实施例中，半导体分立器件去毛刺装置60可以上述实施例的半导体分立器件去毛刺装置2来实现。在某些实施例中，上料装置61经配置以从半导体分立器件弹夹中抓取半导体分立器件产品sw并传送至半导体分立器件去毛刺装置60。在某些实施例中，下料装置61经配置以将半导体分立器件产品sw自半导体分立器件去毛刺装置60中取出并放入所述半导体分立器件弹夹内。
45.图8演示依据本技术一实施例的半导体分立器件工艺系统7的示意图。在某些实施例中，半导体分立器件工艺系统7经配置以对半导体分立器件产品(如半导体分立器件产品sw)进行去毛刺作业。在某些实施例中，半导体分立器件工艺系统7可以用以实现图7实施例的半导体分立器件工艺系统6。在某些实施例中，半导体分立器件工艺系统7包括半导体分立器件去毛刺装置70、上料装置71以及下料装置72。在某些实施例中，半导体分立器件去毛刺装置70可以以图3实施例的半导体分立器件去毛刺装置2来实现。
46.请同时参考图8和图9a，图9a演示依据本技术一实施例的上料装置71的剖视视图。在某些实施例中，上料装置71包括弹夹放置单元711、抓料单元712以及传输单元713。在某些实施例中，弹夹放置单元711经配置以承载半导体分立器件弹夹。在某些实施例中，当半导体分立器件弹夹放置于弹夹放置单元711后，弹夹放置单元711将半导体分立器件弹夹托举至抓料单元712。在某些实施例中，抓料单元712经配置以从半导体分立器件弹夹中抓取半导体分立器件产品sw。在某些实施例中，抓料单元712在垂直方向(如z方向)上移动半导体分立器件产品sw。在某些实施例中，传输单元713经配置以自抓料单元712接收半导体分立器件产品sw。在某些实施例中，传输单元713将半导体分立器件产品sw沿水平方向(如y方向)移动至半导体分立器件去毛刺装置70。
47.请同时参考图8和图9b，图9b演示依据本技术一实施例的下料装置72的剖视视图。在某些实施例中，下料装置72与上料装置71是大致对称的结构。在某些实施例中，下料装置72包括弹夹放置单元721、抓料单元722以及传输单元723。在某些实施例中，弹夹放置单元
721经配置以承载半导体分立器件弹夹。在某些实施例中，当半导体分立器件弹夹放置于弹夹放置单元721后，弹夹放置单元721将半导体分立器件弹夹托举至抓料单元722。在某些实施例中，传输单元723经配置以自半导体分立器件去毛刺装置70取出半导体分立器件产品sw。在某些实施例中，传输单元723在水平方向(如y方向)移动半导体分立器件产品sw。在某些实施例中，抓料单元722经配置以从传输单元723接收半导体分立器件产品sw。在某些实施例中，抓料单元722将半导体分立器件产品sw沿垂直方向(如z方向)移动至半导体分立器件弹夹中。
48.再次参考图8，在某些实施例中，半导体分立器件工艺系统7还可以包括压料装置73。请同时参考图8和图10，图10演示依据本技术一实施例的压料装置73的示意图。在某些实施例中，压料装置73设置于半导体分立器件去毛刺装置70的上方。在某些实施例中，压料装置73经配置以固定半导体分立器件产品sw。在某些实施例中，当半导体分立器件去毛刺装置70自传输单元713接收半导体分立器件产品sw后，压料装置73从半导体分立器件去毛刺装置70的上方固定半导体分立器件产品sw，接着，在半导体分立器件去毛刺装置70对半导体分立器件产品sw进行去毛刺作业后，压料装置73解除对半导体分立器件产品sw的固定，传输单元723自半导体分立器件去毛刺装置70取出半导体分立器件产品sw。
49.通过本技术提出的半导体分立器件工艺系统7可以实现全自动且快速的半导体分立器件去毛刺作业。减少人工接触半导体分立器件产品sw的次数，减少对半导体分立器件产品sw造成形变的可能，进而避免半导体分立器件产品sw的损坏。
50.如本文中所使用，术语“近似地”、“基本上”、“基本”及“约”用于描述并考虑小变化。当与事件或情况结合使用时，所述术语可指事件或情况精确地发生的例子以及事件或情况极近似地发生的例子。如本文中相对于给定值或范围所使用，术语“约”大体上意味着在给定值或范围的
±
10％、
±
5％、
±
1％或
±
0.5％内。范围可在本文中表示为自一个端点至另一端点或在两个端点之间。除非另外规定，否则本文中所公开的所有范围包括端点。术语“基本上共面”可指沿同一平面定位的在数微米(μm)内的两个表面，例如，沿着同一平面定位的在10μm内、5μm内、1μm内或0.5μm内。当参考“基本上”相同的数值或特性时，术语可指处于所述值的平均值的
±
10％、
±
5％、
±
1％或
±
0.5％内的值。
51.如本文中所使用，术语“近似地”、“基本上”、“基本”和“约”用于描述和解释小的变化。当与事件或情况结合使用时，所述术语可指事件或情况精确地发生的例子以及事件或情况极近似地发生的例子。举例来说，当与数值结合使用时，术语可指小于或等于所述数值的
±
10％的变化范围，例如，小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％，或小于或等于
±
0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差小于或等于所述值的平均值的
±
10％(例如，小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％，或小于或等于
±
0.05％)，那么可认为所述两个数值“基本上”或“约”相同。举例来说，“基本上”平行可以指相对于0
°
的小于或等于
±
10
°
的角度变化范围，例如，小于或等于
±5°
、小于或等于
±4°
、小于或等于
±3°
、小于或等于
±2°
、小于或等于
±1°
、小于或等于
±
0.5
°
、小于或等于
±
0.1
°
，或小于或等于
±
0.05
°
。举例来说，“基本上”垂直可以指相对于90
°
的小于或等于
±
10
°
的角度变化范围，例如，小于或等于
±5°
、小于或等于
±4°
、小于或等于
±3°
、小于或等于
±2°
、小于或等于
±1°
、小于或
等于
±
0.5
°
、小于或等于
±
0.1
°
，或小于或等于
±
0.05
°
。
52.举例来说，如果两个表面之间的位移等于或小于5μm、等于或小于2μm、等于或小于1μm或等于或小于0.5μm，那么两个表面可以被认为是共面的或基本上共面的。如果表面相对于平面在表面上的任何两个点之间的位移等于或小于5μm、等于或小于2μm、等于或小于1μm或等于或小于0.5μm，那么可以认为表面是平面的或基本上平面的。
53.如本文中所使用，除非上下文另外明确规定，否则单数术语“一(a/an)”和“所述”可包含复数指示物。在一些实施例的描述中，提供于另一组件“上”或“上方”的组件可涵盖前一组件直接在后一组件上(例如，与后一组件物理接触)的情况，以及一或多个中间组件位于前一组件与后一组件之间的情况。
54.如本文中所使用，为易于描述可在本文中使用空间相对术语例如“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”、“下部”、“左侧”、“右侧”等描述如图中所说明的一个组件或特征与另一组件或特征的关系。除图中所描绘的定向之外，空间相对术语意图涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。应理解，当一组件被称为“连接到”或“耦合到”另一组件时，其可直接连接或耦合到所述另一组件，或可存在中间组件。
55.前文概述本公开的若干实施例和细节方面的特征。本公开中描述的实施例可容易地用作用于设计或修改其它过程的基础以及用于执行相同或相似目的和/或获得引入本文中的实施例的相同或相似优点的结构。这些等效构造不脱离本公开的精神和范围并且可在不脱离本公开的精神和范围的情况下作出不同变化、替代和改变。