消除釉面砖水波纹的制备方法及其釉面砖与流程

本发明涉及釉面砖生产，具体涉及一种消除釉面砖水波纹的制备方法及其釉面砖。

背景技术：

1、随着社会经济的发展，物质资源的丰富，人们对居家品质要求不断提高，高品质的装修材料也越来越受到消费者的青睐。在众多的装修材料中，釉面砖作为难以替代的产品，成为房屋装修过程的主要材料之一。

2、在釉面砖的生产过程中，传统砖坯采用一次压制成型，采用低温快烧工艺，坯体的成瓷温度低。在坯体达到瓷化温度而釉面还没有开始熔融，容易导致坯体轻微不规则变形，坯体层表面出现轻微不平整。坯体冷却后表面瓷化发光，而釉层反射光、釉层与坯体层交界层折射频率不一致，导致发光主体“虚影”，也就是人们俗语中说的“水波纹”出现。

3、因此，现有的釉面砖生产容易导致水波纹的产生，生产质量差，适应范围小。

技术实现思路

1、本发明提供一种消除釉面砖水波纹的制备方法，旨在解决现有的釉面砖生产容易导致水波纹的产生，生产质量差，适应范围小的问题。

2、第一方面，本发明实施例提供一种消除釉面砖水波纹的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：

3、步骤s1、对釉面砖粉料采用二次布料工艺进行压制成型，得到釉面砖坯料；其中，第一次布料厚度10-12mm微粉作为底料，第二次布料厚度为1.5-3mm，作为面料，通过压机压制成型；

4、步骤s2、对所述釉面砖坯料进行二次布料图案，得到图案釉面砖；

5、步骤s3、对所述图案釉面砖进行干燥处理；

6、步骤s4、对所述图案釉面砖进行喷墨印花处理，得到釉面砖产品；

7、步骤s5、将所述釉面砖产品依次进行烧釉及烧成处理，得到釉面砖成品。

8、优选的，在所述步骤s1中，所述第二次布料的微粉的成瓷温度大于所述第一次布料的微粉的成瓷温度3-5℃。

9、优选的，在所述步骤s1中，所述第二次布料通过改变微粉的部分成份和粉料粒径，提升砖坯烧成温度5-10℃。

10、优选的，在所述步骤s2中，对所述二次布料图案进行了预先设计和数字化控制多色彩布料，所述多色彩布料与数字喷墨打印机印花图案进行关联处理，使得坯体层与喷墨层颜色图案相似。

11、优选的，在所述步骤s3中，所述干燥通过干燥箱烘干处理。

12、第二方面，本发明实施例提供一种釉面砖，所述釉面砖由上述的消除釉面砖水波纹的制备方法制成。

13、与现有技术相比，本发明的有益效果在于，通过对釉面砖粉料采用二次布料工艺进行压制成型，得到釉面砖坯料；其中，第一次布料厚度10-12mm微粉作为底料，第二次布料厚度为1.5-3mm，作为面料，通过压机压制成型；对所述釉面砖坯料进行二次布料图案，得到图案釉面砖；对所述图案釉面砖进行干燥处理；对所述图案釉面砖进行喷墨印花处理，得到釉面砖产品；将所述釉面砖产品依次进行烧釉及烧成处理，得到釉面砖成品。本发明用最节省成本的方法解决了釉面砖水波纹的问题，坯体层折反射光和釉层反射光频率(也就是颜色)一致，视觉效果良好，提升了釉面砖在陶瓷行业中广泛应用，改善了釉面砖的装饰效果，达到了名贵石材的效果，消除了消费者反映的“虚影”、“水波纹”等不良视觉效果，实现了突破。

技术特征：

1.一种消除釉面砖水波纹的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的消除釉面砖水波纹的制备方法，其特征在于，在所述步骤s1中，所述第二次布料的微粉的成瓷温度大于所述第一次布料的微粉的成瓷温度3-5℃。

3.如权利要求1所述的消除釉面砖水波纹的制备方法，其特征在于，在所述步骤s1中，所述第二次布料通过改变微粉的部分成份和粉料粒径，提升砖坯烧成温度5-10℃。

4.如权利要求1所述的消除釉面砖水波纹的制备方法，其特征在于，在所述步骤s2中，对所述二次布料图案进行了预先设计和数字化控制多色彩布料，所述多色彩布料与数字喷墨打印机印花图案进行关联处理，使得坯体层与喷墨层颜色图案相似。

5.如权利要求1所述的消除釉面砖水波纹的制备方法，其特征在于，在所述步骤s3中，所述干燥通过干燥箱烘干处理。

6.一种釉面砖，其特征在于，所述釉面砖由权利要求1-5任一项所述的消除釉面砖水波纹的制备方法制成。

技术总结
本发明提供了一种消除釉面砖水波纹的制备方法及其釉面砖，制备方法包括以下步骤：步骤S1、对釉面砖粉料采用二次布料工艺进行压制成型，得到釉面砖坯料；其中，第一次布料厚度10‑12mm微粉作为底料，第二次布料厚度为1.5‑3mm，作为面料，通过压机压制成型；步骤S2、对所述釉面砖坯料进行二次布料图案，得到图案釉面砖；步骤S3、对所述图案釉面砖进行干燥处理；步骤S4、对所述图案釉面砖进行喷墨印花处理，得到釉面砖产品；步骤S5、将所述釉面砖产品依次进行烧釉及烧成处理，得到釉面砖成品。本发明能改善了釉面砖的装饰效果，达到了名贵石材的效果，消除了消费者反映的“虚影”、“水波纹”等不良视觉效果，实现了突破。

技术研发人员：母军,潘雪岗,郑古雷,钟志超
受保护的技术使用者：恩平市新锦成陶瓷有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/4