地面砖改进结构的制作方法

文档序号:9966466阅读:182来源:国知局
地面砖改进结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及地面砖技术领域,特别是涉及一种地面砖改进结构。
【背景技术】
[0002]地面砖,是建筑行业中的专业术语,指贴在建筑物地面的瓷砖统称地面砖,用于道路两旁、机关庭院、公园等的地面装饰。
[0003]地面砖在铺贴之前一般都需要进行浸水,使其吸收水分,这样有利于降低地面砖铺贴后的空鼓率,但是在实际施工过程中,尤其是在一些赶工期的情况下,地面砖浸水时间过短,吸水不充分,影响铺贴质量。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型主要解决的技术问题是提供一种地面砖改进结构,结构简单合理,设置吸水孔,有助于地面砖快速吸水,保证铺贴质量。
[0005]为解决上述技术问题,本实用新型采用的一个技术方案是:提供一种地面砖改进结构,包括:地面砖本体和设置在地面砖本体上表面上的光滑釉层,所述地面砖本体上设置有多个吸水孔,所述吸水孔沿地面砖本体的长度方向延伸且贯穿地面砖本体,所述多个吸水孔沿地面砖本体的宽度方向排列,所述吸水孔的截面为直径3~3.5毫米的圆孔,所述地面砖本体的厚度为1~1.2厘米。
[0006]在本实用新型一个较佳实施例中,所述吸水孔的截面为直径3毫米的圆孔。
[0007]在本实用新型一个较佳实施例中,所述地面砖本体的厚度为I厘米。
[0008]本实用新型的有益效果是:本实用新型地面砖改进结构,结构简单合理,设置吸水孔,有助于地面砖快速吸水,保证铺贴质量。
【附图说明】
[0009]为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:
[0010]图1是本实用新型地面砖改进结构一较佳实施例的结构示意图。
[0011]附图中各部件的标记如下:1、地面砖本体,2、光滑釉层,3、吸水孔。
【具体实施方式】
[0012]下面将对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本实用新型保护的范围。
[0013]请参阅图1,本实用新型实施例包括:
[0014]一种地面砖改进结构,包括:地面砖本体I和设置在地面砖本体I上表面上的光滑釉层2,所述地面砖本体I上设置有多个吸水孔3,所述吸水孔3有助于在赶工期的情况下,地面砖快速吸水,使得吸水充分,从而降低铺贴空鼓率,保证铺贴质量。
[0015]具体的,所述吸水孔3沿地面砖本体I的长度方向延伸且贯穿地面砖本体1,所述多个吸水孔3沿地面砖本体I的宽度方向排列,所述吸水孔3的截面为直径3~3.5毫米的圆孔,所述地面砖本体I的厚度为1~1.2厘米。
[0016]优选的,所述吸水孔3的截面为直径3毫米的圆孔,孔径合适,能够保证地面砖快速吸水,使得吸水充分,从而降低铺贴空鼓率,保证铺贴质量。
[0017]优选的,所述地面砖本体I的厚度为I厘米。
[0018]本实用新型的有益效果是:本实用新型地面砖改进结构,结构简单合理,设置吸水孔,有助于地面砖快速吸水,保证铺贴质量。
[0019]以上所述仅为本实用新型的实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其它相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种地面砖改进结构,其特征在于,包括:地面砖本体和设置在地面砖本体上表面上的光滑釉层,所述地面砖本体上设置有多个吸水孔,所述吸水孔沿地面砖本体的长度方向延伸且贯穿地面砖本体,所述多个吸水孔沿地面砖本体的宽度方向排列,所述吸水孔的截面为直径3~3.5毫米的圆孔,所述地面砖本体的厚度为1~1.2厘米。2.根据权利要求1所述的地面砖改进结构,其特征在于,所述吸水孔的截面为直径3毫米的圆孔。3.根据权利要求1所述的地面砖改进结构,其特征在于,所述地面砖本体的厚度为I厘米。
【专利摘要】本实用新型公开了一种地面砖改进结构,包括:地面砖本体和设置在地面砖本体上表面上的光滑釉层,所述地面砖本体上设置有多个吸水孔,所述吸水孔沿地面砖本体的长度方向延伸且贯穿地面砖本体,所述多个吸水孔沿地面砖本体的宽度方向排列,所述吸水孔的截面为直径3~3.5毫米的圆孔,所述地面砖本体的厚度为1~1.2厘米。通过上述方式,本实用新型结构简单合理,设置吸水孔,有助于地面砖快速吸水,保证铺贴质量。
【IPC分类】E01C15/00
【公开号】CN204875444
【申请号】CN201520560346
【发明人】赵燕春
【申请人】常州南夏墅建设有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年7月30日
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