Rf标签及其制造方法

专利名称：Rf标签及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种非接触式连接型的RF标签及其制造方法。更详细地说，涉及一种 通过将各层经由半固化片板进行热压接而形成的非接触式连接型RF标签及其制造方法。
背景技术：
随着信息化社会的高度发展，用于通信设备等的信号的频带逐渐向超短波(UHF)、 厘米波(SHF)频带等、可进行信息的更高密度传输的高频带转移。在最近受到广泛关注的 RFID (Radio Frequency Identification)系统中也是如此。RFID系统是指，通过对能够在 非接触状态下读取和写入信息的存储介质的数据进行读写来收发信息。随着半导体技术的 进步，用作RF标签的存储介质逐渐向小型化、高性能化发展，随着通讯距离的扩张及通信 稳定性的提高等，期待RF标签应用于更广泛的领域中。特别是利用了高频带的RF标签，是 利用电波向RF标签的存储介质供给电力，因此大幅提高了通信距离，使得在通信距离短的 RFID系统中难于实现的同时读取多个RF标签及读取正在移动的RF标签等成为可能。通过RFID系统的高频化，使其应用范围大幅扩展，但随之应用环境也变得严峻。 在寒冷地区及冷冻设备内部中使用、在夏季炎热的天气下使用自不必说，进而在像船舶装 载集装箱这类的设置对象为金属时，由于还附加吸热、放热的条件，因此造成温度变化的幅 度变大，成为极其严峻的使用环境。另一方面，RF标签在利用高频带上也存在着技术难度。电信号具有频率越高传输 损失越大的性质，因此强烈需求一种能应对高频带的、且具有优异的高频传输特性的电绝 缘材料。在与绝缘材料接触的电路中的传输损失包括由天线电路的形状、表皮电阻、特性阻 抗等决定的导体损失和由电路周围的电介质层的介电特性所决定的电介质损失，尤其是在 高频率电路中作为电介质损失而被释放，成为电子设备误操作的原因。电介质损失与相对 介电常数(ε )和材料的介电损失(tan δ )的乘积成比例增大。因此，为了稍微减少电介质 损失，都需要使用具有低介电常数和低介电损失特性的材料。在高分子绝缘材料中，热塑性树脂具有优异的低介电常数及低介电损失，并且容 易加工，因此适合作为用于RF标签电介质层的材料。专利文献1公开了一种在金属箔层和 天线电路之间，通过热塑性树脂的注塑成型而形成了电介质层的RF标签，并公开了其进行 设置时不区分设置对象是导电性物质还是非导电性物质，都能够不减小通信距离。现有技术文献专利文献专利文献1 特开2008-9514号公报

发明内容
发明要解决的技术问题本申请发明人意识到了现有技术的不足。S卩，由于在现有技术中将线膨胀系数有 很大差异的部件进行粘结，因此在部件之间产生残余应力。因此，对RF标签施加反复进行加热和冷却等的负荷时，可能会发生部件之间的层间剥离，当在注塑成型时内部残留少量 空隙的情况下，会发生局部性膨胀收缩，使层间剥离的可能性进一步增大。RFID系统通过调节使用频率和存储介质的阻抗匹配来发挥辐射模式及增益等目 的功能，但该调节与RF标签的相对介电常数及电介质层的厚度有很大关系。因此，由于发 生层间剥离而在电介质层中加入空气层，从而导致的RF标签整体的介电常数的变化、及由 基于将线膨胀系数不同的部件相互粘结所产生的应力应变而出现的难于控制厚度，是在RF 标签的持续使用上存在的致命性问题。并且，将数千 数万个易发生层间剥离的RF标签用 在一个系统中，对于使用者来说要承担很大的财政风险，而且由于这样的RF标签在再利用 性方面存在难点，因此也关系到制造成本的增加。因此，本发明的目的在于提供一种在高频带内具有优异的传输特性、即使在温度 变化的严峻环境下也不会发生层间剥离等问题、能够维持所期望的传输特性的信赖性高的 RF标签。解决技术问题的技术手段本发明人为了解决现有技术的不足进行了深入研究，结果找到了采用特定结构的 接枝共聚物作为电介质层，在将电介质层与天线电路及金属箔层进行接合时使用由特定的 玻璃布基材环氧树脂半固化片(prepreg)所构成的热固化板这一解决方法。一种实施方案的RF标签，包括半固化片板和天线电路10及金属箔层40，所述半 固化片板是由第一电介质层20a及分别层叠于所述第一电介质层20a的两个主表面上的两 个半固化片层30a、30b所形成，所述天线电路10及金属箔层40分别层叠于所述半固化片 板的所述两个半固化片层30a、30b上。所述第一电介质层20a是由在60 85质量份聚合 物(a)上接枝聚合15 40质量份芳香族乙烯单体(b)所得到的接枝共聚物构成，所述聚 合物(a)是由基于α-烯烃单体或链状共轭二烯单体的单体单元所构成，所述芳香族乙烯 单体(b)含有70 95质量％的单官能芳香族乙烯单体(bl)及5 30质量％的双官能芳 香族乙烯单体( )。所述两个半固化片层30a、30b分别为在玻璃纤维材料中浸渍环氧树脂 所得到的环氧树脂浸渍玻璃纤维基材。所述天线电路10包括第一导体层1 和安装于所 述第一导体层1 上的可读取及写入信息的存储介质11。所述两个半固化片层30a、30b， 通过热压接分别接合到所述第一电介质层20a的所述两个主表面上。所述天线电路10及 所述金属箔层40，通过热压接分别接合到所述半固化片板的所述两个半固化片层30a、30b 上。根据该结构，第一电介质层20a是由特定的接枝共聚物构成，该接枝共聚物实质 上是由烃基形成，由于不具有极性基团，因此表现出低介电常数及低介电损失，具有优异的 高频特性。进一步地，该接枝共聚物由于具有基于芳香族乙烯单体(b)的单体单元相对于 作为基体(matrix)的聚合物(a)形成结构域(domain)的结构，因此其对于有机溶剂有部 分溶解性，即使温度在熔点以上，接枝共聚物也不会发生热松弛。因此能够应对半固化片层 30a、30b的热压接，抑制第一电介质层20a和半固化片层之间形成空隙，提高两层之间的贴 附性。再加上半固化片层30a、30b是在玻璃纤维基材(Si)中浸渍环氧树脂(S》的半固化 片，例如通过在140 180°C下进行热压接而固化。半固化片层30a、30b能够强化加固电介 质层20a的两个主表面与天线电路10及金属箔层40之间的接合，接合后能够维持所希望 的耐久性。
因此，RF标签在具有优异的高频传输特性的同时，即使对于使用环境的温度变化， 也能够维持所希望的传输特性。在一个例子中，所述第一导体层12a与所述金属箔层40电导通。基于该结构，能 够将在第一导体层1 上安装了可读取和写入信息的存储介质11的天线电路10所具有的 天线功能赋予金属箔层40。这有助于RF标签的小型化。在一个例子中，在所述第一导体层12a的表面中、与所述半固化片层30b相反侧 的面上具有依次层叠的第二电介质层20b和第二导体层12b，所述第一导体层1 和所述 第二导体层12b电导通；所述第二电介质层20b是由在60 85质量份聚合物(a)上接 枝共聚15 40质量份芳香族乙烯单体(b)所得到的接枝共聚物构成，所述聚合物(a)是 基于α-烯烃单体或链状共轭二烯单体的单体单元所构成，所述芳香族乙烯单体(b)含有 70 95质量％的单官能芳香族乙烯单体(bl)以及5 30质量％的双官能芳香族乙烯单 体( )；所述第一导体层12a、所述第二电介质层20b和所述第二导体层12b，通过热压接 依次接合。基于该结构，能够使RF标签进一步小型化。一种实施方案的RF标签的制造方法，包括工序A及工序B，所述工序A是将所述两 个半固化片层30a、30b通过热压接分别接合于第一电介质层20a的两个主表面上，制成所 述半固化片板的工序；所述工序B是在所述半固化片板的所述两个半固化片层30a、30b上， 通过热压接分别接合所述天线电路10及所述金属箔层40的工序。基于该结构，能够通过 简单的工艺有效地制造出层间接合强度提高的RF标签。


图1为符合一种实施方式的RF标签分解截面图。图2(a) (c)为表示图1的RF标签制造工序的截面图；(d)为存储介质容纳于 埋头孔部的变形例的RF标签截面图。图3为符合变形例的RF标签截面图。图4(a) (e)为具有用于电导通的结构的RF标签的立体示意图。
具体实施例方式下面对本发明的实施方式进行详细说明。本实施方式的RF标签包括半固化片板以及天线电路10和金属箔层40，所述半固 化片板是将两个半固化片层30a、30b通过热压接分别接合于第一电介质层20a的两个主表 面上，所述天线电路10及金属箔层40分别热压接于该半固化片板的两个半固化片层30a、 30b上。这样的RF标签在高频带具有高传输特性，对于温度变化也能够维持所希望的性能。 下面对有关RF标签的结构要素依次进行说明。电介质层20该电介质层20是由在基于α _烯烃单体或链状共轭二烯单体的单体单元所构成 的聚合物(a)上接枝聚合芳香族乙烯单体(b)而得到的接枝共聚物构成。构成电介质层20 的结构单元的是基于α-烯烃单体或链状共轭二烯单体的聚合物(a)单元和基于芳香族乙 烯单体(b)的单元，任意一个单元实质上都是由烃基构成。因而这些单元不含具有高偶极 矩的极性基团，因此作为聚合物时表现出低介电常数及低介电损失。因而电介质层20具有良好的高频特性。进一步地，电介质层20是由在α -烯烃单体或链状共轭二烯单体的单体单元所构 成的聚合物(a)上接枝芳香族乙烯单体(b)的接枝共聚物构成。可以认为该接枝共聚物的 分子形态是，聚合物(a)单元形成基体、芳香族乙烯单体(b)单元形成结构域。因此，电介 质层20对有机溶剂等仅表现出部分溶解性，即使温度在熔点以上也不会以液态形式流动， 具有难以发生热松弛的特性。聚合物(a)单元形成该接枝共聚物的主链结构(主干成分)、 芳香族乙烯单体(b)单元形成该接枝共聚物的侧链结构(嫁接物、接枝成分)。所述α -烯烃单体具体为用通式R-CH = CH2 (式中R表示碳原子数1 16个的 烷基)所示的碳原子数3 18个的α-烯烃。作为α-烯烃单体，例如有丙烯、1-丁烯、 1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、4-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-己烯、4，4_ 二甲基-1-戊 烯等。其中，优选为选自丙烯、I-丁烯、I-己烯、I-辛烯及4-甲基-1-戊烯中的至少一种。并且，链状共轭二烯单体具体为碳原子数3 10的链状共轭二烯化合物。链状 是指直链或支链。作为链状共轭二烯单体，例如有异戊二烯、1，3_ 丁二烯、2，3_ 二甲基-1， 3- 丁二烯、1，3-戊二烯、1，3-己二烯等。其中，优选为异戊二烯及1，3- 丁二烯，尤其优选为 1，3— ^p._ 火布 ο接枝共聚物的主链结构为基于所述α -烯烃单体或链状共轭二烯单体的单体单 元而构成的聚合物。这里，聚合物可以为均聚物也可以为共聚物，有时也描述为均聚/共聚 物。当主链结构为共聚物的情况下，为无规共聚物或嵌段共聚物的任意均可。并且，基于 α-烯烃单体或链状共轭二烯单体的单体单元也可以是多种不同单体混合形成。并且，主链 结构中的链状共轭二烯单体单元还可以进行部分氢化。接枝到上述主链结构上的芳香族乙烯单体具体为碳原子数8 18个的芳香族乙 烯化合物。作为单官能芳香族乙烯单体(bl)，例如有苯乙烯、对甲基苯乙烯、α-甲基苯乙 烯等苯乙烯类单体。作为双官能芳香族乙烯单体0^2)，例如有二乙烯基苯、1，3_ 二乙烯基 萘等。这些单体可以分别混合一种或两种以上使用。形成接枝共聚物时的聚合物(a)和芳香族乙烯单体(b)的比例为60 85质量份 聚合物(a)与15 40质量份芳香族乙烯单体(b)，优选为65 75质量份聚合物(a)与 125 35质量份芳香族乙烯单体(b)。当芳香族乙烯单体(b)的比例少于15质量份时，接 枝共聚物强烈表现出α -烯烃类聚合物及链状共轭二烯聚合物的特性，在熔点以上时表现 出很强的流动性，因此难于控制厚度。另一方面，当多于40质量份时，接枝共聚物变得非常 脆，难以形成板状。进而，在芳香族类乙烯单体(b)中，单官能芳香族乙烯单体(bl)和双官能芳香族 乙烯单体( )的比例为单官能芳香族乙烯单体(bl) 70 95质量％、双官能芳香族乙烯单 体(1^)5 30质量％。当双官能芳香族乙烯单体的比例少于5质量％时，不能充分表现出 其功能，当多于30质量％时，接枝共聚物变得非常脆，难以形成板状。制造构成电介质层20的接枝共聚物时的接枝方法可以是基于使用过氧化物的链 转移法、电离辐射法、聚合物引发剂法等任意方法，优选为下列所示的浸渍接枝聚合法。基 于该浸渍接枝聚合法，其接枝效率高，不发生由热引起的二次凝聚，因此更为有效地表现其 性能，同时还具有制造方法简单的优点。在使用含浸接枝聚合法时，接枝共聚物通常可根据 下述方法制得。将100质量份由选自α-烯烃单体及链状共轭二烯单体中的至少一种的单体所形成的聚合物悬浮于水中。另外，向5 400质量份的芳香族乙烯单体中加入溶解有 后述自由基共聚性有机过氧化物的一种或两种以上的混合物、以及用于获得10小时半衰 期的分解温度为40 90°C的自由基聚合引发剂的溶液，所述自由基共聚性有机过氧化物 相对于100质量份上述芳香族乙烯单体为0. 1 10质量份，所述自由基聚合引发剂相对于 芳香族乙烯单体与自由基共聚性有机过氧化物合计100质量份为0. 01 5质量份。然后，将所述自由基共聚性有机过氧化物浸渍到主链结构中。然后，在自由基聚合 引发剂没有实质性分解的条件下设定该水性悬浊液的温度，将芳香族乙烯单体及自由基共 聚性有机过氧化物在主链结构中进行共聚，得到接枝化前驱体。所述自由基共聚性有机过 氧化物是兼具作为可在单分子中进行自由基共聚的单体的特性，以及作为有机过氧化物的 特性的化合物。作为自由基共聚性有机过氧化物，优选为叔丁基过氧化丙烯酰氧基乙基碳 酸酯、叔丁基过氧化甲基丙烯酰氧基乙基碳酸酯、叔丁基过氧化烯丙基碳酸酯、叔丁基过氧 化甲基烯丙基碳酸酯等。其中，最优选为叔丁基过氧化甲基丙烯酰氧基乙基碳酸酯。然后，通过将浸渍后的主链结构在100 300°C下熔融混炼，能够得到目标接 枝共聚物。作为熔融混炼的方法，例如有使用兼具加热功能和混炼功能的班伯里混炼机 (Banbury mixer)、单轴或双轴螺杆挤压机等的方法。其中，使用螺杆挤压机，通过主料斗供 给接枝化前驱体进行熔融混炼后，从模具中吐出的棒状成型物通过造粒机得到造粒物(颗 粒)的方法简便且廉价，因此优选。并且，对得到的接枝共聚物，在不损害本发明目的的范围内可以添加润滑剂、增塑 剂、结晶成核剂、紫外线抑制剂、着色剂、阻燃剂、抗氧化剂、重金属钝化剂等通常的添加剂。 接枝共聚物与添加剂的混炼方法没有特别地限制，可以使用兼具加热功能和混炼功能的班 伯里混炼机、压力捏合机、辊、单轴或双轴螺杆挤压机等进行混炼。尤其优选为双轴螺杆挤 压机，可以在与获得接枝共聚物时所使用的方法相同的条件下制造。然后，作为使用基于上述共聚反应所得到的接枝共聚物、或该接枝共聚物与添加 剂的混合物，获得作为电介质层P的板状成型物的方法，可采用T型口成型法、膨胀成型法、 辊成型法、冲压成型法或注塑成型法中的任意方法，但是优选采用板状成型物难以发生弯 曲的辊成型法或注塑成型法。半固化片层30a、30b用于形成半固化片层30a、30b的半固化片是在玻璃纤维基材(Si)上浸渍作为未 固化的热固性树脂的环氧树脂(S》后，呈半固化状态(所谓B阶段)的半固化片。〈玻璃纤维基材(Si)>玻璃纤维基材(Si)是用于半固化片、赋予RF标签所需刚性的材料。为了得到高 频带用RF标签之用途所需的电特性，材料品种可以使用玻璃。作为玻璃材料除了 E玻璃、C 玻璃、A玻璃外，还可以使用增加二氧化硅(SiO2)的含量来改善介电特性的S玻璃、D玻璃 或石英玻璃。作为纤维的形态，例如有连续毡(continuous mat)、交叉布、无纺布、方格布、 表面毡(surfacing mat)以及短切毡(chopped mat)等，可以根据成型物的用途及性能进 行适当选择。其中优选为交叉布。作为玻璃纤维基材(Si)，在对电特性不产生坏影响的范围内，可根据需要使用经 过绝缘涂层处理或基于硅烷化合物(氯硅烷，烷氧基硅烷，有机官能硅烷、硅氮烷)、偶联剂 (钛酸盐类、铝类)等的表面处理的材料。
半固化片中的玻璃纤维基材(Si)的加入量优选为10 60质量％，更优选为15 45质量％。当该加入量低于10质量％时，组合物的粘度过度增加使操作性降低、在固化物 中粗大分离使半固化片的强度降低。另一方面，当加入量高于60质量％时，环氧树脂(S2) 和玻璃纤维基材(Si)之间的粘接性及基于环氧树脂(S》的韧性增强效果不够充分，并且 使得半固化片在高频带中的低介电常数性及低介电损失性降低。<环氧树脂S2>作为用于半固化片的环氧树脂(S2)没有特别的限制，可以使用双酚A型、双酚F 型、双酚S型、氨基缩水甘油醚型、氨基苯酚型、酚醛型、萘型、脂肪族、脂环族等环氧树脂。 其中由于双酚A型、双酚F型及双酚S型等双酚类环氧树脂可使半固化片具有良好的耐热 性及机械强度，因此优选。作为半固化片的种类，例如有单向半固化片、交叉半固化片、纱线半固化片、毡半 固化片、粗纱半固化片等，优选为毡半固化片或交叉半固化片。半固化片的厚度通常为 20 400 μ m、优选为30 300 μ m、更优选为40 200 μ m、也可以使用一张或多张重叠使用。天线电路10天线电路为在导体层12上安装有能够读取及写入信息的存储介质11的电路。导 体层12和存储介质11通过任意方法进行电接合。作为电接合方法，可以采用焊接、导电膏 接合等公知方法。并且，通过将接合有存储介质的导体层12与金属箔层40进行导通，能够 将天线电路10具有的作为天线的功能赋予金属箔层40。对天线电路10的形状没有特别的 限定，可以是带状(参见图4(a) 4(e))、环状、线圈状等各种形状。导体层12导体层12是采用基于铜、铝、铁、镍、锌等单体或合金的金属箔而形成，根据需要 可以使用实施了用于防锈的表面处理后的金属箔。这些金属箔可通过电解法、延压法等制 得。此外，也可以是通过真空蒸镀法、电镀法形成的金属箔。对于第一导体层12a、第二导体 层12b可分别采用不同种类的材料。存储介质11存储介质11可以使用如下装置，其包括用于非接触下记录并读取信息的通信电 路、内存及预设的控制电路，同时还具有用于与导体层12电连接的芯片电极。金属箔层40金属箔层40可以采用箔状或薄板状的金属板，或者金属网、多孔金属板之类的多 孔箔状或薄板状的金属网。金属箔层40的厚度优选为5 100 μ m、更优选为5 50 μ m。 当该厚度小于5 μ m时，导体电路的电阻会过高；当厚度大于100 μ m时，在通过蚀刻形成导 体电路时，由于单侧蚀刻使导体电路被切断的可能性变大。对金属箔层40的金属种类没有特别的限制，可以使用铝、钛、铁、铜、镍、镍铬合 金、锡、铅、镁、金、银、钼、其他各种金属及它们的合金等。RF标签的制造方法RF标签优选通过工序A及工序B制得。工序A是将两个半固化片层30a、30b通过热压接分别与第一电介质层20a的两个 主表面接合，制成半固化片板的工序。各半固化片层30a、30b可选自半固化片。
工序B是将天线电路10及金属箔层40通过热压接分别与经工序A制得的半固化 片板的所述两个半固化片层30a、30b接合的工序。可以同时进行工序A的热压接及工序B的热压接。这时，可以通过一次热压接形 成RF标签。在进行工序B之前，在半固化片板上，存储介质11的预定设置位置上，可以通过钻 孔加工设置埋头孔部(counter boring) 14(参见图2(b))。这时，安装于天线10上的存储 介质11容纳在埋头孔部14内，能够避免从RF标签的最外表面向外侧突出(参见图2 (d))。 如图所示的例子，作为填充剂的例子之一，环氧树脂填埋在埋头孔部14和存储介质11之间 的空隙。也可以使存储介质11和埋头孔部14之间不产生空隙来形成埋头孔部14，而不使 用填充剂。电介质层20具有在由α烯烃单体或链状共轭二烯单体的单体单元所构成的无规 共聚物或嵌段共聚物上接枝了芳香族乙烯单体的接枝共聚物的分子形态。因此，芳香族乙 烯单体单元相对于基体形成结构域，对于有机溶剂等仅表现出部分溶解性，即使温度在熔 点以上也不会以液态流动，具有不发生热松弛的特性。因此，能够应对在半固化片层30a、 30b的使用温度范围内的热压接。进而，能够通过热压接赋予均勻的表面压力，能够制得层 间接合强度提高了的、难以发生层间剥离的RF标签。通过工序A制得的半固化片板具有由绝缘性半固化片层30a、30b所提供的两个主 表面。天线电路10和金属箔层40通过热压接与绝缘性半固化片层30a、30b接合。通过该 层叠结构，即使是在RF标签的安装对象为导电性物质的情况下，也能够防止通信距离的降 低。对RF标签的基本结构进行说明。图1中的RF标签由基于所述接枝共聚物制成 的第一电介质层20a、分别层叠于该第一电介质层20a的两个主表面上的两个半固化片层 30a、30b、层叠于一侧半固化片层上的天线电路10、层叠于另一侧半固化片层上的作为导体 的金属箔层40构成。各半固化片层可由例如玻璃环氧树脂形成。天线电路10包括第一导 体层1 及通过焊锡13与第一导体层12a的内侧面接合的存储介质11。对RF标签的制造方法进行说明。如图2(a)所示，通过热压接将半固化片层30a、 30b分别与第一电介质层20a的两个主表面接合。有时将由第一电介质层20a和半固化片 层30a、30b所构成的层压体称为半固化片板。另一方面，如图2 (b)所示，通过载置于第一导体层1 内侧面上的焊锡13，将存储 介质11搭载于第一导体层1 上。第一导体层1 及存储介质11构成天线电路10。准备好半固化片板和天线电路10后，使存储介质11为内侧，即使存储介质11与 半固化片板一侧的半固化片层相对，设置天线电路10。同时，在半固化片板另一侧的半固化 片层上重叠金属箔层40。在该状态下，通过热压接，使天线电路10及金属箔层40与半固化 片板接合，得到如图2(c)所示的RF标签。这时，通过热压接将存储介质11压入、埋设于半 固化片层30b及第一电介质层20a中。下面对符合变形例的RF标签进行具体说明。在符合变形例的RF标签中，第一导 体层1 和金属箔层40电导通。导通可以通过使用导电性物质进行连接、通孔(via)或端 面电极等任意方法进行(参见图4(a) 4(e))。通孔50
导体层间的电导通可以通过通孔来实施。通孔例如包括将电介质层向厚度方向延 伸的贯通孔以及盲通孔。通孔例如可以通过激光加工或钻孔加工等方法形成导通孔，在该 导通孔的内侧面形成电镀层或在导通孔中填充导体插头的方式制造。对于通孔的数量及位 置没有特别的限制，可以以任意数量设置在任意位置。端面电极60导体层间的电导通可以通过端面电极60来实施。端面电极设置于该电介质层的 外表面(侧面或端面)，使其横向穿过电介质层的厚度方向。在一个例子中，端面电极60可 通过在RF标签的端面上实施导电膏或金属镀层形成。在另外的例子中，端面电极60还可 以由大括号(square bracket) “]”字型的金属卡固部件、用铝或碳制造的导电胶带等导体 构成。对端面电极60的数量、位置没有特别的限制，可以以任意数量设置在任意位置。也可以并用上述通孔50和端面电极60。下面对符合本发明其他变形例的RF标签进行说明。如图3所示，RF标签包括在 实施方式的RF标签的第一导体层1 的表面中、与半固化片层30b相反侧的面上依次层叠 的第二电介质层20b和第二导体层12b，第一导体层1 和第二导体层12b电导通。导通可 通过使用导电性物质的连接、通孔或端面电极等任意方法实施。对于通孔及端面电极可参 照上述说明。在图3的例子中，形成有连接第一电介质层20a和第二电介质层20b的贯通 孔。还可以是连接第一导体层12a与第二导体层12b的通孔、连接第一导体层1 与金属 箔层40的通孔以及这些通孔的组合。第二电介质层20b与第一导体层12a的接合、以及第 二电介质层20b与第二导体层12b的接合可通过热压接同时或分别进行。例如，可以先将 第二电介质层20b与第二导体层12b通过预热压接接合，然后设置第二电介质层20b以覆 盖天线电路10，将第二电介质层20b与第一导体层1 通过热压接接合。或者，还可以将第 二电介质层20b与第二导体层12b重叠设置以覆盖天线电路10，在这种状态下通过热压接 接合。当天线电路10的第一导体层12a与半固化片30b不是完全重叠而是仅重叠一部分 时，第二电介质层20b可以与半固化片30b的主表面中、没有与第一导体层1 重叠的地方 部分接合。对于热压接，可参照上述工序A及工序B的说明。根据需要，也可以设置覆盖图1中的第一导体层12a或图3中的第二导体层12b 的保护层。实施例下面通过例举合成例、实施例及比较例进一步具体说明实施方式。首先说明各例 中所使用的RF标签的评价方法。耐环境性评价对于耐环境性的判定是通过耐热循环性试验及耐高温高湿性来进行。用于评价的 试样的形态如下所示。RF 标签长 90mm、宽 50mm 及厚 4mm。天线电路10 长90mm及宽40mm。金属箔M 长90mm及宽55mm。耐热循环性通过将RF标签试样放进耐热循环性评价装置中来进行耐热循环性的判定。作为 评价指标采用RF标签的基于目测确认观测到层间剥离时的循环数、以及达到500次循环时的天线电路间电阻值和GND图形间电阻值的从初始值起的变化率。试验条件温度为-20°C /+60°C、各30分钟。耐高温高湿性通过将RF标签试样放进恒温恒湿槽中来进行耐高温高湿性的判定。作为评价指 标采用RF标签的基于目测确认观测到层间剥离时的循环数、以及达到500次循环时的天线 电路间电阻值和GND图形间电阻值的从初始值起的变化率。 试验条件温度80°C，相对湿度85%。在上面两个试验中，对于天线电路间及GND图形间的导通的确认方法为，测定在 天线电路10的存储介质11被电连接的部分加载0. 5A的电流时的导体电阻率，基于从初始 值起的变化率进行评价。此外，对于放进耐热循环性评价装置后小于500次循环或放进恒 温恒湿槽后小于500小时就发生了层间剥离的RF标签、在制造工序中或刚制造完成后发现 层间剥离的情况等没能制得RF标签的样品，其各图形间电阻值变化率的评价为不能测定。然后，用于实施例的高分子材料的制造方法如合成例所示。合成例1接枝共聚物的制造在内部容积为20升的不锈钢制高压釜中加入8500g纯水，然后溶解作为悬浊剂的 750g聚乙烯醇1质量％水溶液。向其中加入3500g如下所述的聚丙烯，进行搅拌分散。另 外，将10. Og作为自由基聚合引发剂的过氧化苯甲酰、37. 5g作为自由基共聚性有机过氧化 物的叔丁基过氧化甲基丙烯酰氧基乙基碳酸酯溶于IOSOg单官能芳香族乙烯单体的苯乙 烯和300g的双官能芳香族乙烯单体的二乙烯基苯中，将该溶液投入到所述高压釜中进行 搅拌。然后将高压釜的温度升至85 95°C，搅拌2小时，从而将含有过氧化苯甲酰及叔 丁基过氧化甲基丙烯酰氧基乙基碳酸酯的二乙烯基苯及苯乙烯浸渍到聚丙烯中。然后将温 度降至75 85°C，在该温度下保持5小时，使聚合完全，过滤后，经水洗及干燥得到接枝化 前驱体。然后，将该接枝化前驱体用LABO PLAST0MILL挤出机((株)东洋精机制作所制) 在210°C下挤出，通过接枝反应得到接枝树脂。进而，在该接枝树脂中分别干混IOg作为 抗氧化剂的1，3，5-三甲基-2，4，6-三(3，5-二叔丁基-4-羟基苄基)苯、双(2，6-二叔 丁基-4-甲基苯基)季戊四醇二磷酸酯后，给料到进料筒温度设定为210°C的螺杆直径为 30mm的同轴方向双轴螺杆挤压机(TEX-30ci、(株)日本制钢所制)，经挤出后造粒得到接 枝共聚物。聚丙烯(商品名“SunAllomer-PM671A，，、SunAllomer (株)制)过氧化苯甲酰(商品名“NYPER-BW、日油(株)制、75%纯度的含水物)叔丁基过氧化甲基丙烯酰氧基乙基碳酸酯(日油(株)制、40%甲苯溶液)1，3，5_三甲基-2，4，6-三(3，5_ 二叔丁基_4_羟基苄基)苯(商品名“Irganox 1330”，Ciba Specialty Chemicals (株)制)双(2，6_ 二叔丁基-4-甲基苯基)季戊四醇二磷酸酯(商品名“ADKSTAB PEP-36，，、(株)ADEKA 制)合成例2 14、接枝共聚物的制造使用与合成例1所示的方法相同的方法，将芳香族乙烯单体接枝聚合到各种主链
权利要求
1.一种RF标签，该RF标签包括半固化片板和天线电路(10)及金属箔层00)；所述半固化片板是由第一电介质层(20a)及分别层叠于所述第一电介质层(20a)的两个主表面上的两个半固化片层(30a、30b)所形成；所述天线电路(10)以及金属箔层GO)分别层叠于所述半固化片板的所述两个半固化 片层(30a、30b)；所述第一电介质层(20a)是由在60 85质量份聚合物(a)上接枝聚合15 40质量 份芳香族乙烯单体(b)所得到的接枝共聚物构成，所述聚合物(a)是由基于α-烯烃单体 或链状共轭二烯单体的单体单元所构成；所述芳香族乙烯单体(b)含有70 95质量％的 单官能芳香族乙烯单体bl以及5 30质量％的双官能芳香族乙烯单体1^2 ；所述两个半固化片层(30a、30b)分别为在玻璃纤维基材中浸渍环氧树脂而得到的环 氧树脂浸渍玻璃纤维基材；所述天线电路(10)包括第一导体层(12a)和安装于所述第一导体层(12a)上的可读 取及写入信息的存储介质(11)；所述两个半固化片层(30a、30b)通过热压接分别接合到所述第一电介质层(20a)的所 述两个主表面上；所述天线电路(10)以及所述金属箔层GO)通过热压接分别接合到所述半固化片板的 所述两个半固化片层(30a、30b)上。
2.如权利要求1所述的RF标签，其特征在于，所述第一导体层(12a)和所述金属箔层 (40)电导通。
3.如权利要求1或2所述的RF标签，其特征在于，在所述第一导体层(12a)的表面中、 与所述半固化片层(30b)相反侧的面上具有依次层叠的第二电介质层(20b)和第二导体层 (12b)，所述第一导体层(12a)和所述第二导体层(12b)电导通；所述第二电介质层(20b)是由在60 85质量份聚合物(a)上接枝聚合15 40质量 份芳香族乙烯单体(b)所得到的接枝共聚物构成，所述聚合物(a)是基于α-烯烃单体或 链状共轭二烯单体的单体单元所构成，所述芳香族乙烯单体(b)含有70 95质量％的单 官能芳香族乙烯单体(bl)以及5 30质量％的双官能芳香族乙烯单体( )；所述第一导 体层(1 )、所述第二电介质层OOb)与所述第二导体层(12b)通过热压接依次接合。
4.如权利要求2或3所述的RF标签，其特征在于，还包括用于所述电导通的通孔(50)。
5.如权利要求2或3所述的RF标签，其特征在于，还包括用于所述电导通的端面电极 (60)。
6.权利要求1所述的RF标签的制造方法，其特征在于，包括工序A及工序B；所述工序A是将所述两个半固化片层(30a、30b)通过热压接分别接合于所述第一电介 质层QOa)的所述两个主表面上，制成所述半固化片板的工序；所述工序B是将所述天线电路(10)及所述金属箔层GO)通过热压接分别接合于所述 半固化片板的所述两个半固化片层(30a、30b)上的工序。
全文摘要
本发明提供一种RF标签，该RF标签包括半固化片板，所述半固化片板包括第一电介质层(20a)、以及分别层叠到该电介质层(20a)的两个主表面上的半固化片层(30a、30b)。所述第一电介质层(20a)是在60～85质量份的聚合物(a)上聚合15～40质量份的芳香族乙烯单体(b)得的接枝共聚物，所述聚合物(a)是基于α-烯烃单体或链状共轭二烯单体得到的，所述芳香族乙烯单体(b)含有70～95质量％的单官能芳香族乙烯单体(b1)以及5～30质量％的双官能芳香族乙烯单体(b2)。各半固化片层(30a、30b)为环氧树脂浸渍玻璃纤维基材。天线电路(10)以及金属箔层(40)通过热压接分别与半固化片板的半固化片层(30a、30b)接合。
文档编号B32B15/092GK102124474SQ2009801319
公开日2011年7月13日 申请日期2009年9月30日 优先权日2008年9月30日
发明者久保田和宏, 大田利博, 水口胜信 申请人:日油株式会社