专利名称：一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜及其制作方法
技术领域：
本发明涉及挠性电路板以及刚挠电路板用的屏蔽膜领域，具体为一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜及其制作方法。
背景技术：
随着电子产品轻、薄、短、小的需求，以及通讯系统的高频化及高速的驱动下所引发的组件内部及外部的电磁干扰问题将逐渐严重，电磁屏蔽成为必然。目前，主要的抗电磁干扰技术包括屏蔽技术、接地技术和滤波技术。对于电路板，包括挠性电路板、硬板以及刚挠电路板，实现抗电磁干扰主要从以下几个方面考虑。印刷导电银浆，增加金属铜层或者贴合电磁屏蔽膜。从挠曲性和厚度方面考虑，电磁屏蔽膜具有更 好地操作和实用性能。广泛应用于挠性电路板和刚挠电路板中。现有屏蔽膜主要分以下几种结构第一种结构如下公告号为CN 101176388A，名称为《屏蔽膜、屏蔽印刷电路板、屏蔽柔性印刷电路板、屏蔽膜制造方法及屏蔽印刷电路板制造方法》的中国发明专利公开了一种屏蔽膜，其是最外层硬层和次外层软层构成绝缘层，在软层上形成一层实心金属导体层，然后在实心金属导体层上形成一层热固化的导电胶层，由于具有一层实心的金属屏蔽层，该屏蔽膜具有较高的屏蔽效能。但是随着频率的增高，特别是当频率超过IGHz后，其屏蔽效能大大地降低，不能满足60dB以上的屏蔽效能要求；因此，对于需要60dB以上稳定屏蔽效能要求的产品，很多厂家还是选用印刷一定厚度的银浆实现。公告号为CN101448362B，名称为《可改变电路阻抗的极薄屏蔽膜、电路板及其制作方法》的中国发明专利公开的产品结构是三层结构，绝缘层是最外层、然后是一层金属导体层、最后在金属导体层上涂布一层热固化的导电胶层。该发明专利重点是通过改变金属导体层的网格尺寸，实现最终的阻抗控制；同时兼具了屏蔽膜功能。但其屏蔽效能与上述的屏蔽膜相当，存在相同的不足。且上述两个专利申请都是采用了一层金属导体层，然后涂布导电胶的结构实现屏蔽功能，仅是一般意义上的屏蔽膜。第二种结构如下公开号为CN 1842245A，名称为《附有导电层的电子组件及导电胶膜与其制造方法》的中国发明专利公开的是由两层结构组成。最外层为金属导体层，然后是导电胶层。相对于第一种结构，最外层没有绝缘层，最外层能够直接与金属相连接。其屏蔽结构是采用一层金属导体层，然后涂布导电胶层。屏蔽效能与上述第一种结构没有本质区别。第三种结构如下公开号为CN 101120627A，名称为《电磁波屏蔽性粘合薄膜、其制备方法以及被粘合物的电磁波屏蔽方法》的中国发明专利公开的是由两层结构组成，最外层绝缘层，然后是全方位的导电胶层。相对于第一和第二种结构，这种结构没有实心的金属薄膜层结构。能够实现更薄的要求，耐弯折性能更好，更廉价。但是作为屏蔽膜，最重要的指标是屏蔽效能，由于缺少实心屏蔽金属导体层，当传输频率超过IGHz时,其屏蔽效能不能到达40dB。第四种结构如下公开号为CN 2626193Y，名称为《具有高导热及电磁屏蔽功能的复合材料》中国发明专利公开的是具有的两层屏蔽层，但是电磁屏蔽层呈棋盘格状，两屏蔽层中间设置在一高导热层中而形成。一方面，其导热胶内包含有地导热粒子，不能将屏蔽层中累计的电荷导入接地层实现稳定的高频信号屏蔽；另外一方面，金属导体层呈棋盘格状，不是实心金属屏蔽层结构，实现不了极高屏蔽效能。第五种结构如下公告号为CN 1819758A，名称为《电磁双重屏蔽膜》的中国发明专利公开了一种采 用奥氏体的镍铬类不锈钢作为溅射靶材的电磁双重屏蔽膜，是对于塑料表面加工，而且整体生产效率极低，不能实现卷状的极薄屏蔽膜大规模生产。第六种结构如下公告号为CN 101521985A，名称为《屏蔽结构及具有该屏蔽结构的柔性印刷电路板》的中国发明专利公开了一种屏蔽膜，先采用涂布的方式形成一单面挠性覆铜板结构，然后在金属层上涂布导电胶而成，其中金属铜层在1-6微米之间，聚酰亚胺在3-10微米范围。由于金属层厚度大于I微米，远高于目前市场上的屏蔽金属层厚度，硬度大幅度增加，不利于柔韧性要求。同时该结构金属箔需要载体支撑而工艺复杂、成本高昂，无市场竞争力。第七种结构如下公告号为CN 101772996A，名称为《印刷布线板用屏蔽膜以及印刷布线板》的中国发明专利公开了一种屏蔽膜，获得对于从大弯曲半径至变为小的弯曲半径的反复弯曲及滑动，金属层难以发生破坏的印刷布线板用屏蔽膜以及印刷布线板。该第一金属层是一种以上的鳞片状金属粒子形成的层，第二金属层是具有多个孔的多孔质层。难以实现极高屏蔽效能。上述几种结构或者是一层完整金属导体层涂布导电胶结构；或者是仅有一层全方位的导电胶的结构；或者是有两层网格金属导体层、无实心金属导体层且无接地设计的导热的结构设计。或者不能满足60dB以上的屏蔽效能、或者不能满足弯折性能、或者不能满足剥离强度、或者不能满足抗氧化性能、或者不能满足极薄卷状生产的规模化生产。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种抗干扰性能好，且能够提供良好的弯曲性能，满足电子产品的轻、薄需求的高屏蔽效能的极薄屏蔽膜。本发明的另一目的是提供一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜的制作方法。本发明是这样实现的一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜，其包括两层以上的实心屏蔽层。所述实心屏蔽层之间为在逐层表面上依次形成。所述实心屏蔽层至少有两层由不同材料制成。所述最外层实心屏蔽层一侧外表面形成有导电胶层，所述最外层实心屏蔽层一侧外表面形成有绝缘膜层。
所述绝缘膜层可以是各种绝缘薄膜层，或者各种树脂层，或者是绝缘层薄膜上根据需要涂布不同树脂复合而成。所述绝缘膜层外表面覆盖有载体膜层，所述导电胶层外表面根据需要可以形成有保护膜。所述绝缘膜层为连接在一起的第一绝缘膜层和第二绝缘膜层组成，其厚度为3-25微米。其中所述第一绝缘膜层选用的材料是聚苯硫醚(PPS)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酯或聚酰亚胺薄膜；第二绝缘膜层是涂布的环氧树脂、聚氨酯类树脂、丙烯酸树脂或者聚酰亚胺树脂。所述实心屏蔽层的材料是铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银或金，或者是包含上述金属中任意一种以上的金属合金，包括但不仅限于镍铬合金，铜镍合金、钛锰合金、镍铬类不锈钢等材质；也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。厚度为0.01微米-0.5微米之间。考虑弯折需求,厚度优先选择0. 01微米-0. 2微米之间。所述导电胶层中的粘合剂是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯类、聚酯类、聚乙烯类、聚酰胺类、橡胶类丙烯酸酯类等热塑性树脂，或者使用酚醛类、环氧类、氨基甲酸酯类、三聚氰胺类或醇酸类热固性树脂；导电粒子可以是碳、银、镍、铜颗粒、镍金、铜镍、铜银、镍银、镍金、银包玻璃或者铜镍金颗粒或者碳纳米管，其导电粒子与胶的重量比为10%到400%。根据实际要求，优先选择导电胶层厚度为3um-20um，重量比为10%_100%。从可靠性和成本两个方面考虑，导电粒子优先选择银包铜粒子、镍包铜粒子、银粒子、铜粒子、镍粒子；粘合剂优先选择耐高温的具有热固化性能的环氧树脂或者丙烯酸树脂；予固化条件为温度为80°C至150°C，时间为20分钟-I分钟。所述保护膜选用成本低廉且能耐受一定温度的聚酯保护膜，也可以是聚酯硅胶保护膜。厚度25微米到125微米。一种极高屏蔽效能的极薄屏蔽膜的制作方法，包括以下制作步骤I)在载体膜层上形成绝缘膜层；2)在绝缘膜层上形成第一实心屏蔽层；3)在第一实心屏蔽层上表面形成至少一层实心屏蔽层；4)在最外层心屏蔽层的外表面形成有导电胶层。
以上操作步骤可以依顺序形成，也可以是如下第二制作步骤一种极高屏蔽效能的极薄屏蔽膜的制作方法，包括以下制作步骤I)根据需要形成可剥离的两层以上的实心屏蔽层；2)在所述实心屏蔽层一侧外表面形成绝缘膜层；3)在所述实心屏蔽层另一侧外表面形成需要的导电胶层。所述导电胶层外表面根据需要形成保护膜。以上形成的屏蔽膜结构以上述形成的一致，但工艺不同。其中，绝缘膜层选用的材料是PPS、PEN、聚酯、聚酰亚胺薄膜；或者是涂布改性环氧树脂、聚氨酯类树脂、改性丙烯酸树脂、或者聚酰亚胺树脂；或者是绝缘层薄膜上根据需要涂布不同树脂复合而成；所述绝缘膜层厚度3微米一 25微米，优先选择3微米一 7微米之间，保证足够的柔韧性和介电强度。两层以上的实心屏蔽层直接因为具有不同的电磁屏蔽界面，可以通过对干扰信号的多次反射和吸收，实现对高频和高速干扰信号的高效屏蔽。实心屏蔽层与线路板经过导电胶的电气连接，保证干扰信号形成的电荷能够顺利接地，实现高效屏蔽。与现有的技术相比，本发明具有如下优点提供了两层以上极薄的实心屏蔽层，能够多次反射和吸收高频干扰信号，同时将多余电荷导入接地层，实现极高屏蔽效能，经测试，在频率超过300MHz时，屏蔽效能能够达到60dB以上；设置不同的屏蔽层可以实现高剥离强度、抗氧化性能，同时极薄的屏蔽层能够提供很好的弯曲性能，满足电子产品的轻、薄需求。
图I为本发明高屏蔽效能的极薄屏蔽膜实施例I的剖面图结构示意图；图2为本发明高屏蔽效能的极薄屏蔽膜实施例2的剖面图结构示意图；
图3为本发明高屏蔽效能的极薄屏蔽膜实施例3的剖面图结构示意图；图4为本发明高屏蔽效能的极薄屏蔽膜实施例4的剖面图结构示意图；图5为本发明高屏蔽效能的极薄屏蔽膜实施例5的剖面图结构示意图；图6为本发明高屏蔽效能的极薄屏蔽膜实施例6的剖面图结构示意图。
具体实施例方式以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细的说明。实施例I一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜，如图I所示，包括两层实心屏蔽层第一实心屏蔽层I和第二实心屏蔽层2。所述第一实心屏蔽层I形成在所述第二实心屏蔽层2表面上。所述第二实心屏蔽层2外表面形成有导电胶层8，所述第一实心屏蔽层I外表面形成有绝缘膜层10。绝缘层膜10上表面覆盖有载体膜层11，所述导电胶层8下表面覆盖保护膜9。载体膜层11对绝缘膜层10起到支撑作用，有利于后续加工。保护膜9对导电胶层8有保护作用，也有利于后续加工，并可以防止外界污染。其中，所述第一实心屏蔽层I和第二实心屏蔽层2通过导电胶层8实现接地。一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜的制作方法，其包括的具体制作步骤如下I)在载体膜层11上形成绝缘膜层10，绝缘膜层10厚度3-25微米；绝缘膜层10选用的材料是PPS、PEN、聚酯、聚酰亚胺薄膜；或者是涂布环氧树脂、聚氨酯类树脂、丙烯酸树脂、或者聚酰亚胺树脂。厚度优先选择3微米-8微米之间。2)在绝缘膜层上形成需要的第一实心屏蔽层。所述第一实心屏蔽层的材料可以是铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金以及包含这些材料中任意一种以上的金属合金，包括但不仅限于镍铬合金，铜镍合金、钛锰合金、镍铬类不锈钢等材质；也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。其厚度为0.01微米一 0.5微米之间。可以采用化学镀方式、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、电子枪蒸发镀、溅射镀、电镀或者其复合工艺形成。考虑弯折需求，厚度优先选择0. 01微米-0. 2微米之间。3)在所述第一实心屏蔽层I上形成所需要的第二实心屏蔽层2。第二实心屏蔽层2的材料可以是铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金以及包含这些材料中任意一种以上的金属合金，包括但不仅限于镍铬合金，铜镍合金、钛锰合金、镍铬类不锈钢等材质；也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。厚度为0.01微米-3微米之间。可以采用化学镀方式、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、电子枪蒸发镀、溅射镀、电镀或者其复合工艺形成。考虑屏蔽效能，第一实心屏蔽层和第二实心屏蔽层为不同的屏蔽材料。所述第二实心屏蔽层厚度优先选择0. 01微米-I微米之间。4)在第二实心屏蔽层2外表面上涂布导电胶层，予固化。所述导电胶层中的粘合剂是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯类、聚酯类、聚乙烯类、聚酰胺类、橡胶类丙烯酸酯类等热塑性树脂，或者使用酚醛类、环氧类、氨基甲酸酯类、三聚氰胺类或醇酸类热固性树脂；导电粒子可以是碳、银、镍、铜颗粒、镍金、铜镍、铜银、镍银、镍金、银包玻璃或者铜镍金颗粒或者碳纳米管，其导电粒子与胶的重量比为10%到400%。根据实际要求，优先选择导电胶层厚度为5um-20um,重量比为10%_100%。从可靠性和成本两个方面考虑，导电粒子优先选择银包铜粒 子、镍包铜粒子、银粒子、铜粒子、镍粒子；粘合剂优先选择耐高温的具有热固化性能的改性环氧树脂或者改性丙烯酸树脂；厚度为3um至50um，予固化条件为温度为80°C至150°C，时间为20分钟-I分钟。5)在导电胶层8覆盖可离形的保护膜9。所述保护膜9选用成本低廉且能耐受一定温度的聚酯保护膜，也可以是聚酯硅胶保护膜。厚度25微米到125微米。实施例2一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜，如图2所示，包括三层实心屏蔽层第一实心屏蔽层I、第二实心屏蔽层2和第三实心屏蔽层3。所述第一实心屏蔽层I、第二实心屏蔽层2和第三实心屏蔽层2逐层依次在下一层的外表面上形成。所述第三实心屏蔽层3外表面形成有导电胶层8，所述第一实心屏蔽层I外表面形成有绝缘膜层I。绝缘层膜I上表面覆盖有载体膜层I，所述导电胶层8下表面覆盖保护膜9。载体膜层I对绝缘膜层I起到支撑作用，有利于后续加工；保护膜9对导电胶层8有保护作用，也有利于后续加工，并可以防止外界污染。所述第一实心屏蔽层I、第二实心屏蔽层2和第三实心屏蔽层2通过导电胶层实现接地。一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜的制作方法，其包括的具体制作步骤如下I)在载体膜层11上形成绝缘膜层10，绝缘膜层10厚度3-25微米；绝缘膜层选用的材料是PPS、PEN、聚酯、聚酰亚胺薄膜；或者是涂布环氧树脂、聚氨酯类树脂、丙烯酸树月旨、或者聚酰亚胺树脂。厚度优先选择3微米-8微米之间。2)在绝缘膜层10上形成需要的第一实心屏蔽层。所述第一实心屏蔽层的材料可以是铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金以及包含这些材料中任意一种以上的合金金属层，包括但不仅限于镍铬合金，铜镍合金、钛锰合金、镍铬类不锈钢等材质；也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。厚度为0.01微米-0.5微米之间。可以采用化学镀方式、PVD、CVD、电子枪蒸发镀、溅射镀、电镀或者其复合工艺形成。考虑弯折需求，厚度优先选择0. 01微米一0.2微米之间。3)在所述第一实心屏蔽层I上形成需要的第二实心屏蔽层2。第二实心屏蔽层2材料可以是铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金以及包含这些材料中任意一种以上的合金金属层，包括但不仅限于镍铬合金，铜镍合金、钛锰合金、镍铬类不锈钢等材质；也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。厚度为0. 01微米-3微米之间。可以采用化学镀方式、PVD、CVD、电子枪蒸发镀、溅射镀、电镀或者其复合工艺形成。第一实心屏蔽层和第二实心屏蔽层为不同的屏蔽材料。第二实心屏蔽层厚度优先选择0. 01微米-0. 5微米之间。
4)在所述第二实心屏蔽层2上形成需要的第三实心屏蔽层3。第三实心屏蔽层3材料是铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金以及包含这些材料中任意一种以上的合金金属层，包括但不仅限于镍铬 合金，铜镍合金、钛锰合金、镍铬类不锈钢等材质；也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。厚度为0.01微米-3微米之间。可以采用化学镀方式、PVD、CVD、电子枪蒸发镀、溅射镀、电镀或者其复合工艺形成。第二实心屏蔽层2和第三实心屏蔽层3可以是不同的屏蔽材料，两者的工艺可以不同。第三实心屏蔽层3可以增加屏蔽效能，其厚度优先选择0. 01微米-I微米之间。5)在第三实心屏蔽层3外表面上涂布导电胶层8，予固化。所述导电胶层中的粘合剂是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯类、聚酯类、聚乙烯类、聚酰胺类、橡胶类丙烯酸酯类等热塑性树脂，或者使用酚醛类、环氧类、氨基甲酸酯类、三聚氰胺类或醇酸类热固性树脂；导电粒子可以是碳、银、镍、铜颗粒、镍金、铜镍、铜银、镍银、镍金、银包玻璃或者铜镍金颗粒或者碳纳米管，其导电粒子与胶的重量比为10%到400%。根据实际要求，优先选择导电胶层厚度为5um-20um,重量比为10%_100%。从可靠性和成本两个方面考虑，导电粒子优先选择银包铜粒子、镍包铜粒子、银粒子、铜粒子、镍粒子；粘合剂优先选择耐高温的具有热固化性能的改性环氧树脂或者改性丙烯酸树脂；厚度为3um至50um，予固化条件为温度为80°C至150°C，时间为20分钟-I分钟。6)在导电胶层覆盖可离形的保护膜。所述保护膜选用成本低廉且能耐受一定温度的聚酯保护膜，也可以是聚酯硅胶保护膜。厚度25微米到125微米。实施例3—种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜，如图3所示，包括四层实心屏蔽层第一实心屏蔽层I、第二实心屏蔽层2、第三实心屏蔽层3和第四实心屏蔽层4。所述第一实心屏蔽层I、第二实心屏蔽层2、第三实心屏蔽层3和第四实心屏蔽层3为逐层依次在下一层的外表面上形成。所述第四实心屏蔽层4外表面形成有导电胶层8，所述第一实心屏蔽层I外表面形成有绝缘膜层I。绝缘层膜I上表面覆盖有载体膜层I，所述导电胶层8下表面覆盖保护膜9。载体膜层I对绝缘膜层I起到支撑作用，有利于后续加工；保护膜9对导电胶层8有保护作用，也有利于后续加工，并可以防止外界污染。四层实心屏蔽层通过导电胶层实现接地。一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜的制作方法，其包括的具体制作步骤如下I)在载体膜层11上形成绝缘膜层10，绝缘膜层10厚度3-25微米；绝缘膜层选用的材料是PPS、PEN、聚酯、聚酰亚胺薄膜；或者是涂布改性环氧树脂、聚氨酯类树脂、改性丙烯酸树脂、或者聚酰亚胺树脂。厚度优先选择3微米-8微米之间。2)在绝缘膜层上形成需要的第一实心屏蔽层I。所述第一实心屏蔽层I材料是铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金以及包含这些材料中任意一种以上的合金金属层，包括但不仅限于镍铬合金，铜镍合金、钛锰合金、镍铬类不锈钢等材质；也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。厚度为0.01微米至0.5微米之间。可以采用化学镀方式、PVD、CVD、电子枪蒸发镀、溅射镀、电镀或者其复合工艺形成。考虑弯折需求，厚度优先选择0. 01微米-0. 2微米之间。3)在所述第一实心屏蔽层I上形成需要的第二实心屏蔽层2。第二实心屏蔽层材料是铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金以及包含这些材料中任意一种以上的合金金属层，包括但不仅限于镍铬合金，铜镍合金、钛锰合金、镍铬类不锈钢等材质；也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。厚度为0. Ol微米-3微米之间。可以采用化学镀方式、PVD、CVD、电子枪蒸发镀、溅射镀、电镀或者其复合工艺形成。第一实心屏蔽层I和第二实心屏蔽层2为不同的屏蔽材料。第二实心屏蔽层2厚度优先选择0. 01微米-0. 5微米之间。4)在所述第二实心屏蔽层2上形成需要的第三实心屏蔽层3。第三实心屏蔽层3材料是铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金以及包含这些材料中任意一种以上的合金金属层，包括但不仅限于镍铬合金，铜镍合金、钛锰合金、镍铬类不锈钢等材质；也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。厚度为0.01微米一 3微米之间。可以采用化学镀方式、PVD、CVD、电子枪蒸发镀、溅射镀、电镀或者其复合工艺形成。第二实心屏蔽层和第三实心屏蔽层可以是不同的屏蔽材料，两者的工艺可以不同。第三实心屏蔽层可以增加屏蔽效能，其厚度优先选择0.01微米-I微米之间。5)在所述第三实心屏蔽层3上形成需要的第四实心屏蔽层4。第四实心屏蔽层4材料是铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金以及包含这些材料中任意一种以上的合金金属层，包括但不仅限于镍铬合金，铜镍合金、钛锰合金、镍铬类不锈钢等材质；也可以是铁氧体 和碳纳米管等材质。厚度为0.01微米一 3微米之间。可以采用化学镀方式、PVD、CVD、电子枪蒸发镀、溅射镀、电镀或者其复合工艺形成。第四实心屏蔽层和第三实心屏蔽层可以是不同的屏蔽材料，第四实心屏蔽层可以提高屏蔽效能、提高抗氧化性能。其厚度优先选择0.01微米-I微米之间。6)在第四实心屏蔽层4外表面上涂布导电胶层，予固化。所述导电胶层中的粘合剂是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯类、聚酯类、聚乙烯类、聚酰胺类、橡胶类丙烯酸酯类等热塑性树脂，或者使用酚醛类、环氧类、氨基甲酸酯类、三聚氰胺类或醇酸类热固性树脂；导电粒子可以是碳、银、镍、铜颗粒、镍金、铜镍、铜银、镍银、镍金、银包玻璃或者铜镍金颗粒或者碳纳米管，其导电粒子与胶的重量比为10%到400%。根据实际要求，优先选择导电胶层厚度为5um-20um,重量比为10%_100%。从可靠性和成本两个方面考虑，导电粒子优先选择银包铜粒子、镍包铜粒子、银粒子、铜粒子、镍粒子；粘合剂优先选择耐高温的具有热固化性能的改性环氧树脂或者改性丙烯酸树脂；厚度为3um至50um，予固化条件为温度为80°C至150°C，时间为20分钟-I分钟。6)在导电胶层覆盖可离形的保护膜。所述保护膜选用成本低廉且能耐受一定温度的聚酯保护膜，也可以是聚酯硅胶保护膜。厚度25微米到125微米。实施例4一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜，如图4所示，包括两层实心屏蔽层第一实心屏蔽层I和第二实心屏蔽层2。所述第二实心屏蔽层2为在第一实心屏蔽层I表面上形成。所述第二实心屏蔽层2外表面形成有导电胶层8，所述第一实心屏蔽层I外表面形成有绝缘膜层10。绝缘层膜10外面形成有绝缘层12，绝缘层12上表面覆盖有载体膜层1，所述导电胶层8下表面覆盖保护膜9。载体膜层I对绝缘膜层I和绝缘层2起到支撑作用，有利于后续加工；保护膜9对导电胶层8有保护作用，也有利于后续加工，并可以防止外界污染。两实心屏蔽层通过导电胶层8实现接地。一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜的制作方法，其包括的具体制作步骤如下I)在载体膜层上形成第二绝缘膜层12，所述第二绝缘膜层12上形成第一绝缘膜层10，所述第二绝缘膜层12和第一绝缘膜层10整体厚度3-25微米。所述第二绝缘膜层12选用的材料是PPS、PEN、聚酯、聚酰亚胺薄膜；第一绝缘膜层1010是涂布改性环氧树脂、聚氨酯类树脂、改性丙烯酸树脂、或者聚酰亚胺树脂而成。所述第二绝缘膜层12和第一绝缘膜层10根据需要可以顺序互换，即靠近载体膜可以是第一绝缘膜层10，然后是第二绝缘膜层12。不受附图所示结构所限制。设置多层绝缘层目的是提高绝缘层压合时耐撕裂能力，实现更高台阶压合需求。总绝缘层厚度优先选择3微米-8微米之间。2)在绝缘膜层上形成需要的第一实心屏蔽层。所述第一实心屏蔽层材料是铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金以及包含这些材料中任意一种以上的合金金属层，包括但不仅限于镍铬合金，铜镍合金、钛锰合金、镍铬类不锈钢等材质；也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。厚度为0.01微米-0.5微米之间。可以采用化学镀方式、PVD、CVD、电子枪蒸发镀、溅射镀、电镀或者其复合工艺形成。考虑弯折需求，厚度优先选择0. 01微米-0. 2微米之间。
3)在所述第一实心屏蔽层上形成需要的第二实心屏蔽层。第二实心屏蔽层材料是铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金以及包含这些材料中任意一种以上的合金金属层，包括但不仅限于镍铬合金，铜镍合金、钛锰合金、镍铬类不锈钢等材质；也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。厚度为0.01微米至3微米之间。可以采用化学镀方式、PVD、CVD、电子枪蒸发镀、溅射镀、电镀或者其复合工艺形成。考虑屏蔽效能，第一实心屏蔽层和第二实心屏蔽层为不同的屏蔽材料。第二实心屏蔽层厚度优先选择0. 01微米-I微米之间。4)在第二实心屏蔽层外表面上涂布导电胶层，予固化。所述导电胶层中的粘合剂是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯类、聚酯类、聚乙烯类、聚酰胺类、橡胶类丙烯酸酯类等热塑性树脂，或者使用酚醛类、环氧类、氨基甲酸酯类、三聚氰胺类或醇酸类热固性树脂；导电粒子可以是碳、银、镍、铜颗粒、镍金、铜镍、铜银、镍银、镍金、银包玻璃或者铜镍金颗粒或者碳纳米管，其导电粒子与胶的重量比为10%到400%。根据实际要求，优先选择导电胶层厚度为5um-20um,重量比为10%_100%。从可靠性和成本两个方面考虑，导电粒子优先选择银包铜粒子、镍包铜粒子、银粒子、铜粒子、镍粒子；粘合剂优先选择耐高温的具有热固化性能的改性环氧树脂或者改性丙烯酸树脂；厚度为3um至50um，予固化条件为温度为80°C至150°C，时间为20分钟-I分钟。5)在导电胶层覆盖可离形的保护膜。所述保护膜选用成本低廉且能耐受一定温度的聚酯保护膜，也可以是聚酯硅胶保护膜。厚度25微米到125微米。实施例5一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜，如图5所示，包括三层实心屏蔽层第一实心屏蔽层I、第二实心屏蔽层2和第三实心屏蔽层3。所述第一实心屏蔽层I、第二实心屏蔽层2和第三实心屏蔽层3为逐层依次在下一层的外表面上形成。所述第三实心屏蔽层3外表面形成有导电胶层8，所述第一实心屏蔽层I外表面形成有绝缘膜层10。绝缘层膜10外面形成有绝缘层12，绝缘层12上表面覆盖有载体膜层11，所述导电胶层8下表面覆盖保护膜9。载体膜层11对绝缘膜层I和绝缘层2起到支撑作用，有利于后续加工；并可以防止外界污染。三层实心屏蔽层通过导电胶层实现接地。一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜的制作方法，其包括的具体制作步骤如下I)在载体膜层上形成第二绝缘膜层12，所述第二绝缘膜层12上形成第一绝缘膜层10，所述第二绝缘膜层12和第一绝缘膜层10整体厚度3-25微米。所述第二绝缘膜层12选用的材料是PPS、PEN、聚酯、聚酰亚胺薄膜；第一绝缘膜层1010是涂布改性环氧树脂、聚氨酯类树脂、改性丙烯酸树脂、或者聚酰亚胺树脂而成。所述第二绝缘膜层12和第一绝缘膜层10根据需要可以顺序互换，即靠近载体膜可以是第一绝缘膜层10，然后是第二绝缘膜层12。不受附图所示结构所限制。设置多层绝缘层目的是提高绝缘层压合时耐撕裂能力，实现更高台阶压合需求。总绝缘层厚度优先选择3微米-8微米之间。2)在绝缘膜层上形成需要的第一实心屏蔽层。所述第一实心屏蔽层材料是铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金以及包含这些材料中任意一种以上的合金金属层，包括但不仅限于镍铬合金，铜镍合金、钛锰合金、镍铬类不锈钢等材质；也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。厚度为0.01微米-0.5微米之间。可以采用化学镀方式、PVD、CVD、电子枪蒸发镀、溅射镀、电镀或者其复合工艺形成。考虑弯折需求，厚度优先选择0. 01微米-0. 2微米之间。3)在所述第一实心屏蔽层上形成需要的第二实心屏蔽层。第二实心屏蔽层材料是 铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金以及包含这些材料中任意一种以上的合金金属层，包括但不仅限于镍铬合金，铜镍合金、钛锰合金、镍铬类不锈钢等材质；也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。厚度为0.01微米至3微米之间。可以采用化学镀方式、PVD、CVD、电子枪蒸发镀、溅射镀、电镀或者其复合工艺形成。第一实心屏蔽层和第二实心屏蔽层为不同的屏蔽材料。第二实心屏蔽层厚度优先选择0. 01微米-0. 5微米之间。4)在所述第二实心屏蔽层上形成需要的第三实心屏蔽层。第三实心屏蔽层材料是铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金以及包含这些材料中任意一种以上的合金金属层，包括但不仅限于镍铬合金，铜镍合金、钛锰合金、镍铬类不锈钢等材质；也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。厚度为0.01微米至3微米之间。可以采用化学镀方式、PVD、CVD、电子枪蒸发镀、溅射镀、电镀或者其复合工艺形成。第二实心屏蔽层和第三实心屏蔽层可以是不同的屏蔽材料，两者的工艺可以不同。第三实心屏蔽层可以增加屏蔽效能，其厚度优先选择0.01微米-I微米之间。5)在第三实心屏蔽层外表面上涂布导电胶层，予固化。所述导电胶层中的粘合剂是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯类、聚酯类、聚乙烯类、聚酰胺类、橡胶类丙烯酸酯类等热塑性树脂，或者使用酚醛类、环氧类、氨基甲酸酯类、三聚氰胺类或醇酸类热固性树脂；导电粒子可以是碳、银、镍、铜颗粒、镍金、铜镍、铜银、镍银、镍金、银包玻璃或者铜镍金颗粒或者碳纳米管，其导电粒子与胶的重量比为10%到400%。根据实际要求，优先选择导电胶层厚度为5um-20um,重量比为10%_100%。从可靠性和成本两个方面考虑，导电粒子优先选择银包铜粒子、镍包铜粒子、银粒子、铜粒子、镍粒子；粘合剂优先选择耐高温的具有热固化性能的改性环氧树脂或者改性丙烯酸树脂；厚度为3um至50um，予固化条件为温度为80°C至150°C，时间为20分钟-I分钟。6)在导电胶层覆盖可离形的保护膜。所述保护膜选用成本低廉且能耐受一定温度的聚酯保护膜，也可以是聚酯硅胶保护膜。厚度25微米到125微米。实施例6一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜，如图6所示，包括四层实心屏蔽层第一实心屏蔽层I、第二实心屏蔽层2、第三实心屏蔽层3和第四实心屏蔽层4。所述第一实心屏蔽层I、第二实心屏蔽层2、第三实心屏蔽层3和第四实心屏蔽层3为逐层依次在下一层的外表面上形成。所述第四实心屏蔽层4外表面形成有导电胶层8，所述第一实心屏蔽层I外表面形成有绝缘膜层2。绝缘层膜2外面形成有绝缘层1，绝缘层I上表面覆盖有载体膜层1，所述导电胶层8下表面覆盖保护膜9。载体膜层I对绝缘膜层I和绝缘层2起到支撑作用，有利于后续加工；并可以防止外界污染。四层实心屏蔽层通过导电胶层实现接地。一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜的制作方法，其包括的具体制作步骤如下I)在载体膜层上形成第二绝缘膜层12，所述第二绝缘膜层12上形成第一绝缘膜层10，所述第二绝缘膜层12和第一绝缘膜层10整体厚度3-25微米。所述第二绝缘膜层12选用的材料是PPS、PEN、聚酯、聚酰亚胺薄膜；第一绝缘膜层1010是涂布改性环氧树脂、聚氨酯类树脂、改性丙烯酸树脂、或者聚酰亚胺树脂而成。所述第二绝缘膜层12和第一绝缘膜层10根据需要可以顺序互换，即靠近载体膜可以是第一绝缘膜层10，然后是第二绝缘膜层12。不受附图所示结构所限制。设置多层绝缘层目的是提高绝缘层压合时耐撕裂能力，实现更高台阶压合需求。总绝缘层厚度优先选择3微米-8微米之间。 2)在绝缘膜层上形成需要的第一实心屏蔽层。所述第一实心屏蔽层材料是铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金以及包含这些材料中任意一种以上的合金金属层，包括但不仅限于镍铬合金，铜镍合金、钛锰合金、镍铬类不锈钢等材质；也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。厚度为0.01微米-0.5微米之间。可以采用化学镀方式、PVD、CVD、电子枪蒸发镀、溅射镀、电镀或者其复合工艺形成。考虑弯折需求，厚度优先选择0. 01微米-0. 2微米之间。3)在所述第一实心屏蔽层上形成需要的第二实心屏蔽层。第二实心屏蔽层材料是铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金以及包含这些材料中任意一种以上的合金金属层，包括但不仅限于镍铬合金，铜镍合金、钛锰合金、镍铬类不锈钢等材质；也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。厚度为0.01微米至3微米之间。可以采用化学镀方式、PVD、CVD、电子枪蒸发镀、溅射镀、电镀或者其复合工艺形成。第一实心屏蔽层和第二实心屏蔽层为不同的屏蔽材料。第二实心屏蔽层厚度优先选择0. 01微米-0. 5微米之间。4)在所述第二实心屏蔽层上形成需要的第三实心屏蔽层。第三实心屏蔽层材料是铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金以及包含这些材料中任意一种以上的合金金属层，包括但不仅限于镍铬合金，铜镍合金、钛锰合金、镍铬类不锈钢等材质；也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。厚度为0.01微米至3微米之间。可以采用化学镀方式、PVD、CVD、电子枪蒸发镀、溅射镀、电镀或者其复合工艺形成。第二实心屏蔽层和第三实心屏蔽层可以是不同的屏蔽材料，两者的工艺可以不同。第三实心屏蔽层可以增加屏蔽效能，其厚度优先选择0.01微米-I微米之间。5)在所述第三实心屏蔽层上形成需要的第四实心屏蔽层。第四实心屏蔽层材料是铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金以及包含这些材料中任意一种以上的合金金属层，包括但不仅限于镍铬合金，铜镍合金、钛锰合金、镍铬类不锈钢等材质；也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。厚度为0.01微米至3微米之间。可以采用化学镀方式、PVD、CVD、电子枪蒸发镀、溅射镀、电镀或者其复合工艺形成。第四实心屏蔽层和第三实心屏蔽层可以是不同的屏蔽材料，第四实心屏蔽层可以提高屏蔽效能、提高抗氧化性能。其厚度优先选择0. 01微米-I微米之间。6)在第四实心屏蔽层外表面上涂布导电胶层，予固化。所述导电胶层中的粘合剂是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯类、聚酯类、聚乙烯类、聚酰胺类、橡胶类丙烯酸酯类等热塑性树脂，或者使用酚醛类、环氧类、氨基甲酸酯类、三聚氰胺类或醇酸类热固性树脂；导电粒子可以是碳、银、镍、铜颗粒、镍金、铜镍、铜银、镍银、镍金、银包玻璃或者铜镍金颗粒或者碳纳米管，其导电粒子与胶的重量比为10%到400%。根据实际要求，优先选择导电胶层厚度为5um-20um,重量比为10%_100%。从可靠性和成本两个方面考虑，导电粒子优先选择银包铜粒子、镍包铜粒子、银粒子、铜粒子、镍粒子；粘合剂优先选择耐高温的具有热固化性能的改性环氧树脂或者改性丙烯酸树脂；厚度为3um至50um，予固化条件为温度为80°C至150°C，时间为20分钟-I分钟。6)在导电胶层覆盖可离形的保护膜。所述保护膜选用成本低廉且能耐受一定温度的聚酯保护膜，也可以是聚酯硅胶保护膜。厚度25微米到125微米。 实施例7一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜的制作方法，其制作步骤如下(I)形成光亮基体载带；(2)在光亮基体载带上采用蒸发镀或者电沉积或者化学沉积技术，依次形成需要的两层以上的实心屏蔽层；(3)在所述实心屏蔽层外表面形成绝缘膜层；(4)在绝缘膜层上贴合可转移胶膜，将绝缘膜层和实心屏蔽层从光亮基体载带上剥离下来；(5)在所述实心屏蔽层另一侧外表面形成需要的导电胶层(6)根据需要在导电胶层面贴合保护层。关于具体制作两层以上的实心屏蔽层的制作工艺可以依发明人在2009年申请的公开号为CN101486264，专利名称为《一种可剥离的超薄转移载体金属箔及其制造方法》的中国发明专利申请。以上所述者，仅为本发明的较佳实施例而已，当不能以此限定本发明实施的范围， 即大凡依本发明申请专利范围及发明说明内容所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本发明专利涵盖的范围内。
权利要求
1.一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜，其特征在于，包括两层以上的实心屏蔽层。
2.根据权利要求I所述一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜，其特征在于，所述实心屏蔽层为在逐层表面上依次形成。
3.根据权利要求2所述一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜，其特征在于，所述实心屏蔽层至少有两层由不同材料制成。
4.根据权利要求I所述一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜，其特征在于，所述实心屏蔽层一侧外表面形成有导电胶层，所述实心屏蔽层另外一侧外表面形成有一层以上的绝缘膜层。
5.根据权利要求I所述一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜，其特征在于，所述绝缘膜层为连接在一起的第一绝缘膜层和第二绝缘膜层组成，厚度为3-25微米。
6.根据权利要求5所述一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜，其特征在于，所述第一绝缘膜层选用的材料是PPS、PEN、聚酯或者聚酰亚胺薄膜；第二绝缘膜层是涂布的环氧树脂、聚氨酯类树脂、丙烯酸树脂或者聚酰亚胺树脂。
7.根据权利要求4、5或者6所述一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜，其特征在于，所述绝缘膜层外表面覆盖有载体膜层，所述导电胶层外表面根据需要形成有保护膜。
8.根据权利要求I所述一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜，其特征在于，所述实心屏蔽层的材料是铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银或金，或者是包含上述金属中任意一种以上的金属合金，或者是铁氧体、碳纳米管；厚度为O. Ol微米-O. 5微米之间。
9.根据权利要求8所述一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜，其特征在于，所述实心屏蔽层厚度选择O. 01微米-O. 2微米之间。
10.根据权利要求4所述一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜，其特征在于，所述导电胶层中的粘合剂是聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯类、聚酯类、聚乙烯类、聚酰胺类、橡胶类丙烯酸酯类热塑性树脂，或者使用酚醛类、环氧类、氨基甲酸酯类、三聚氰胺类或醇酸类热固性树脂，导电粒子是碳、银、镍、铜颗粒、镍金、铜镍、铜银、镍银、镍金、银包玻璃或者铜镍金颗粒或者碳纳米管，其导电粒子与胶的重量比为10%到400% ;厚度为3um至50um。
11.根据权利要求4所述一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜，其特征在于，导电胶层厚度为5um-20um,重量比为10%_100% ;导电粒子选择银包铜粒子、镍包铜粒子、银粒子、铜粒子或镍粒子。
12.根据权利要求1-11任一所述一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤 1)在载体膜层上形成绝缘膜层； 2)在绝缘膜层上形成第一实心屏蔽层； 3)在第一实心屏蔽层上表面形成至少一层实心屏蔽层； 4)在最外层心屏蔽层的外表面形成有导电胶层。
13.根据权利要求1-11任一所述一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜的制作方法，其特征在于，包括以下制作步骤 1)根据需要形成可剥离的两层以上的实心屏蔽层； 2)在所述实心屏蔽层一侧外表面形成绝缘膜层； 3)在所述实心屏蔽层另一侧外表面形成需要的导电胶层。
全文摘要
本发明提供一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜，包括两层以上实心屏蔽层，所述实心屏蔽层一侧外表面涂覆有导电胶层，所述实心屏蔽层另外一侧外表面设置有一层以上的绝缘层；所述绝缘膜层外表面设置有载体膜层，所述导电胶层下表面覆盖保护膜。本发明还公开一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜的制作方法。本发明具有如下优点提供了两层以上极薄的完整的实心屏蔽层，能够多次反射和吸收高频干扰信号，同时将多余电荷导入接地层，实现高屏蔽效能，经测试，在频率超过300MHz时，屏蔽效能能够达到60dB以上；同时极薄的实心屏蔽层能够提供很好的弯曲性能，满足电子产品的轻、薄需求。
文档编号B32B37/00GK102711428SQ201210209
公开日2012年10月3日 申请日期2012年6月21日 优先权日2012年6月21日
发明者苏陟 申请人:广州方邦电子有限公司