专利名称：具墨水腔体侧壁加热机制的喷墨印表头及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种喷墨印表头及其制造方法，尤其是指一种具墨水腔体侧壁加热机制的喷墨印表头及其制造方法。
背景技术：
近年来，喷墨打印机已经逐渐普及，价格也逐渐降低，且打印效果也渐渐提升。另一方面，由于彩色激光打印机的价钱仍相当昂贵，使得喷墨打印机在有彩色打印需求的市场上占了相当大的比重。
喷墨打印机的核心技术主要在于喷墨印表头(INK-JET PRINT HEAD)，喷墨印表头的特性通常与打印品质有相当大的关联。喷墨印表头执行喷墨动作的原理主要分成热气泡式与压电式两种。本发明所探讨的是属于热气泡式喷墨印表头。热气泡式喷墨印表头的主要原理是利用加热器将墨水加热汽化以产生气泡，藉由气泡的压力将墨水液滴喷出至纸张上，以形成所期望的图案。
公知技术中，所有的热气泡式喷墨印表头加热器结构都是位于墨水腔体上下底部的平面式设计(平行于硅基板平面设置)，如图1显示为一种最常见的热气泡式喷墨印表头的局部示意图。请参见图1，喷墨印表头100包含一硅基板101，位于硅基板101上的一绝缘层102，位于绝缘层102上的一加热电阻103，位于加热电阻103上的导体连线104与105，以及位于导体连线104与105上方的一喷墨板106，喷墨板与加热电阻中间形成一空气腔体，藉由墨水流道(图中未明示)的设计，可以将墨水注入该腔体中。导体连线104与105被通以电压差，使得电流经加热电阻103而产生热，用以加热接触的墨水。因此，墨水腔体107位于加热电阻103上。在墨水腔体107受到加热的墨水会汽化而产生气泡，气泡渐渐成长后，可用以将气泡上方的墨水往上挤压。受到挤压的墨水透过喷墨孔108而喷出至纸张上，以达成打印的效果。
于上述公知技术中，必须克服几个问题，首先制造的流程包含了加热器及墨水微流道的设计及制作，特别是加热器的材料(TaAl)通常不相容于IC制程，不利于利用商用的IC代工厂生产制造，再者微流道的制作也是利用厚膜光阻技术，亦不相容于IC代工厂生产制造，且厚膜解析度控制不易，微流道的几何形状关系到墨水的回填及操作特性，其通常为一相当狭窄的方形流道配合一V型开口设计，微小的误差都导致喷墨特性不良。这种加热器的加热面为一水平面，两个加热器间须有良好的热绝缘方能解决二者间的串扰(cross talk)问题。
发明内容
因此，本发明要解决的技术问题是提供一种具墨水腔体侧壁加热机制的喷墨印表头及其制造方法，其可相容于IC制程。
本发明要解决的另一技术问题是提供一种具墨水腔体侧壁加热机制的喷墨印表头及其制造方法，其具有简单的V-型微流道结构且便于制造。
为此，本发明提供一种具墨水腔体侧壁加热机制的喷墨印表头，其基本结构包含一基板、位于该基板上的一绝缘层、一贯穿基板上下两面的主流道、垂直于主流道的复数个V-型微流道平行设置于绝缘层上方，V-型微流道的发散端与主流道相连通且收敛端与复数个平行设置于绝缘层上方的墨水腔体相连通，以及一含复数个喷墨孔的喷孔片位于墨水腔体上，每一墨水腔体的腔体区上方有一喷墨孔。每一腔体侧壁含一加热器结构用以加热腔体内的墨水以形成气泡压力推挤腔体内的墨水由喷墨孔射出，完成喷墨印表头的操作机制。
本发明亦提供一种具墨水腔体侧壁加热机制的喷墨印表头的制造方法，包含以下步骤提供一具有三明治结构的绝缘层硅晶片(Silicon on insulator，SOI)，该绝缘层硅晶片由下而上具有一第一硅层、一绝缘层、及一低阻值的第二硅层；移除该第二硅层的一部分，以暴露出部分该绝缘层，用以在该绝缘层上方利用该第二硅层材料同时形成复数的墨水腔体结构及其对应的复数的V-型微流道结构，并定义部分墨水腔体垂直内侧壁为加热器结构，V-型微流道的收敛端与墨水腔体相连通；去除部分裸露的绝缘层及部分的第一硅层，以形成一贯穿绝缘层及第一硅层两面的主流道，该主流道的一端同时与该复数个V-型微流道的发散端相连通；以及形成一含复数个喷墨孔的喷孔片位于墨水腔体上，每一墨水腔体的腔体区上方有一喷墨孔，以供该墨水喷出。
依据上述构造及方法，在喷墨过程中，可有效简化加热器及V-型微流道设计，减少热散逸而节省喷墨印表头所消耗的电源，并可有效简化制程而减少制造成本。
图1显示一种公知的热气泡式喷墨印表头的局部示意图。
图2显示依据本发明第一实施例的喷墨印表头的立体分解图。
图3显示用以形成本发明的喷墨印表头的SOI晶片的局部立体图。
图4显示依据本发明第一实施例的喷墨印表头的其中一个喷墨单元的立体分解图。
图5显示图4的喷墨印表头的第一运作状态。
图6显示图4的喷墨印表头的第二运作状态。
图7显示图4的喷墨印表头的第三运作状态。
图8显示图4的喷墨印表头的第四运作状态。
图9显示依据本发明第二实施例的喷墨印表头的局部立体图。
图10显示依据本发明第三实施例的喷墨印表头的局部平面图。
附图标号说明10、基板20、绝缘层 30、喷墨单元31、V-型微流道31A、收敛端 31B、发散端 32、墨水腔体32A、铅直内侧壁33、加热器结构 34、第一硅结构 35、第二硅结构 36、第三硅结构
37、第一加热电阻 38、第二加热电阻 39、第一金属导线 40、第一端41、第二端42、第二金属导线 43、第一端 44、第二端45、第三金属导线 46、第一端47、第二端 48、隔热孔51、52、加热侧壁 60、喷孔片61、喷墨孔 70、绝缘层硅晶片71、第一硅层 72、绝缘层73、第二硅层 80、主流道90、气泡 91、墨水液滴 100、喷墨印表头101、硅基板102、绝缘层 103、加热电阻 104、105、导体连线106、喷墨板 107、墨水腔体 108、喷墨孔具体实施方式
图2显示依据本发明第一实施例的喷墨印表头的立体分解图。如图2所示，本实施例的喷墨印表头是以八个喷墨单元来作说明，但是熟习本项技艺者应该可以清楚理解到喷墨单元的个数并不限于八个。此喷墨印表头的基本结构包含一基板10、一绝缘层20位于该基板10上、复数个喷墨单元30、一主流道80、及一喷孔片60。喷墨单元30平行设置于绝缘层20上，包括了一V-型微流道31、一墨水腔体32及一加热器结构33。该主流道80贯穿该基板10及该绝缘层20，所述V-型微流道31具有一发散端31B以及一收敛端31A。该等发散端31B与该主流道80相连通，且该等收敛端31A与该等墨水腔体32相连通。该喷孔片60具有位于该等墨水腔体32上的复数个喷墨孔61。该等墨水腔体32的内侧壁32A靠近于微流道接口的部分定义有复数个加热器结构33，用以加热该等墨水腔体32内的墨水，以形成复数个气泡而产生压力来推挤该墨水腔体内的墨水由喷墨孔射出，完成喷墨印表头的操作机制。
图3显示用以形成本发明的喷墨印表头的SOI晶片的局部立体图。请参见图3与图2，本发明亦提供一种具墨水腔体侧壁加热机制的喷墨印表头的制造方法，包含以下步骤提供一具有三明治结构的绝缘层硅晶片(Silicon oninsulator，SOI)70，该绝缘层硅晶片70由下而上具有一第一硅层71、一绝缘层72、及一低阻值的第二硅层73，其中第二硅层73的厚度为15-30μm，藉由硅深蚀刻技术移除该第二硅层73的一部分，以暴露出部分的该绝缘层72，用以在该绝缘层72上方同时利用该第二硅层73形成了复数个喷墨单元30，也就是同时完成了墨水腔体32及与其对应的复数个V-型微流道31，并具有形成于该等墨水腔体32的复数个铅直内侧壁32A上的复数个加热器结构33，各该V-型微流道31具有一收敛端31A及一发散端31B，该等收敛端31A与该等墨水腔体32相连通；去除部分裸露的该绝缘层72及部分的该第一硅层71，以形成一贯穿该绝缘层72及该第一硅层71的主流道80，该主流道80与该等V-型微流道31的该等发散端31B相连通；以及形成一含复数个喷墨孔61的喷孔片60位于该等墨水腔体32上，使每一墨水腔体32的上方有一喷墨孔61，以供该墨水喷出。
图4显示依据本发明第一实施例的喷墨印表头的其中一个喷墨单元的立体分解图。请参见图4，本实施例的喷墨印表头包含一硅基板10，一绝缘层20、一喷墨单元30、及一喷孔片60。绝缘层20位于基板10上。基板10通常是由譬如硅材料所形成，而绝缘层20通常是由氧化硅材料所形成，其厚度为1-3μm，具有良好的热绝缘效果。喷墨单元30包含有一V-型微流道31以及与V-型微流道31连通的一墨水腔体32。V-型微流道31与主流道80(图2)连通，用以供给墨水至墨水腔体32。墨水腔体32与一个实质上直立的加热器结构33呈面接触关系，且加热器结构33将电能转换成热能，用以加热墨水。喷孔片60覆盖于喷墨单元30上，并形成对应于该墨水腔体32的一喷墨孔61，以供该墨水喷出。
由蚀刻第二硅层73形成单晶硅结构所定义的各个喷墨单元30包含了一第一硅结构34、一第二硅结构35、一第三硅结构36、一第一金属导线39、一第二金属导线42、及一第三金属导线45。第一硅结构34与第二硅结构35的几何形状设计定义出V-型微流道31。第三硅结构36的几何形状设计定义出墨水腔体32的形状与加热器结构33的位置，在本实施例中，加热器结构33的位置设置于墨水腔体32与V-型微流道的接口处，并具有与第一硅结构34连接的一第一加热电阻37以及与第二硅结构35连接的一第二加热电阻38。第一金属导线39形成于第一硅结构34上方，并具有电连接至一第一电压V1的一第一端40以及邻接第一加热电阻37的一第二端41。第二金属导线42形成于第二硅结构35上方，并具有电连接至一第二电压V2的一第一端43以及邻接第二加热电阻38的一第二端44。第三金属导线45形成于第三硅结构36上方，并具有邻接第一加热电阻37的一第一端46与邻接第二加热电阻38的一第二端47。其中第一及第二加热电阻的材料可以是低阻值的第二硅层73材料，抑或在第二硅层73中利用高温扩散或离子布植杂质渗杂形成的低阻值硅材料，抑或其他的导体材料。
从图中可看到，第三硅结构36在第一加热电阻37与第二加热电阻38的宽度呈现相对缩小的趋势以降低固体热传导的设计，有助于提高加热效率。当第一电压V1与第二电压V2有电压差存在时，电流可能从第一金属导线39开始，透过第一加热电阻37而流至第三金属导线45，然后再透过第二加热电阻38而流至第二金属导线42。由于第一至第三金属导线的电阻远小于第一与第二加热电阻的电阻，使得电能主要于第一与第二加热电阻转换成热能，并透过第一加热电阻37的加热侧壁51与第二加热电阻38的加热侧壁52来为墨水加热。
因此，本实施例的加热器结构33包含分别位于该第一加热电阻37与该第二加热电阻38上的两加热侧壁51与52，且第三硅结构36具有实质上圆形环状的一水平剖面。虽然本实施例的墨水的喷出方向是朝向铅直方向，但是于其他实施例中，墨水的喷出方向亦可以是朝向水平方向，此时只要在第三硅结构36上形成一平行于绝缘层方向的一喷孔，然后将墨水腔体32密封完成即可。同时在本发明中亦不限定加热器的数目及位置，举例，亦可以在对应于墨水腔体32的直径方向设置相同的加热器结构，而由直径的两方同时挤压墨水，完成墨滴喷出的动作。
以下配合图5至8说明图4的喷墨印表头的运作情形，为了简化说明起见，以下的附图皆不绘出喷孔片60。
首先，如图5所示，墨水由V-型微流道31流进墨水腔体32。然后，如图6所示，第一金属导线39与第二金属导线42之间被施以电压差，使第一加热电阻37与第二加热电阻38产生局部高温，用以加热墨水。墨水受热而汽化并开始产生气泡90，气泡90将V-型微流道31与墨水腔体32的墨水分离成两部分，用以阻隔墨水再进入至墨水腔体32中。接着，如图7所示，气泡90继续成长进而压缩腔体中墨水的体积，而将墨水往墨孔上推挤。然后，如图8所示，藉由气泡90的强大压力，将墨水液滴91喷出。当停止施加电压源供给加热电阻时，喷墨单元的温度靠着硅结构的散热而迅速降低，因此不会有热气泡的产生。此时，墨水腔体32的压力降低，可将V-型微流道31中的墨水再次充填至墨水腔体32中，又回到图5所示的状况。
因此，第一加热电阻37与第二加热电阻38被设计成能形成一气泡90以构成一虚拟阀门阻绝V-型微流道31中的墨水进入墨水腔体32中，如此一来，V-型微流道31的设计将变得相当简单，即使制造的误差也不怕，因为气泡90产生时构成阻绝流道口的虚拟阀门功能可以补偿上述问题。然而，熟习本项技艺者应可理解到，只要能将加热器结构33设计成能形成一气泡90以隔开V-型微流道31与墨水腔体32的墨水的构造，都可以达成本发明的功能。
图9显示依据本发明第二实施例的喷墨印表头的局部立体图。本实施例的喷墨印表头的构造与第一实施例类似，不同之处在于第三硅结构36具有实质上矩形环状的一水平剖面。同理，第三硅结构36亦可具有其他形状的水平剖面。
图10显示依据本发明第三实施例的喷墨印表头的局部平面图。本实施例的喷墨印表头的构造与第一实施例类似，不同之处在于喷墨单元30形成有复数个隔热孔48，用以阻隔来自加热器结构33所产生的热量向外传送。所谓的向外传送，是指朝向除了与加热侧壁51及52接触的墨水的方向传送。
为了有效减少加热器结构33的热损失，除了绝缘层厚度的增加外，本实施例所采用的隔热孔48之间的热传递介质为气体或甚至没有热传递介质(真空)，其热传导数远小于公知技术所用的绝缘层，因此可以有效减少加热器结构33在水平方向的热损失。至于铅直方向的热损失，透过缩小第一与第二加热电阻与绝缘层20(图4)及喷孔片60(图4)的接触面积，即可有效减少铅直方向的热损失。
以下将再次参见图2至4来更详细说明本发明的喷墨印表头的形成过程。本发明的SOI晶片70具有三明治结构，其乃由一第一硅层71、一绝缘层72及一第二硅层73堆叠而成。第一硅层71对应至图2的基板10，而绝缘层72对应至图2的绝缘层20。
然后，请参见图2，移除该第二硅层73的一部分，用以在第二硅层73上形成一喷墨单元30，其具有一V-型微流道31以及与V-型微流道31连通的一墨水腔体32。墨水腔体32与一个实质上直立的加热器结构33呈面接触关系，且加热器结构33将电能转换成热能，用以加热墨水。
喷墨单元30的第一硅结构34、第二硅结构35及第三硅结构36的形状是在同一道制程中形成，使第二硅结构35与第一硅结构34共同定义出V-型微流道31，该第三硅结构36具有与第一硅结构34连接的第一加热电阻37以及与第二硅结构35连接的第二加热电阻38，且第三硅结构36定义墨水腔体32。
或者，在形成硅结构的同一道制程中，可以在第一硅结构34、第二硅结构35、及第三硅结构36上形成复数个隔热孔48(参见图10)，用以阻隔来自加热器结构33所产生的热量向外传送。
并且，于第一硅结构34上形成第一金属导线39，于第二硅结构35上形成第二金属导线42，并于除了第一加热电阻37与第二加热电阻38以外的第三硅结构36上形成第三金属导线45。
然后，将形成有一喷墨孔61的一喷孔片60覆盖于喷墨单元30上，使喷墨孔对应墨水腔体，以供墨水喷出。
本发明的喷墨印表头藉由腔体加热侧壁来加热墨水，因而具有一种墨水腔体侧壁加热机制，这与公知技术的水平式加热面有显著的不同。藉由此墨水腔体侧壁加热机制，可有效减少热损失，此乃因为沿着铅直方向的热损失可以随着截面积的缩小而减少，而沿着水平方向的热损失则因为以空气或真空作为热传递介质而得以有效降低。关于第一加热电阻37与第二加热电阻38的未与墨水接触的侧壁，也因为在水平方向没有跟任何固体介质接触，而得以减少其热散逸。
在有效减少热散逸的情况下，喷墨印表头所消耗的电源可以有效地获得减少，且不会产生过多的废热以影响其他电子元件的运作。此外，由于本发明可采用标准的SOI晶片来形成喷墨印表头，且可以利用相当简单且通用的工艺来形成墨水加热构造，因此可有效简化工艺，减少制造成本。
因此，本发明的特色即在于以SOI晶片为基本材料，利用譬如感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，ICP)蚀刻技术的硅的深蚀刻技术在同一光罩制程中形成单晶硅结构，同时完成加热器及V-型微流道结构的制作。由于ICP技术的解析度比厚膜光阻技术的解析度来得高，而且墨水腔体侧壁加热器的设计可以在V-型微流道口形成阻绝气泡，用以在加热时隔绝墨水腔体的墨水与外界的墨水，避免腔体的墨水在加热时回流至V-型微流道中而降低喷墨的效率。因此，V-型微流道的设计在本发明变得相当容易，即使制造有误差也不怕。也因为如此，墨水的回填过程也将更简单及快速。同时，每一加热器之间为空气间隙，彼此不易发生串扰(cross talk)问题。同时可以直接在SOI晶片上藉由商用IC代工厂完成相关的IC制作及加热器、V-型微流道形状定义，ICP制程完全相容于IC工厂，也无材料污染问题。因此，本发明可以完全采用商用的IC代工厂制作，以利降低成本。
虽然本发明已以具体实施例揭示，但其并非用以限定本发明，任何本领域的技术人员，在不脱离本发明的构思和范围的前提下所作出的等同组件的置换，或依本发明专利保护范围所作的等同变化与修饰，皆应仍属本专利涵盖之范畴。
权利要求
1.一种具墨水腔体侧壁加热机制的喷墨印表头，其特征在于，所述喷墨印表头包含一基板；一绝缘层，位于该基板上；一喷墨单元，位于该绝缘层上，并具有复数个墨水腔体、一贯穿该基板及该绝缘层的主流道及复数个V-型微流道，各该V-型微流道具有一发散端以及一收敛端，该等发散端与该主流道相连通，且该等收敛端与该等墨水腔体相连通；及一喷孔片，其具有位于该等墨水腔体上的复数个喷墨孔，其中该等墨水腔体的侧壁形成有复数个加热器结构，用以加热该等墨水腔体内的墨水，以形成复数个气泡而产生压力来推挤该墨水腔体内的墨水由喷墨孔射出。
2.如权利要求1所述的具墨水腔体侧壁加热机制的喷墨印表头，其特征在于，所述加热器结构被设计成能形成该等气泡以构成一虚拟阀门阻绝该等V-型微流道中的墨水进入该等墨水腔体中。
3.如权利要求1所述的具墨水腔体侧壁加热机制的喷墨印表头，其特征在于，所述喷墨单元包含复数个第一硅结构，位于该绝缘层上；复数个第二硅结构，位于该绝缘层上并邻接该等第一硅结构，该等第二硅结构与该等第一硅结构共同定义出该等V-型微流道；及复数个第三硅结构，位于该绝缘层上并具有与该等第一硅结构连接的复数个第一加热电阻以及与该等第二硅结构连接的复数个第二加热电阻，该等第三硅结构定义该等墨水腔体。
4.如权利要求3所述的具墨水腔体侧壁加热机制的喷墨印表头，其特征在于，所述喷墨单元更包含复数条第一金属导线，形成于该等第一硅结构上，并具有电连接至一第一电压的复数个第一端以及邻接该等第一加热电阻的复数个第二端；复数条第二金属导线，形成于该等第二硅结构上，并具有电连接至一第二电压的复数个第一端以及邻接该等第二加热电阻的复数个第二端；及复数条第三金属导线，形成于该第三硅结构上，并具有邻接该等第一加热电阻的复数个第一端与邻接该等第二加热电阻的复数个第二端。
5.如权利要求4所述的具墨水腔体侧壁加热机制的喷墨印表头，其特征在于，所述第三硅结构于该等第一加热电阻与该等第二加热电阻的处具有相对缩小的硅结构宽度。
6.如权利要求4所述的具墨水腔体侧壁加热机制的喷墨印表头，其特征在于，所述第三硅结构具有实质上圆形环状的水平剖面。
7.如权利要求4所述的具墨水腔体侧壁加热机制的喷墨印表头，其特征在于，所述第三硅结构具有实质上矩形环状的一水平剖面。
8.如权利要求4所述的具墨水腔体侧壁加热机制的喷墨印表头，其特征在于，所述喷墨单元形成有复数个隔热孔，用以阻隔来自该等加热器结构所产生的热量向外传送。
9.如权利要求1所述的具墨水腔体侧壁加热机制的喷墨印表头，其特征在于，所述喷墨单元的厚度实质上为15至30微米。
10.如权利要求1所述的具墨水腔体侧壁加热机制的喷墨印表头，其特征在于，所述绝缘层由氧化硅所组成，且其厚度实质上为1至3微米。
11.一种具墨水腔体侧壁加热机制的喷墨印表头的制造方法，包含以下步骤提供一具有三明治结构的绝缘层硅晶片，该绝缘层硅晶片由下而上具有一第一硅层、一绝缘层、及一第二硅层；移除该第二硅层的一部分，以暴露出部分的该绝缘层，用以在该绝缘层上方利用该第二硅层形成一喷墨单元，该喷墨单元具有复数个墨水腔体及与其对应的复数个V-型微流道，并具有形成于该等墨水腔体的复数个铅直内侧壁上的复数个加热器结构，各该V-型微流道具有一收敛端及一发散端，该等收敛端与该等墨水腔体相连通；去除部分裸露的该绝缘层及部分的该第一硅层，以形成一贯穿该绝缘层及该第一硅层的主流道，该主流道与该等V-型微流道的该等发散端相连通；以及形成一含复数个喷墨孔的喷孔片位于该等墨水腔体上，使每一墨水腔体的上方有一喷墨孔，以供该墨水喷出。
12.如权利要求11所述的具墨水腔体侧壁加热机制的喷墨印表头的制造方法，其中移除该第二硅层的一部分的步骤包含以下步骤形成复数个第一硅结构、复数个邻接该等第一硅结构的第二硅结构、以及复数个第三硅结构，该等第二硅结构与该等第一硅结构共同定义出该等V-型微流道，该等第三硅结构具有与该等第一硅结构连接的复数个第一加热电阻以及与该等第二硅结构连接的复数个第二加热电阻，且该等第三硅结构定义该等墨水腔体；于该等第一硅结构上形成复数条第一金属导线；于该第二硅结构上形成复数条第二金属导线；及于除了该等第一加热电阻与该等第二加热电阻以外的该等第三硅结构上形成复数条第三金属导线。
13.如权利要求12所述的具墨水腔体侧壁加热机制的喷墨印表头的制造方法，其中移除该第二硅层的一部分的步骤更包含以下步骤于该等第一硅结构、该等第二硅结构、及该等第三硅结构的至少其一形成复数个隔热孔，用以阻隔来自该等加热器结构所产生的热量向外传送。
全文摘要
一种具墨水腔体侧壁加热机制的喷墨印表头，其基本结构包含一基板、位于该基板上的一绝缘层、一贯穿基板上下两面的主流道、垂直于主流道的复数个V－型微流道平行设置于绝缘层上方，V－型微流道的发散端与主流道相连通且收敛端与复数个平行设置于绝缘层上方的墨水腔体相连通，以及一含复数个喷墨孔的喷孔片位于墨水腔体上，每一墨水腔体的腔体区上方有一喷墨孔。每一腔体侧壁含一加热器结构用以加热腔体内的墨水以形成气泡压力推挤腔体内的墨水由喷墨孔射出，完成喷墨印表头的操作机制，从而克服了现有技术的缺陷，在喷墨过程中，可有效简化加热器及V－型微流道设计，减少热散逸而节省喷墨印表头所消耗的电源，并可有效简化制程而减少制造成本。
文档编号B41J2/16GK1699060SQ2004100423
公开日2005年11月23日 申请日期2004年5月20日 优先权日2004年5月20日
发明者周正三, 叶志贤, 邹庆福, 张哲玮, 范成至 申请人:祥群科技股份有限公司