热敏打印机打印走纸同步控制电路的制作方法

本实用新型涉及一种热敏打印机打印走纸同步控制电路。

背景技术：

目前，热敏打印机使用在各行各业，其中热敏打印头是其核心部件，其价值大致是打印机整机的1/3，为了保护打印头，如果热敏打印头温度过高，会加速其损坏，为了延长打印头寿命，就要降低打印头工作速度，因此就需要相应的技术来同步打印头工作效率和进纸速度，两者关系如果控制不好，很容易造成卡纸，显著增加维护量。

技术实现要素：

本实用新型为了解决上述问题，提供了一种热敏打印机打印走纸同步控制电路。该电路能够通过跟踪热敏打印头温度变化情况，实时控制进纸速度，在延长打印头使用寿命的同时，显著减少卡纸率。使用该电路能够把热敏打印机卡纸率降低40%以上。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：其包括负温度系数热敏电阻RT1（1）、电阻R1（2）、电阻R2（3）、三五电路NE555（4）、电阻R3（5）、N沟道MOSFET Q1（6）、电容C1（7）、电容C2（8）、电阻R4（9）。所述负温度系数热敏电阻RT1（1）上端接+12V直流电源，负温度系数热敏电阻RT1（1）下端接电阻R1（2）下端，电阻R2（3）上端和芯片NE555（4）引脚7；所述芯片NE555（4）引脚2接电阻R2（3）下端，电容C2（8）上端，和NE555（4）引脚8；所述芯片NE555（4）引脚3接电阻R3（5）下端和N沟道MOSFET Q1（6）控制栅极；所述芯片NE555（4）引脚4接+12V直流电源；所述芯片NE555（4）引脚5接电容C1（7）上端；所述电阻R3（5）上端接+12V直流电源；所述N沟道MOSFET Q1（6）漏极接直流电机负极，N沟道MOSFET Q1（6）源极接电阻R4（9）上端；所述C1（7）下端接地，电容C2（8）下端接地。

进一步地，所述D1（2）正极接+5伏电源，D1（2）负极接D2（3）负极、R1（4）上端、C1（9）正端；所述L1（1）首端接+5伏电源，L1（1）尾端接D2（3）正极与Q1（8）集电极；所述负温度系数热敏电阻RT1（1）上端接+12V直流电源，负温度系数热敏电阻RT1（1）下端接电阻R1（2）下端，电阻R2（3）上端和芯片NE555（4）引脚7；所述芯片NE555（4）引脚2接电阻R2（3）下端，电容C2（8）上端，和NE555（4）引脚8；所述芯片NE555（4）引脚3接电阻R3（5）下端和N沟道MOSFET Q1（6）控制栅极；所述芯片NE555（4）引脚4接+12V直流电源；所述芯片NE555（4）引脚5接电容C1（7）上端；所述电阻R3（5）上端接+12V直流电源；所述N沟道MOSFET Q1（6）漏极接直流电机负极，N沟道MOSFET Q1（6）源极接电阻R4（9）上端；所述C1（7）下端接地，电容C2（8）下端接地。

所述芯片U1（4）的型号为NE555。

所述负温度系数热敏电阻RT1（1）的型号为NCP18WB473。

所述N沟道MOSFET Q1（6）的型号为2N7008。

本实用新型具有以下有益效果：本实用新型能够通过跟踪热敏打印头温度变化情况，实时控制进纸速度，在延长打印头使用寿命的同时，显著减少卡纸率。使用该电路能够把热敏打印机卡纸率降低40%以上。。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1所示，热敏打印机打印走纸同步控制电路包括负温度系数热敏电阻RT1（1）、电阻R1（2）、电阻R2（3）、三五电路NE555（4）、电阻R3（5）、N沟道MOSFET Q1（6）、电容C1（7）、电容C2（8）、电阻R4（9）。所述负温度系数热敏电阻RT1（1）上端接+12V直流电源，负温度系数热敏电阻RT1（1）下端接电阻R1（2）下端，电阻R2（3）上端和芯片NE555（4）引脚7；所述芯片NE555（4）引脚2接电阻R2（3）下端，电容C2（8）上端，和NE555（4）引脚8；所述芯片NE555（4）引脚3接电阻R3（5）下端和N沟道MOSFET Q1（6）控制栅极；所述芯片NE555（4）引脚4接+12V直流电源；所述芯片NE555（4）引脚5接电容C1（7）上端；所述电阻R3（5）上端接+12V直流电源；所述N沟道MOSFET Q1（6）漏极接直流电机负极，N沟道MOSFET Q1（6）源极接电阻R4（9）上端；所述C1（7）下端接地，电容C2（8）下端接地。所述芯片U1（4）的型号为NE555。所述负温度系数热敏电阻RT1（1）的型号为NCP18WB473。所述N沟道MOSFET Q1（6）的型号为2N7008。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。