喷墨头芯片的制造方法与流程

【】本案是关于喷墨头芯片的制造方法，尤指一种整合晶圆级高产能与晶粒级高良率优势的制造方法，同时具有重工性，得以再降低损耗。

背景技术

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背景技术：

1、传统的喷墨头芯片是使用晶粒级制造方法，以单一喷墨头晶粒与单一喷孔片进行对位接着。此方法虽然良率高，但却相当耗时。

2、随着喷墨头制程技术的发展，衍生出高产能的晶圆级制造方法，例如喷墨头晶圆与喷孔片晶圆键合、以及在喷墨头晶圆上直接定义喷孔片等。然而，诸此大面积制造的技术门槛高，尤其易有热应力(thermal stress)及气泡(void)等接着不良(poor-bond)问题，高分子聚合物在晶圆级键合过程又会因剪应力、施压不均以及形变造成对位偏移(alignmentshift)。再者，经热制程后即难以重工，往往因良率差而造成损耗。

技术实现思路

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技术实现要素：

1、本案主要提供一种喷墨头芯片的制造方法，整合晶圆级高产能与晶粒级高良率优势，无须使用晶圆级键合机，故而制程简单，同时具有重工性，得以再降低损耗。

2、为达上述目的，本案的一实施态样为提供一种喷墨头芯片的制造方法，包含：1)提供一喷墨头晶圆，该喷墨头晶圆的一第一表面上有至少一高分子厚膜；2)提供一高分子薄膜，该高分子薄膜的一第二表面涂抹一接着促进剂；3)以晶圆对晶圆方式将该高分子薄膜滚压于该喷墨头晶圆的该高分子厚膜上；4)于该高分子薄膜的一第三表面上旋转涂布一硅氧烷光阻，透视该硅氧烷光阻与该高分子薄膜，对该喷墨头晶圆进行光罩对位；5)对该硅氧烷光阻进行曝光与显影；6)对该高分子薄膜进行晶圆级蚀刻，形成多个喷孔片以及至少一保护肋；7)移除保护肋；8)对该喷墨头晶圆进行切割，形成多个具有该多个喷孔片的独立喷墨头晶粒；9)对该多个喷墨头晶粒进行热压或高温烘烤，借由该多个喷孔片的该第二表面的该接着促进剂与该多个喷墨头晶粒的该高分子厚膜产生交联，形成强力接着；10)去除该硅氧烷光阻，其中该多个喷墨头晶粒的该高分子厚膜经高温烘烤后强化内部高分子聚合，不会受去光阻液侵蚀。

技术特征：

1.一种喷墨头芯片的制造方法，包含：

2.如权利要求1所述的喷墨头芯片的制造方法，其特征在于，该喷墨头晶圆尺寸为6吋、8吋或12吋。

3.如权利要求1所述的喷墨头芯片的制造方法，其特征在于，该喷墨头晶圆具有多个加热板、多个电极、多个测试键、多个供墨孔以及该至少一高分子厚膜，且该至少一高分子厚膜包含多个厚膜流道以及多个厚膜垫块。

4.如权利要求1所述的喷墨头芯片的制造方法，其特征在于，该高分子薄膜的厚度为12.5μm、25μm或50μm。

5.如权利要求1所述的喷墨头芯片的制造方法，其特征在于，步骤5)更包含于该硅氧烷光阻上增加一增厚层，借以增强蚀刻阻挡能力，该增厚层材料是为硅氧烷光阻、三氧化二铝、铝、钛或二氧化硅之一。

6.如权利要求1所述的喷墨头芯片的制造方法，其特征在于，步骤6)的该高分子薄膜是以非等向性感应耦合等离子蚀刻，蚀刻气体包含氧、四氟化碳以及六氟化硫等。

7.如权利要求1所述的喷墨头芯片的制造方法，其特征在于，步骤6)更包含对该高分子薄膜进行非等向性感应耦合等离子蚀刻时，通过改变蚀刻制程的腔体压力与温度，增加对该高分子薄膜底部侧向蚀刻，产生2°～4°锥角。

8.如权利要求1所述的喷墨头芯片的制造方法，其特征在于，更包含：

9.如权利要求8所述的喷墨头芯片的制造方法，其特征在于，切割成该多个喷墨头晶粒后才进行接着。

10.如权利要求8所述的喷墨头芯片的制造方法，其特征在于，步骤8)更包含该多个喷墨头晶粒的该多个喷孔片若检验异常时，可将该多个喷孔片剥离，该多个喷墨头晶粒再以晶粒对晶粒方式与另一喷孔片进行对位重工。

11.如权利要求8所述的喷墨头芯片的制造方法，其特征在于，步骤10)更包含对该多个喷墨头晶粒进行内引脚接合打线。

技术总结
一种喷墨头芯片的制造方法，包含：1)提供一喷墨头晶圆，该喷墨头晶圆的一第一表面上有至少一高分子厚膜；2)提供一高分子薄膜，该高分子薄膜的一第二表面涂抹一接着促进剂；3)以晶圆对晶圆方式将该高分子薄膜滚压于该喷墨头晶圆的该高分子厚膜上；4)于该高分子薄膜的一第三表面上旋转涂布一硅氧烷光阻，透视该硅氧烷光阻与该高分子薄膜，对该喷墨头晶圆进行光罩对位；5)对该硅氧烷光阻进行曝光与显影；6)对该高分子薄膜蚀刻，形成多个喷孔片以及至少一保护肋。

技术研发人员：莫皓然,戴贤忠,方麟辉,刘华晋,黄君萍,韩永隆,黄启峰,林宗义,郭俊毅
受保护的技术使用者：研能科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11