自动去除积碳的热敏打印头及制作方法
【技术领域】
[0001]本发明专利涉及热敏打印头，尤其是一种发热体部位突起平坦化结构并有效消除积碳影响的打印头及其制作方法。
【背景技术】
[0002]众所周知，热敏打印头包括由绝缘材料构成的基板，在基板上做一基层(底釉玻璃)，然后在基板和基层表面形成导线电极，导线电极分为个别电极和共同电极，在导线电极上形成的沿主打印方向的发热电阻体带，个别电极一端沿副打印方向与发热电阻体带相连接，另一端与控制IC相连接，共同电极的一端沿副打印方向与发热电阻体带相连接，另一端与导线图型相连接，热敏打印头的电气部分是由陶瓷基板上的导线电极、发热电阻带、控制IC和PCB板组成，该电气部分整体粘附在基台上(散热板)。
[0003]相关先行文献如下:
特開2000-246934号公报【段落0035】(参考专利文献I)上公示了在记录媒体的搬送方向出纸侧的保护膜的表面接近凸条部位形成沟槽的方法。
[0004]另外特開2000-343738号图3(参考专利文献2)公示了用硬度低的第一保护层31和比第一保护膜硬度高的第二层保护层32，共同构成保护膜28，第一保护层形成后研磨表面，使之平坦化，再在第一保护层的外面形成第二保护层，消除了因为电极26、27造成的段差的制作方法。
[0005]前记专利文献I的产品，沟6a的幅宽小，深度浅，量多而且大的积碳埋在了沟6a处，沟的段差消失，就产生不能通过记录媒体的压接，充分的带出积碳的问题。
[0006]另外特许文献2记录的产品先研磨加工低硬度的第一保护层31，然后硬度高的第二层保护膜32在第一层保护膜31上形成平坦的结构，但无关于积碳(记录媒体损耗和印字时掉的粉末)的相关记录。
【发明内容】
[0007]本发明的目的就是为了克服现有技术的不足，提供一种发热体部平坦、研磨层端部形成较陡的段差，能有效推离发热体附近积碳的热敏打印头及制造方法。
[0008]此种打印头包括带底釉的陶瓷基板，在上述基板上形成个别导线电极和共同导线电极及沿着主扫描方向形成突起形状的发热体，以此发热体为中心，沿副扫描方向距离中心位置不同的距离贴付20~40μπι干膜，出纸侧即共同电极侧更宽，干膜较发热体更厚，经过露光显影处理后在发热体上方形成较深的沟槽，在此沟槽内涂布第一层玻璃浆料，通过干燥体积减小，之后在包含第一层玻璃的沟槽内涂布第二层玻璃浆料，再用700~900°C的温度同时烧结两层玻璃，并将干膜烧结掉，第一第二层玻璃烧结完了形成10~20μπι研磨层，采用研磨胶辊和砂带或其他方式对此研磨层进行研磨，以对前述发热体上方的研磨层进行平坦化处理且出纸侧即更长，以保证产生的纸肩能很好的被胶辊推离发热体。前记研磨层端部形成的极陡的段差，以保证纸肩被推离发热体后，有堆积的空间。
【附图说明】
[0009]图1是本发明专利的发热体周边制作工程说明示意图，其中:
1-1是在干膜的沟槽内涂布研磨层的第一层玻璃浆料，
图1-2是第一层玻璃浆料的干燥示意图，
图1-3是第一层玻璃上的第2层玻璃浆料的涂布工程示意图，
图1-4是第1、2层玻璃烧结工程示意图。
[0010]图2是本发明实施形态I，热敏打印头研磨层研磨方法说明模式图。
[0011]图3是本发明实施形态1，热敏打印头的保护膜形成工程说明断面图。
[0012]图4是本发明实施形态2，热敏打印头的导电膜形成工程说明断面图。
[0013]图5是本发明实施形态I和2，热敏打印头附着的积碳去除的说明断面图。
[0014]图中标记:基板等1、非晶质玻璃2、电极3、共同电极3a、个别电极3b、发热体4、干膜5、干膜沟槽部5a、第一层玻璃浆料6、干燥后玻璃浆料6a、烧结完的玻璃保护膜6b、第二层玻璃浆料7、干燥后玻璃浆料7a、烧结完的玻璃保护膜7b、研磨辊8、辊联动轴9、驱动辊的电机驱动部分10、研磨纸11、基台12、保护膜13、导电层14、积碳15、打印媒体16。
【具体实施方式】
[0015]下面结合实施例对本发明专利做进一步描述:
实施形态I
热敏打印头包括由绝缘材料构成的基板，在基板上做一基层(底釉玻璃)，然后在基板和基层表面形成导线电极，导线电极分为个别电极和共同电极，在导线电极上形成的沿主打印方向的发热电阻体带，个别电极一端沿副打印方向与发热电阻体带相连接，另一端与控制IC相连接，共同电极的一端沿副打印方向与发热电阻体带相连接，另一端与导线图型相连接，以上部分构成基板陶瓷电路，陶瓷电路再和PCB组成整个电气部分，该电气部分整体粘附在基台上。
[0016]具体基板陶瓷电路步骤如下:
步骤一，图1-1中在绝缘陶瓷基板上印刷全面的或部分的无铅非晶质玻璃2，大约12000C ~1300°C的温度烧结的有底釉的基板，再在绝缘性基板I及非晶质玻璃2的表面印刷烧结厚膜导电浆料，再用相片制版技术，形成共通电极3a和个别电极3b。再通过描绘等方法沿发热体主扫描方向进行带状涂布，烧结形成4~8 μπι厚的发热体4 ;
步骤二，用图1_1~图1-4说明。再用25~35 μ m厚度的感光有机被膜5贴付在发热体4周边，之后再进行干膜的漏光、显影，形成发热体领域的干膜5的沟槽部5a。沟槽部，图1-1共通电极3a侧的沟部5a要宽，个别电极3b侧的幅宽要窄。干膜为由感光树脂、增感剂(见光谱增感染料)和溶剂三种主要成分组成的膜性光刻胶，
在干膜5的沟槽部5a涂布以硼硅酸铅为主体的第一层玻璃浆料6，可以采用日本田中的LS213N或者其他相当的玻璃浆料。玻璃浆料的主要成分为Si02-A1203-Pb0-La203等。在图1-2中第一层玻璃在干燥炉150°C自然干燥，蒸发掉内部的有机溶剂，体积减小成为膜料6a。在图1-3中再一次在干膜5的沟槽部覆满以硼硅酸铅为主体的第二层玻璃浆料7。在700~900°C的温度烧结完之后，在图1-4中烧结后体积大幅度减少为玻璃层6b，7b，这个称为研磨层。这时干膜5也被烧掉消失；
步骤三，图2是这个发明实施形态I热敏打印头研磨方法说明示意图，图2中的8是研磨辊，9为研磨辊8的固定轴部分，10是研磨辊8的电机驱动部分，11是薄膜上配置的微米级的研磨砂带，12是基板载体，平整度有要求的基台。还有在绝缘性基板I上由发热电阻体4，电极3等形成的发热基板。图2和图1同一符号是相同或相当的部分，
用直径24~40mm的金属或其他硬棍8对发热低抗体4周边的研磨层6b，7b进行粗研磨加工，使之平坦化，
在基盘12上的发热基板，将直径10~20mm的胶辊中心对准发热体，在胶辊和发热体之间添加研磨砂带11，施加压力并压接，并转动辊8，
胶辊转动同时研磨纸以发热体中心沿副扫描方向精研磨在发热体上方的研磨层6b，7b，研磨幅宽及深度有研磨辊的尺寸和硬度决定，
发热部位研磨5 μ m的研磨量大概需要400目砂纸2cm，2000目砂纸20cm，用400目砂纸粗磨后还需要用1000目的砂纸进行细磨，本实施形态用胶辊进行研磨层6b 7b的研磨，砂纸装到弹性机械结构的研磨装置上进行，当然也可以用手工进行研磨；
步骤四，图3是本发明的实施形态I的说明热敏打印头保护膜形成的说明断面图，研磨工程形成的研磨层后，涂布玻璃浆料烧结成表面保护膜层13.保护膜形成后，图3是以发热体4中心位置副扫描方向的发热体领域，共同电极侧比另一面要长且平坦，图3和图1同一符号是相同或相当的部分。玻璃浆料的主要成分为Si02-A1203-Pb0-La203等硼硅酸铅体系;
步骤五，图4是本发明的实施形态2的热敏打印头的导电膜形成工程说明断面图。从个别电极侧直到前记保护膜层的段差的顶端都溅射C-SIC14或者用厚膜导电浆料印刷烧结形成导电层14。图4的保护层13和导电层14的段差有14 μπι。与图3所示的段差相比，导电层14的存在使段差变大。之后，产生多的积碳及在保护膜层13表面堆积的积碳均在深的段差处落下，掉落的积碳消除了保护膜13的领域积碳热熔着堆积问题。导电性材料为C-SIC的薄膜或以Ru为主要材料的导电厚膜浆料。
[0017]图5是本实施形态I和2的打印头附着的积碳去除的说明断面图。在图5中，15是从印字媒体16产生的，被驱动印字媒体的胶辊推出，落入段差部的积碳。
【主权项】
1.一种自动去除积碳的热敏打印头及制作方法，在带底釉的陶瓷基板上形成个别导线电极和共同导线电极及沿着主扫描方向形成突起形状的发热体，以此发热体为中心，沿副扫描方向距离中心位置不同的距离贴付20~40μπι干膜，干膜较发热体更厚，经过露光显影处理后在发热体上方形成较深的沟槽，在此沟槽内涂布第一层玻璃浆料，通过干燥体积减小，之后在包含第一层玻璃的沟槽内涂布第二层玻璃浆料，再用700~9000C的温度同时烧结两层玻璃，并将干膜烧结掉，第一第二层玻璃烧结完了形成10~20 μ m研磨层，采用研磨胶辊和砂带或其他方式对此研磨层进行研磨，以对前述发热体上方的研磨层进行平坦化处理且出纸侧即共同电极侧更长，前记研磨层端部形成的极陡的段差，最后在研磨层及导线电极上形成玻璃保护膜。
【专利摘要】本发明涉及热敏打印头，具体地说是一种自动去除积碳的热敏打印头及制作方法，包括带底釉的陶瓷基板，在上述基板上形成个别导线电极和共同导线电极及沿着主扫描方向形成突起形状的发热体，以此发热体为中心，沿副扫描方向距离中心位置不同的距离贴付干膜，且在发热体上方形成较深的沟槽。在此沟槽内涂布2层玻璃浆料，玻璃烧结完了形成研磨层，经过研磨平坦后，前记研磨层端部形成的极陡的段差，在研磨层及导线电极上形成保护膜。其特征在于发热体上方有研磨层，研磨层平坦化处理且出纸侧即共同电极侧更长，在研磨层的端部有较大的段差，上述结构有效将产生的纸屑推离发热体至段差处，实现了一种能自动去除积碳的热敏打印头。
【IPC分类】B41J2-335
【公开号】CN104527231
【申请号】CN201410846172
【发明人】张东娜, 孙华刚, 远藤孝文, 魏洪修, 朱丽娜
【申请人】山东华菱电子股份有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年12月31日