平板显示器的制作方法

专利名称：平板显示器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种平板显示器，更具体地说，涉及一种全彩色平板显示器。
背景技术：
因为平板显示器重量轻、结构薄、图像质量更好，所以其被认为是阴极 射线管显示器的替代品。平板显示器的示例包括液晶显示器(LCD)和有机发光 显示器(OLED)。与LCD相比，OLED具有更高的亮度和更大的视角，并且 不需要背光，这〗吏得OLED在实现薄显示器中具有优势。
平板显示器包括用于实现全彩色显示的红、绿、蓝像素。红、绿、和蓝 像素可形成在以条状排列、马赛克(mosaic)状排列、或"△，， (delta)状排列的 阵列中。"△，，状排列和马赛克状排列在混合三原色的颜色以获得不同的色彩 方面都优于条状排列，因而，"△"状排列和马赛克状排列更适合显示运动的 画面。在第6,429,599号美国专利中已经公开了具有按"△"状排列的像素阵 列的OLED。
图l是上述美国专利中公开的具有按"△"状排列的像素阵列的OLED 的平面图。在这个图中，红(R)、绿(G)、蓝(B)像素按"△"状排列。在以条 状排列的阵列中，相邻行的像素成直线，从而所有的R像素沿相同的列，所 有的G像素沿相同的列，所有的B像素沿相同的列。另一方面，在"△"状 排列中，相邻行的像素是交错的，从而一行的B像素与该行的相邻两行的R 像素及G像素形成三角形，或"△"状。每个R像素、G像素、及B像素包 括第一薄膜晶体管(TFT)4、电容器5、第二TFT6、和发光二极管的像素电极 7。此外，数据线1和栅极线3结合到第一TFT4，电源线2结合到第二TFT 6。
如上所述，在"△"状排列中， 一行的每个R像素、G像素、及B像素邻近于相邻行的其它两个颜色像素设置，从而从一个像素到相邻列中的相同 颜色的像素产生Z字路径。在总体列方向上延伸的数据线1沿这个Z字路径
结合到相同颜色像素的第一TFT4。 Z字路径增大了数据线1的电阻，延迟了 数据信号。而且，电源线2也沿Z字路径延伸。因而，电源线2的电阻也被 增大了，这会导致电压沿电源线下降。数据信号沿数据线1的延迟和电压沿 电源线2下降会恶化画面质量，这随着显示尺寸的增加作为一个严重的问题 显现出来。此外，如此复杂的互连布局增加了互连所占据的空间，这导致孔 径比的减小。

发明内容
本发明通过提供一种平板显示器来解决传统装置的问题，该平板显示器 具有改善的三原色颜色混合以获得不同的色彩，并且没有信号延迟或电压下降。
在本发明的示例性实施例中，平板显示器包括衬底和排列在衬底上的信 号线。像素驱动电路区域由信号线的互连限定，像素驱动电路位于像素驱动 电路区域中。像素电极结合到每个像素驱动电路，并至少与一个信号线叠置。
在本发明的另 一示例性实施例中，平板显示器包括衬底和排列在衬底上 的信号线。像素驱动电路区域由信号线的互连限定。像素驱动电路位于像素 驱动电路区域中。像素电极结合到像素驱动电路。像素电极的排列与像素驱 动电路区域的排列不同。
在本发明的再一示例性实施例中，平板显示器包括衬底和排列在衬底上 的信号线。至少一些信号线包括扫描线和数据线，数据线与扫描线交叉并沿 直线排列。像素驱动电路区域由扫描线和数据线的交叉限定。像素驱动电路 位于像素驱动电路区域中。像素电极结合到像素驱动电路。像素电极沿行或 列方向邻近于不同颜色的像素电极。所述像素电极由透明导电层形成，并且 所述平板显示器还包括形成于所述透明导电层下面的反射层图案
在本发明的又一示例性实施例中，平板显示器包括衬底和排列在衬底上 的信号线。至少一些信号线包括扫描线和数据线，数据线与扫描线交叉并沿 直线排列。红、绿、蓝像素驱动电路区域由扫描线和数据线的交叉限定。对 应于相同颜色的像素驱动电路区域一个邻近于另 一个地沿列方向排列。红、 绿、和蓝像素驱动电路位于像素驱动电路区域中。红、绿、蓝像素电极分别结合到红、绿、蓝像素驱动电路。每个像素电极沿行和列方向邻近于不同颜 色的像素电极。所述像素电极由透明导电层形成，并且所述平板显示器还包 括形成于所述透明导电层下面的反射层图案


图1是具有以"△，，状排列的像素阵列的传统OLED的平面图。
图2是在根据本发明第一实施例的OLED中的像素驱动电路的电路图。
图3是根据本发明第一实施例的OLED的像素阵列的平面图。
图4A和图4B是根据本发明第 一实施例的OLED沿图3中的线I-I，截取
的剖面图。
图5是在根据本发明第二实施例的OLED中的像素驱动电路的电路图。 图6是在根据本发明第三实施例的OLED中的像素驱动电路的电路图。
具体实施例方式
在下面的附图描述中，在不同层上或在衬底上形成层表示该层直接形成 在所述不同层上或直接形成在衬底上。然而，它也可以表示在所形成的层和 所述不同层或衬底之间存在其它层。
图2是在根据本发明第一实施例的OLED中的像素驱动电路100a的电 路图。每个像素驱动电路100a结合到信号线，信号线包括扫描线S，数据线 DR、 DG、 DB,和电源线ELVDD。数据线DR、 DG、 DB包括红数据线DR、绿 数据线Dc;、和蓝数据线DB。红、绿、蓝数据线DR、 DG、 DB与扫描线S相 交叉，从而限定紅像素Pr、緑像素Pg、和藍像素Pb。红、绿、蓝数据线dr、 DG、 Db分別結合到紅像素Pr、绿像素P(j、和蓝像素Pe。因而，具有特定颜 色(红、绿、蓝)的数据信号被传送到对应于相同颜色的数据线DR、 Dc、 DB。 像素驱动电路100a比对应于不同颜色的数据信号被相同的数据线传送的电路 更容易被驱动。
像素包括红、绿、蓝发光二极管ER、 EG、 EB和用于驱动发光二极管ER、 EG、 EB的^f象素驱动电^各100a。 ^^素驱动电^各100a具有开关晶体管Mla、电 容器Csta、和驱动晶体管M2a。开关晶体管Mla具有结合到扫描线S的栅极 和结合到数据线DR、 DG、 Db的源板，从而基于施加到扫描线S的扫描信号 来开关施加到数据线DR、 DG、 Db的数据信号。电容器Csta结合在开关晶体管Mla的漏极和电源线ELVDD之间以将数据信号存储预定长度时间。驱动 晶体管M2a具有结合到电容器Csta的栅极、结合到电源线ELVDD的源极、 和结合到每个发光二极管ER、 EG、 Eb的漏板，从而将相应于数据信号的电流 供应到每个发光二极管ER、 EG、 EB。每个发光二极管ER、 E(3、 EB相应于所 供应的电流发光。
图3是根据本发明第一实施例的OLED的像素阵列200a的平面图，其 中相同的标号表示和图2中相同的元件。信号线包括排列在衬底上的扫描线 S,数据幾Dr、 Dg、 Db,和电源线ELVDD。每个扫描线S沿第一方向延伸。 数据残Dr、 Dg、 DB包括红数据线DR、绿数据线Dc3、和藍数据幾Db。每个 数据残Dr、 Dg、 Db沿与第一方向交叉的第二方向延伸。当扫描线S和数据 残Dr、 Dg、 DB沿相交叉的方向延伸时，它们是〗皮此绝纟彖的。电源线ELVDD 当与扫描线S交叉时也是绝缘的。电源线ELVDD的排列方向与数据线DR、 De、 Db的排列方向相同。
像素驱动电路区域CR、 CG、 Cb由信号残限定，具体地讲，像素驱动电 路区域Cr、 Cg、 Cb由彼此交叉的扫描线S和数据线Dr、 Dg、 Db限定。在这 个实施例中，像素驱动电路区域CR、 CG、 CB指设置用于控制施加到发光二 板管Er、 Eg、 EB的信号的像素驱动电路100a的区域。因而，像素驱动电路 区域Cr、 Cg、 Cb是放置圉2中示出的像素驱动电路lOOa的所有元件的区域。 发光二极管er、 eg、 eb没有位于像素驱动电路区域cr、 cg、 Cb上。
在像素驱动电路区域CR、 CG、 Cb中，具有相同颜色的区域沿列方向相 邻地排列。例如，红像素驱动电路区域Qr沿相同的列摆放。换言之，像素驱 动电路区域CR、 CG、 Cb具有帶状排列。因而，顺次结合到相应颜色的像素 的数据残Dr、 Dg、 Db也可沿直残排列。这与图1的z字线形成了对比。在 图3所示的构造中，缩短了每个数据线DR、 DG、 DB的长度，减小了数据线 电阻，从而防止施加到每个数据线DR、 DG、 DB的数据信号被延迟。电源线 ELVDD也可沿直线排列。从而，也减小了电源线ELVDD的线电阻并防止供 应到电源线ELVDD的电压的降低。因此，改善了画面质量。此外，减小了 被数据线DR 、 DG 、 DB和电源线ELVDD占据的区域，因而提高了孔径比。
红、绿、蓝像素驱动电路100a分别位于红、绿、蓝像素驱动电路区域 Cr,Cg,Cb上。每个像素驱动电路100a包括开关晶体管Mla、电容器Csta、 和驱动晶体管M2a。红、绿、蓝像素驱动电路100a分别结合到红、绿、蓝像素电极140R、 140G、 140B。更详细地讲，驱动晶体管M2a的漏电极130a 结合到每个像素电极140R、 140G、 140B。在每个像素电极140R、 140G、 140B 中的开口定义为发光区，其中，开口指图4B中的145a。有才几发射层和相对 电极被顺次位于每个像素电极140R、 140G、 140B的开口上方。像素电极140R、 140G、 140B,有机发射层，和相对电极组成发光二极管ER、 EG、 EB。
像素电极140R、 140G、 140B的排列与像素驱动电路区域CR、 CG、 CB 的排列不同。每个像素电极140R, 140G、 140B沿行和列方向邻近于不同颜 色的像素电极排列。例如，红像素电极140R沿行和列方向邻近于绿像素电极 140G和蓝像素电才及140B排列，而不邻近于另 一红1象素电4及140R排列。为 了说明的目的，如果我们假设图3中的中间行是奇数行，那么在奇数行中的 像素电极140R、 140G、 140B位于像素驱动电路区域CR、 CG、 Cb的右迫， 在偶数行中的像素电极140R、 140G、 140B位于像素驱动电路区域CR、 CG、 Cb的左迫。这导致图3中的像素电极140R、 140G、 140B的"△，，状排列。 "△"状排列改善了三原色的颜色混合以获得不同的色彩，提升了画面质量。 因此，当信号线沿直线延伸时，像素电极140R、 140G、 140B可以以"△" 状排列摆放，"△，，状排列实现有效的颜色混合。像素驱动电路区域CR, CG, CB 沿行方向的长度与一节距相对应。在一个实施例中，考虑到颜色混合，像素 电极140R、 140G、 140B以0.5节距到1.5节距位于像素驱动电路区域CR、 CG、 Cs的左边或右边。优选0.75节距。像素电极140R、 140G、 140B与信号 线至少叠置一部分。
如上所述，具有相同颜色的像素驱动电路区域CR、 CG、 Cb沿列方向相 邻地设置，同时像素电极140R、 140G、 140B沿行方向和列方向邻近于不同 颜色的像素电极设置，从而没有信号延迟地实现三原色的颜色混合以获得不 同的色彩，因而改善了画面质量。
图4A和图4B是才艮据本发明第一实施例的OLED沿图3中的线I-I，截取 的剖面图。
图4A示出具有红像素驱动电路区域Qo绿像素驱动电路区域Cc、蓝像 素驱动电路区域CB的衬底100。衬底IOO可以是透明的衬底或者不透明的衬 底。此外，衬底IOO可以是玻璃衬底、塑料衬底、石英衬底、硅衬底、或金 属衬底。可在衬底IOO上形成缓沖层105。緩冲层105可包括硅氧化物层、 硅氮化物层、硅氧氮化物层、或上述材料的多层化合物。半导体层110形成在緩冲层105上。半导体层110可包括非晶硅层或从 非晶硅层结晶的多晶硅层。在一个实施例中，半导体层110包括具有高迁移 率的多晶硅层。栅绝缘层115形成在半导体层110上。栅绝缘层115包括硅 氧化物层、硅氮化物层、硅氧氮化物层、或上述材料的多层化合物。
栅电极120形成在栅绝缘层115上，并且形成栅电极120的区域正是半 导体层110位于栅绝缘层115下面的区域。在形成栅电极120的同时，也可 形成扫描线S(参见图3)。然后，通过利用栅电极120作为掩膜将导电杂质注 入半导体层IIO来形成源区110c和漏区110a。沟道区110b限定在源区110c 和漏区110a之间。第一内绝缘层125形成在栅电极120和半导体层IIO上。 另外，穿过第一内绝缘层125形成接触孔以露出源区110c和漏区110a。导电 层被沉积在具有接触孔的衬底上，然后构图以形成源电才及130c、漏电极130a、 数据幾Dr、 D(j、 Db，和电源线ELVDD。源电极130c和漏电极130a分别与 露出的源区110c和漏区110a接触。因此，通过半导体层110、栅电极120、 源电极130c和漏电极130a形成了驱动晶体管M2a(参见图3)。
第二内绝缘层133、 135形成在具有源电极130c、漏电极130a的衬底上。 第二内绝缘层133、 135可以是钝化层133、平坦化层135、或平坦化层135 沉积在钝化层133上的双层。钝化层133可由硅氧化物层、硅氮化物层、硅 氧氮化物层、或包括上述化合物的组合的多层形成。在一个实施例中，钝化 层133包括硅氮化物层，该硅氮化物层能够有效地保护下面的薄膜晶体管不 受气体和潮湿的侵损，并含有大量的氢，氢用来钝化多晶硅层的晶粒边界处 的不完全的键。平坦化层135是诸如苯并环丁烯(benzocyclobutene) (BCB)层、 聚酰亚胺层、聚丙烯酸层的有机层，其用于为下面的表面提供光滑的覆盖物。 穿过第二内绝缘层133、 135形成通孔135a以露出漏电极130a。
参见图4B，像素电极140R、 140G、 140B每个具有一个通孔135a地形 成在衬底上。在示出的实施例中，像素电极140R、 140G、 140B形成在第二 内绝缘层133、 135上。^象素电极140R、 140G、 140B结合到通过通孔135a 露出的漏电极130a。
如上所述，像素电极140R、 140G、 140B的排列与像素驱动电路区域CR、 CG、 Cb的排列不同。更详细地说，像素电极140R、 140G、 140B排列在像素 驱动电路区域CR、 CG、 Cb的左迫。像素电极140R、 140G、 140B结合到像 素驱动电路区域CR、 CG、 CB的漏电极130a。每个4象素电极140R、 140G、 140B形成在至少一些信号线，例如数据残Dr、 Dg、 Db，和电源线ELVDD,之上。 在一个实施例中，形成于像素电极140R、 140G、 140B和数据幾Dr、 Dg、 DB之间的第二内绝缘层133、135的厚度T!或者形成于像素电极140R、140G、 140B和电源线ELVDD之间的第二内绝缘层133、 135的厚度丁2可以是5000 A或更大。由于具有相对大的隔离，故可使像素电极140R、 140G、 140B与 数据残Dr、 Dg、 DB之间的寄生电容和像素电极140R、 140G、 140B与电源 线ELVDD之间的寄生电容最小化。优选地，考虑到通孔135a的深宽比，这 些厚度TV T2，即第二内绝缘层133、 135的厚度可以为5000 A到3pm (30,000A)。
像素电极140R、 140G、 140B由反射导电层制成，反射导电层可包括具 有高功函数的Ag、 Al、 Ni、 Pt、 Pd,或这些元素的合金。在这种情况下，像素 电极140R、 140G、 140B用作阳极。此外，反射导电层可包括具有低功函数 的Mg、 Ca、 Al、 Ag、 Ba或这些元素的合金。在这种情况下，像素电极140R、 140G、 140B用作阴极。
另一方面，反射层图案139可在形成像素电极140R、 140G、 140B之前 另外形成在像素电极140R、 140G、 140B的下面。在这种情况下，像素电极 140R、 140G、 140B必须由透明导电层制成。透明导电层包括氧化铟锡(ITO) 层或氧化铟锌(IZO)层。在一个实施例中，反射层图案139可具有60%或更大 的反射率。此外，反射层图案139包括Al、铝合金、Ag、银合金、或含有这 些金属和合金的任一组合物的合金。反射层图案139可和通孔135a分隔开。
像素限定层145形成在像素电极140R、 140G、 140B上。像素限定层145 可由苯并环丁烯(benzocyclobutene) (BCB)、以丙烯酸为基础的光阻材料 (acrylic-based photoresist)、 以笨盼为基石出的光阻才才泮牛(phenolic-based
口 145a形成在像素限定层145中以至少露出一部分^象素电极140R、 140G、 140B。
发红光层150R、发绿光层150G、发蓝光层150B形成在通过开口 145a 露出的红、绿、蓝像素电极140R、 140G、 140B上。可通过真空沉积法、喷 墨印刷法、和激光诱导热成像法来形成每个发光层。另外，空穴注入层、空 穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、或电子注入层(未示出)可形成在发光层 150R、 150G、 150B的上或下。然后，相对电极160形成在发光层150R、 150G、150B上。相对电极160可形成在整个衬底上。相对电极160可由透明导电层 形成。透明导电层可以是ITO层或IZO层，或者可包括/人Mg、 Ca、 Al、 Ag、 Ba这一组元素选出的元素或这些元素的任一合金，这种元素或合金层足够 薄，以使光透射。
像素电极140R、 140G、 140B，发光层150R、 150G、 150B，和相对电 极160分别形成发光二极管ER、 Eg、 Eb。发光二极管ER、 EG、 Eb的发光区 ERR、 ERg、 ERb由幵口 145a限定。
当驱动发光二极管ER、 EG、 Es工作时，空穴和电子被从像素电极和相对 电极注入到发光层150R、 150G、 150B中。然后，注入到发光层150R、 150G、 150B中的电子和空穴在发光层150R、 150G、 150B中复合，从而产生激子。 当激子从激发态跃迁到基态时，发射光。从发光层150R、 150G、 150B发射 的光由像素电极140R、 140G、 140B反射(在这种情况下，像素电极140R、 140G、 140B由反射导电层制成)，或者由像素电极140R、 140G、 140B下面 的反射层图案139反射(在这种情况下，像素电极140R、 140G、 140B由透明 导电层制成)，然后通过由透明导电层制成的相对电极160发射到外部。
图5是在根据本发明第二实施例的OLED中的像素驱动电路100b的电 路图。第(n-l)扫描线S(n-l)、第(n)扫描线S(n)、数据线D、电源线ELVDD、 和预充电线Vint结合到像素驱动电路lOOb。像素P由相交叉的数据线D和 扫描线S(n)限定。像素P包括发光二极管E和用于驱动发光二极管E的像素 驱动电路100b,其中发光二极管E可以是红、绿、蓝发光二极管ER、 Eg、 Eb中的任一个。取决于发光二极管Er、 Eg、 eb和数据线D,像素P可以是 红、绿、或蓝像素PR、 PG、 PB,其中数据线D可以是红、绿、或蓝数据线 DR、 DG、 DB。像素驱动电路由第一到第四晶体管Mlb、 M2b、 M3b、 M4b和 电容器Cstb组成。
第一晶体管Mlb包括结合到扫描线S(n)的栅和结合到数据线D的源。 第三晶体管M3b包括结合到第一晶体管Mlb的漏的源和彼此相结合的栅和 漏。第四晶体管M4b包括结合到第(n-l)扫描线S(n-l)的栅、结合到第三晶体 管M3b的漏的源、和结合到预充电线Vint的漏。第二晶体管M2b包括结合 到第三晶体管M3b的栅的栅、结合到电源线ELVDD的源、和结合到发光二 极管E的漏。电容器Cstb结合在第三晶体管M3b的栅和电源线ELVDD之间。 可以是红、绿、蓝发光二极管ER、 EG、 EB中的任一个的发光二极管E包括像素电极、相对电极、和置于像素电极与相对电极之间的发光层。发光二极管
E的像素电极、相对电极、和发光层与用于第一实施例100a的发光二极管ER、 EG、 Eb的在圉4B中示出的像素电极140R、 140G、 140B，相对电极160,和 发光层150R、 150G、 150B相似。
具有上述根据本发明第二实施例的像素驱动电路100b的OLED的像素 布局与图3中为第一实施例100a所示的像素布局相似。但是，在第二实施例 的像素驱动电路100b中，在行或列方向上增加了预充电线Vint，并且也增加 了第三晶体管M3b和第四晶体管M4b。第二实施例100b的第一到第四晶体 管Mlb、 M2b、 M3b、 M4b和电容器Cstb位于像素驱动电路区域中，该像素 驱动电路区域与图3中示出的第一实施例的像素驱动电路区域CR、 CG、 Cb 相似。像素电极(与第一实施例的像素电极140R、 140G、 140B相似)可与预 充电线Vint叠置。
图6是在根据本发明第三实施例的OLED中的像素驱动电路100c的电 路图。包括扫描线S(n)、数据线D、电源线ELVDD、和发光控制线EM(n) 的信号线结合到像素驱动电路100c。数据线D和扫描线S(n)彼此交叉，限定 像素P。像素P包括可以是红、绿、蓝发光二极管ER、 EG、 Eb中的任一个的 发光二极管E和用于驱动发光二极管E的像素驱动电路100c。像素驱动电路 100c包括第一到第三晶体管Mlc、 M2c、 M3c和电容器Cstc。
第一晶体管Mlc包括结合到扫描线S的栅和结合到数据线D的源。第 二晶体管M2c包括结合到第一晶体管Mlc的漏的栅和结合到电源线ELVDD 的源。电容器Cstc结合在第二晶体管M2c的栅和电源线ELVDD之间。第三 晶体管M3c包括结合到发光控制线EM(n)的栅、结合到第二晶体管M2c的漏 的源、和结合到发光二极管E的漏。发光二极管E包括像素电极、相对电极、 和置于像素电极与相对电极之间的发光层。发光二极管E的像素电极、相对 电极、和发光层与用于第一实施例100a的发光二极管ER、 Eg、 Eb的在囹4B 中示出的像素电极140R、 140G、 140B，相对电极160，和发光层150R、 150G、 150B相似。
除了在行或列方向上加入发光控制线EM(n),具有上述4艮据本发明第三 实施例的像素驱动电路100c的OLED的像素布局与图3中示出的像素布局相 同，第一到第三晶体管Mlc、 M2c、 M3c和电容器Cstc位于像素驱动电路区 域(与图3中示出的第一实施例的像素驱动电路区域CR、 CG、 Cb相似)中。像素电极(与第一实施例的像素电极140R、 140G、 140B相似)可与发光控制 线EM(n)叠置。
在该说明书中，OLED的实施例是通过举例的方式来描述的。本发明也 可应用于LCD,特别是利用外部光的反射型LCD。
如上所述，具有相同颜色的像素驱动电路区域CR、 C(j、 Cb沿列方向相 邻地排列，并且每个像素电极140R、 140G、 140B沿行方向和列方向邻近于 具有不同颜色的像素电极140R、 140G、 140B排列，这种排列没有信号延迟 地或没有电压下降地实现三原色的颜色混合以获得不同的色彩，并实现优良 的画面质量。
虽然已参照某些示例性实施例描述了本发明，但是本领域技术人员应该 理解，在不脱离由权利要求及其等同物所限定的本发明的精神或范围的情况 下，可对本发明作出各种^fi务改和变化。
权利要求
1、一种平板显示器，包括衬底；信号线，排列在所述衬底上，所述信号线包括扫描线和与所述扫描线相交叉的数据线，所述扫描线和所述数据线沿直线延伸；像素驱动电路区域，由所述扫描线和所述数据线的交叉来限定；像素驱动电路，位于所述像素驱动电路区域中；和像素电极，结合到所述像素驱动电路，所述像素电极沿行和列的方向邻近于不同颜色的像素电极，其中，所述像素电极由透明导电层形成，并且所述平板显示器还包括形成于所述透明导电层下面的反射层图案。
2、 如权利要求1所述的平板显示器，其中，所述信号线包括与所述扫描 线相交叉并沿直线延伸的电源线。
3、 如权利要求1所述的平板显示器，其中，相同颜色的像素驱动电路区 域沿列方向相邻地排列。
4、 如权利要求1所述的平板显示器，其中，所述像素电极按"△"状排列。
5、 如权利要求1所述的平板显示器，其中，所述平板显示器是有机发光 显示器。
6、 一种平板显示器，包括 衬底；信号线，排列在所述衬底上，所述信号线包括扫描线和与所述扫描线相 交叉的数据线，所述扫描线和所述数据线沿直线延伸；红、绿、蓝像素驱动电路区域，由所述扫描线和所述数据线的交叉来限 定，在所述像素驱动电路区域中相同颜色的像素驱动电路区域沿列方向相邻 地排列；红、绿、蓝像素驱动电路，分别位于所述红、绿、蓝像素驱动电路区域 中；和红、绿、蓝像素电极，分别结合到所述红、绿、蓝像素驱动电路，所述 红、绿、蓝像素电极沿行和列的方向邻近于不同颜色的像素电极，其中，所述像素电极由透明导电层形成，并且所述平板显示器还包括形 成于所述透明导电层下面的反射层图案。
7、如权利要求6所述的平板显示器，其中，所述像素电极按"△"状排列。
全文摘要
本发明提供了一种平板显示器，这种平板显示器具有优良的对三原色的颜色混合以获得不同的色彩，并且只有很少的信号延迟。该显示器包括信号线，信号线包括扫描线和与扫描线相交叉的数据线，扫描线和数据线都沿直线延伸。红、绿、蓝像素驱动电路区域由扫描线和数据线的交叉来限定。具有相同颜色的像素驱动电路区域沿列方向相邻地排列。红、绿、蓝像素驱动电路位于像素驱动电路区域中并且结合到红、绿、蓝像素电极。像素电极沿行和列的方向邻近于不同颜色的像素电极。
文档编号G09G3/30GK101286523SQ20081000398
公开日2008年10月15日 申请日期2005年11月7日 优先权日2004年11月8日
发明者姜泰旭, 徐美淑, 李乙浩 申请人:三星Sdi株式会社