专利名称：用于液晶显示面板驱动集成电路的锁存效应保护电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于一液晶显示面板驱动集成电路(IC)的锁存效应保 护电路，且特别是涉及一种包含一N型金属氧化物半导体晶体管、 一切换装 置及一电容的锁存效应保护电路。
背景技术：
电子装置中的液晶显示面板驱动IC的设计，是相当重要的一项课题。 依不同的设计方式，将会产出不同面积大小、不同成本耗费及不同效能的成 品。因此，驱动IC设计的良劣，将影响驱动IC的效能。
但是，驱动IC容易受到噪声的干扰而失去正常的功用。常见的噪声有 静电(electrostatic discharge)及突波电流(rush current )。噪声或是 突波电流容易造成驱动IC中某个部分，电平急遽升高至一正高电平。正高 电平则会进一步造成驱动IC的锁存效应，使驱动IC无法正常地动作。以往 的解决方式为在驱动IC外部的基板上具有最负电平之处，即容易受到噪声 干扰处，自驱动IC外部串联一肖特基二极管(schottky diode)以限制此 处电平于一个固定的电平而避免噪声带来的正高电平。但是为了不使驱动IC 外部电路的成本提高，如能使锁存效应保护电路设置在驱动IC内部中，将 是较理想的做法。
因此，如何设计一个新的锁存效应保护电路，内建于驱动IC,并且有 效地防止噪声的干扰，乃为此一业界亟待解决的问题。
发明内容
因此本发明的目的就是在提供一种锁存效应保护电路，用于一液晶显示 面板驱动电路，其中锁存效应保护电路包含一N型金属氧化物半导体晶体 管、 一切换装置及一电容。N型金属氧化物半导体晶体管包含 一电连接于 一接地端的漏极； 一电连接于一负电压源的源极；以及一栅极；切换装置电 连接于栅极，用以接收一控制信号，以根据控制信号切换于一正电压源及负电压源间；电容电连接于正电压源及^"极。
本发明的优点在于能够利用正电压源及负电压源，使驱动电路未启动前 将易产生锁存效应之处连接至接地电压，避免正电压噪声的干扰，并在驱动 电路启动后连接至最负的负电压，再度保护驱动电路免于正电压噪声的干 扰，而轻易地达到上述的目的。
在参考附图及随后描述的实施方式后，本领域技术人员便可了解本发明 的目的，以及本发明的技术手段及实施态样。
为使本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，附 图详细说明如下。
图1为本发明的第一实施例的锁存效应保护电路的示意图； 图2为本发明的锁存效应保护电路中各电压的波形图。
附图符号说明
1:锁存效应保护电路
101: 4妄地端
103:控制信号
105:正电压
107:供应电压
109: 4册才及电压
111:负电压
114:连接点
100: N型金属氧化物半导体晶体管
102:切换装置
104:控制模块
106:电容
108:负电压源
110:电源供应器
112:正电压源
具体实施例方式
请参考图l，其为本发明的第一实施例的锁存效应保护电路l的示意图。 锁存效应保护电路1用于一液晶显示面板驱动电路(未示出)，其中锁存效 应保护电路l包含一N型金属氧化物半导体晶体管100、 一切换装置102、 一控制模块104及一电容106。 N型金属氧化物半导体晶体管100包含一 电连接于一接地端101的漏极； 一电连接于一负电压源108的源极；以及一 栅极。在本实施例中，易受噪声或突波电流影响之处，即为N型金属氧化物的源极所连接之处，亦即锁存效应保护电路l中的连接点 114。
控制模块104用以自一电源供应器110接收一供应电压后，产生一控制 信号103。切换装置102电连接于N型金属氧化物半导体晶体管100的栅极， 用以接收控制信号103，以根据控制信号103切换于一正电压源112及负电 压源108间。电容106电连接于正电压源112及N型金属氧化物半导体晶体 管100的栅极间。
请参考图2，其为锁存效应保护电路l中各电压的波形图。图2中所绘 示的电压有控制信号103、正电压105、供应电压107、栅极电压109及一负 电压111。锁存效应保护电路1的操作过程如下所述首先，正电压源112 开始供应一正电压105至电容106，并持续地对电容106进行充电。此时， 驱动电路(未示出)尚未启动，控制模块104也还未接收电源供应器110的 供应电压107。电容106被正电压源112充电后，进一步提供一栅极电压109 至N型金属氧化物半导体晶体管100的栅极，并使N型金属氧化物半导体晶 体管100导通。因此，N型金属氧化物半导体晶体管100的源极，也就是连 接点114,通过N型金属氧化物半导体晶体管100的导通而将源极电平拉至 接地端101。因此，噪声或是突波电流即无法在电压供应器IIO提供供应电 压107至控制模块104前，使源极这一点的电平上升，以避免发生锁存效应， 进而达到保护效果。
上述状况维持一段时间后，电压供应器110开始提供供应电压107至控 制模块104,驱动电路(未示出)也开始动作。控制模块104即开始产生控 制信号103以控制切换装置102。在本发明中，切换装置102 —开始在控制 信号103为高态时连接至正电压源112, N型金属氧化物半导体晶体管100 继续保持导通状态，且源极的电平依然保持接地电平。控制信号103接着转 换至一低态，以使切换装置102连接至负电压源108。 N型金属氧化物半导 体晶体管100的源极与栅极同时接收到负电压源108所提供的负电压111。 在本实施例中，负电压源108所提供的负电压111为驱动电路(未示出)中， 具有最负的电平。因此，在负电压111使得N型金属氧化物半导体晶体管100 关闭的情况下，源极与接地端即互相隔开。由负电压源108所提供的负电压 lll的电平，其电平的绝对值够大，而足以保护N型金属氧化物半导体晶体 管100的源极，即连接点114,使连接点114不会因噪声或突波电流的正高电平而产生锁存效应。
本发明的锁存效应保护电路提供了一个机制使N型金属氧化物半导体 晶体管100的源极，即驱动电路(未示出)中所须保护之处，不会受噪声或 突波电流的影响。在驱动电路开始动作前，锁存效应保护电路使源极保持在 接地电平，而在驱动电路开始动作后，锁存效应保护电路使源极保持于高负 电平。因此，噪声或突波电流在上述两种情况下均不会干扰驱动电路的动作。
虽然本发明已以一较佳实施例披露如上，但其并非用以限定本发明，本 领域技术人员，在不脱离本发明精神和范围的前提下，当可作各种的更改与 修饰，因此本发明的保护范围应以本发明的权利要求为准。
权利要求
1. 一种锁存效应保护电路，用于一液晶显示面板驱动电路，其中该锁存效应保护电路包含一N型金属氧化物半导体晶体管包含一漏极，电连接于一接地端；一源极，电连接于一负电压源；以及一栅极；一切换装置，电连接于该栅极，该切换装置用以接收一控制信号，以根据该控制信号切换于一正电压源及该负电压源之间；以及一电容，电连接于该正电压源及该栅极。
2. 如权利要求1所述的锁存效应保护电路，还包含一控制模块，用以于 该控制模块自 一电源供应器接收一供应电压后，产生该控制信号。
3. 如权利要求2所述的锁存效应保护电路，其中该正电压源于该控制模 块接收该供应电压前，持续对该电容进行充电。
4. 如权利要求1所述的锁存效应保护电路，当该切换装置根据该控制信 号连接至该正电压源时，该N型金属氧化物半导体晶体管导通，使该源极的 电压因金属氧化物半导体晶体管导通而接近于一接地电压。
5 . 如权利要求1所述的锁存效应保护电路，当该切换模块根据该控制信 号连接至该负电压源时，该N型金属氧化物半导体晶体管关闭，且该源极接 收该负电压源传送的一负电压。
6. 如权利要求5所述的锁存效应保护电路，其中该负电压源根据该控制 信号，提供该负电压。
7. 如权利要求6所述的锁存效应保护电路，其中该负电压为该液晶显示 面板驱动电路中的一最负电压。
全文摘要
一种用于液晶显示面板驱动集成电路的锁存效应保护电路，其中锁存效应保护电路包含一N型金属氧化物半导体晶体管、一切换装置及一电容。N型金属氧化物半导体晶体管包含一电连接于一接地端的漏极；一电连接于一负电压源的源极；以及一栅极；切换装置电连接于栅极，用以接收一控制信号，以根据控制信号切换于一正电压源及负电压源间；电容电连接于正电压源及栅极。
文档编号G09G3/36GK101546538SQ20081021062
公开日2009年9月30日 申请日期2008年8月13日 优先权日2008年3月27日
发明者邱明正, 陈界錞 申请人:奇景光电股份有限公司