专利名称：一种显示器(crt)场供电电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种显示器场供电电路，特别是通过切换电路开关控制供电电源的显示器(CRT)场供电电路。
背景技术：
现有技术中，在显示器(CRT)的电视集成供电电路中，实现场芯片正、负电压供电时，直接由开关变压器次级输出的正、负电源为集成电路供电，在正、负电源为集成电路供电、当显示器进入待机状态时，供电引脚的电压差仍然较大，此时会产生显示器(CRT)场待机功率消耗，如何实现显示器在工作时正常供电，在其待机时降低场功率的损耗成为显示器集成电路技术中需要解决的技术问题。发明内容
为了解决现有技术中显示器待机状态下，场供电引脚电压差过大造成的场电路功率损耗的缺点和不足，提出一种显示器(CRT)场供电电路，通过控制信号控制显示器(CRT)场内供电电源的接入情况，有效的降低待机时场内功率消耗。
本实用新型实现发明目的采用的技术方案是在包括三极管、电容、电阻以及供电电压组成的显示器(CRT)场供电集成电路中，场电路是直接由电压源对其进行供电工作，在所述显示器(CRT)场供电电路的正供电电源的引脚上增设切换电路，所述的切换电路是由三极管Q1、三极管Q2、配合使用的外围电阻及电容组成，其中控制信号经过限压电阻Rl与三极管Ql基极连接，三极管Ql的集电极与电阻R2串联后接入到三极管Q2的基电极中，三极管Q2的发射极接在供电电源上。
所述的Q1型号为C1815的NPN类型三极管，Q2型号为C751的PNP类型三极管。
本实用新型的有益效果是，该电路通过控制信号控制三极管Q2的通断来控制Ql的导通或截止，实现显示器在正常工作状态下，电源正常供电，在显示器待机状态下，降低场电压差，减少显示器(CRT)场内部电路的功率损耗。
附图1为切换电路原理图
附图中，ST为输入控制信号，A为显示器(CRT)场内部工作芯片。
具体实施方式
参看附图1，在所述显示器(CRT)场供电电路的正供电电源的引脚上增设切换电路，所述的切换电路是由三极管Q1、三极管Q2、配合使用的电阻及电容组成，其中控制信号经过限压电阻R1与三极管Ql基极连接，三极管Ql的集电极与电阻R2串联后接入到三极管Q2的基电极中，三极管Q2的发射极接在供电电源上。
使用时，在显示器开机状态下控制信号为高电平，三极管Q1处
4于饱和导通状态，此时三极管Q2基极电平被拉低，从而三极管Q2 处于饱和导通状态，+12￥供电电源通过三极管02给显示器(CRT) 场电压供电，场内电路进行正常工作，
在显示器待机时，控制信号为低电平，三极管Ql处于截止状态, 此时三极管Q2基极为髙电平，从而三极管Q2也处于截止状态，三 极管Q2的集电极电压下降到大约5.4V，导致电源电压不能通过三极 管Q2到显示器(CRT)场电压引脚，为显示器(CRT)场内电路提 供工作电压，此时场内部电路芯片不工作，实现了场内部电路芯片在 待机情况下基本没有消耗功率，克服了现有技术中显示器待机状态 下，场供电引脚电压差过大造成的场电路功率损耗的缺点。
所述的Ql型号为C1815的NPN类型三极管，Q2型号为C751 的PNP类型三极管。
权利要求1、一种显示器CRT场供电电路，包括三极管、电容、电阻以及供电电压组成的显示器CRT场供电集成电路中，场电路是直接由电压源对其进行供电工作，其特征在于在所述显示器CRT场供电电路的正供电电源的引脚上增设切换电路，所述的切换电路是由三极管Q1、三极管Q2、配套使用的外围电阻及电容组成，其中控制信号经过限压电阻R1与三极管Q1基极连接，三极管Q1的集电极与电阻R2串联后接入到三极管Q2的基电极中，三极管Q2的发射极接在供电电源上。
2、 根据权利要求1所述的一种显示器(CRT)场供电电路，其特征在于:所述的三极管Ql型号为C1815的NPN类型三极管,三极管Q2型号为C751的PNP类型三极管。
专利摘要一种显示器(CRT)场供电电路，克服了显示器在待机状态下，场芯片供电引脚电压差过大造成的场电路功率损耗的缺点，采用的技术方案是在所述显示器(CRT)场供电电路的正供电电源的引脚上增设切换电路，所述的切换电路是由三极管Q1、三极管Q2、电阻及电容组成，其中控制信号经过限压电阻R1与三极管Q1基极连接，三极管Q1的集电极与电阻R2串联后接入到三极管Q2的基电极中，三极管Q2的发射极接在供电电源上。本实用新型的优点是，通过控制信号控制三极管Q2的通断来控制Q1的导通或截止，实现显示器在正常工作状态下，电源正常供电，在显示器待机状态下，降低场电压差，减少显示器(CRT)场内部电路的功率损耗。
文档编号G09G1/28GK201402593SQ20082023561
公开日2010年2月10日 申请日期2008年12月23日 优先权日2008年12月23日
发明者赵文涛, 钟伟金 申请人:康佳集团股份有限公司