专利名称：显示装置、有源矩阵基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及具备在像素内内置有光传感器的显示面板的显示装置。
背景技术：
以往提出了具备在像素内内置有光传感器的显示面板的显示装置。在上述显示装置中一般使用光电二极管作为光传感器。该光电二极管的灵敏度一 般用S(信号)/N(噪声)表示。即，若S/N的值较大则灵敏度较好。在像素内内置有光传感器的显示面板中，作为提高光传感器的灵敏度的方法，例 如在专利文献1中公开了如下技术通过在一个像素内设置两个光电二极管来增大光电流 从而提高S(信号)/N(噪声)。S卩，在专利文献1所公开的技术中，使表示光电二极管的灵 敏度的S/N中的表示S (信号)的光电流增大来提高灵敏度。专利文献1 日本公开特许公报“特开2006-3857号公报(
公开日2006年1月5 曰)，，
发明内容
但是，在上述装置中用作光传感器的光电二极管容易接收像素内的像素电极的电 位变化的影响导致的噪声(电噪声)。在这种情况下，会产生如下问题表示光电二极管灵 敏度的S/N中作为分母的N(噪声)的值变大，因此导致灵敏度降低。例如，在专利文献1中，为了提高光电二极管的灵敏度，在像素内设置两个光电二 极管来增大光电流(S)，但是所收到的噪声(N)也会与光电二极管的数量增加相应地变多， 因此，其结果是产生作为光传感器的灵敏度降低的问题。本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于实现能够降低电噪声对光传感器 的影响从而防止光传感器的灵敏度降低的显示装置。为了解决上述问题，本发明的显示装置的特征在于具备在像素内内置有光传感 器的显示面板，设有覆盖上述光传感器的透明电极，上述透明电极与像素内的像素电极绝缘。根据上述结构，光传感器被透明电极覆盖，该透明电极处于与像素电极绝缘状态， 因此，光传感器不被像素电极覆盖，对光传感器遮断像素电极的电位变化导致的电噪声，光 传感器不会受到像素电极导致的电噪声的影响。由此，能够实现防止光传感器的灵敏度的 降低，其结果是与以往的内置光传感器的显示面板相比，能够实现光传感器的灵敏度的提
尚O因此，在将本发明的显示装置应用于内置有光传感器触摸面板的液晶显示装置的 情况下，光传感器的灵敏度较好，因此，当用户进行触摸操作时其识别精度变好，能够实现 触摸面板的操作性的提高。优选覆盖上述各光传感器的透明电极彼此是电连接的。对光传感器来说，除了像素电极产生的电噪声以外还存在来自其它信号、外部的
4噪声的影响，在这种情况下，能通过透明电极彼此电连接来分散来自其它的信号、外部的噪 声的影响，难以受到来自其它的信号、外部的噪声的影响。另外，优选对上述透明电极施加规定的电位。通过对透明电极施加固定的电位，能够抑制透明电极自身所受到的来自其它信 号、外部的噪声导致的电位变化，能够更可靠地消除电噪声的影响。即，在这种情况下，透明 电极覆盖光传感器，由此透明电极发挥用于防止噪声进入光传感器的屏蔽电极的功能。优选上述透明电极的连接部分的宽度形成得比连接部分以外的宽度窄。在这种情况下，透明电极彼此的连接部分通常设有用于驱动像素电极的配线，因 此，当该连接部分的透明电极的面积较大时，透明电极与配线产生的寄生电容增大。因此， 优选连接部分的透明电极的面积尽量小。因此，如上所述，透明电极的连接部分的宽度形成 得比连接部分以外的宽度窄，由此能够使寄生电容较小。另外，在显示装置是轴对称取向的垂直液晶模式的液晶显示装置的情况下，如上 所述使透明电极的连接部分的宽度较窄，由此电极形状成为与显示部相同的矩形。由此，能够使该透明电极上的液晶分子的取向与显示部同样地轴对称取向，液晶 分子的取向状态稳定，由此提高显示质量。与此相对，在透明电极不采用如上所述使透明电极的连接部分的宽度较窄的所谓 的缩窄构造的情况下，不能以像素为单位使液晶分子的取向整齐，每一像素的液晶分子的 取向状态不同，因此，当观看反射显示时成为不光滑的显示。另外，在不稳定的液晶分子的 取向影响到透射区域的情况下，有可能当进行透射显示时也会发生不光滑。优选上述显示面板具备对置基板，所述对置基板在与形成有上述像素电极的基板 的像素电极形成面对置的面上设有对置电极，当上述对置基板的对置电极被交流驱动时， 上述透明电极的电位被设定成上述对置电极的电位的中间值。这样，当对置基板的对置电极被交流驱动时，透明电极的电位设定成上述对置电 极的电位的中间值，由此在例如显示装置是液晶显示装置的情况下，透明电极上的液晶所 受的电场在正负极性下大小相同，不会发生闪烁，因此，能够得到稳定的显示质量。优选上述显示面板具备对置基板，所述对置基板在与形成有上述像素电极的基板 的像素电极形成面对置的面上设置有对置电极，当上述对置基板的对置电极被直流驱动 时，上述透明电极的电位被设定成与上述对置电极相同的电位。这样，当对置基板的对置电极被直流驱动时，透明电极的电位被设定成与上述对 置电极相同的电位，由此例如在显示装置是常黑的液晶显示装置的情况下，透明电极上的 液晶不会被施加直流成分，因此，透明电极上的液晶的取向成为黑显示状态，因此，能够得 到不会伴随对比度降低的良好的显示质量。另外，透明电极上的液晶不会被施加直流成分，由此能够避免离子性杂质导致的 斑点等问题。优选上述透明电极与上述像素电极形成在同一层中。在这种情况下，能够用相同的工序制作透明电极和像素电极。即，形成透明电极层 并图案化为规定的图案即可。因此，能够简化显示装置的制造工序。优选形成有遮挡上述光传感器的受光部的边缘部的遮光体。
透明电极上的液晶无助于显示，并且随着其电压的设定会发生漏光而成为显示质 量降低的原因，但是通过形成有遮挡光传感器的受光部的边缘部的遮光体，能够尽量减少 来自无助于显示的区域的漏光，因此，能够实现显示质量即对比度的提高。并且，为了减少漏光，优选如下地设置遮光体。S卩，优选上述遮光体设置在上述透明电极上。另外，优选上述遮光体设置在与形成有上述像素电极的基板对置的对置基板上。优选在与形成有上述像素电极的基板对置的对置基板上，除了与上述透明电极对 置的部位以外，形成有对置电极。由此，例如在显示装置是液晶显示装置的情况下，能够不对透明电极上的液晶施 加电压而抑制显示质量的降低。特别地，即使在像对置基板的对置电极被交流驱动的情况 那样，在对液晶施加的电压的极性总是反转的情况下，也不对透明电极上的液晶施加电压， 因此具有如下效果不会对显示造成影响，防止发生由于对液晶所施加的电解发生变化导 致的闪烁。本发明的显示装置是在同一像素内具有透射部和反射部，在与形成有像素电极的 基板对置的对置基板中进行上述透射部和反射部中的单元厚度控制的半透射型显示装置， 其特征在于在上述像素内内置光传感器，设有覆盖上述光传感器的透明电极，上述透明电 极与像素内的像素电极绝缘，在上述对置基板的与上述透明电极对应的位置形成有用于控 制单元厚度的透明抗蚀剂。根据上述结构，在半透射型的显示装置中，光传感器被透明电极覆盖，该透明电极 处于与像素电极绝缘的状态，因此，光传感器不被像素电极覆盖，对光传感器遮断像素电极 的电位变化导致的电噪声，不会对光传感器带来像素电极导致的电噪声的影响。由此，能够 防止光传感器的灵敏度的降低，其结果是与以往的内置光传感器的显示面板相比能够实 现光传感器的灵敏度的提高。因此，在将本发明的显示装置应用于内置有光传感器触摸面板的液晶显示装置的 情况下，光传感器的灵敏度较好，因此当用户进行触摸操作时其识别精度变好，能够实现触 摸面板的操作性的提高。在对置基板的与光传感器对应的位置上，有时为了提高光传感器的灵敏度而不形 成滤色器层，在这种情况下在滤色器层中产生了台阶。在该台阶部有时发生漏光，有时对置 电极在该台阶部膜厚变薄或者完全断开。通过用控制反射部的单元厚度的透明抗蚀剂覆盖 该台阶部，就不会发生上述问题。另外，上述透明电极上的液晶部的厚度与反射部相同，可 以控制与反射部相同的外观。
图1是本发明的一个实施方式的液晶显示装置的平面图。图2是图1示出的液晶显示装置的概要截面图。图3是本发明的其它的实施方式的液晶显示装置的平面图。图4是本发明的另一个实施方式的液晶显示装置的概要截面图。图5是本发明的另一个实施方式的液晶显示装置的概要截面图。图6是本发明的另一个实施方式的液晶显示装置的概要截面图。
图7是表示本发明的液晶显示装置的比较例的平面图。
具体实施例方式如下说明本发明的一个实施方式。此外，在本实施方式中，说明将本发明的显示装 置应用于内置有光传感器触摸面板的液晶显示装置的例子。下面参照图1和图2说明本实施方式的液晶显示装置的整体结构。图1是本实施方式的液晶显示装置的平面图。此外，在图1中，为了便于说明，仅 记载有源矩阵基板(下面，称为TFT(Thin FilmTransistor 薄膜晶体管)阵列基板)侧， 省略液晶和对置基板。图2是图1示出的液晶显示装置的A-A线箭头方向截面图。此外，在图2中，除了 TFT阵列基板，还示出了液晶和对置基板。即，如图2所示， 本实施方式的液晶显示装置11是在TFT阵列基板100和与该TFT阵列基板100对置的对 置基板200之间夹着液晶层300的结构。首先，说明TFT阵列基板100。如图1所示，上述TFT阵列基板100具备像素电极106和光传感器元件107。上述像素电极106和光传感器元件107在未图示的绝缘基板上配置为矩阵状，由 一个像素电极106和一个光传感器元件107构成一个像素。即，TFT阵列基板100采用在 一个像素内除了一个像素电极106以外还内置有一个光传感器元件107的结构。S卩，上述像素电极106通过接触孔113与在源极总线101和栅极总线102的交叉部 所形成的TFT 104的漏极电极112电连接，其中，该栅极总线102与该源极总线101正交。上述漏极电极112与硅层110电连接。与上述栅极总线102大致平行地形成有CS总线103和光传感器用配线109。上述CS总线103在每一像素中形成CS电极105，由该CS电极105和上述硅层110 构成辅助电容。上述光传感器用配线109是传送控制传感电路的传送信号的配线，该传感电路由 TFT构成，该TFT连接沿着上述栅极总线102形成在像素电极106与像素电极106之间的上 述光传感器元件107和光传感器元件107。上述光传感器元件107是接受光并将其变换为电流的光电变换元件，例如由光电 二极管构成，对上述光传感器用配线109供给与受光光量对应的量的电流。由此，能够按每 一像素检测出受光量。在上述光传感器元件107的上方形成有由透明电极构成的透明屏蔽电极108。该 透明屏蔽电极108发挥以下功能抑制由于像素电极106的电位变化等产生的噪声对光传 感器元件107的影响。上述透明屏蔽电极108由沿着光传感器用配线109 —体地形成的透明电极构成， 使其覆盖相邻的光传感器元件107。该透明屏蔽电极108连接到未图示的电源，总是被施加 规定的电位。如图2所示，上述结构的TFT阵列基板100在与液晶层300相接的同一面上形成 有上述像素电极106和透明屏蔽电极108。由此，像素电极106和透明屏蔽电极108能够通 过对同一层、即一个透明电极层进行图案化而得到。在这种情况下，能够用相同的工序制造
7像素电极106和透明屏蔽电极108，因此，能够实现制造工序的简化。此外，从简化制造工序这一观点出发，如上所述，优选在同一层形成像素电极106 和透明屏蔽电极108，但是从对光传感器元件107屏蔽噪声的观点出发，不需要在同一层形 成像素电极106和透明屏蔽电极108，也可以用不同的层形成。在上述TFT阵列基板100中，在位于与上述像素电极106和透明屏蔽电极108的 形成面对置的最下层的绝缘性基板(未图示)上层叠有第一绝缘膜111a，使其覆盖被图案 化的硅层110，在该第一绝缘膜Illa上形成有各配线(栅极总线102、光传感器用配线109) 和CS电极105。进而，层叠有第二绝缘膜111b，使其覆盖上述各配线和CS电极105。在上述第二绝缘膜Illb上形成有构成TFT 104的漏极电极112。该漏极电极112 通过形成在上述第一绝缘膜Illa和第二绝缘膜Illb中的接触孔Illd与存在于上述像素 电极106的正下方的硅层110电连接。并且，在上述第二绝缘膜Illb上层叠有第三绝缘膜111c，使其覆盖漏极电极112。在上述第三绝缘膜Illc上形成有上述像素电极106和透明屏蔽电极108。该像素 电极106通过形成在第三绝缘膜Illc中的接触孔113与漏极电极112电连接。下面说明对置基板200。如图2所示，上述对置基板200在最表面上配设有未图示的透明的绝缘性基板，在 该绝缘性基板上形成有滤色器层201。该滤色器层201被进行RGB设定使其与TFT阵列基 板100的各像素对应。另外，上述滤色器层201在与上述TFT阵列基板100的光传感器元件107相当的 部分形成有开口部201a。并且，在上述滤色器层201的液晶层300侧的面上，在与TFT阵列基板100的像素 电极106对置的位置形成有对置电极202。此外，在图1中未图示，在对置基板200中，在液晶层300侧的对置电极202上形 成有用于控制液晶取向的取向膜，同样地，在TFT阵列基板100的像素电极106和透明屏蔽 电极108上也形成有用于控制液晶取向的取向膜。另外，从视角、对比度的方面出发，有时使用CPA取向等垂直取向的液晶作为用于 液晶层300的液晶，但是不能控制透明屏蔽电极108上的液晶分子的取向，因此，每一像素 的液晶分子的取向状态不同，当通过反射确认显示时能够看见不光滑。另外，有可能这种液 晶分子的取向的不均勻会波及到像素电极106上的液晶分子，成为透射显示不良。因此，作为维持透明屏蔽电极108的屏蔽功能且抑制该透明屏蔽电极108上的液 晶分子的取向混乱的方法，可以考虑例如如图3所示，使透明屏蔽电极108的与源极总线 101交叉的区域108a的宽度比覆盖光传感器元件107的区域108b的宽度窄。如图3所示，通过使透明屏蔽电极108的宽度采用局部较窄的缩窄形状，光传感器 元件107上的透明屏蔽电极108成为矩形，能够使液晶分子在各个矩形的透明屏蔽电极108 上轴对称取向，能够使液晶分子的取向在整个像素均勻地整齐排列。其结果是能够消除 由于透明屏蔽电极108上的取向异常而导致的反射不光滑。并且，能够消除透明屏蔽电极 108上的液晶分子的取向混乱对像素电极106上的液晶分子造成的取向混乱的影响，因此， 能够抑制液晶显示质量的降低。此外，在透明屏蔽电极108与源极总线101的交叉部寄生电容变得较大，有可能由
8于源极总线101的电位变化的影响，该透明屏蔽电极108的电位改变而成为噪声的原因。但 是，如图3所示，通过使透明屏蔽电极108的与上述源极总线101的交叉部成为缩窄形状， 能够使该交叉部的面积较小，因此，能够使寄生电容变小。因此，源极总线101的电位变化 对透明屏蔽电极108造成的影响变得较小，因此，该透明屏蔽电极108的电位难以发生波动。优选上述缩窄部的透明屏蔽电极108的宽度是10 μ m以下。在使用垂直取向的液晶的情况下，如上所述能通过使透明屏蔽电极108成为矩形 来稳定液晶分子的取向，为了进一步成为矩形状而使缩窄部的宽度变窄。图7是表示相对于本发明的液晶显示装置11的比较例的图。图7示出的液晶显示装置1100除了像素内的光传感器元件1107被作为透明电极 的像素电极1106覆盖以外，是与图1示出的液晶显示装置11相同的结构。其中，部件编号 分别加了 1000，而功能相同。例如，源极总线1101相当于源极总线101，栅极总线1102相当 于栅极总线102，CS总线1103相当于CS总线103，TFT 1104相当于TFT104, CS电极1105 相当于CS电极105，像素电极1106相当于像素电极106，光传感器元件1107相当于光传感 器元件107。如图7所示，在像素内的光传感器元件1107被作为透明电极的像素电极1106覆 盖的情况下，光传感器元件1107容易受到像素电极1106的电位变化导致的噪声的影响。因 此，表示光传感器元件1107的灵敏度的S/N的N(噪声)成分变得较大，因此，光传感器元 件1107的灵敏度降低。与此相对，如图1所示，本实施方式的液晶显示装置11在TFT阵列基板100中，在 光传感器元件107的上部以与像素电极106绝缘的状态形成有透明屏蔽电极108，因此，该 像素电极106的电位变化不会通过透明屏蔽电极108传到光传感器元件107。S卩，光传感器 元件107变得不受像素电极106的电位变化导致的噪声的影响。并且，透明屏蔽电极108由全部覆盖相邻的光传感器元件107而一体地形成的透 明电极构成，对该透明电极施加规定的电位，因此，能够可靠地抑制像素电极106的电位变 化导致的噪声的影响。下面，说明在设有透明屏蔽电极108的液晶显示装置中，考虑了对比度的液晶显 示装置。图4是本发明的其它的实施方式的液晶显示装置21的概要截面图。此外，液晶显 示装置21是与图1示出的液晶显示装置11大致相同的结构，但是在光传感器元件107的 附近设置遮光体这一点不同。S卩，在液晶显示装置21中，如图4所示，在TFT阵列基板100的透明屏蔽电极108 的上面形成有遮光体121，所述遮光体121具有开口 121a，其开口宽度比对置基板200的滤 色器层201的开口部201a的开口宽度小且比光传感器元件107的受光部的宽度大。由此， 能够遮断来自背光源(未图示)的照射光透过透明屏蔽电极108的一部分光。另外，在图4示出的液晶显示装置21中，在TFT阵列基板100中，在构成光传感器 元件107的硅层110的正下方形成有下层遮光体122。在该下层遮光体122与硅层110之 间设有第四绝缘膜llle。上述下层遮光体122形成为比构成光传感器元件107的硅层110的尺寸大且不会对像素电极106造成影响的程度的尺寸。该下层遮光体122有防止来自背光源(未图示)的照射光照射到光传感器元件 107的功能，通过该下层遮光体122和上述透明屏蔽电极108上的遮光体121的组合，能够 防止来自背光源(未图示)的照射光透过透明屏蔽电极108。根据上面的内容，根据图4示出的液晶显示装置21，能够尽可能地减少来自无助 于显示的透明屏蔽电极108区域的漏光，因此，能够防止对比度的降低。此外，通过图4示出的液晶显示装置21的结构也能够充分地防止对比度降低，但 是从TFT阵列基板100侧射出的来自背光源的光随着射出角度有可能从透明屏蔽电极108 上射出，导致对比度降低。另外，来自背光源(未图示)的光由于透明屏蔽电极108端部周 边的液晶分子的取向混乱，有可能从透明屏蔽电极108端部周边射出，造成对比度降低。因此，可以考虑与TFT阵列基板100同样地在对置基板200中也形成遮断光的遮 光体。例如，图5是示出除了 TFT阵列基板100以外，还在对置基板200侧设置遮光体 211的例子的液晶显示装置31的概要截面图。此外，液晶显示装置31是与图4示出的液晶 显示装置21大致相同的结构，但是对置基板200的结构有些不同。S卩，如图5所示，对置基板200采用如下构造延长设置对置电极202使其与TFT阵 列基板100的透明屏蔽电极108部分重叠，并且形成遮光层211，使其覆盖该对置电极202 的延长设置部分。上述遮光层211具有开口区域比滤色器层201的开口部201a的开口区域窄的开 口部211a。优选该遮光层211的开口部211a的开口区域尽量小，但是需要对TFT阵列基板 100的光传感器元件107射入来自外部的光，因此，需要确保使光能够适当地射入到该光传 感器元件107的大小。根据上述结构的液晶显示装置31，能够抑制光从TFT阵列基板100的透明屏蔽电 极108区域泄漏，且能够抑制光从对置基板200的滤色器层201的开口部201a附近泄漏， 因此，能够可靠地抑制对比度的降低，其结果是能够提高显示质量。如上所述，在上述结构的液晶显示装置11、21、31中，关于对置基板200的对置电 极202的驱动方式没有特别限定，在例如对置电极202是交流驱动的情况下，优选将TFT阵 列基板100上的透明屏蔽电极108的电位设为上述对置电极202的电位的中间值。这样，当对置基板200的对置电极202被交流驱动时，将透明屏蔽电极108的电位 设为上述对置电极202的电位的中间值，由此例如透明屏蔽电极108上的液晶所受的电场 就会在正负极性下一样大，不会发生闪烁，因此能够得到稳定的显示质量。另外，在上述对置电极202被直流驱动的情况下，优选将上述透明屏蔽电极108的 电位设为与上述对置电极202相同的电位。在这种情况下，也可以电连接透明屏蔽电极108 和对置电极202，由此使透明屏蔽电极108和对置电极202成为相同电位。这样，当对置基板200的对置电极202被直流驱动时，将透明屏蔽电极108的电位 设为与上述对置电极202相同的电位，由此例如在常黑的液晶显示装置的情况下，直流成 分不会施加到透明屏蔽电极108上的液晶，因此，透明屏蔽电极108上的液晶的取向成为黑 显示状态，因此，能够得到不会伴随对比度降低的良好的显示质量。另外，不对透明屏蔽电极108上的液晶施加直流成分，由此能够避免离子性杂质导致的斑点等问题。上面说明的液晶显示装置11、21、31都是透射型的液晶显示装置，但是本发明除 了这些透射型的液晶显示装置以外，还能够应用于半透射型的液晶显示装置。例如，图6是在将本发明应用于半透射型的液晶显示装置41的情况下的概要截面 图。如图6所示，在上述液晶显示装置41中，TFT阵列基板100的基板结构是与图4或 者图5示出的TFT阵列基板100相同的结构，但是在像素电极106的局部形成有反射电极 131这一点不同。另外，在对置基板200中，滤色器层201的结构与图2示出的液晶显示装 置11相同，但是对置电极202的结构不同。在图6示出的液晶显示装置41中，液晶层300的厚度在像素电极106上的透射区 域106a与反射区域106b中不同。通常，与透射区域106a对应的液晶层300的厚度比与反 射区域106b对应的液晶层300的厚度厚。具体地说，与透射区域106a对应的液晶层300 的厚度设为与反射区域106b对应的液晶层300的厚度的大约2倍。该液晶层300的厚度 的差由透明抗蚀剂221形成。并且，在透明屏蔽电极108上也形成透明抗蚀剂221，使得用 透明抗蚀剂221盖住滤色器层201的开口部201a。此时，能够消除在滤色器层201中所产生的台阶，由此能够防止在滤色器层201的 台阶部产生的漏光，还能够防止对置电极200在该台阶部膜厚变薄或者断开。并且，能够使透明屏蔽电极108上的单元间隙保持为与反射区域106b相同，能够 将透明屏蔽电极108上的外观控制为与反射电极131上的相同。如上所述，本实施方式的液晶显示装置11、21、31、41都是采用如下结构具备在 像素内内置有作为光传感器的光传感器元件107的显示面板，设有覆盖上述光传感器元件 107的透明屏蔽电极108，上述透明屏蔽电极108与像素内的像素电极106绝缘。根据上述结构，光传感器元件107被透明屏蔽电极108覆盖，该透明屏蔽电极108 处于与像素电极106绝缘的状态，因此，光传感器元件107不会被像素电极106覆盖，对光 传感器元件107遮断像素电极106的电位变化导致的电噪声，不会对光传感器元件107带 来像素电极106导致的电噪声的影响。由此，能够实现防止光传感器元件107的灵敏度降 低，其结果是，与以往的内置有光传感器的显示面板相比，能够实现提高作为光传感器的光 传感器元件107的灵敏度。因此，在将上述结构的液晶显示装置11、21、31、41应用于光内置有传感器触摸面 板的液晶显示装置的情况下，光传感器的灵敏度较好，因此，当用户进行触摸操作时其识别 精度变得较好，能够实现提高触摸面板的操作性。本发明不限定于上述各实施方式，在权利要求示出的范围内可以进行各种改变， 适当地组合在不同的实施方式中分别公开的技术方案而得到的实施方式也包括在本发明 的技术范围内。工业上的可利用性能够普遍地应用于在像素内具备光传感器的显示装置，特别能够应用于内置有光 传感器触摸面板的液晶显示面板、内置有光传感器扫描功能的液晶显示面板这种要求提高 光传感器的灵敏度的显示装置。
1权利要求
一种显示装置，其特征在于具备在像素内内置有光传感器的显示面板，设有覆盖上述光传感器的透明电极，上述透明电极与像素内的像素电极绝缘。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于相邻的覆盖上述各光传感器的透明电极彼此是电连接的。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于上述透明电极彼此的连接部分的宽度形成得比连接部分以外的宽度窄，该连接部分的 宽度是10 μ m以下。
4.根据权利要求1 3中的任一项所述的显示装置，其特征在于 对上述透明电极施加有规定的电位。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于上述显示面板具备对置基板，所述对置基板在与形成有上述像素电极的基板的像素电 极形成面对置的面上设有对置电极，当上述对置基板的对置电极被交流驱动时，上述透明电极的电位被设定成上述对置电极的电位的中间值。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于上述显示面板具备对置基板，所述对置基板在与形成有上述像素电极的基板的像素电 极形成面对置的面上设有对置电极，当上述对置基板的对置电极被直流驱动时，上述透明电极的电位被设定成与上述对置电极相同的电位。
7.根据权利要求1 6中的任一项所述的显示装置，其特征在于 上述透明电极与上述像素电极形成在同一层中。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于 形成有遮挡上述光传感器的受光部的边缘部的遮光体。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于 上述遮光体设置在上述透明电极上。
10.根据权利要求8或者9所述的显示装置，其特征在于上述遮光体设置在与形成有上述像素电极的基板对置的对置基板上。
11.根据权利要求1 10中的任一项所述的显示装置，其特征在于在与形成有上述像素电极的基板对置的对置基板上，除了与上述透明电极对置的部位 以外，形成有对置电极。
12.—种显示装置，是半透射型显示装置，在同一像素内具有透射部和反射部，在与形 成有像素电极的基板对置的对置基板中用透明抗蚀剂进行上述透射部和反射部的单元厚 度控制，其特征在于在上述像素内内置光传感器， 设有覆盖上述光传感器的透明电极， 上述透明电极与像素内的像素电极绝缘，在上述对置基板的与上述透明电极对应的位置形成有用于控制单元厚度的透明抗蚀剂。
13. 一种有源矩阵基板，具有用于分别独立地驱动矩阵状配置的像素的开关元件，其特 征在于在上述像素内内置光传感器， 设有覆盖上述光传感器的透明电极， 上述透明电极与像素内的像素电极绝缘。
全文摘要
在本发明的液晶显示装置(11)中，在TFT阵列基板(100)与对置基板(200)之间夹着液晶层(300)，TFT阵列基板(100)在像素内具有光传感器元件(107)，设有覆盖该光传感器元件(107)的透明屏蔽电极(108)。该透明屏蔽电极(108)处于与像素电极(106)绝缘的状态。由此，能够实现在液晶显示装置(11)中降低电噪声对光传感器元件(107)的影响，防止光传感器元件(107)的灵敏度的降低。
文档编号G09F9/00GK101896862SQ20088011985
公开日2010年11月24日 申请日期2008年9月26日 优先权日2008年1月31日
发明者八代谷亮二, 前田和宏, 吉田圭介, 藤原正弘 申请人:夏普株式会社