显示装置和电子设备的制作方法

专利名称：显示装置和电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及显示装置和电子设备。本发明具体地涉及包括二维布置成矩阵的像素 并具有电光装置的平板显示装置；并还涉及包括该显示装置的电子设备。
背景技术：
近年来，在用于显示图像的显示装置领域，平板发光显示装置迅速普及。在所述发 光显示器中，具有作为电光装置的发光型装置(发光装置)的像素(像素电路)布置成矩 阵。已知的发光装置是利用了对施加于有机薄膜的电场作出响应而发光的现象的EL(电致 发光)装置。有机EL装置是所谓的电流驱动型的电光装置，且其发光亮度随着流经该装置 的电流值而变化。以有机EL装置作为电光装置的有机EL显示装置具有下述特性。即，有机EL装置 可由不超过IOV的电压驱动，且因此其功耗小。因为有机EL装置为发光装置，故与通过使 用液晶来控制来自每个像素的光源的光的强度而显示图像的液晶显示器相比，有机EL显 示装置具有更高的图像清晰度。而且，有机EL显示装置不需要诸如背光的照明元件，故可 容易地减少重量和厚度。而且，因为有机EL装置具有约几微秒的极高的响应速度，故在显 示活动图像时不会出现残留影像。同时，众所周知，有机EL装置的发光效率随着发光量和发光时间成比例地减少。 在包括所述有机EL装置的显示装置中，当在显示屏上的特定显示区中重复地显示固定图 像图案时，例如时间显示时，与其它显示区中的有机EL装置相比，该特定显示区中的有机 EL装置更快速地劣化。与其它显示区中的有机EL装置相比，特定显示区中的劣化的有机EL装置具有相 对低的亮度。因此，特定显示区呈现亮度不均勻。即，例如在显示屏上的特定显示区中重复 地显示固定图像图案时，特定显示区中的一些显示部分呈现永久性的亮度不均勻，引起所 谓的老化。解决老化问题已成为有机EL显示装置和其它发光显示装置的最重要的问题。在 相关技术中，为了从信号处理方面校正老化，在像素阵列部(显示区)外侧设有不进行图像 显示的伪像素，并通过检测伪像素的亮度的劣化，从而基于该检测结果校正老化(例如参 见 JP-A-2007-156044)。将光检测器用于检测伪像素的亮度劣化。在相关技术中，所述光检测器位于显示 面板的前侧(发光表面侧)，面向伪像素的发光表面。在光检测器位于显示面板的前侧的情 况下，面板模块的厚度增加，且从而难以利用发光显示装置的小厚度的优点。同时，在显示面板的后侧，设有用于驱动显示面板的驱动器及类似模块。因而，在显示面板的后侧设置光检测器不会增加面板模块的厚度。然而，当光检测器位于显示面板 的后侧时，是在发光表面的相反侧检测伪像素的亮度。因为与发光表面侧的检测相比，环境 较暗，故难以检测伪像素亮度。

发明内容
于是，期望提供一种显示装置，当光检测器设置于显示面板的与发光表面相反的 一侧时，能够对伪像素亮度进行高效的检测；还期望提供一种包括该显示装置的电子设备。根据本发明的实施例的显示装置包括伪像素，其设置于显示面板上；反射膜，其 设置于显示面板的发光表面侧上，以反射从伪像素发出的光；光检测器，其设置于显示面板 的与发光表面相反的一侧，以用于检测从伪像素发出并从反射膜反射的光；以及校正电路， 其用于基于光检测器的检测结果而校正用于图像显示的有效像素的亮度。在这样配置的显示装置中，光检测器设置于显示面板的与发光表面相反的一侧， 例如设置于显示面板的后侧。因此，由于用于驱动显示面板上的像素的驱动器模块设置于 显示面板的后侧，故面板模块的厚度不会增加。而且，从伪像素发出的光被反射膜反射并从 而引导到光检测器。因此，即使光检测器设置于显示面板的后侧，仍可有效地检测伪像素的 亮度。根据本发明的实施例，即使光检测器位于显示面板的与发光表面相反的一侧，仍 可有效地检测对应的伪像素的亮度。


图1是示意性地表示根据本发明的实施例的有机EL显示装置的配置的系统框图。图2是表示根据本发明的实施例的有机EL显示装置的像素的电路(像素电路) 的电路图。图3是用于解释根据本发明的实施例的有机EL显示装置的基本电路操作的时序 波形图。图4A 图4D是表示根据本发明的实施例的有机EL显示装置的基本电路操作(第 一例子)的操作图。图5A 图5D是表示根据本发明的实施例的有机EL显示装置的基本电路操作(第 二例子)的操作图。图6是用于解释由驱动晶体管的阈值电压Vth的变化引起的问题的特性图。图7是用于解释由驱动晶体管的迁移率μ的变化引起的问题的特性图。图8Α 图8C是用于解释在有或无阈值校正和/或迁移率校正的情况下的视频信 号的信号电压Vsig与驱动晶体管的漏源电流Ids之间的关系的特性图。图9是表示根据本发明的实施例的实现老化校正功能的老化校正电路的配置的 框图。图IOA 图IOC表示发光颜色RGB在100nit、200nit以及400nit的亮度等级处 的发光时间相对于亮度的特性。图11是表示根据例子1的包括光检测器的伪像素的配置的横截面。图12是表示辅助布线的布置的例子的平面图。
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图13是表示根据例子2的包括光检测器的伪像素的配置的横截面。图14是表示根据本发明的实施例的电视机的外观的立体图。图15A和图15B是表示根据本发明的实施例的数码相机的外观的立体图。图15A 是从前看的立体图，且图15B是从后看的立体图。图16是表示根据本发明的实施例的便携式个人电脑的外观的立体图。图17是表示根据本发明的实施例的摄像机(video camera)的外观的立体图。图18A 图18G表示根据本发明的实施例的移动电话的外观。图18A是打开的移 动电话的前视图，且图18B是其侧视图。图18C是合上的移动电话的前视图，图18D是其左 侧视图，图18E是其右侧视图，图18F是其俯视图，且图18G是其仰视图。
具体实施例方式下面参照附图详细说明用于实施本发明的一些实施方式(以下称为“实施例”)。 以下述顺序进行说明1.应用了本发明的显示装置(有机EL显示装置的例子)1-1.系统配置1-2.电路操作2.实施例2-1.老化校正电路2-2.例子1 (将光检测器设置于面板的后侧的例子)2-3.例子2 (将光检测器合并于面板中的例子)3.替代实施例4.应用示例(电子设备)应用了本发明的显示装置[1-1.系统配置]图1是示意性地表示根据本发明的实施例的有源矩阵显示装置的配置的系统框 图。作为示例，参照有源矩阵有机EL显示装置的情况描述实施例，所述有源矩阵有机EL显 示装置包含作为像素(像素电路)的发光装置的诸如有机EL装置的电流驱动型电光装置， 所述电光装置的发光亮度随着流经该装置的电流的值而变化。如图1所示，本应用示例的有机EL显示装置10包括像素阵列部30，其中多个像 素20 二维布置成矩阵，每个像素20具有有机EL装置；以及驱动部，其围绕像素阵列部30。 驱动部包括写扫描电路40、用作电源部的电源扫描电路50、信号输出电路60等，所述驱动 部还用于驱动像素阵列部30中的像素20。当有机EL显示装置10用于彩色显示器时，每个像素包括多个子像素，且以所述子 像素用作像素20。更具体地，在用于彩色显示器的显示装置中，一个像素具有三个子像素， 即发出红光(R)的子像素、发出绿光(G)的子像素以及发出蓝光(B)的子像素。然而，像素不限于原色(primary color)RGB的子像素的组合。可以将一个以上另 外颜色的子像素添加到原色的子像素以形成像素。更具体地，例如，为了提高亮度，可以添 加发出白光(W)的子像素以形成像素。或者，为了增加颜色再现的范围，可以添加发出互补 颜色的光的至少一个子像素以形成像素。
在像素阵列部30中，像素20布置成m行η列。而且，扫描线31_1 31_m和电源 线32-1 32-m设置为在行方向(一行像素所布置成的方向)上延伸，且每行像素设有所 述扫描线和电源线。类似地，信号线33-1 33-n设置为在列方向(一列像素布置成的方 向)上延伸，且每列像素设有所述信号线。扫描线31-1 31-m各连接于写扫描电路40的对应的行的输出端。电源线32_1 32-m各连接于电源扫描电路50的对应的行的输出端。信号线33-1 33_n各连接于信号 输出电路60的对应的列的输出端。像素阵列部30通常形成于诸如玻璃基板的透明绝缘基板上。于是，有机EL显示装 置10为平板结构。像素阵列部30中的每个像素20的驱动电路可使用非晶硅TFT或低温 多晶硅TFT形成。在使用低温多晶硅TFT的情况下，如图1所示，写扫描电路40、电源扫描 电路50以及信号输出电路60也可安装于上面形成有像素阵列部30的显示面板(基板)70 上。写扫描电路40由用于与时钟脉冲Ck同步地依次对开始脉冲sp进行移位(传输) 的移位寄存器等形成。在对像素阵列部30中的像素20写入视频信号时，写扫描电路40依 次提供写扫描信号WS (WSl WSm)到扫描线31-1 31_m，从而依次逐行地扫描像素阵列部 30中的像素20(逐行扫描)。电源扫描电路50由用于与时钟脉冲ck同步地依次对开始脉冲sp进行移位的移 位寄存器等形成。与写扫描电路40的逐行扫描同步，电源扫描电路50对电源线32-1 32-m提供电源电位DS (DSl DSm)。每个电源电位DS在第一电源电位Vccp和低于第一电 源电位Vccp的第二电源电位Vini之间切换。如后所述，电源电位DS在Vccp和Vini之间 的切换可以控制每个像素20发光或不发光。信号输出电路60用作选择器，并有选择地输出对应于从信号源(未图示)提供 的亮度信息的视频信号的信号电压Vsig(以下有时简称为“信号电压Vsig”)或基准电位 Vofs。这里，基准电位Vofs是用作视频信号的信号电压Vsig的基准的电位(例如等于视 频信号的黑电平的电位)。从信号输出电路60输出的信号电压Vsig/基准电位Vofs经由信号线33-1 33-n 逐行写入像素阵列部30中的每个像素20。即，信号输出电路60的驱动系统是逐行写入型， 且以逐行(逐线)方式写入信号电压Vsig。(像素电路)图2是表示像素(像素电路)20的具体电路的电路图。如图2所示，像素20包括发光装置，该发光装置例如是电流驱动型电光装置的有 机EL装置21，其发光亮度随着流经该装置的电流的值而变化；以及驱动电路，其用于驱动 该有机EL装置21。有机EL装置21的阴极连接于公共电源线34，所述公共电源线34公共 地连接于所有像素20 (所谓的实体布线(solid wiring) )0用于驱动有机EL装置21的驱动电路包括驱动晶体管22、写晶体管23以及保持电 容器24。这里，以N沟道的诸如TFT (薄膜晶体管)的晶体管用作驱动晶体管22和写晶体 管23。然而，这仅为示例，且驱动晶体管22和写晶体管23的导电类型的组合不限于此。在以N沟道TFT用作驱动晶体管22和写晶体管23的情况下，可采用非晶硅(a_Si) 处理。使用a-Si处理能够以较低的成本生产由TFT形成的基板，由此减少有机EL显示装置10的成本。而且，当驱动晶体管22和写晶体管23具有相同导电类型时，可在相同步骤 中生产晶体管22和23，从而有助于降低成本。驱动晶体管22的一个电极(源极/漏极)连接于有机EL装置21的阳极，且另一 电极(漏极/源极)连接于电源线32(32-l 32-m)。写晶体管23的一个电极(源极/漏极)连接于信号线33 (33-1 33_n)，且另 一电极(漏极/源极)连接于驱动晶体管22的栅极。写晶体管23的栅极连接于扫描线 31(31-1 31-m)。在驱动晶体管22和写晶体管23中，一个电极是电连接于源极/漏极区的金属线， 且另一电极是电连接于漏极/源极区的金属线。根据两个电极的电位之间的关系，一个电 极可以为源极或漏极，且另一电极可以为漏极或源极。保持电容器24的一个电极连接于驱动晶体管22的栅极，且另一电极连接于驱动 晶体管22的另一电极和有机EL装置21的阳极。有机EL装置21的驱动电路不限于包括两个晶体管(即驱动晶体管22与写晶体 管23)和一个电容器(即保持电容器24)的电路。不同的电路例如为这样的电路，其中可选地设有辅助电容器，使其一个电极连接 于有机EL装置21的阳极而另一电极连接于固定电位，从而该辅助电容器用于补偿有机EL 装置21的电容的不足。另一例子是这样的电路，其中驱动晶体管22串联有开关晶体管，且 该开关晶体管在导通和非导通状态之间切换，以控制有机EL装置21发光或不发光。在这样配置的像素20中，写晶体管23响应于从写扫描电路40经由扫描线31而 施加于其栅极的高激活的写扫描信号WS而进入导通状态。写晶体管23从而对与经由信号 线33从信号输出电路60提供的亮度信息相对应的视频信号的信号电压Vsig或基准电位 Vofs进行采样，并将其写入像素20中。写入的信号电压Vsig或基准电位Vofs被施加到驱 动晶体管22的栅极并还存储于保持电容器24中。当电源线32(32-1 32_m)的电位DS为第一电位Vccp时，驱动晶体管22工作于 饱和区中，其一个电极用作漏极且另一电极用作源极。驱动晶体管22于是接收从电源线32 提供的电流，并对有机EL装置21进行电流驱动以发光。更具体地，驱动晶体管22工作于 饱和区中，从而将电流值对应于存储于保持电容器24中的信号电压Vsig的电压值的驱动 电流施加于有机EL装置21。于是有机EL装置21被电流驱动以发光。而且，当电源电位DS从第一电源电位Vccp变化到第二电源电位Vini时，驱动晶 体管22工作为开关晶体管，其一个电极用作源极且另一电极用作漏极。驱动晶体管22于 是停止对有机EL装置21提供驱动电流，从而有机EL装置21进入非发光状态。即，驱动晶 体管22也用作控制有机EL装置21发光或不发光的晶体管。驱动晶体管22的开关操作产生了有机EL装置21不发光的时段(非发光时段)， 可以实现对有机EL装置21的发光时段和非发光时段之间的比率(占空比)的控制。该占 空比控制可以减少在一个帧时段期间由发光像素引起的残留影像的混乱。因此，尤其可以 改善活动图像质量。在从电源扫描电路50经由电源线32而有选择地提供的第一电源电位Vccp和第 二电源电位Vini中，第一电源电位Vccp是用于提供驱动电流到驱动晶体管22以用于驱动 有机EL装置21发光的电源电位。第二电源电位Vini是用于反向偏置有机EL装置21的电源电位。第二电源电位Vini设置为低于基准电位Vofs。例如，当驱动晶体管22的阈值 电压为Vth时，第二电源电位Vini设置为低于、优选地充分地低于Vofs-Vth。[1-2.电路操作]以下，参照图3的时序波形图和图4A 图4D以及图5A 图5D的操作图，解释这 样配置的有机EL显示装置10的基本电路操作。在图4A 图4D和图5A 图5D的操作图 中，为简化附图，写晶体管23由开关符号表示。其中还图示了有机EL装置21的等效电容 ^^ 25 ο图3的时序波形图表示扫描线31的电位(写扫描信号)WS、电源线32的电位(电 源电位)DS、信号线33的电位(Vofs/Vsig)以及驱动晶体管22的栅极电位Vg和源极电位 Vs的变化。(前一帧的发光时段)在图3的时序波形图中，在时间til之前的时段为前一帧(字段)中有机EL装置 21的发光时段。在前一帧中的发光时段期间，电源线32的电位DS是第一电源电位(以下 称为“高电位”)Vccp，且写晶体管23处于非导通状态。驱动晶体管22设计为此时工作于饱和区中。因此，如图4A所示，与驱动晶体管22 的栅源电压Vgs相对应的驱动电流(漏源电流)Ids从电源线32经由驱动晶体管22而施 加于有机EL装置21。于是有机EL装置21以对应于驱动电流Ids的电流值的亮度发光。(阈值校正准备时段)在时刻til处，逐行扫描的新帧(当前帧)开始。于是，如图4B所示，相对于信号 线33的基准电位Vofs，电源线32的电位DS从高电位Vccp变化到充分地低于Vofs-Vth的 第二电源电位(以下称为“低电位”)Vini。将有机EL装置21的阈值电压表示为Vthel，并将公共电源线34的电位(阴极电 位)表示为Vcath，当低电位Vini <Vthel+Vcath时，驱动晶体管22的源极电位Vs几乎等 于低电位Vini。因此，有机EL装置21反向偏置并且不工作。随后，在时刻112处，如图4C所示，扫描线31的电位WS从低电位侧转变到高电位 侧，从而使写晶体管23进入导通状态。此时，基准电位Vofs从信号输出电路60提供到信 号线33，且驱动晶体管22的栅极电位Vg于是为基准电位Vofs。而且，驱动晶体管22的源 极电位Vs是充分低于基准电位Vofs的电位Vini。此时，驱动晶体管22的栅源电压Vgs是Vofs-Vini。这里，除非Vofs-Vini大 于驱动晶体管22的阈值电压Vth，否则难以进行下述的阈值校正处理。从而，电位关系 Vofs-Vini > Vth 是必要的。在准备进行下述阈值校正处理(阈值校正准备)时进行如下的处理，其中驱动晶 体管22的栅极电位Vg和源极电位Vs分别固定(确定)于基准电位Vofs和低电位Vini， 并从而初始化。从而，基准电位Vofs和低电位Vini分别用作驱动晶体管22的栅极电位Vg 和源极电位Vs的初始化电位。(阈值校正时段)随后，在时刻tl3处，如图4D所示，电源线32的电位DS从低电位Vini变化到高 电位Vccp，保持驱动晶体管22的栅极电位Vg并开始阈值校正处理。即，驱动晶体管22的 源极电位Vs开始向着通过从栅极电位Vg减去驱动晶体管22的阈值电压Vth而得到的电位增加。为了方便，将这样的处理称为阈值校正处理，其中，以驱动晶体管22的栅极的初 始化电位Vofs为基准，源极电位Vs向着通过从初始化电位Vofs减去驱动晶体管22的阈 值电压Vth而得到的电位变化。随着阈值校正处理的进行，驱动晶体管22的栅源电压Vgs 最终收敛到驱动晶体管22的阈值电压Vth。将等于阈值电压Vth的电压存储于保持电容器 24中。在阈值校正处理(阈值校正时段)期间，为使电流流向保持电容器24且不流向有 机EL装置21，通过设置公共电源线34的电位Vcath，以使得有机EL装置21截止。随后，在时刻tl4处，如图5A所示，扫描线31的电位WS转变到低电位侧，从而使 写晶体管23进入非导通状态。此时，驱动晶体管22的栅极不与信号线33电连接且于是保 持浮空。然而，因为栅源电压Vgs等于驱动晶体管22的阈值电压Vth，故驱动晶体管22处 于截止状态。从而，没有漏源电流Ids流过驱动晶体管22。(信号写入和迁移率校正时段)随后，在时刻tl5处，如图5B所示，信号线33的电位从基准电位Vofs变化到视频 信号的信号电压Vsig。随后，在时刻tl6处，如图5C所示，扫描线31的电位WS转变到高电 位侧，从而使写晶体管23进入导通状态。从而，写晶体管23对视频信号的信号电压Vsig 进行采样，并将其写入像素20中。于是，写晶体管23写入信号电压Vsig。因此，驱动晶体管22的栅极电位Vg为信 号电压Vsig。随后，当驱动晶体管22由视频信号的信号电压Vsig驱动时，驱动晶体管22 的阈值电压Vth被等于存储于保持电容器24中的阈值电压Vth的电压抵消。后面会详细 描述阈值被抵消的原理。此时，有机EL装置21处于截止状态(高阻抗状态)。从而，电流(漏源电流Ids) 流入有机EL装置21的等效电容器25，以开始等效电容器25的充电，所述电流依赖于视频 信号的信号电压Vsig而从电源线32流入驱动晶体管22。随着有机EL装置21的等效电容器25被充电，驱动晶体管22的源极电位Vs随时 间增加。到那时候，像素之间的驱动晶体管22的阈值电压Vth的变化已被抵消，且驱动晶 体管22的漏源电流Ids依赖于驱动晶体管22的迁移率μ。假设保持电容器24中的保持电压Vgs对视频信号的信号电压Vsig的比率、即写 增益G是1 (理想值)，随后，当驱动晶体管22的源极电位Vs增加到Vofs-Vth+Δ V的电位 时，驱动晶体管22的栅源电压Vgs是Vsig-Vofs+Vth-Δ V。即，从存储于保持电容器24中的电压(Vsig-Vofs+Vth)减去驱动晶体管22的源 极电位Vs的增量Δν，换言之，增量ΔΥ用于放掉保持电容器24中的电荷；于是，应用了负 反馈。因此，源极电位Vs的增量Δ V是负反馈的反馈量。以此方式，将对应于流经驱动晶体管22的漏源电流Ids的负反馈的反馈量△ V施 加于栅源电压Vgs，从而抵消了驱动晶体管22的漏源电流Ids对迁移率μ的依赖性。该抵 消处理是用于校正像素之间的驱动晶体管22的迁移率μ的变化的迁移率校正处理。更具体地，随着写入驱动晶体管22的栅极的视频信号的信号幅值Vin(= Vsig-Vofs)增加，漏源电流Ids增加，且于是负反馈的反馈量AV的绝对值也增加了。从 而，进行了适合于发光亮度等级的迁移率校正处理。
而且，当视频信号的信号幅值Vin恒定时，负反馈的反馈量Δ V的绝对值随驱动晶 体管22的迁移率μ的增加而增加。从而，可消除像素之间的迁移率μ的变化。从而，负 反馈的反馈量△ V也可看作迁移率校正的量。后面详细描述迁移率校正的原理。(发光时段)随后，在时刻tl7处，如图5D所示，扫描线31的电位WS转变到低电位侧，从而使 写晶体管23进入非导通状态。驱动晶体管22的栅极从而不与信号线33电连接且于是保
持浮空。当驱动晶体管22的栅极浮空时，保持电容器24连接于驱动晶体管22的栅极和源 极之间。从而，驱动晶体管22的栅极电位Vg也随着源极电位Vs的变化一起变化。其中， 驱动晶体管22的栅极电位Vg与源极电位Vs的变化一起变化的所述操作是由保持电容器 24造成的自举操作。当驱动晶体管22的栅极保持浮空且同时驱动晶体管22的漏源电流Ids开始流经 有机EL装置21时，有机EL装置21的阳极电位随电流Ids而增加。当有机EL装置21的阳极电位超过Vthel+Vcath时，这使得驱动电流开始流经有 机EL装置21，从而使有机EL装置21开始发光。有机EL装置21的阳极电位的增加是驱动 晶体管22的源极电位Vs的增加。随着驱动晶体管22的源极电位Vs的增加，由于保持电 容器24的自举操作，驱动晶体管22的栅极电位Vg也增加。随后，假设自举增益为1 (理想值)，则栅极电位Vg的增量等于源极电位Vs的增 量。从而，在发光时段期间，驱动晶体管22的栅源电压Vgs为Vsig-Vofs+Vth-Δ V且保持 恒定。在时刻tl8处，信号线33的电位从视频信号的信号电压Vsig变化到基准电位Vofs。在上述一系列电路操作中，在一个水平扫描时段(IH)中，进行了阈值校正准备、 阈值校正、信号电压Vsig写入(信号写入)以及迁移率校正的全部处理操作。在从时间 tl6到时间tl7的时段中，信号写入和迁移率校正的处理操作并行进行。作为示例，说明了使用仅进行一次阈值校正处理的驱动方法的情况；然而，这仅为 示例且驱动方法不限于此。例如，不仅可以在时段IH中与迁移率校正和信号写入一起进行 阈值校正处理，还可以将处理分开以及在时段IH之前的多个水平扫描时段上进行多个操 作。即，驱动方法可采用所谓的分割的阈值校正。在使用采用分割的阈值校正的所述驱动方法的情况下，即使随着分辨率提高而由 于像素数目增加造成一个水平扫描时段的时段减少，仍可在多个水平扫描时段上确保阈值 校正时段有充足的时间。从而，可以可靠地进行阈值校正处理。[阈值抵消的原理]下面解释抵消驱动晶体管22的阈值(即阈值校正)的原理。驱动晶体管22设计 为在饱和区中工作，且于是工作为恒流源。因此，恒定的漏源电流(驱动电流)Ids从驱动 晶体管22提供到有机EL装置21，并由以下等式(1)给出Ids = (1/2)* μ (ff/L) Cox (Vgs-Vth)2. . . (1)，其中，W为驱动晶体管22的沟道宽度，L为沟道长度，且Cox为栅极电容/单位面 积。关于驱动晶体管22的漏源电流Ids和栅源电压Vgs，图6表示Ids-Vgs特性。如特性图所示，除非为每个像素进行了对驱动晶体管22的阈值电压Vth的变化的抵消处理，否则当阈值电压Vth为Vthl时，对应于栅源电压Vgs的漏源电流Ids为Idsl。同时，当阈值电压Vth为Vth2(Vth2 > Vthl)时，对应于相同栅源电压Vgs的漏源 电流Ids为Ids2 (Ids2 < Idsl)。即，即使当栅源电压Vgs恒定时，由于驱动晶体管22的阈 值电压Vth变化，漏源电流Ids也变化。如上所述，在如上配置的像素(像素电路)20中，驱动晶体管22的栅源电压Vgs
在发光时为Vsig-Vof s+Vth-Δ V。如果将其代入等式(1)，则漏源电流Ids表示为以下等式 ⑵Ids = (1/2) * μ (ff/L) Cox (Vsig-Vofs- Δ V) 2· · · (2)。BP,抵消了驱动晶体管22的阈值电压Vth这一项，且从驱动晶体管22提供到有机 EL装置21的漏源电流Ids与驱动晶体管22的阈值电压Vth无关。因此，即使由于驱动晶 体管22的制备工艺的变化或随时间的变化而使驱动晶体管22的阈值电压Vth在像素之间 有所差异，漏源电流Ids仍不会变化。从而，有机EL装置21的发光亮度可保持恒定。[迁移率校正的原理]以下解释驱动晶体管22的迁移率校正的原理。图7表示比较具有相对高的驱动 晶体管22的迁移率μ的像素A与具有相对低的驱动晶体管22的迁移率μ的像素B的特 性曲线。当驱动晶体管22为多晶硅薄膜晶体管等时，如在像素A和像素B的情况下，迁移 率μ在像素之间不可避免地发生变化。在像素A和像素B之间的迁移率μ存在变化的情况下，考虑将处于相同电平的信 号幅值Vin( = Vsig-Vofs)写入像素A和像素B的驱动晶体管22的栅极的情况。这种情 况下，如果未对迁移率μ进行校正，则以高迁移率μ流经像素A的漏源电流Idsl’与以低 迁移率μ流经像素B的漏源电流Ids2’之间存在大的差异。当由于像素之间迁移率μ的 变化而使像素之间存在这样的漏源电流Ids的大的差异时，这导致屏幕的均勻性降低。从上面晶体管特性等式(1)可以清楚地看出，当迁移率μ高时，漏源电流Ids也 高。从而，负反馈的反馈量△ V随着迁移率μ的增加而增加。如图7所示，用于具有高迁 移率μ的像素A的反馈量Δν 大于用于具有低迁移率的像素B的反馈量AV2。因此，进行迁移率校正处理，从而将对应于驱动晶体管22的漏源电流Ids的负反 馈的反馈量Δ V施加于栅源电压Vgs;即，迁移率μ越高，施加的负反馈的反馈量越大。因 此，可抑制像素之间的迁移率μ的变化。具体地，当将校正的反馈量AVl施加于具有高迁移率μ的像素A时，漏源电流 Ids从Idsl’大幅地减少到Idsl。相反，因为用于具有低迁移率μ的像素B的反馈量AV2 小，故漏源电流Ids从Ids2’减少到Ids2，这种减少不大。因此，像素A的漏源电流Idsl和 像素B的漏源电流Ids2大体上彼此相等，且于是校正了像素之间的迁移率μ的变化。总地来说，关于具有不同迁移率μ的像素A和像素B，用于具有较高迁移率μ的 像素A的反馈量AVl大于用于具有较低迁移率μ的像素B的反馈量AV2。S卩，具有较高 迁移率μ的像素接收更大的反馈量Δ V，继而带来漏源电流Ids更大地减少。于是，当将对应于驱动晶体管22的漏源电流Ids的负反馈的反馈量△ V施加于栅 源电压Vgs时，这使得具有不同迁移率μ的像素之间的漏源电流Ids的电流值相等。因 此，可校正像素之间迁移率μ的变化。即，迁移率校正处理是将对应于流经驱动晶体管22 的电流(漏源电流Ids)的负反馈的反馈量Δν施加于驱动晶体管22的栅源电压Vgs的处
12理。关于图2所示的像素(像素电路)20，以下参照图8A 图8C解释有或无阈值校 正和迁移率校正时的视频信号的信号电压Vsig与驱动晶体管22的漏源电流Ids之间的关 系。图8A表示既未进行阈值校正也未进行迁移率校正的情况，图8B表示不进行迁移 率校正但进行阈值校正的情况，且图8C表示既进行阈值校正也进行迁移率校正的情况。如 图8A所示，当既未进行阈值校正也未进行迁移率校正时，由于像素A和像素B之间阈值电 压Vth和迁移率μ的变化，这导致像素A和像素B之间漏源电流Ids的大的差异。如图8B所示，当仅进行阈值校正时，可在一定程度上减少漏源电流Ids的变化。然 而，由于像素A和像素B之间迁移率μ的变化，像素A和像素B之间仍存在漏源电流Ids 的差异。如图8C所示，通过进行阈值校正和迁移率校正，可以几乎消除由于像素A和像素B 之间的阈值电压Vth和迁移率μ的变化造成的像素A和像素B之间的漏源电流Ids的差 异。从而，在任何灰度水平上，有机EL装置21的亮度不会变化，使其可以显示高质量的图 像。图2所示的像素20不仅具有阈值和迁移率校正的功能，还具有如上所述的由保持 电容器24实现的自举功能。这提供了以下优点。S卩，即使在由于有机EL装置21中的I-V特性随着时间的变化而使驱动晶体管22 的源极电位Vs变化的情况下，由保持电容器24实现的自举操作使得驱动晶体管22的栅源 电压Vgs保持恒定。从而，流经有机EL装置21的电流不变化且恒定。因此，有机EL装置 21的发光亮度也保持恒定。因此，即使当有机EL装置21的I-V特性随着时间变化时，仍可 实现图像显示而不使亮度降低。2.实施例如上所述，在有机EL显示装置中，特定显示区中劣化的有机EL装置比其它显示区 中的有机EL装置具有相对低的亮度，且特定显示区中的一些显示部分于是呈现永久性的 亮度不均勻，这引起老化。这里，有机EL装置快速地劣化的特定显示区指重复地显示固定 图像图案的区域，例如是时间显示区域(时钟显示)。为了避免老化，有机EL显示装置10 具有从信号处理方面校正老化的功能(老化校正功能)。为了从信号处理方面校正老化，显示面板70上的像素阵列部(显示区)30外部设 置有不用于图像显示的伪像素，并如对显示区中的有效像素(像素20)那样驱动伪像素，以 引起亮度劣化。随后，使用光检测器检测伪像素的亮度劣化。通过在显示面板70上与用于图像显示的有效像素20 —起形成伪像素，并基本以 与有效像素20相同的方式驱动伪像素，可以从伪像素的亮度劣化中预测每个像素20的亮 度劣化。从而，基于伪像素的亮度劣化的检测结果，可控制发生老化的特定显示区中的像素 20的亮度，以进行用于避免老化的老化校正。伪像素例如与像素阵列部30中的像素20具有相同的配置。即，与像素20类似， 伪像素具有有机EL装置、驱动晶体管、写晶体管以及保持电容器。因此，可在同一步骤中生 产伪像素和像素20，且从而伪像素的设置几乎不会增加生产显示面板70的难度或成本。采取使用光检测器检测伪像素的亮度劣化的配置，本实施例的特征在于光检测器 相对于伪像素的特定布局。
基本上，在本实施例的配置中，关于设置于显示面板70上的伪像素，光检测器设 置于显示面板70的与发光表面相反的一侧。这里与发光表面相反的一侧指显示面板70的 后侧或显示面板70的内部。例如，在光检测器附着于显示面板70的后侧的情况下，因为用于驱动显示面板70 的驱动器和类似模块通常设于显示面板70的后侧，故在显示面板70的后侧上设置光检测 器不会增加面板模块的厚度。面板模块这里指包括用于驱动显示面板70的驱动器和其它 模块的整个显示面板70。而且，在该实施例中，在显示面板70的发光表面侧设有用于反射从伪像素发出的 光的镜片或类似反射膜。因此，从伪像素发出的光可从反射膜反射，以进入设置在显示面板 70的后侧上的光检测器。从而，即使光检测器设置于例如的显示面板70的后侧，仍能可靠 并有效地检测伪像素的亮度。[2-1.老化校正电路]图9是表示根据本发明的实施例的实现老化校正功能的老化校正电路的配置的 框图。这里，使用根据本应用示例的老化校正电路的有机EL显示装置是用于彩色显示器 的显示装置，其中像素阵列部30中的每个像素(子像素)20的基本发光颜色为三原色，即 R(红)、G(绿)和B(蓝)。如图9所示，本应用示例的老化校正电路80包括伪像素部81、劣化计算单元82和 校正处理单元83。在显示面板70上，伪像素部81设置于像素阵列部(显示区)30的外部。 伪像素部81包括对应于形成像素阵列部30的像素20的R、G和B的三色伪像素811R、811G 与811B。即，伪像素811R、811G与811B具有对应于显示区的基本发光颜色的颜色依赖关系。而且，多个伪像素811R设置为对应于几个发光亮度等级，且这同样适用于伪像素 81IG和81IB ；伪像素811R、811G与811B于是也具有亮度依赖关系。具体地，R伪像素81IR 包括对应于三个发光亮度等级(例如100nit、200nit以及400nit)的三个伪像素811R1、 811R2与811R3。类似地，G伪像素811G包括对应于三个发光亮度等级的三个伪像素811G1、 811G2与811G3，且B伪像素81IB包括对应于三个发光亮度等级的三个伪像素81 IBl、811B2 与 811B3。R 伪像素 811R1、811R2 与 811R3，G 伪像素 811G1、811G2 与 811G3 以及 B 伪像素 811BU811B2与811B3由用于伪像素的对应于各颜色和各发光亮度等级的显示信号驱动， 从而发光。以下，这些处于几种发光亮度等级的几种发光颜色的伪像素有时统称为伪像素 811。伪像素部81不仅包括伪像素811，还包括光检测器812(812R1、812R2、 812R3/812G1、812G2、812G3/812B1、812B2、812B3)。光检测器 812 检测从处于几种发光亮度 等级的几种发光颜色的伪像素811发出的光，从而测量各伪像素811的亮度。可使用已知的光检测装置作为光检测器812。其例子为包括非晶硅半导体的可见 光传感器。每个光检测器812输出亮度信息(关于光量的信息)，该信息例如作为电流值、 电压值而被检测。作为光检测器812的检测结果的亮度信息被提供给劣化计算单元82。如上所述，用作伪像素811中的发光装置的有机EL装置损失的发光效率与发光亮 度(发光量)和发光时间成比例。发光效率的减少程度对于不同的发光颜色有所不同。图IOA 图IOC表示处于100nit、200nit以及400nit的亮度等级的发光颜色RGB的发光时间 相对于亮度的特性。在图IOA 图IOC中，发光时间tl之前的数据表示测量的特性，而时 间tl之后的数据表示估计的特性。在由伪像素811与光检测器812的组合形成的所述伪像素部81中，本实施例的特 征在于光检测器812相对于伪像素811的布局。后面描述其具体实施例。劣化计算单元82基于来自光检测器812的检测结果(亮度信息)确定每个发光 颜色的亮度劣化特性，并使用得到的劣化特性曲线和视频信号，计算发生老化的区域中的 有效像素20的劣化量，所述光检测器812对应于处于几种发光亮度等级的几种发光颜色的 伪像素811。这里，有效像素20的劣化量是指有效像素20的发光装置、即有机EL装置的劣 化量。而且，由劣化计算单元82确定的劣化特性曲线等效于图IOA 图IOC所示的劣化特 性曲线。校正处理单元83由FPGA(现场可编程门阵列)等形成。基于由劣化计算单元82 计算的有机EL装置的劣化量，校正处理单元83计算老化校正的量。根据计算出的老化校 正量，校正处理单元83控制用于驱动发生老化的区域中的有效像素20的视频信号SIG的 电平，从而校正所述有效像素20的发光亮度。由于该亮度校正，可从信号处理方面校正由 于有机EL装置、即发光装置的性能劣化造成的老化。将经校正处理单元83校正的视频信号提供给用于驱动显示面板70上的有效像素 20的驱动器90，以进行图像显示。驱动器90和其它模块位于显示面板70的后侧。驱动器 90将视频信号的信号电压Vsig提供到图2所示的信号输出电路(选择器)60。如上所述，本应用示例的用于从信号处理方面校正由有机EL装置的性能劣化造 成的老化的老化校正电路80配置为遵循以下路径伪像素811 —光检测器812—劣化计算 单元82 —校正处理单元83 —驱动器90。实现老化校正功能的电路不限于所述的老化校正 电路80。只要可从信号处理方面校正老化，任何配置都是可以的。关于作为本实施例的特征的光检测器812相对于伪像素811的布局，下面给出其 具体例子。[2-2.例子 1]图11是表示包括根据例子1的光检测器812的伪像素811的配置的横截面。如 上所述，类似于图2所示的像素(有效像素)20，伪像素811包括有机EL装置21，并还具有 包括驱动晶体管22等的驱动电路。如图11所示，包括驱动晶体管22等的驱动电路形成于例如玻璃基板701的透明 基板上。在图中仅图示了驱动电路的元件中的驱动晶体管22，而省略了其它元件。驱动晶体管22包括栅极221、多晶硅半导体层222的相对两侧上的源极/漏极区 223和224以及多晶硅半导体层222的面向栅极221的部分中的沟道形成区225。源极/ 漏极226和227分别电连接于源极/漏极区域223和224。在玻璃基板701上，隔着绝缘膜702和绝缘平坦化膜703进一步形成有有机EL装 置21。有机EL装置21为伪像素811的发光装置。有机EL装置21包括阳极211、有机层 212和阴极213。阳极211例如由金属形成。阴极213例如由位于有机层212上的透明导 电膜形成并由所有像素共有。在有机EL装置21中，通过依次在阳极211上层叠空穴传输层/空穴注入层、发光层、电子传输层以及电子注入层而形成有机层212。在由驱动晶体管22提供的电流驱动下， 电流经由阳极211流入有机层212，从而使电子和空穴在有机层212中的发光层中重新结 合，引起发光。随后，在用于每个像素的有机EL装置21隔着绝缘膜702形成于玻璃基板701上 之后，玻璃基板705或类似的透明基板隔着钝化膜704附着于上面。有机EL装置21由玻 璃基板705密封以形成显示面板70。伪像素811与像素阵列部30中的有效像素20在相同 的时间和相同的步骤中形成。在这样配置的每个伪像素811中，用于检测有机EL装置21的亮度的光检测器812 设置于显示面板70的后侧(与发光表面相反的一侧)，即玻璃基板701的底侧。所述光检 测器812占据的面积大于一个像素的像素面积，并例如附着于玻璃基板701上，使得光检测 器812的面向有机EL装置21的一侧用作其光接收表面。同时，在显示面板70的形成有伪像素部81的部分中，在位于显示面板70的发光 表面侧上的玻璃基板705上形成有诸如镜片的反射膜813。反射膜813由铝膜或由通过金 属沉积得到的金属片等形成，且层叠于显示面板70的发光表面、即玻璃基板705上。反射膜813反射从有机EL装置21发出的光，从而将光引导到设置于显示面板70 的后侧上的光检测器812。从有机EL装置21发出的光不仅从反射膜813反射，还从玻璃基 板705的界面(玻璃基板705与钝化膜704之间的结合处)反射，以进入光检测器812。顺便提及，如上所述，伪像素811与像素阵列部30中的有效像素20在相同的时间 和相同的步骤中形成。从而，当形成多个伪像素811时，所述伪像素811—般地形成为与像 素阵列部30中的有效像素20具有相同的像素间距。然而，本例子1的布局配置为使得光从反射膜813和玻璃基板705的界面反射到 光检测器812的光路中没有障碍。具体地，首先，为了对像素阵列部30中的每个有效像素20提供阴极电位Vcath， 如图12所示，像素阵列部30周围布置有辅助布线706，并避开形成有伪像素部81的部分。 辅助布线706通常在像素阵列部30中的有效像素20之间布置成网状，从而减少阴极布线 (图2中的公共电源线34)的布线电阻。如图11中的虚线所示，如果辅助布线706还如在像素阵列部30中那样自然地设 置于形成有伪像素部81的部分中，则在像素之间的辅助布线706将成为从反射膜813等反 射的光的光路中的反射光的障碍。然而，当辅助布线706布置为避开形成有伪像素部81的部分时，从反射膜813和 玻璃基板705的界面反射的光的光路不会受到辅助布线706的阻碍。因此，可将从有机EL 装置21发出并从反射膜813等反射的光有效地引导到光检测器812。如图11中的虚线所示，假设伪像素部81中的像素形成为与像素阵列部30中的像 素具有相同的像素间距；随后，像素中的阳极211或驱动晶体管22的金属电极(栅极221 和源极/漏极226和227)邻近于伪像素811，像素之间的辅助布线706就成为从反射膜813 等反射的光的光路中的反射光的障碍。随后，邻近于伪像素811的像素配置为没有阳极211或其驱动晶体管22的金属电 极(栅极221和源极226/漏极227)。因此，如在辅助布线706的情况下，从反射膜813和 玻璃基板705的界面反射到光检测器812的光的光路中没有障碍，从而，可有效地将从有机EL装置21发出的并从反射膜813等反射的光引导到光检测器812。如上所述，在例子1的光检测器812的布局中，光检测器812设置于显示面板70的 后侧上，而用于反射从有机EL装置21发出的光的反射膜813设置于显示面板70的前侧。 这样的配置使得光检测器812的布置不会增加面板模块厚度。而且，通过从反射膜813反 射，可将从有机EL装置21发出的光引导到光检测器812，且于是可有效地检测伪像素811 的亮度。特别地，因为从反射膜813和玻璃基板705的界面反射到光检测器812的光的光 路中没有障碍，故可以抑制进入光检测器812的光的损失，且于是可更有效地检测伪像素 811的亮度。而且，光检测器812例如可附着于显示面板70的后侧，且该配置还有利于使用 已知的高灵敏度光检测装置作为光检测器812。[2-3.例子 2]图13是表示根据例子2的包括光检测器812的伪像素811的配置的横截面。在 图13中，以相同的附图标记表示与图11共有的元件(对应的元件)，且不再解释以避免重 复描述。在例子1的光检测器812的布局中，光检测器812例如通过附着于显示面板70的 后侧上而设置。相反，在例子2的光检测器812的布局中，如图12所示，光检测器812通过 合并于显示面板70中而设置(内置)。S卩，在例子2的光检测器812的布局中，在玻璃基板701上形成驱动晶体管22等 的步骤中，也以相同方式在玻璃基板701上形成光检测器812。可用PIN光电二极管等作为 所述的光检测器812。例子2的光检测器812的布局提供了与例子1相同的优点。而且，在形成显示面 板70的步骤中，可将光检测器812制造在显示面板70中，这提供了另一优点，即节省了如 例子1中那样的在形成显示面板70之后将光检测器812附着于显示面板70的步骤。3.替代实施例以这样的有机EL显示装置的应用示例描述了上述实施例，即在所述有机EL显示 装置中，以有机EL装置作为像素20的电光装置(发光装置)。然而，这些应用示例不会限 制本发明。即，本发明可应用于以诸如非有机EL装置、LED装置或半导体激光装置的发光 装置作为像素20的电光装置的任何发光显示装置。4.应用示例上面解释的根据本发明的实施例的显示装置可用作任何领域的电子设备中所用 的显示装置，所述显示装置中，施加于电子设备的视频信号或在电子设备中产生的视频信 号被显示为图像或视频。例如，显示装置可应用于图14 图18所示的各种电子设备中， 例如数码相机、便携式个人电脑、移动电话以及类似便携式终端、摄像机和类似的显示装置等。根据本发明的实施例的显示装置用作任何领域的电子设备中的显示装置，这使得 电子设备可实现高质量图像显示而不增加尺寸。即，从上述实施例可看到，根据本发明的 实施例的显示装置可以抑制由于发光装置的性能劣化造成的老化，而不增加面板模块的厚 度。这于是在薄面板模块上实现了高质量的图像显示。根据本发明的实施例的显示装置可以为密封模块的形式。其例子为包括像素阵列部30和附着于像素阵列部30的例如由玻璃制成的透明相对元件的显示模块。透明相对元 件可以设有滤色器、保护膜等，并还可具有遮光膜。而且，显示模块可以设有例如用于将信 号从外部输入/输出到像素阵列部的电路单元或FPC(柔性印刷电路)。关于应用了本发明的电子设备，以下给出其具体例子。图14是表示根据本发明的实施例的电视机的外观的立体图。本应用示例的电视 机包括由前板102、滤色器玻璃103等形成的视频显示屏部101，并以根据本发明的实施例 的显示装置用作视频显示屏部101。图15A和图15B是表示根据本发明的实施例的数码相机的外观的立体图。图15A 是从前看的立体图，且图15B是从后看的立体图。本应用示例的数码相机包括用于提供闪 光的发光部111、显示部112、菜单开关113、快门开启按钮114等，并以根据本发明的实施例 的显示装置用作显示部112。图16是表示根据本发明的实施例的便携式个人电脑的外观的立体图。本应用示 例的便携式个人电脑包括主体121、用于操作以输入字符等的键盘122、用于显示图像的显 示部分123等，并以根据本发明的实施例的显示装置用作显示部分123。图17是表示根据本发明的实施例的摄像机的外观的立体图。本应用示例的摄像 机包括主体部131、设置于其前面侧用于拍摄目标图像的镜头132、用于图像拍摄的开始/ 停止开关133、显示部分134等，并以根据本发明的实施例的显示装置用作显示部134。图18A 图18G表示根据本发明的实施例的例如移动电话的便携式终端的外观。 图18A是打开的移动电话的前视图，且图18B是其侧视图。图18C是合上的移动电话的前视 图，图18D是其左侧视图，图18E是其右侧视图，图18F是其俯视图，且图18G是其仰视图。 本应用示例的移动电话包括上壳体141、下壳体142、连接部(这里为铰接部)143、显示器 144、子显示器145、图片灯146、相机147等。本应用示例的移动电话使用根据本发明的实 施例的显示装置作为显示器144和子显示器145而生产。本领域的技术人员应当明白，在不脱离所附权利要求及其等同物的范围内，根据 设计需要和其它因素可出现各种变化、组合、子组合和替代。
18
权利要求
1.一种显示装置，其包括伪像素，其设置于显示面板上；反射膜，其设置于所述显示面板的发光表面侧上，以用于反射从所述伪像素发出的光；光检测器，其设置于所述显示面板的与所述发光表面相反的一侧上，以用于检测所述 从所述伪像素发出并从所述反射膜反射的光；以及校正电路，其用于基于所述光检测器的检测结果而校正用于图像显示的有效像素的亮度。
2.如权利要求1所述的显示装置，还包括透明基板，其位于所述显示面板的所述发光表面侧上，且其中，从所述伪像素发出的光还从所述透明基板的界面反射并进入所述光检测器。
3.如权利要求2所述的显示装置，还包括辅助布线，其布置成网状并对应于布置成矩阵的所述有效像素的像素阵列进行设置， 以向所述有效像素提供阴极电位，所述辅助布线布置为避开形成有所述伪像素的区域。
4.如权利要求2所述的显示装置，其中，邻近于所述伪像素的像素的元件布置为避开从所述反射膜和所述透明基板的所述界 面反射到所述光检测器的所述光的光路。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中，邻近于所述伪像素的像素的所述元件为所述像素的电光装置的阳极。
6.如权利要求4所述的显示装置，其中，邻近于所述伪像素的像素的所述元件为所述像素中包括的晶体管的金属电极。
7.如权利要求1所述的显示装置，还包括驱动器模块，其设置于所述显示面板的后侧，以用于驱动所述显示面板上的像素，且 其中，所述光检测器设置于所述显示面板的所述后侧上。
8.如权利要求1所述的显示装置，其中， 所述光检测器合并于所述显示面板中。
9.一种电子设备，其包括显示装置，该显示装置包括 伪像素，其设置于显示面板上；反射膜，其设置于所述显示面板的发光表面侧上，以用于反射从所述伪像素发出的光；光检测器，其设置于所述显示面板的与所述发光表面相反的一侧，以用于检测从所述 伪像素发出并从所述反射膜反射的所述光；以及校正电路，其用于基于所述光检测器的检测结果校正用于图像显示的有效像素的亮度。
10.一种电子设备，其包括 伪像素，其设置于显示面板上，反射膜，其设置于所述显示面板的发光表面侧上， 光检测器，其设置于所述显示面板的与所述发光表面相反的一侧，以及驱动器模块，其设置于所述显示面板的与所述发光表面相反的所述一侧，以用于驱动 所述显示面板上的像素。
全文摘要
本发明提供了一种显示装置，其包括伪像素，其设置于显示面板上；反射膜，其设置于显示面板的发光表面侧，以用于反射从伪像素发出的光；光检测器，其设置于显示面板的与发光表面相反的一侧，以用于检测从伪像素发出的并从反射膜反射的光；以及校正电路，其用于基于光检测器的检测结果校正用于图像显示的有效像素的亮度。本发明由于从伪像素发出的光被反射膜反射并从而引导到光检测器。因此，即使光检测器设置于显示面板的后侧，仍可有效地检测伪像素的亮度。
文档编号G09G3/32GK101996554SQ201010251870
公开日2011年3月30日 申请日期2010年8月12日 优先权日2009年8月24日
发明者内野胜秀, 山下淳一 申请人:索尼公司