专利名称：主动式矩阵电致发光显示装置及其驱动方法
技术领域：
本发明涉及一种主动式矩阵电致发光(Active Matrix Electroluminescent) 显示器，且特别是有关于一种具有窄边框(Slim Border)的主动式矩阵有机发光二极管 (Active Matrix Organic Light Emitting Diode, AMOLED) ||$||。
背景技术：
平面显示器中，显示装置采用电致发光显示元件，如有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode, 0LED)，已成为一种普遍选择。有机发光二极管显示器被用作为电视屏幕、电脑屏幕以及可携式电子系统，如移动电话和个人数字助理(Personal Digital Assistant,PDA) 0 有机发光二极管是一种发光二极管(Light Emitting Diode，LED)，有机发光二极管中的发射式(Emissive)电致发光层是响应于电流而发光的有机化合物薄膜， 有机半导体材料层是位于两个电极之间，一般来说，至少一个电极是透明的。有机发光二极管显示器操作不需背光，因此，可显示深黑阶(De印Black Level)亦可比其他平面显示器更轻薄，如液晶显示器(Liquid Crystal Display, IXD)。有机发光二极管显示器可使用被动式矩阵有机发光二极管(Passive Matrix Organic Light Emitting Diode, PM0LED) 或主动式矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED) 的定址架构，而主动式矩阵有机发光二极管更适合于较高解析度和较大尺寸的显示器。主动式矩阵有机发光二极管显示器一般包含形成于基板(如玻璃)上的线路层与形成于线路层上的发光层，发光层包含位于显示区块中的规则分布的数个发光像素，显示区块的形式为包含数列与数行的矩阵。对彩色显示器而言，每一个发光像素可更包含数个色彩面(Color I^ad)，如红、绿、蓝(RGB)色彩面。线路层包含多个像素电路，每一个像素电路电性耦接于各自的发光像素，用以响应于应用数据信号进而控制流过各自的发光像素的电流。图8是绘示主动式矩阵有机发光二极管显示器的例示像素电路800的电路示意图。像素电路800包含一个有机发光二极管、二个晶体管T1、T2以及一个储存电容C。晶体管Tl的源极连接于数据线810，用以接收数据信号VD，晶体管Tl的栅极连接于扫描线820， 用以接收扫描信号Vs。晶体管T2的源极连接于有机发光二极管的阳极，晶体管T2的栅极连接于晶体管Tl的漏极，晶体管T2的漏极是由电压Vdd供电。有机发光二极管的阴极是由电压Vss供电。储存电容C的一端连接于晶体管T2的栅极，储存电容C的另一端连接于晶体管T2的漏极。为产生流过有机发光二极管的稳定电流I，以维持亮度，扫描电压Vs供电于扫描线820，并通过扫描线820以开启晶体管Tl，此可使数据线810上的数据信号电压Vd 供电于晶体管T2的栅极。晶体管T2栅极、源极之间的电压和临界电压之间的差值决定流过有机发光二极管的电流值，借此决定有机发光二极管的亮度。晶体管Tl、T2 一般为使用沉积(D印osition)技术而制作在基板上的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。图9为绘示公知主动式矩阵有机发光二极管显示装置900的示意图。主动式矩阵有机发光二极管显示装置900包含位于显示区块950中的规则分布的数个发光像素952 (发光像素952的每一个绘示成虚线正方形)，以及数个像素电路％4 (像素电路％4的每一个绘示成实线正方形)。像素电路954的每一个分别位于各自的发光像素952的正下方，并分别电性耦接于各自的发光像素952，用以响应于应用数据信号，进而分别控制流过各自的发光像素952的电流。像素电路％4在每一列分别耦接于各个数据线910，在每一行中的像素电路％4分别耦接于各个扫描线920。主动式矩阵有机发光二极管显示装置900 更包含垂直移位寄存器(Vertical Shift Register) 940和数个缓冲电路930。垂直移位寄存器940包含数个输入级，每一个移位寄存器输入级配置以输出扫描信号至各自的缓冲电路930，进而分别驱动各自行的像素电路954。这些移位寄存器输入级串联相接，使得像素电路中每一行响应于时钟脉冲信号，按逐行方式依序驱动。图10是绘示于图9的主动式矩阵有机发光二极管显示装置900的像素行的等效电路示意图。互补式金属氧化物半导体场效应晶体管(Complimentary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)垂直移位寄存器输入级40输出扫描信号至缓冲电路30，缓冲电路 30进而驱动一对应行的像素的面板负载(Panel Loading) 50，面板负载50绘示成等效RC 电路。缓冲电路30对扫描信号作波形调整，使扫描信号可足以应对面板负载50。缓冲电路30可包含串接的几个逻辑反向器32，每个逻辑反向器32包含一个薄膜晶体管，薄膜晶体管具有沿行方向的一通道宽度。缓冲电路的驱动能力多半取决于薄膜晶体管的长宽比 (ffidth-to-length-ratio,ff/L)。在串接中，逻辑反向器的薄膜晶体管的通道宽度大于前一个逻辑反向器的薄膜晶体管的通道宽度，这样的结构下，缓冲电路的驱动能力得以增强。为使缓冲电路30具有足够驱动能力以驱动整个像素行的面板负载50，缓冲电路30的宽度可能会很宽。图11是绘示公知主动式矩阵有机发光二极管显示装置10的布局的示意图。主动式矩阵有机发光二极管显示装置10包含显示区块51，发光像素与像素电路置于显示区块51中，垂直移位寄存器41与缓冲电路31可置于显示区块的左或右周缘。因为缓冲电路 31的宽度Wl需要如上述的足够地宽度，主动式矩阵有机发光二极管显示装置10的总边框宽度W可能会很宽。因此，需要提出一种改良技术，以解决现有技术的欠缺与不足。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种具有窄边框的主动式矩阵电致发光显示装置。本发明，在一态样中，是有关于一种主动式矩阵电致发光显示装置。在一实施例， 主动式矩阵电致发光显示装置包含发光层与线路层。发光层包含置于一行中的规则分布的多个发光像素。线路层置于发光层下，并包含多个像素电路。每一个像素电路电性耦接于各自的发光像素，用以响应于一个应用数据信号进而控制流过各自的发光像素的电流。这些像素电路配置成多个群组，每一个群组包含一个或多个邻接的像素电路。任二相邻的邻接像素电路的群组之间有一间隔来分开。线路层更包含彼此串接的多个缓冲电路，每一个缓冲电路配置以响应于一个扫描信号，进而驱动各自的邻接像素电路的群组。至少一个缓冲电路位于二相邻的邻接像素电路的群组之间的各自间隔内。在一实施例，所有群组中每一个群组的像素电路的数目均相同。在另一实施例，每一个缓冲电路包含一个或多个逻辑反相器。每一个逻辑反相器包含一个薄膜晶体管，薄膜晶体管具有沿着行方向的通道宽度。在又一实施例，在每一个缓冲电路的一个或多个逻辑反向器中包含二个或多个彼此串接的逻辑反向器，其中除了第一个逻辑反向器以外的任一逻辑反向器的薄膜晶体管的通道宽度大于前一个逻辑反向器的薄膜晶体管的一通道宽度。在再一实施例，每一个像素电路包含一个薄膜晶体管。在另一态样，本发明是有关于一种主动式矩阵电致发光显示装置。在一实施例，主动式矩阵电致发光显示装置包含发光层及线路层。发光层包含位于显示区块中的规则分布的多个发光像素，显示区块的形式为包含多个列与多个行的矩阵。线路层置于发光层下，并包含多个像素电路，每一个像素电路电性耦接于各自的发光像素，用以响应一个应用数据信号以进而控制流过各自的发光像素的电流。这些像素电路配置于多个区域中，每一个区域包含一列或多列像素电路、并具有沿着行方向的一区块宽度，此区块宽度窄于另一区块的宽度，此另一区块的宽度由发光层中一列或多列发光像素所占用，使得任二相邻的区域通过一个间隔来分开。线路层更包含多个缓冲电路系统，每一个缓冲电路系统电性耦接于各自行的像素电路，并包含彼此串接的多个缓冲电路，每一个缓冲电路配置以响应一个扫描信号，进而驱动在各自行的各自区域中的一个或多个邻接的像素电路。至少一个缓冲电路位于二相邻区域之间的一各自间隔内。在一实施例，主动式矩阵电致发光显示装置更包含一个移位寄存器，移位寄存器包含多级，每一级配置以响应于一个时钟脉冲信号，并输出一个扫描信号至各自的缓冲电路系统。该多级移位寄存器彼此串接，以使每一行像素电路按逐行方式依序地驱动。在另一实施例，移位寄存器沿着列方向置于显示区块的周缘。在再一实施例，此多级移位寄存器沿着列方向置于显示区块的相对二周缘。在又一实施例，移位寄存器的每一级移位寄存器包含一个互补式金属氧化物半导体场效应晶体管。在另再一实施例，每一个缓冲电路系统中的每一个缓冲电路包含至少一个薄膜晶体管，薄膜晶体管具有沿着行方向的通道宽度。在另又一实施例，每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管。在再一态样，本发明是有关于一种驱动主动式矩阵电致发光显示装置的方法。主动式矩阵电致发光显示装置包含发光层和线路层，发光层包含置于显示区块中的规则分布的多个发光像素，显示区块的形式为包含多个列与多个行的矩阵。线路层置于发光层下，并包含多个像素电路，每一个像素电路电性耦接于各自的发光像素，像素电路用以响应于一个应用数据信号进而控制流过各自的发光像素的电流。在每一行中的像素电路配置于多个群组，每一群组包含邻接的一个或多个邻接像素电路。此方法包含下列步骤，提供一个时钟脉冲信号至移位寄存器，移位寄存器包含多级，每一级对应于各自行的多像素电路，并配置以响应于时钟脉冲信号，进而输出一个扫描信号至各自的缓冲电路系统，各自的缓冲电路系统包含彼此串接的多个缓冲电路，每一个缓冲电路配置以驱动在各自行中的一个邻接像素电路群组，其中此多级移位寄存器彼此串接，以使像素电路中每一行按逐行方式依序地驱动。在一实施例，每一个缓冲电路系统中的至少一个缓冲电路置于在一各自间隔中， 此各自间隔位于此各自行中的二相邻的邻接像素电路群组之间。
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在另一实施例，移位寄存器沿着列方向置于显示区块的周缘。在又一实施例，此多级移位寄存器沿着列方向置于显示区块的相对二周缘。本发明的有益效果在于，通过使用多个缓冲电路来驱动每一行的像素，并装置缓冲电路于显示区块中，主动式矩阵有机发光二极管显示装置可制作为具有相对窄的边框。在结合下列附图来描述较佳实施例时，本发明的这些和其他态样将会变得显而易见，但在不偏离本技术公开的新颖性理念的精神和范围的前提下，可以在此处做出各种变更和修改。
下列
本发明的一个或多个实施例，且与文字说明一起用以解释本发明的原理。在任何情形下，附图中所使用的相同参考标记是指代实施例中相同或相似的组件，其中图1是依据本发明的一实施例所绘示的电致发光显示装置的示意图；图2是绘示于图1的电致发光显示装置的一像素行的等效电路示意图；图3是依据本发明的一实施例所绘示的电致发光显示装置布局的示意图；图4是绘示于图3的电致发光显示装置中的发光层和线路层之间关系的示意图；图5是绘示于图3的电致发光显示装置中的缓冲电路的布局的示意图；图6是依据本发明的一实施例所绘示的电致发光显示装置的发光像素、像素电路及缓冲电路的布局的示意图；图7是依据本发明的一实施例所绘示的电致发光显示装置的部分截面图；图8是绘示电致发光显示装置中的例示像素电路的电路示意图；图9是绘示公知电致发光显示装置的示意图；图10是绘示于图9的电致发光显示装置的一像素行的等效电路示意图；图11是绘示公知电致发光装置的布局的示意图。其中，附图标记10 主动式矩阵有机发光二极管显示装置30:缓冲电路656a:区域31:缓冲电路656b:区域32:逻辑反向器658 间隔40 补式金属氧化物半导体场效应晶体管垂直移位寄存器输入级41 垂直移位寄存器 710 基板50 面板负载720 线路层51 显示区块730 发光层100 主动式矩阵有机发光二极管显示装置700 主动式矩阵有机发光二极管显示装置110:数据线750:发光像素120:扫描线752:阴极130:缓冲电路系统 754:阳极132:缓冲电路756:有机主动层
134缓冲电路758像素定义材料
136缓冲电路760像素电路
140移位寄存器762半导体层
150显示区块764 栅极
152像素电路766源极/漏极
154发光像素768栅极绝缘层
156区块769介电层
158区块770缓冲电路
160间隔772a 逻辑反向器
300主动式矩阵有机发光二.极管显示装置
3:34a:逻辑反向器772t逻辑反向器
334b逻辑反向器780间隔
340a垂直移位寄存器782区域
340b垂直移位寄存器790平坦化层
350显示区块800像素电路
352区域810数据线
356区域820扫描线
358间隔910数据线
634缓冲电路920扫描线
6:34a:逻辑反向器930缓冲电路
900主动式矩阵有机发光二.极管显示装置
634b逻辑反向器940垂直移位寄存器
652发光像素950显示区块
652a 发光像素952发光像素
652b发光像素954像素电路
654像素电路
654a像素电路
654b像素电路
具体实施例方式下文中将利用实例叙述本发明，其附图仅为了使在本技术普通技术人员了解本发明可具有各种变更和修正。现在将详细叙述本发明的各种具体实施方式
。在全部附图中，相同的数字表示相同的元件。在说明书中和接下来的申请专利范围中，所使用的“一”或“此或该”可能包含多的意含，除非内文中已明确指出其意义。同样地，在说明书中和接下来的申请专利范围中，“在其中”的意思包含“在其中”和“在其上”，除非内文中清楚地表达其它意思。以下依据本发明的具体实施方式
所提供典型的设备和方法及其有关的结果，并非用以限制本发明的范围。以下将参照图1 图7来说明本发明具体实施方式
，依据本发明在此广泛揭示的目的与实施方式。本发明，在一态样中，是有关于一种电致发光显示装置，且特别是一种具有窄边框的主动式矩阵有机发光二极管显示装置。图1为依据本发明的一实施例所绘示的主动式矩阵有机发光二极管显示装置 100。主动式矩阵有机发光二极管显示装置100包含发光层与线路层。发光层包含置于显示区块150中的多个规则分布的发光像素154(每一发光像素绘示成虚线正方形)，显示区块150的形式为包含多个列与多个行的一矩阵。线路层置于发光层的背侧并包含多个像素电路152 (每一像素电路绘示成实线正方形)，本领域普通技术人员了解线路层置于发光层之后是为了避免减少开口率。每一像素电路电性耦接于各自的发光像素154，用以响应于应用数据信号，控制流过各自的发光像素154的电流。在每一列的像素电路耦接于各个数据线110，在每一行的多个像素电路152配置成多个群组，每一个群组包含一个或多个邻接的像素电路152。在此说明性的实施例中，每一个群组包含两邻接的像素电路152。每一个邻接像素电路的群组所占用的区块156具有沿着行方向的一个宽度，此宽度比由对应的发光像素所占用的区块158还窄，使得任两相邻的邻接像素电路的群组通过在其中的间隔160 来分开。主动式矩阵有机发光二极管显示装置100更包含多个缓冲电路系统130。每一个缓冲电路系统130配置以接收来自移位寄存器140的扫描信号，并通过扫描线120电性耦接于各自行的像素电路152。每一个缓冲电路系统130包含彼此串接的多个缓冲电路 132/134/136，缓冲电路132/134/136的每一个配置以响应于扫描信号，进而驱动在此各自行中的各自的邻接像素电路的群组。相较于公知主动式矩阵有机发光二极管显示装置中的一整行像素电路，由于缓冲电路132/134/136的每一个只驱动一个邻接像素电路的群组， 缓冲电路132/134/136的每一个可在行方向上制作为具有相对较窄的通道宽度，并可位于显示区块150中的两相邻的邻接像素电路的群组间的间隔160内。因此，相较于公知主动式矩阵有机发光二极管显示装置，主动式矩阵有机发光二极管显示装置100可制作为具有相对较窄的边框。图2绘示于图1的主动式矩阵有机发光二极管显示装置100的像素行的等效电路图。在此图中，Rl与Cl代表像素电路的第一群组的等效电路负载，以及R2与C2代表像素电路的第二群组的等效电路负载，依此类推。在操作上，移位寄存器140输出扫描信号至缓冲电路系统130，缓冲电路系统130的第一缓冲电路132驱动电路负载Rl及Cl，以及缓冲电路系统130的第二缓冲电路134驱动电路负载R2及C2，依此类推。在一实施例中，缓冲电路132/134/136的每一个包含一个或多个逻辑反向器，每一个逻辑反向器包含至少一个薄膜晶体管。图3绘示依据本发明的一实施例的主动式矩阵有机发光二极管显示装置300的布局。主动式矩阵有机发光二极管显示装置300包含显示区块350，在显示装置300的一线路层中，显示区块350被分为η个垂直区域356，其中η为大于或等于2的整数。每一个区域356包含具有在行方向上的宽度为Dl的区块，并包含一列或多列像素电路。任两相邻的区域356通过具有在行方向上的宽度为D3的间隔358来分开，且列缓冲电路置于间隔358 中。在显示装置300的发光层，对应区域352包含具有在行方向上的宽度为D2的区块，相邻的区域352之间没有任何间隔，互相紧接着。垂直移位寄存器340a和340b置于显示区块350的左或右周缘，并耦接于缓冲电路，缓冲电路置于显示区块350中相邻的区域356之间的间隔358内。主动式矩阵有机发光二极管显示装置300可制作为具有宽度为W的相对窄的边框。图4绘示主动式矩阵有机发光二极管显示装置300的发光层及线路层之间的关系。图如及图4b分别绘示在线路层中的区域356及在发光层中对应的区域352。在线路层中区域356及在发光层中的区域352分别具有宽度Dl和D2，Dl小于D2。在图4c，若应用在主动式矩阵有机发光二极管显示装置中，发光层中的区域352覆盖在线路层中的区域 356的上方。虽然在发光层中相邻的区域352之间没有任何间隔，彼此紧靠着，在线路层中相邻的区域356则通过具有宽度为D3的间隔358来分开，如图如所示。图5绘示在两相邻的区域356之间的间隔358内的缓冲电路334的布局。每一行中，缓冲电路334用以驱动在间隔358的右边区域中的一个邻接像素电路的群组。在此说明的实施例中，每一个缓冲电路334包含两彼此串接的逻辑反向器33 与334b。在另一实施例中，每一缓冲电路334可包含更多或更少数量的彼此串接的逻辑反向器。每一个逻辑反向器包含至少一个薄膜晶体管，此薄膜晶体管具有沿着行方向的通道宽度。在一实施例中，除了第一个逻辑反向器以外的任一逻辑反向器的薄膜晶体管的通道宽度大于前一个逻辑反向器的薄膜晶体管的通道宽度。图6绘示依据本发明的一实施例，在两相邻区域656a及656b间的间隔658附近一区间中的发光像素、像素电路及缓冲电路的布局。在每一行的发光像素652(绘示成虚线长方形)配置为规则排列，在每一行的像素电路654(绘示成实线正方形)配置于数个群组中，在两相邻群组间有间隔658。每一个像素电路654占用具有宽度Tl的区块，宽度Tl比由每一个发光像素652占用的区块的宽度T2还窄。有些发光像素652处于像素电路肪4的相邻群组之间的间隔658内。在此说明性的实施例中，在每一行中，两发光像素65 及652b 处于间隔658中。两发光像素65 的一个耦接于在第一区域656a中的像素电路65 ；两发光像素652b的另一个耦接于在第二区域656b中的像素电路654b。在每一行中，缓冲电路634位于第一区域656a及第二区域656b之间的间隔658内，并配置以响应于扫描信号， 进而驱动在对应行的第二区域656b内的像素电路。在此实施例中，每一个缓冲电路634包含两个逻辑反向器63 及634b。图7依据本发明的一实施例所绘示的上部发光类型(Top Emission Type)的主动式矩阵有机发光二极管显示装置700的部分截面图。主动式矩阵有机发光二极管显示装置 700包含形成于基板710 (如玻璃)的线路层720，及形成于线路层720上的发光层730， 发光层730包含多个规则分布的发光像素750，每一个发光像素750具有阴极752、阳极7M 以及有机主动层756，有机主动层756置于阴极752及阳极7M之间。相邻的发光像素750 通过像素定义材料758 (Pixel Define Material)来分开。线路层720包含多个像素电路 760，每一个像素电路760包含一个薄膜晶体管，薄膜晶体管包含半导体层762、栅极764、源极/漏极766、介电层769及栅极绝缘层768，介电层769置于栅极764及源极/漏极766之间，栅极绝缘层768置于半导体层762及栅极764之间。平坦化层(Flatten Layer) 790置于线路层720及发光层730之间，数个像素电路760配置于数个区域782中，缓冲电路770 位于两相邻区域782之间的间隔780中，缓冲电路770包含两个逻辑反向器77 及772b。 在另一实施例中，底部发光类型的有机发光二极管，线路层置于发光层上面，本领域普通技术人员可把线路层置于发光层的不发光侧上，以避免阻挡光线穿透。通过使用多个缓冲电路来驱动每一行的像素，并装置缓冲电路于显示区块中，主动式矩阵有机发光二极管显示装置可制作为具有相对窄的边框。举例来说，具有解析度 480X800的3. 7时的宽屏视频图形阵列(Wide Video Graphic Array, WVGA)的显示区块可分为12个垂直区域，每一个区域包含40列像素。在每一行中具有480个像素的面板负载具有分别约为躲Ω及80pF的等效RC值。相对来说，具有40个像素的面板负载具有分别约为^Ω及12pF的等效RC值，配置以驱动40个像素的缓冲电路可位于相邻区域之间的缓冲区块，相邻区域具有约为22 μ m的宽度。因此，面板边框的宽度可从公知主动式矩阵有机发光二极管显示装置的1950 μ m减少至约为依据本发明的一实施例的1570 μ m。在上文的描述中已经展现了本发明的示意性实施例，但它们仅仅只是出于解释和说明的目的，并不是为了穷举或限定本发明所揭露的确定形式。利用以上的教导，可能作出各种修改和变更。选择和描述实施例及其相应的配置，以解释本发明的原理和它们的实践应用，从而使本领域的其他技术人员利用本发明和各种实施例及其修改方式适用于特定的使用。在不偏离本发明所属的精神和范围的情形下，可替代的实施例对于本领域的技术人员来说将会显而易见。因此，本发明的范围由后附的申请专利范围来限定，而不是由这里所描述的上述说明与示意性实施例来限定。当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
权利要求
1.一种主动式矩阵电致发光显示装置，其特征在于，其包含一发光层具有一发光面，该发光层包含置于一行中规则分布的多个发光像素；以及一线路层，该线路层置于该发光面的背侧，该线路层包含多个像素电路以及多个缓冲电路；这些像素电路中每一个像素电路电性耦接于这些发光像素中各自的发光像素，用以响应于一应用数据信号进而控制流过该各自的发光像素的电流，其中这些像素电路配置成多个群组，这些群组中每一群组包含这些像素电路中一个或多个邻接的像素电路，其中这些群组中任二相邻的邻接像素电路的群组之间有一间隔；以及这些缓冲电路彼此串接，这些缓冲电路中每一个缓冲电路配置以响应于一扫描信号， 进而驱动这些群组中各自的邻接像素电路的群组，其中这些缓冲电路中至少一缓冲电路位于一各自的间隔内，该各自的间隔在二相邻的邻接像素电路的群组之间。
2.根据权利要求1所述的主动式矩阵电致发光显示装置，其特征在于，其中所有这些群组中的每一群组的像素电路的数目均相同。
3.根据权利要求1所述的主动式矩阵电致发光显示装置，其特征在于，其中这些缓冲电路中每一缓冲电路包含一个或多个逻辑反相器。
4.根据权利要求3所述的主动式矩阵电致发光显示装置，其特征在于，其中这些逻辑反向器中每一逻辑反向器至少包含一薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有沿着行方向的一通道宽度。
5.根据权利要求4所述的主动式矩阵电致发光显示装置，其特征在于，其中在这些缓冲电路中每一缓冲电路的该一或多个逻辑反向器包含二个或多个彼此串接的逻辑反向器， 其中除了第一个逻辑反向器以外的任一逻辑反向器的一薄膜晶体管的一通道宽度大于一前一个逻辑反向器的一薄膜晶体管的一通道宽度。
6.一种主动式矩阵电致发光显示装置，其特征在于，其包含一发光层，该发光层包含位于一显示区块中的规则分布的多个发光像素，该显示区块的形式为包含多个列与多个行的一矩阵；以及一线路层，该线路层置于该发光层的一非发光侧，该线路层包含多个像素电路以及多个缓冲电路系统；这些像素电路中每一个像素电路电性耦接于这些发光像素中各自的发光像素，用以响应于一应用数据信号以进而控制流过该各自的发光像素的电流，其中这些像素电路配置于多个区域中，这些区域中每一区域包含这些像素电路中一列或多列像素电路，且这些区域中每一区域具有沿着行方向的一区块宽度，该区块宽度窄于另一区块的宽度，该另一区块由该发光层中所对应的一列或多列发光像素所占用，以使这些区域中任二相邻的区域通过一间隔来分开；以及这些缓冲电路系统中每一个缓冲电路系统电性耦接于一各自行的像素电路，并包含彼此串接的多个缓冲电路，这些缓冲电路中每一缓冲电路配置以响应于一扫描信号以进而驱动一各自区域中的该各自行的一个或多个邻接的像素电路，这些缓冲电路中至少一缓冲电路位于二相邻区域之间的一各自间隔内。
7.根据权利要求6所述的主动式矩阵电致发光显示装置，其特征在于，还包含一移位寄存器，该移位寄存器包含多级，每一级配置以响应于一时钟脉冲信号，并输出一扫描信号至各自的缓冲电路系统，其中该多级移位寄存器彼此串接，以使这些像素电路中每一行按逐行方式依序地驱动。
8.根据权利要求7所述的主动式矩阵电致发光显示装置，其特征在于，其中该移位寄存器沿着列方向置于该显示区块的一周缘。
9.根据权利要求7所述的主动式矩阵电致发光显示装置，其特征在于，其中该多级移位寄存器沿着列方向置于该显示区块的相对二周缘。
10.根据权利要求7所述的主动式矩阵电致发光显示装置，其特征在于，其中每一级移位寄存器包含一互补式金属氧化物半导体场效应晶体管。
11.根据权利要求10所述的主动式矩阵电致发光显示装置，其特征在于，其中该互补式金属氧化物半导体场效应晶体管是一薄膜晶体管。
12.根据权利要求6所述的主动式矩阵电致发光显示装置，其特征在于，其中每一缓冲电路系统中的每一缓冲电路包含至少一薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有沿着行方向的一通道宽度。
13.一种用以驱动主动式矩阵电致发光显示装置的方法，其特征在于，该主动式矩阵电致发光显示装置包含一发光层和一线路层，该发光层包含置于一显示区块中的规则分布的多个发光像素，该显示区块的形式为包含多个列与多个行的一矩阵，该线路层置于该发光层下，并包含多个像素电路，这些像素电路中每一像素电路电性耦接于一各自发光像素， 用以响应于一应用数据信号进而控制流过该各自发光像素的电流，其中在每一行中的这些像素电路是配置于多个群组，每一群组包含一个或多个邻接像素电路，该方法包含下列步骤提供一时钟脉冲信号至一移位寄存器，该移位寄存器包含多级，每一级对应于一各自行的多像素电路，并配置以响应于该时钟脉冲信号，进而输出一扫描信号至一各自的缓冲电路系统，该各自的缓冲电路系统包含彼此串接的多个缓冲电路，每一缓冲电路配置以驱动在该各自行中一各自的邻接像素电路的群组，其中该多级移位寄存器彼此串接，以使这些像素电路中每一行按逐行方式依序地驱动。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，其中每一缓冲电路系统中至少一缓冲电路置于一间隔内，该间隔位于该各自行中的二相邻的邻接像素电路的群组之间。
15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，该移位寄存器沿着列方向置于该显示区块的一周缘。
16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，其中该多级移位寄存器沿着列方向置于该显示区块的相对二周缘。
全文摘要
一种主动式矩阵电致发光显示装置及其驱动方法，该显示装置包含发光层与线路层。发光层包含置于一行中规则分布的数个发光像素。线路层置于发光层下并包含数个像素电路，每个像素电路电性耦接于各自发光像素，以响应应用数据信号而控制流过各自发光像素的电流。数个像素电路配置成数个群组，每一群组包含一或多个邻接的像素电路，任二相邻的邻接像素电路的群组之间有一间隔来分开。线路层更包含相串接的数个缓冲电路，每一缓冲电路配置以响应扫描信号，而驱动各自邻接像素电路的群组。至少一个缓冲电路位于任二相邻的邻接像素电路的群组之间的各自间隔中。
文档编号G09G3/32GK102436790SQ20111044223
公开日2012年5月2日 申请日期2011年12月21日 优先权日2011年3月23日
发明者刘俊彦, 叶佳元, 蔡轩名 申请人:友达光电股份有限公司