一种amoled面板的像素驱动电路的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种AMOLED面板的像素驱动电路，该电路具体包括：扫描线VSCAN、数据线DATA、电源线VDD、第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第一电容Cs1、第二电容Cs2、第一发光二极管D1以及第二发光二极管D2。本发明主要通过保持当前行的像素驱动电路结构不变，将其相邻行像素驱动电路中的开关管和驱动管由P型TFT改为N型TFT，并将行扫描信号由低电平选通变为高电平选通，相邻两行共用一根扫描线，这样从而减少一半扫描线，提高了面板的像素开口率，降低了有机材料的电流密度以及驱动电压，并提高了可靠性，改善了面板性能。
【专利说明】—种AMOLED面板的像素驱动电路
【技术领域】
[0001]本发明属于AMOLED显示【技术领域】，具体涉及一种AMOLED面板的像素驱动电路的设计。
【背景技术】
[0002]基于P型TFT构成的传统像素驱动电路如图1所示。图中，M1、M3管为开关管，控制数据电压DATA输入；M2、M4管为驱动管，控制OLED发光；Csl、Cs2为存储电容，为驱动管M2、M4的栅极提供偏置及维持电压；D1、D2为OLED，VSCANUVSCAN2为扫描线、DATA为数据线。其中Ml、M2、Csl构成一个像素驱动电路，M3、M4、Cs2构成下一行同列的另外一个像素驱动电路，Ml、M2、M3、M4均为P型TFT。
[0003]其工作原理是:如图1、2所示，在单帧时间内，当扫描线VSCANl为时长等于行周期TH的低电平时，Ml处于导通状态，数据电压经过Ml管漏源极之间的通道，写入到存储存储电容Csl上，该数据电压作用在M2管栅极上，使得M2工作在饱和状态下，驱动Dl (OLED)发光。当扫描线VSCANl为时长等于帧周期与行周期之差TM的高电平时，Ml处于截止状态，其漏源之间通道被关断，数据信号不能写入到M2栅极即电容两端。此时，存储电容Csl由于Ml关断而没有了电荷的泄放通路，只能保持截止前的状态，使得M2仍处在饱和状态，继续维持Dl发光，直到下一帧再次被选通。M3、M4、Cs2构成的下一行同列另外一个像素驱动电路，工作原理与之完全相同，只是延迟行周期TH。
[0004]这种传统像素驱动电路结构每一行都需要一条扫描线，在像素结构中占据了较大的平面空间，导致像素的开口率较低从而限制了面板性能的提升。
【发明内容】
[0005]本发明的目的是为了解决现有技术中AMOLED面板像素驱动电路存在的问题而提供一种AMOLED面板的像素驱动电路。
[0006]本发明的技术方案是:一种AMOLED面板的像素驱动电路，具体包括:扫描线VSCAN、数据线DATA、电源线VDD、第一晶体管Ml、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第一电容Csl、第二电容Cs2、第一发光二极管Dl以及第二发光二极管D2 ；
[0007]所述第一晶体管Ml的栅极与扫描线VSCAN连接，源极与数据线DATA连接，漏极与第一电容Csl的第一端连接；所述第二晶体管M2的栅极与第一晶体管Ml的漏极连接，源极与电源线VDD连接，漏极与第一发光二极管Dl的正极连接；所述第一电容Csl的第一端与第一晶体管Ml的漏极连接，第二端与电源线VDD连接；所述第一发光二极管Dl的正极与第二晶体管M2的漏极连接，负极与地连接；所述第一晶体管Ml、第二晶体管M2、第一电容Csl构成第一发光二极管Dl的像素驱动电路；
[0008]所述第三晶体管M3的栅极与扫描线VSCAN连接，源极与第二电容Cs2的第一端连接，漏极与数据线DATA连接；所述第四晶体管M4的栅极与第三晶体管M3的源极连接，源极与第二发光二极管D2的正极连接，漏极与电源线VDD连接；所述第二电容Cs2的第一端与第三晶体管M3的源极连接，第二端与电源线VDD连接；所述第二发光二极管D2的正极第四晶体管M4的源极连接，负极与地连接；所述第三晶体管M3、第四晶体管M4、第二电容Cs2构成第二发光二极管D2的像素驱动电路。
[0009]进一步的，所述第一晶体管Ml、第二晶体管M2为P型TFT薄膜晶体管；所述第三晶体管M3、第四晶体管M4为N型TFT薄膜晶体管。
[0010]进一步的，所述第一晶体管Ml、第三晶体管M3作为开关管，用于控制数据电压DATA的输入；所述第二晶体管M2、第四晶体管M4作为驱动管，用于控制第一发光二极管D1、第二发光二极管D2的发光。
[0011]本发明的有益效果:本发明的一种AMOLED面板的像素驱动电路，通过保持当前行的像素驱动电路结构不变，将其相邻行像素驱动电路中的开关管和驱动管由P型TFT改为N型TFT，并将行扫描信号由低电平选通变为高电平选通，相邻两行共用一根扫描线，这样行扫描线由一行一根变为两行一根，从而减少一半扫描线，提高了面板的像素开口率，并且降低了有机材料的电流密度以及驱动电压，提高了可靠性，改善了面板性能。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1为传统相邻行同列像素驱动电路(PTFT)图；其中Ml、M2、Csl构成一个像素驱动电路，M3、M4、Cs2构成下一行同列另外一个像素驱动电路，M1、M2、M3、M4均为P型TFT ;
[0013]图2为传统像素驱动电路相邻两行的驱动时序图；
[0014]图3为本发明的相邻行同列像素驱动电路图，其中Ml、M2、Csl构成一个像素驱动电路，M3、M4、Cs2构成下一行同列的另外一个像素驱动电路，Ml、M2为P型TFT，M3、M4为N型 TFT ；
[0015]图4为本发明的像素驱动电路相邻两行的驱动时序图。
【具体实施方式】
[0016]下面结合附图和具体的实施例对本发明作进一步的阐述。
[0017]如图3所示为本发明实施例一种AMOLED面板的像素驱动电路的驱动电路图，具体包括:扫描线VSCAN、数据线DATA、电源线VDD、第一晶体管Ml、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第一电容Csl、第二电容Cs2、第一发光二极管Dl以及第二发光二极管D2 ；
[0018]所述第一晶体管Ml的栅极与扫描线VSCAN连接，源极与数据线DATA连接，漏极与第一电容Csl的第一端连接；所述第二晶体管M2的栅极与第一晶体管Ml的漏极连接，源极与电源线VDD连接，漏极与第一发光二极管Dl的正极连接；所述第一电容Csl的第一端与第一晶体管Ml的漏极连接，第二端与电源线VDD连接；所述第一发光二极管Dl的正极与第二晶体管M2的漏极连接，负极与地连接；所述第一晶体管Ml、第二晶体管M2、第一电容Csl构成第一发光二极管Dl的像素驱动电路；
[0019]所述第三晶体管M3的栅极与扫描线VSCAN连接，源极与第二电容Cs2的第一端连接，漏极与数据线DATA连接；所述第四晶体管M4的栅极与第三晶体管M3的源极连接，源极与第二发光二极管D2的正极连接，漏极与电源线VDD连接；所述第二电容Cs2的第一端与第三晶体管M3的源极连接，第二端与电源线VDD连接；所述第二发光二极管D2的正极第四晶体管M4的源极连接，负极与地连接；所述第三晶体管M3、第四晶体管M4、第二电容Cs2构成第二发光二极管D2的像素驱动电路。
[0020]其中，所述第一晶体管Ml、第二晶体管M2为P型TFT薄膜晶体管；所述第三晶体管M3、第四晶体管M4为N型TFT薄膜晶体管；并且所述第一晶体管Ml、第三晶体管M3作为开关管，用于控制数据电压DATA的输入；所述第二晶体管M2、第四晶体管M4作为驱动管，用于控制第一发光二极管D1、第二发光二极管D2的发光；第一电容Csl、第二电容Cs2为存储电容，为驱动管M2、M4的栅极提供偏置及维持电压；所述发光二极管D1、D2为0LED。
[0021]为了本领域技术人员能够理解并且实施本发明技术方案，下面将结合如图3所示的电路图以及如图4所示的驱动时序图对本发明一种AMOLED面板的像素驱动电路的工作原理进行详细说明:
[0022]如图4所示在单帧时间内，当扫描线VSCAN为时长等于行周期TH的低电平时，第一晶体管Ml处于导通状态，数据电压经过Ml管漏源极之间的通道，写入到存储电容Csl上，该数据电压作用在第二晶体管M2管栅极上，使得M2工作在饱和状态下，驱动OLED发光二极管Dl发光；此时，第三晶体管M3处于截止状态，其漏源之间通道被关断，数据信号不能写入到第四晶体管M4的栅极即电容Cs2两端，存储电容Cs2保持截止前的状态，使得M4仍处在饱和状态，继续维持OLED发光二极管D2发光。
[0023]当扫描线VSCAN为时长等于行周期TH的高电平时，则Ml处于截止状态，其漏源之间通道被关断，数据信号不能写入到M2栅极即电容Csl两端，存储电容Csl保持截止前的状态，使得M2仍处在饱和状态，继续维持Dl发光；此时，M3处于导通状态，数据电压经过M4管漏源极之间的通道，写入到存储存储电容Cs2上，该数据电压作用在M4管栅极上，使得M4工作在饱和状态下，驱动D2发光。
[0024]当扫描线VSCAN为时长等于帧周期与两倍行周期之差TE的高阻状态时，Ml、M3均处于截止状态，其漏源之间通道被关断，数据信号不能写入到M2、M4栅极即电容两端；此时，存储电容Csl、Cs2由于Ml、M3关断而没有了电荷泄放通路，只能保持截止前的状态，使得M2、M4仍处在饱和状态，继续维持Dl、D2发光，直到下一帧再次被选通。
[0025]本发明的基本思想是通过改变传统驱动电路中相邻像素行的驱动管以及其电路连接位置，并结合改变的驱动时序，从而使相邻两行像素驱动电路共用一根扫描线VSCAN，这样就可以提高面板的像素开口率，从而改善面板性能。
[0026]本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本发明的原理，应被理解为本发明的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例，本领域的普通技术人员可以根据本发明公开的这些技术启示做出各种不脱离本发明实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本发明的保护范围内。
【权利要求】
1.一种AMOLED面板的像素驱动电路，其特征在于，具体包括:扫描线VSCAN、数据线DATA、电源线VDD、第一晶体管Ml、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第一电容Csl、第二电容Cs2、第一发光二极管Dl以及第二发光二极管D2 ； 所述第一晶体管Ml的栅极与扫描线VSCAN连接，源极与数据线DATA连接，漏极与第一电容Csl的第一端连接；所述第二晶体管M2的栅极与第一晶体管Ml的漏极连接，源极与电源线VDD连接，漏极与第一发光二极管Dl的正极连接；所述第一电容Csl的第一端与第一晶体管Ml的漏极连接，第二端与电源线VDD连接；所述第一发光二极管Dl的正极与第二晶体管M2的漏极连接，负极与地连接；所述第一晶体管Ml、第二晶体管M2、第一电容Csl构成第一发光二极管Dl的像素驱动电路； 所述第三晶体管M3的栅极与扫描线VSCAN连接，源极与第二电容Cs2的第一端连接，漏极与数据线DATA连接；所述第四晶体管M4的栅极与第三晶体管M3的源极连接，源极与第二发光二极管D2的正极连接，漏极与电源线VDD连接；所述第二电容Cs2的第一端与第三晶体管M3的源极连接，第二端与电源线VDD连接；所述第二发光二极管D2的正极第四晶体管M4的源极连接，负极与地连接；所述第三晶体管M3、第四晶体管M4、第二电容Cs2构成第二发光二极管D2的像素驱动电路。
2.如权利要求1所述的一种AMOLED面板的像素驱动电路，其特征在于，所述第一晶体管Ml、第二晶体管M2为P型TFT薄膜晶体管；所述第三晶体管M3、第四晶体管M4为N型TFT薄膜晶体管。
3.如权利要求2所述的一种AMOLED面板的像素驱动电路，其特征在于，所述第一晶体管Ml、第三晶体管M3作为开关管，用于控制数据电压DATA的输入；所述第二晶体管M2、第四晶体管M4作为驱动管，用于控制第一发光二极管D1、第二发光二极管D2的发光。
【文档编号】G09G3/32GK103971637SQ201410177017
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2014年4月29日 优先权日:2014年4月29日
【发明者】周刚, 田朝勇, 李鹏 申请人:四川虹视显示技术有限公司