显示面板及其闸极驱动电路的制作方法

本发明关于一种驱动电路；具体而言，本发明关于一种具增加透光率的设计的闸极驱动电路及具有该闸极驱动电路的显示面板。

背景技术：

一般显示装置主要包含薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光片基板、背光模块、光学膜片，以及驱动像素区晶体管的闸极驱动电路与数据驱动电路。随着技术演进，显示装置的闸极驱动电路可直接形成于薄膜晶体管基板上，以提高生产效率，并符合窄边框的产品需求。

然而，由于形成于基板上的闸极驱动电路与上下基板间的密封剂的位置有重叠，因而在密封剂照光固化的过程中，闸极驱动电路势必阻挡光线进入密封剂，造成密封剂固化不完全。如此一来，水气会穿过未完全固化的密封剂，进而使闸极驱动电路产生腐蚀，以及闸极驱动电路的机能失常等情形产生。因此现有的显示装置的结构仍有待改进。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种闸极驱动电路，可增加通过闸极驱动电路的透光率。

于一实施例，闸极驱动电路设置于第一基板且包含第一晶体管单元。第一晶体管单元配置在第一基板上，第一晶体管单元包含N1个闸极区块(N1>＝2)以及电性连接第i-1闸极区块及第i闸极区块的连接部(2<＝i<＝N1)，并且该第i-1闸极区块及该第i闸极区块间具有至少一间隙。

于一实施例，该第i-1闸极区块、该连接部以及该第i闸极区块形成一H型、ㄇ型或ㄩ型结构。

于一实施例，包含多条信号线配置在该第一基板上，且该些信号线中至少一条信号线具有形成于该条信号线中的至少一空隙。。

于一实施例，该空隙为长条状、曲折条纹状或圆孔状。

于一实施例，该些信号线沿一第一方向延伸,该连接部沿一第二方向延伸,其中该第一方向实质上垂直该第二方向。

于一实施例，包含第二晶体管单元、第三晶体管单元及第四晶体管单元,其中该第二晶体管单元包含N2个闸极区块(N2>＝2)以及电性连接第i-1闸极区块及第i闸极区块的连接部(2<＝i<＝N2),该第三晶体管单元包含N3个闸极区块(N3>＝2)以及电性连接第i-1闸极区块及第i闸极区块的连接部(2<＝i<＝N3),该第四晶体管单元包含N4个闸极区块(N4>＝2)以及电性连接第i-1闸极区块及第i闸极区块的连接部(2<＝i<＝N4),该闸极驱动电路沿该第一方向依序配置该第一晶体管单元、该第二晶体管单元、该第三晶体管单元及该第四晶体管单元,以将该第一晶体管单元的该些闸极区块、该第二晶体管单元的该些闸极区块、该第三晶体管单元的该些闸极区块及该第四晶体管单元的该些闸极区块形成一コ形或ㄈ形结构。

于一实施例，N1大於N2且N4大於N3。

于一实施例，该コ形或ㄈ形结构的凹陷区域为无闸极区块的区域。

于一实施例，显示面板包含第一基板、闸极驱动电路、第二基板及密封剂。闸极驱动电路的第一晶体管单元配置在第一基板上。第二基板设置对应第一基板。密封剂形成于第一基板及第二基板之间。通过第一晶体管单元内各闸极区块的间隙可提高透光率，使密封剂容易固化。

于一实施例，该密封剂覆盖该间隙。

附图说明

图1为对应本发明闸极驱动电路的一显示装置示意图；

图2A为本发明闸极驱动电路的一实施例俯视示意图；

图2B为闸极驱动电路的放大俯视示意图；

图2C为本发明显示面板的一实施例剖面图；

图3A为本发明闸极驱动电路的另一实施例俯视示意图；

图3B为本发明显示面板的另一实施例剖面图；

图4A为本发明闸极驱动电路的另一实施例俯视示意图；

图4B为本发明显示面板的另一实施例剖面图；

图5A至图5B为信号线的不同实施例示意图；

图6A为本发明闸极驱动电路的部分电路图；

图6B为本发明闸极驱动电路的另一实施例俯视示意图；以及

图6C为本发明闸极驱动电路的另一实施例俯视示意图。

主要组件符号说明

10 显示装置

100 闸极驱动电路

110,111,112,113,130,131,132,133 晶体管单元

110a,111a,112a,113a 第一闸极区块

110b,111b,112b,113b 第二闸极区块

110c,111c,112c,113c 连接部

110d,111d 间隙

120 信号线

121 空隙

130d1,130d2,131d 汲极线

130s1,130s2,131s 源极线

1301,1302,1303,1304,1305,1306,1307(晶体管单元130的)第一至第七闸极区块

1311,1312,1313,1314 (晶体管单元131的)第一至第四闸极区块

1321,1322,1323,1324 (晶体管单元132的)第一至第四闸极区块

1331,1332,1333,1334,1335,1336,1337 (晶体管单元133的)第一 至第七闸极区块

134,135,136,137 晶体管

200 显示面板

200A 覆盖区

200B 非覆盖区

201 第一基板

202 第二基板

204 密封剂

300 控制单元

400 数据驱动电路

500 晶体管

600 无闸极区块的区域

D1,D2 数据线

L3 长度

M1,M2,M3,M4,M5,M6 第一至第六晶体管

G1,G2 闸极线

W (闸极区块的)宽度

W3 (连接部的)宽度

d2 (空隙的)宽度

具体实施方式

本发明的闸极驱动电路通过晶体管单元或信号线内的透光设计，于固化光源自基板外侧照射时，增加透光量，使显示面板内的密封剂能完全固化。本发明的显示面板包括但不限于采用非晶硅、低温多晶硅及氧化铟镓锌工艺所制造的显示面板。

图1为对应本发明闸极驱动电路100的一显示装置10示意图。如图1所示，显示装置10包含设置在第一基板201上的闸极驱动电路100、控制 单元300及数据驱动电路400。控制单元300分别输出控制信号以启动闸极驱动电路100和数据驱动电路400，并通过闸极驱动电路100经闸极线(例如G1、G2)输出的闸极驱动信号，以及通过数据驱动电路400经数据线(例如D1、D2)输出的数据信号以驱动像素区的晶体管500。

图2A为本发明闸极驱动电路100的一实施例的俯视示意图。如图2A所示，闸极驱动电路100包含配置在第一基板201上的多个晶体管单元110～113与多条信号线120。在本实施例中，闸极驱动电路100包含移位暂存器(shift register)，移位暂存器的电路包括晶体管单元110～113及信号线120。闸极驱动电路100内的信号线120接收自控制单元300的控制信号后，闸极驱动电路100产生闸极驱动信号以驱动像素区的晶体管。

请参阅图2A，晶体管单元110包含第一闸极区块110a、第二闸极区块110b以及连接部110c，其中连接部110c电性连接第一闸极区块110a及第二闸极区块110b，并且第一闸极区块110a、第二闸极区块110b及连接部110c是由相同材料在同一工艺步骤中形成。举例来说，在本实施例中，于第一基板201上形成金属层，接着利用微影及蚀刻工艺移除部分金属层以同时形成第一闸极区块110a、第二闸极区块110b及连接部110c，也就是第一闸极区块110a、第二闸极区块110b及连接部110c是位于同一层。此外，第一闸极区块110a、第二闸极区块110b及连接部110c也可以是在形成图1像素区的晶体管500的闸极步骤中同时形成。但第一闸极区块110a、第二闸极区块110b及连接部110c的材料及形成方法不以此为限。图2A虽未绘示晶体管单元110的主动层、汲极、源极、汲极线及源极线，但其为该技术领域一般技术人员所公知，因此在此省略不再绘示与叙述。

如图2B所示，连接部110c的长度与宽度分别为L3及W3，因为连接部110c的宽度W3小于第一闸极区块110a及第二闸极区块110b的宽度W，因此第一闸极区块110a、连接部110c以及第二闸极区块110b形成H型结构。在现有技术中，通常是将第一闸极区块、第二闸极区块及连接部一起绘制成一长方形结构(也就是第一闸极区块、第二闸极区块及连接部具有相同宽 度)，以方便布局。因为第一闸极区块110a及第二闸极区块110b的宽度与晶体管的驱动能力相关，因此本发明将连接部110c的宽度缩小为W3，使得晶体管的驱动能力不会受到影响。与现有技术中相同宽度的第一闸极区块、第二闸极区块及连接部相较，本实施例的H型结构使得第一闸极区块110a及第二闸极区块110b之间具有间隙110d，其中间隙110d的长度及宽度分别为L3及(W-W3)/2。因为当光线自薄膜晶体管阵列基板外侧朝显示面板内照射时，光线会被第一闸极区块、第二闸极区块及连接部所阻挡而无法照射至上下基板间的密封剂，因此本发明的H型结构具有较大的光线穿透面积(与现有技术相比，在包含第一闸极区块、第二闸极区块及连接部的晶体管单元中，本发明多了二块额外的光线穿透区域(亦即间隙110d)，每一块光线穿透区域的面积为L3*(W-W3)/2。也就是说，第一闸极区块110a及第二闸极区块110b之间具有可透光的间隙。同样地，晶体管单元111包含第一闸极区块111a、第二闸极区块111b及连接部111c，其中连接部111c电性连接第一闸极区块111a及第二闸极区块111b，并且第一闸极区块111a、第二闸极区块111b及连接部111c是由相同材料在同一工艺步骤中形成。第一闸极区块111a、第二闸极区块111b及连接部111c的材料与制作方法与第一闸极区块110a、第二闸极区块110b及连接部110c相同，于此不再重述。与晶体管单元110相同，第一闸极区块111a、第二闸极区块111b以及连接部111c形成H型结构，H型结构使得第一闸极区块111a及第二闸极区块111b之间具有间隙111d。

需特别说明的是，前述闸极区块的数量仅为示意，闸极区块的数量可视闸极驱动电路中电路的设计、布局范围及晶体管尺寸大小而加以调整。举例来说，晶体管单元110或111可包括N个闸极区块(N>＝2)以及电性连接第i-1闸极区块及第i闸极区块的连接部(2<＝i<＝N)。

此外，在本实施例中的晶体管单元110可以是包含二个闸极相互电性连接的晶体管，其中一个晶体管的闸极是第一闸极区块110a，另一个晶体管的闸极是第二闸极区块110b，而该二个晶体管是通过连接部110将二个晶 体管的闸极相互电性连接。本实施例中的晶体管单元110亦可以是包含一个晶体管，但为了电路布局需求而将该晶体管分割为第一闸极区块110a及第二闸极区块110b，其中第一闸极区块110a上及第二闸极区块110b上的汲极线(图未示)彼此电性连接，且一闸极区块110a上及第二闸极区块110b上的源极线(图未示)彼此电性连接。因此本发明未限定晶体管单元包含的晶体管数量，其可以是闸极相互连接的二个或二个以上的晶体管，一个分割成多个闸极区块的晶体管，或是以上所述的组合。

请进一步参考图2C的剖视图。如图2C所示，晶体管单元110、112与信号线120设置在显示面板200的第一基板201上，且第二基板202设置对应第一基板201。在本实施例中，第一基板201是薄膜晶体管阵列基板，而第二基板202是彩色滤光片基板。在显示面板200的第一基板201及第二基板202之间形成有密封剂204。显示面板200依密封剂204的覆盖范围分为覆盖区200A及非覆盖区200B。在本实施例中，闸极驱动电路100部分覆盖于密封剂204内，如图2C所示，信号线120及晶体管单元110位于覆盖区200A内，而晶体管单元112位于非覆盖区200B。在显示面板200于密封剂204固化工艺中，当光线自第一基板201外侧朝显示面板200内的密封剂204照射时，光线除了经由相互邻接的信号线120之间、信号线120与晶体管单元110之间，以及晶体管单元110与晶体管单元112之间穿越第一基板201而抵达密封剂204，还可经由第一闸极区块110a及第二闸极区块110b之间的间隙110d抵达密封剂204并将密封剂204固化。需说明的是，图2C虽因剖面切线位置的原因而未绘示晶体管单元111及113，惟由图2A可得知晶体管单元111位于覆盖区200A内，而晶体管单元113位于非覆盖区200B，因此在此省略不再绘示与叙述。间隙110d的长度与宽度较佳介于10μm与100μm之间，以提供足够光线，使密封剂204能完全固化。由此设计，可利用晶体管单元内各闸极区块的间隙提高透光率，使密封剂容易固化。

需特别说明的是，虽然本实施例的H型结构使得第一闸极区块110a及第二闸极区块110b之间具有二间隙110d，且二间隙110d具有相同的长度 与宽度，但不以此为限。举例来说，亦可将图2A的连接部110c往上移动或往下移动，使得二间隙110d(参考图2B)具有不同的面积。此外，亦可变化为将连接部110c往上移动至与第一闸极区块110a及第二闸极区块110b的上侧边缘，以形成ㄇ型结构，使得第一闸极区块110a及第二闸极区块110b之间具有一间隙，或是将连接部110c往下移动至与第一闸极区块110a及第二闸极区块110b的下侧边缘，以形成ㄩ型结构，使得第一闸极区块110a及第二闸极区块110b之间具有一间隙。也就是说，只要连接部110c可以达到电性连接第一闸极区块110a及第二闸极区块110b的目的，可变化连接部110c的位置、形状或宽度，使得第一闸极区块110a及第二闸极区块110b之间保留可透光的间隙。

图3A为本发明闸极驱动电路100的另一实施例的俯视示意图。如图3A所示，除前述晶体管单元110和晶体管单元111之外，晶体管单元112包含电性连接的第一闸极区块112a、第二闸极区块112b以及连接部112c，其中连接部112c电性连接第一闸极区块112a及第二闸极区块112b。而晶体管单元113包含第一闸极区块113a、第二闸极区块113b以及连接部113c，其中连接部113c电性连接第一闸极区块113a及第二闸极区块113b。请进一步参考图3B的剖视图。与前一实施例不同之处在于，闸极驱动电路全部覆盖于密封剂204内。如图3B所示，信号线120、晶体管单元110及晶体管单元112皆位于覆盖区200A内。故当光线自第一基板201外侧朝显示面板200内的密封剂204照射时，光线可经由相邻的信号线120之间、信号线120与晶体管单元110之间、晶体管单元110与晶体管单元112之间、晶体管单元110的第一闸极区块110a及第二闸极区块110b之间的间隙以及晶体管单元112的第一闸极区块112a及第二闸极区块112b之间的间隙抵达密封剂204并将密封剂204固化。换言之，晶体管单元的结构可配合显示面板涂布密封剂的实际范围而调整，利用晶体管单元内各闸极区块的间隙提高透光率，使密封剂容易固化。同样地，图3B虽因剖面切线位置的原因而未绘示晶体管单元111及113，惟由图3A可得知晶体管单元111及113皆位于覆 盖区200A内，因此在此省略不再绘示与叙述。

需说明的是，图2A及图3A中的信号线120沿一第一方向延伸，连接部110c、111c、112c及113c沿一第二方向延伸，其中该第一方向实质上垂直该第二方向，但不以此为限，该技术领域一般技术人员可依据闸极驱动电路及布局需求而调整信号线及连接部的延伸方向。

图4A及图4B为闸极驱动电路100的另一实施例的俯视及剖视示意图。闸极驱动电路100局部放大图如图4A所示，信号线120具有空隙121，空隙121为长条状且沿信号线120长边的方向延伸。需特别说明的是，虽然图4A未绘示晶体管单元110、111、112及113，惟可参照图3A及图3A的说明，于此不再重复相同叙述。接下来请参考图4B的剖视图。如图4B所示，当闸极驱动电路的晶体管单元110、112及信号线120皆覆盖于密封剂204内时，与图3B实施例的差别在于光线自第一基板201外侧除了经由相邻的信号线120之间、信号线120与晶体管单元110之间、晶体管单元110与晶体管单元112之间、晶体管单元110的第一闸极区块110a及第二闸极区块110b之间的间隙以及晶体管单元112的第一闸极区块112a及第二闸极区块112b之间的间隙抵达密封剂204外，光线亦可经由信号线120的空隙121抵达密封剂204并将密封剂204固化。换言之，除前述配合显示面板涂布密封剂的实际范围而调整晶体管单元的结构外，信号线亦可调整为可透光的型式。空隙121的宽度d2较佳介于5μm与30μm之间，以提供足够光线，使密封剂能完全固化。由此设计，可利用晶体管单元内各闸极区块的间隙以及信号线的空隙共同提高透光率，使密封剂容易固化。同样地，图4B虽因剖面切线位置的原因而未绘示晶体管单元111及113，惟晶体管单元111及113皆位于覆盖区200A内，因此在此省略不再绘示与叙述。

需说明的是，图4B的实施例虽公开了利用晶体管单元内各闸极区块的间隙以及信号线的空隙共同提高透光率，但不以此为限。举例来说，若是显示面板涂布密封剂的实际范围只涵盖信号线120，则只需在信号线120中形成空隙121就可提高透光率以固化密封剂。因此该技术领域一般技术人员可 依据涂布密封剂的实际范围设计各闸极区块的间隙或信号线的空隙。

此外，如图5A及图5B所示的信号线120的不同实施例，信号线120的空隙121可视需求调整为不同形式。在图5A中，信号线120的空隙121形成为曲折条纹状，并沿信号线120长边的方向延伸，如此可由曲折造型进一步增加透光面积。在图5B所示的空隙121则是呈圆孔状，并沿信号线120长边的方向排列。在其它实施例中，圆孔的数目及尺寸可视光照固化的需求而调整。由此设计，可提高闸极驱动电路中的透光率并提高工艺良率，避免现有技术因透光不足而影响显示面板使用寿命的情形。

需特别说明的是，本发明信号线120的空隙121形状及数目不以图4A、5A及5B为限，该技术领域具有通常知识者可自行依据需求而设计信号线120的空隙121形状及数目，只要空隙121不影响信号线120的电性传输或是影响信号线的可靠度即可。举例来说，信号线120的空隙121可变化为方孔、多个平行的长条状、多个平行的曲折条纹状或是不规则状的中空区域。而且虽然图4A绘示每一条信号线120分别具有空隙121，但可依涂布密封剂的实际范围及闸极驱动电路的布局需求而变化为该些信号线120中至少一条信号线具有形成于该条信号线中的至少一空隙，而不限定每一条信号线120皆具有空隙121。此外，本实施例的空隙121虽是形成于用来接收控制单元300的控制信号的信号线120中，但不以此为限，亦可将空隙形成于晶体管单元的汲极线或源极线，或是形成于晶体管单元间的连接线，同样可以提高透光率以固化密封剂。

接着请参图6A及图6B，图6A是本发明闸极驱动电路的部分电路图，其包含第一～第六晶体管M1～M6，其中第一晶体管M1的闸极电性连接第二晶体管M2的闸极，第四晶体管M4的闸极电性连接第五晶体管M5的闸极，并且第一～第六晶体管M1～M6的源极相互电性连接。

图6B为本发明闸极驱动电路100的另一实施例的俯视示意图。如图6B所示，闸极驱动电路100包含配置在第一基板上的多个晶体管单元130～133与多条信号线120。在本实施例中，闸极驱动电路100包含移位暂存器(shift register)，移位暂存器的电路包括晶体管单元130～133及信号线120。闸极驱动电路100内的信号线120接收自控制单元的控制信号后，闸极驱动电路100产生闸极驱动信号以驱动像素区的晶体管。

图6B所示，晶体管单元130包含第一至第七闸极区块1301～1307以及电性连接第i-1闸极区块及第i闸极区块的连接部130c(2<＝i<＝7)，晶体管单元131包含第一至第四闸极区块1311～1314以及电性连接第i-1闸极区块及第i闸极区块的连接部131c(2<＝i<＝4)，晶体管单元132包含第一至第四闸极区块1321～1324以及电性连接第i-1闸极区块及第i闸极区块的连接部132c(2<＝i<＝4)，晶体管单元133包含第一至第七闸极区块1331～1337以及电性连接第i-1闸极区块及第i闸极区块的连接部133c(2<＝i<＝7)。请同时参阅图6A，晶体管单元130包含闸极相互电性连接的第一晶体管M1及第二晶体管M2，其中第二晶体管M2的布局分割为并联的第一至第四闸极区块1301～1304(在此所述的并联是指第一至第四闸极区块1301～1304上的汲极线130d1彼此电性连接，且第一至第四闸极区块1301～1304上的源极线130s1彼此电性连接)，第一晶体管M1的布局分割为并联的第五至第七闸极区块1305～1307(在此所述的并联是指第五至第七闸极区块1305～1307上的汲极线130d2彼此电性连接，且第五至第七闸极区块1305～1307上的源极线130s2彼此电性连接)，第三晶体管M3的布局分割为并联的闸极区块1311～1314(在此所述的并联是指闸极区块1311～1314上的汲极线131d彼此电性连接，且闸极区块1311～1314上的源极线131s彼此电性连接)。如图6A及6B所示，因为第二晶体管M2及第三晶体管M3的源极电性连接,因此可将晶体管单元131的闸极区块1311～1314布局于晶体管单元130的闸极区块1301～1304下方，使得闸极区块1311～1314上的源极(图未示)可与晶体管单元130的闸极区块1301～1304上的源极(图未示)沿X轴方向对齐(在此所述的沿X轴方向对齐是指闸极区块1301～1304上的源极及闸极区块1311～1314上的源极分别是沿X轴方向排列,且闸极区块1301～1304上的源极及闸极区块1311～1314上的源极是上下对齐)，因此可藉由复数条沿Y轴延伸的金属导线形成闸极 区块1311～1314上的源极线131s以及闸极区块1301～1304上的源极线130s1，其中该些复数条沿Y轴延伸的金属导线中，每一条金属导线同时电性连接闸极区块1311～1314上的源极以及闸极区块1301～1304上的源极，因此不需将源极线弯折以彼此电性连接第一晶体管M1及第三晶体管M3的源极，进而简化闸极驱动电路100布局，并缩小布局面积。

同样地，晶体管单元133包含闸极相互连接的第四晶体管M4及第五晶体管M5，其中第五晶体管M5的布局分割为并联的第一至第四闸极区块1331～1334(在此所述的并联是指第一至第四闸极区块1331～1334上的汲极线彼此电性连接，且第一至第四闸极区块1331～1334上的源极线彼此电性连接)，第四晶体管M4的布局分割为并联的第五至第七闸极区块1335～1337(在此所述的并联是指第五至第七闸极区块1335～1337上的汲极线彼此电性连接，且第五至第七闸极区块1335～1337上的源极线彼此电性连接)，第六晶体管M6的布局分割为并联的闸极区块1321～1324(在此所述的并联是指闸极区块1321～1324上的汲极线彼此电性连接，且闸极区块1321～1324上的源极线彼此电性连接)。如图6A及6B所示，因为第五晶体管M5及第六晶体管M6的源极电性连接，因此可将晶体管单元133的闸极区块1331～1334布局于晶体管单元132的闸极区块1321～1324下方，使得闸极区块1331～1334上的源极(图未示)可与晶体管单元132的闸极区块1321～1324上的源极(图未示)沿X轴方向对齐，因此可藉由复数条沿Y轴延伸的金属导线形成闸极区块1321～1324上的源极线以及闸极区块1331～1334上的源极线，其中该些复数条沿Y轴延伸的金属导线中，每一条金属导线同时电性连接闸极区块1321～1324上的源极以及闸极区块1331～1334上的源极。

如图6B所示，藉由上述的布局配置，沿着Y轴方向依序配置晶体管单元130、131、132及133,而因为晶体管单元130及133沿X轴分别包含7个闸极区块，晶体管单元131及132沿X轴分别包含4个闸极区块，且晶体管单元131及132的4个闸极区块1311～1314及1321～1324分别与晶体管单元130及133的最右侧4个闸极区块1301～1304及1331～1334沿X轴方向对 齐，因此晶体管单元130、131、132及133的闸极区块形成一コ形结构，且コ形结构的开口朝向左侧(也就是凹陷开口朝向显示面板200的第一基板边缘)，因此藉由将闸极驱动电路100中晶体管单元的闸极区块布局为コ形结构，可形成无闸极区块的区域600，也就是コ形结构的凹陷区为无闸极区块的区域。如图6B所示，无闸极区块的区域600虽然有少数连接线分布其中，但与较大面积的闸极区块相较，本实施例的布局方式可提高闸极驱动电路100中的透光率。此外，亦可将前述实施例的空隙形成于无闸极区块的区域600的连接线中，以进一步提高透光率。因为密封剂的涂布范围通常涵盖信号线120及至少部分闸极驱动电路100，因此藉由本实施例的布局方式将无闸极区块的区域600形成于密封剂的涂布范围中，则可提高闸极驱动电路中的透光率以固化密封剂。此外，因为图6B仅绘示对应一列像素的部分闸极驱动电路100，而对应每一列像素的闸极驱动电路100包含一无闸极区块的区域600，因此当布局驱动M列像素的闸极驱动电路100时，闸极驱动电路100具有M个无闸极区块的区域600，且相邻的无闸极区块的区域间具有相同的间距。藉由本实施例的布局配置，当密封剂固化光源自基板外侧照射时，光线可穿过无闸极区块的区域，并且均匀地照射至密封剂(因为无闸极区块的区域是等距均匀配置于基板上)，使显示面板内的密封剂能完全固化。

本实施例的图6B虽揭示晶体管单元130、131、132及133的闸极区块形成コ形结构，惟亦可变化为将晶体管单元130、131、132及133的闸极区块形成ㄈ形结构，且ㄈ形结构的开口朝向右侧(也就是凹陷开口朝向显示面板200的第一基板201中心)。举例来说，可将闸极区块1301～1304及1331～1334分别置换至闸极区块1305～1307及1335～1337的左侧，而闸极区块1311～1314及1321～1324分别沿X轴方向对齐闸极区块1301～1304及1331～1334，以将晶体管单元130、131、132及133的闸极区块形成ㄈ形结构，并且同コ形结构一样，在ㄈ形结构的凹陷区域形成一无闸极区块的区域。

需说明的是，虽然本实施例中晶体管单元131及132的闸极区块1311～1314及1321～1324分别与晶体管单元130及133的闸极区块1301～1304 及1331～1334沿X轴方向对齐，且闸极区块1301～1304及1331～1334上的源极分别与闸极区块1311～1314及1321～1324上的源极沿X轴方向对齐，但不以此为限。只要可将闸极驱动电路100中晶体管单元的闸极区块布局为コ形结构或ㄈ形结构，且该コ形结构或ㄈ形结构的凹陷区域形成无闸极区块的区域，且无闸极区块的区域形成于密封剂的涂布范围中，就可提高闸极驱动电路中的透光率以固化密封剂。

此外，图6B的实施例是将排列成コ形结构的闸极区块形成于信号线120相邻侧，但不以此为限，该技术领域一般技术人员可依据闸极驱动电路100的电路及布局需求，在排列成コ形或ㄈ形结构的闸极区块与信号线120间布局其它晶体管或晶体管单元，只要排列成コ形或ㄈ形结构的闸极区块形成的无闸极区块的区域位于密封剂的涂布范围中，均可提高闸极驱动电路中的透光率以固化密封剂。举例来说，请参阅图6C，在排列成コ形结构的闸极区块与信号线120间具有晶体管134、135、136及137，藉由此布局配置，无闸极区块的区域600形成于排列成コ形结构的闸极区块(晶体管单元130、131、132及133)与晶体管134、135、136及137间，并且被排列成コ形结构的闸极区块与晶体管134、135、136及137围绕。

需特别说明的是，图6B及6C虽绘示晶体管单元130～133中的相邻闸极区块间具有间隙，而信号线120具有空隙，但该技术领域一般技术人员可依据电路布局需求而变化为将晶体管单元的闸极区块布局排列成コ形或ㄈ形结构，但信号线或相邻闸极区块间可分别不具空隙或间隙。

本发明已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发明的范例。必需指出的是，已公开的实施例并未限制本发明的范围。相反地，包含于权利要求的精神及范围的修改及均等设置均包含于本发明的权利要求范围内。