显示装置、显示模块、制造显示装置的方法、以及制造显示模块的方法与流程

本公开涉及一种显示装置、显示模块、制造显示装置的方法、以及制造显示模块的方法。

背景技术：

已经获知使用有机材料的电致发光的有机el元件作为能够在低驱动电压下发射高亮度的光的发光元件。在使用有机el元件作为发光元件制造显示装置(有机el显示器)的方法中，将像素中包括的有机el元件、其中形成用于驱动像素的驱动电路等的第一基板(例如，半导体基板)、以及第二基板(例如，玻璃基板)粘结在一起。然后，将粘结的第一基板和第二基板切块并且制造以芯片形状分割的有机el显示器。

此时，为了密封形成有有机el元件的区域(即，形成像素的像素区域)，通常将密封材料设置在第一基板与第二基板之间的空间及芯片的外圆周与像素区域之间的空间中。密封材料还用作致使第一基板与第二基板粘附于彼此的粘合剂。

此外，在有机el显示器中，还在第一基板上方形成诸如用于将电势供应至驱动电路的电势供应线等布线。布线形成在除有机el显示器的芯片表面上的像素区域之外的区域的所谓框架部分中。此处，因为与框架部分对应的区域是不固有地贡献于图像显示的区域，所以芯片表面上的框架部分的面积优选为较小。这是因为当能够减小框架部分的面积时，芯片面积能够减小并且能够增加可从一个晶片获取的芯片的数量，并且因此能够降低制造成本。

因此，在有机el显示器中，已经开发了用于实现框架部分的面积减小的多种技术。例如，在专利文献1公开的技术中，通过设计电势供应线在有机el显示器中的布局能够实现框架部分的面积的减小。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：jp2009-186982a

技术实现要素：

技术问题

此处，在有机el显示器中，还需要提供其中与外部交换信号的垫片部分等(以下也被称之为信号电极)设置在第一基板上方的输入和输出单元(i/o单元)。例如，在包括上述专利文献1中公开的技术的现有技术的通用配置中，i/o单元设置在密封材料之外。然后，通过引线接合或经由各向异性导电膜(acf)连接柔性印刷电路(fpc)与i/o单元的信号电极，能够经由fpc将有机el显示器的芯片电连接至外部电力电路等。

在具有上述配置的通常有机el显示器中，为了减小芯片面积，需要减小i/o单元的面积。然而，在包括上述专利文献1公开的技术的现有技术的技术中，尚未充分证实i/o单元的面积减小。即，在相关领域的技术中，存在据说不能充分证实芯片表面中从芯片的外边缘至密封材料的外边缘的区域的面积的减小并且据说不能有效实现芯片面积的减小的情形。

相应地，本公开提出一种新型和改进的显示装置、新型和改进的显示模块、新型和改进的制造显示装置的方法、以及新型和改进的制造能够进一步减小芯片面积的显示模块的方法。

问题的解决方案

根据本公开，提供一种显示模块，包括：显示装置，被配置为使得其中布置有用于显示图像的多个像素的像素区域形成在基板的上表面上并且用于与外部交换与像素有关的信号的装置侧信号电极设置在基板的侧表面上；以及模块壳体，被配置为容纳显示装置并且具有在面向装置侧信号电极的部位处电连接至装置侧信号电极的壳体侧信号电极。

此外，根据本公开，提供一种制造显示模块的方法，该方法包括：制造显示装置的步骤，显示装置被配置为使得其中布置有用于显示图像的多个像素的像素区域形成在基板的上表面上并且用于与外部交换与像素有关的信号的装置侧信号电极设置在基板的侧表面上；以及将显示装置容纳在模块壳体中的步骤，模块壳体具有电连接至装置侧信号电极的壳体侧信号电极。

此外，根据本公开，提供一种显示装置，包括：第一基板，被配置为使得其中布置有用于显示图像的多个像素的像素区域形成在上表面上；第二基板，经由用于粘结第一基板的粘结材料设置在第一基板的上层中并且被配置为对从像素出射的光透明；以及信号电极，定位在第二基板的上表面上并且被配置为与外部交换与像素有关的信号。

此外，根据本公开，提供一种显示模块，包括：显示装置，包括第一基板、第二基板、以及装置侧信号电极，第一基板被配置为使得其中布置有用于显示图像的多个像素的像素区域形成在上表面上，第二基板经由用于粘结第一基板的粘结材料设置在第一基板的上层中并且被配置为对从像素出射的光透明，并且装置侧信号电极定位在第二基板的上表面上并且被配置为与外部交换与像素有关的信号；以及模块壳体，被配置为容纳显示装置。经由凸点电连接至装置侧信号电极的壳体侧信号电极位于模块壳体的与装置侧信号电极对应的部位。

此外，根据本公开，提供一种制造显示装置的方法，方法包括：形成像素区域的步骤，在像素区域中在第一基板的上表面上布置有用于显示图像的多个像素；以及经由粘结材料将第二基板粘结至第一基板的上表面的步骤，第二基板对从像素出射的光透明。在第二基板的上表面上形成用于与外部交换与像素有关的信号的信号电极。

根据本公开，在显示装置中，在基板的侧表面上设置有与外部交换与像素有关的信号的装置侧信号电极。相应地，因为不需要在基板的上表面上确保设置有装置侧信号电极的区域，所以可以减小芯片面积。

此外，根据本公开，在显示装置中，在粘结至形成有像素区域的第一基板的第二基板的上表面上设置了与外部交换与像素有关的信号的装置侧信号电极。相应地，因为不需要在第一基板的上表面上确保设置有装置侧信号电极的区域，所以可以减小芯片面积。

发明的有利效果

如上所述，根据本公开，变得可以进一步减小芯片面积。应注意，上述效果并不一定是限制性的。利用或替代上述效果，可以实现在本说明书中描述的任意一种效果或可以从本说明书中掌握的其他效果。

附图说明

图1是示出现有技术的一般显示装置的示意性配置的俯视图。

图2是示出现有技术的一般显示装置的i/o单元的外周的示意性配置的截面图。

图3a是示出根据第一实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图3b是示出根据第一实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图3c是示出根据第一实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图3d是示出根据第一实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图3e是示出根据第一实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图3f是示出根据第一实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图3g是示出根据第一实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图3h是示出根据第一实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图3i是示出根据第一实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图3j是示出根据第一实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图4是示出横向(x轴方向)观看图3j中示出的被分割的显示装置的锥形区域时的一方面的示图。

图5是示出根据第一实施方式的显示模块的示意性配置的示图。

图6是示出根据第一实施方式的变形例的显示模块的示意性配置的示图。

图7是示出根据第一实施方式的另一变形例的显示模块的示意性配置的示图。

图8是示出根据第二实施方式的显示装置的示意性配置的示图。

图9a是示出根据第三实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图9b是示出根据第三实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图9c是示出根据第三实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图9d是示出根据第三实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图9e是示出根据第三实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图9f是示出根据第三实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图9g是示出根据第三实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图9h是示出根据第三实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图9i是示出根据第三实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图9j是示出根据第三实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图9k是示出根据第三实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图9l是示出根据第三实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图10是示出横向(x轴方向)观看图9l中示出的被分割的显示装置的锥形区域时的一方面的示图。

图11是示出根据第三实施方式的显示模块的示意性配置的示图。

图12是示出根据第三实施方式的变形例的显示模块的示意性配置的示图。

图13是示出根据第三实施方式的另一变形例的显示模块的示意性配置的示图。

图14a是示出根据第四实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图14b是示出根据第四实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图14c是示出根据第四实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图14d是示出根据第四实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图14e是示出根据第四实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图15是示出横向(x轴方向)观看图图14e中示出的被分割的显示装置的锥形区域时的一方面的示图。

图16a是示出根据第五实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图16b是示出根据第五实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图16c是示出根据第五实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图16d是示出根据第五实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图16e是示出根据第五实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图16f是示出根据第五实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图17是示出根据第六实施方式的显示装置的示意性配置的示图。

图18是示出根据第七实施方式的显示装置的示意性配置的示图。

图19是示出根据第八实施方式的显示装置的示意性配置的示图。

图20a是示出根据第九实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图20b是示出根据第九实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图20c是示出根据第九实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图20d是示出根据第九实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图20e是示出根据第九实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图20f是示出根据第九实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图20g是示出根据第九实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图20h是示出根据第九实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图20i是示出根据第九实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图20j是示出根据第九实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图20k是示出根据第九实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图20l是示出根据第九实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图20m是示出根据第九实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图21是示出根据第九实施方式的显示模块的示意性配置的示图。

图22a是示出结合使用激光处理和干蚀刻打开引出电极的方法的说明图。

图22b是示出结合使用激光处理和干蚀刻打开引出电极的方法的说明图。

图22c是示出结合使用激光处理和干蚀刻打开引出电极的方法的说明图。

图22d是示出结合使用激光处理和干蚀刻打开引出电极的方法的说明图。

图23a是示出在使用小直径的第二基板的情况下打开引出电极的处理方法的说明图。

图23b是示出在使用小直径的第二基板的情况下打开引出电极的处理方法的说明图。

图23c是示出在使用小直径的第二基板的情况下打开引出电极的处理方法的说明图。

图24a是示出根据第十实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图24b是示出根据第十实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图24c是示出根据第十实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图24d是示出根据第十实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图24e是示出根据第十实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图24f是示出根据第十实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图24g是示出根据第十实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图24h是示出根据第十实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图25是示出设置在第二基板中并且被配置为使得导电材料嵌入在通孔中的过孔的示意性配置的示图。

图26是示出设置在第二基板中并且被配置为使得导电材料嵌入在通孔中的过孔的示意性配置的示图。

图27a是示出根据第十一实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图27b是示出根据第十一实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

图27c是示出根据第十一实施方式的制造显示装置的方法的说明图。

具体实施方式

在下文中，将参考所附附图详细描述本公开的优选实施方式。应注意，在本说明书和所附附图中，以相同参考标号表示具有大致相同功能和结构的结构元件，并且省去这些结构元件的重复说明。

应注意，将按照下列顺序展开描述。

1.本公开的背景

2.第一至第四实施方式

2-1.第一实施方式

2-1-1.显示装置的配置

2-1-2.显示模块的配置

2-1-3.变形例

2-2.第二实施方式

2-3.第三实施方式

2-3-1.显示装置的配置

2-3-2.显示模块的配置

2-3-3.变形例

2-4.第四实施方式

3.第五至第十一实施方式

3-1.第五实施方式

3-2.第六实施方式

3-3.第七实施方式

3-4.第八实施方式

3-5.第九实施方式

3-5-1.显示装置的配置

3-5-2.显示模块的配置

3-5-3.变形例

3-5-3-1.激光处理与干蚀刻的结合使用

3-5-3-2.使用小直径的第二基板的变形例

3-6.第十实施方式

3-7.第十一实施方式

4.补充

应注意，例如，在下面描述的每个实施方式中，将描述显示装置是有机el显示器的情况。然而，根据本公开的技术并不局限于该实例。根据本公开的技术还能够应用于另一类型的显示装置，只要该显示装置是通过将两个基板粘结在一起而配置的显示装置。

此外，在本说明书中，将从晶片切割的所谓裸芯片的装置成为显示装置并且其中用作显示装置的芯片在壳体中被安装(即，封装)并被模块化的模块称之为显示模块，以彼此区分显示装置与显示模块。

此外，例如，在下面描述的每个实施方式中，将描述能够执行全色显示的顶面发光类型的显示装置。然而，根据本公开的技术并不局限于该实例。根据本公开的技术能够应用于底面发光类型的显示装置或单色显示类型的显示装置(即，不设置任何滤色器(cf)的显示装置)。

此外，在下面描述的每个附图中，在用于描述的一些情况下，能够放大地表示某些组成元件的尺寸。在每个附图中，附图中示出的组成元件的相对尺寸不一定必须准确地表示实际组成元件之间的尺寸关系。

(1.本公开的背景)

为进一步阐明本公开，在描述本公开的优选实施方式之前，将描述发明人构思本公开的背景。

将参考图1和图2描述现有技术的一般显示装置的配置，具体地，i/o单元的配置。图1是示出现有技术的一般显示装置50的示意性配置的俯视图。图2是示出现有技术的一般显示装置50的i/o单元的外周的示意性配置的截面图。

参考图1和图2，通过将由诸如si等半导体形成的第一基板501粘结至由对可见光透明的诸如玻璃的材料形成的第二基板503而形成现有技术的一般显示装置50。

在第一基板501上，形成设置有像素阵列的像素区域533。每个像素包括有机el元件515(即，发光元件)和驱动发光元件等的晶体管(未示出)。

如图2中示出的，经由绝缘膜505在第一基板501上形成有机el元件515，以使得按此顺序堆叠用作阳极的第一电极507、有机层511、以及用作阴极的第二电极513。更具体地，在第一电极507上堆叠具有开口的绝缘膜509，以使得第一电极507的至少一部分暴露，并且有机层511被设置成与暴露在开口的底部中的第一电极507接触。以这种方式，有机el元件515具有第一电极507、有机层511、以及第二电极513按此顺序堆叠在绝缘膜509的开口中的配置。绝缘膜509用作设置在像素之间并且界定像素面积的像素限定膜。进一步地，将保护膜517堆叠在有机el元件515上。

在第二基板503上形成滤色器层519(cf层519)。尽管图2中未详细示出，然而，cf层519形成为使得在每个有机el元件515中设置具有预定面积的每种颜色(r、g、以及b)的cf。

通过将形成有有机el元件515的第一基板501经由密封材料521粘结在形成有cf层519的第二基板503上而形成显示装置50。以这种方式，显示装置50是所谓的反cf类型的显示装置。具体地，密封材料521形成在第一基板501与第二基板503之间以包围芯片表面中的像素区域533。密封材料521用作将第一基板501粘结在第二基板503上的粘合剂并且具有密封像素区域533的功能。此外，包括由密封材料521密封的像素区域533的空间填充有密封树脂523，以保护有机el元件515的有机材料而防水等。

进一步地，在第一基板501上设置包括与外部交换信号的信号电极527等的i/o单元525。fpc529连接至i/o单元525的信号电极527，并且显示装置50与外部电路经由fpc529电连接。如示出的，调整第二基板503的尺寸，以使得第二基板503具有比第一基板501更小的面积，并且通常在密封材料521之外的区域中设置i/o单元525，并且考虑到与fpc529的连接，第二基板503不位于密封材料521的正上方。

上面已经描述了现有技术的一般显示装置50的示意性配置。此处，为了增加每个晶片所获取的芯片的数量并且降低制造成本，通常要求显示装置的芯片面积较小。响应该要求，迄今已经提出了用于减小现有技术的显示装置50的芯片面积的多种技术。例如，在上面专利文献1中公开的技术中，通过设想电势供应线设置在密封元件521正下方的布局而实现芯片面积的减小。

此处，如图1和图2中示出的，i/o单元525对芯片面积的贡献显著。相应地，还考虑了设想i/o单元525的配置以使能减小芯片面积。然而，因为集中于显示装置中的i/o单元525的配置，所以迄今尚未充分证实实现了芯片面积的减小。

鉴于上述情形，发明人及其他人全面证实了通过设想i/o单元525的配置而减少芯片面积的技术并且推断出了本公开。在下文中，将描述通过发明人等推断出的本公开的优选实施方式。

(2.第一至第四实施方式)

将描述本公开的第一至第四实施方式。如上所述，在现有技术的显示装置50中，将i/o单元525设置在密封材料521之外，即，在许多情况下，设置在芯片表面的芯片的外圆周附近。例如，采用该配置的一个原因在于，必须保护有机el元件515免受在连接i/o单元525与fpc529时由于acf连接而施加的热。具体地，为了适当地维持有机el元件515的特性，通常认为不宜于对有机el元件515施加比例如约110℃更高的温度。然而，在acf连接中，例如，可以对连接部分施加约160℃的温度。相应地，为了减少afc连接时所施加的热的影响，将i/o单元525设置在芯片的相对远离有机el元件515的外圆周附近，即，在许多情况下，设置在芯片表面的像素区域533中。以这种方式，在显示装置50中，因为由于i/o单元525中的fpc529的连接方法而必须单独设置距像素区域533预定距离的i/o单元525，所以存在芯片面积增加的情形。

此外，在某些情况下，即使将i/o单元525设置在芯片的外圆周附近，也难以充分抑制有机el元件515上acf连接时所施加的热的影响。在这些情况下，在afc连接步骤中，像素区域533被局部冷却。该冷却导致芯片成本与工艺成本增加。

如上所述，在现有技术的显示装置50中，由于i/o单元525中的fpc529的连接方法，导致芯片面积增加与芯片成本和工艺成本增加。鉴于这些情形，发明人等全面证实并且设想了i/o单元525的配置并且获得能够克服该缺点的知识。本公开的第一至第四实施方式以该知识为基础。

(2-1.第一实施方式)

(2-1-1.显示装置的配置)

参考图3a至图3j，将描述根据第一实施方式的制造显示装置1的方法并且将描述显示装置1的配置。图3a至图3j是示出根据第一实施方式的制造显示装置1的方法的说明图。图3a至图3j示意性地示出了按照制造显示装置1的方法中的步骤的顺序、在显示装置1的堆叠方向(垂直方向)上平行的截面并且示出了制造方法的工艺流程。在图3a至图3j中，提取并且示出与晶片中的一个显示装置1对应的部分。图3j示出了一个被切块且分割的显示装置的截面。

此处，在第一实施方式中，将显示装置1配置成其平面形状为矩形形状的芯片。图3a至图3j示出了与矩形形状的特定边平行的截面的截面图。在示出处于晶片状态的截面图的图3a至图3j中，实际上，还在纸张的深度方向上连续形成与参考3a至图3i描述的结构相似的结构。

此外，在下列描述中，还将显示装置1中的层的堆叠方向称之为z轴方向。此外，与z轴方向正交的两个方向是x轴方向和y轴方向。进一步地，x轴方向和y轴方向分别是与显示装置1的芯片的一条边平行的方向平行的方向和与该一条边正交的另一条边平行的方向。例如，图3a至图3j示出了显示装置1的x-z平面上的截面图。

在制造显示装置1的方法中，首先在第一基板101上形成处理与下面描述的有机el元件115有关的每个信号的电路(例如，驱动电路等)及晶体管(所谓的薄膜晶体管(tft)等)(见图3a)。在图3a中，形成在绝缘膜105中的布线层104被模拟地示出为表示电路与晶体管。可以使用具有各种已知配置的电路和晶体管作为该电路与晶体管。因此，将省去配置或形成方法的具体描述。

第一基板101例如是si基板。然而，第一实施方式并不局限于实例并且能够应用在通常有机el显示器中由用作其中形成发光元件的基板的任意各种已知材料所形成的基板作为第一基板101。此外，绝缘膜105的材料不受限制。例如，绝缘膜105可以由在一般半导体工艺中所使用的任意各种绝缘材料形成，诸如，sio2、sion、sio、或sin等。例如，作为形成绝缘膜105的方法，还可以使用在一般半导体工艺中形成绝缘膜时所使用的任意各种方法，诸如化学气相沉积(cvd)方法等。

随后，通过干蚀刻来蚀刻与第一基板101和绝缘膜105中的芯片的刻线或外圆周对应的区域(即，相互邻近的显示装置1之间的区域)(见图3b)。在干蚀刻中，如图3b中示出的，在蚀刻区域中，完全移除绝缘膜105并且蚀刻第一基板101，以使得第一基板101的前表面具有锥形形状，即，第一基板101的厚度朝向芯片的外圆周逐渐变薄。应注意，干蚀刻的具体方法不受限制。只要第一基板101与绝缘膜105的上述处理是可行的，则可以应用任意方法。例如，能够使用反应离子蚀刻(rie)、深度rie(drie)、电感耦合等离子体rie(icp-rie)作为干蚀刻。

在下列描述中，将具有通过蚀刻获得的第一基板101的前表面的锥形形状的区域称之为锥形区域并且将其他区域称之为平坦区域。

随后，通过在平坦区域和锥形区域上形成绝缘材料而形成绝缘膜105a作为膜(见图3c)。此时，绝缘膜105a能够形成为至少覆盖锥形区域。绝缘膜105a能够由与根据相同方法的上述绝缘膜相同的材料形成。应注意，在制造显示装置1的随后方法的描述中，在不需要特别彼此区分绝缘膜105与绝缘膜105a的情况下，为了避免复杂的描述，将绝缘膜105与绝缘膜105a称之为绝缘膜105。此外，与此对应，在后续的图3d至图3j中，仅将总体上表示绝缘膜的参考标号“105”附标于绝缘膜105和绝缘膜105a。

随后，通过在平坦区域和锥形区域上形成导电材料作为膜并且随后将导电材料图案化成预定的形状而形成布线层107(见图3d；图3d中未示出图案化)。在布线层107中，形成用作有机el元件115中的阳极的第一电极107a、用于驱动有机el元件115的驱动布线、与外部交换与有机el元件115有关的预定信号的信号电极107b、用于将和有机el元件115有关的预定信号传输至信号电极107b的引出布线。

在电极与布线中，第一电极107a、驱动布线、以及引出布线形成在与平坦区域对应的相应位置处。例如，因为第一电极107a包括在有机el元件115中，所以每个第一电极107a形成在与像素区域中的像素对应的位置处。因为第一电极107a、驱动布线、以及引出布线的布局可以是通用的布局，所以将省去其细节描述。

另一方面，在锥形区域中形成信号电极107b。与外部交换信号所需的多个信号电极107b能够根据显示装置1的电路配置等形成。此处，在第一实施方式中，仅在具有矩形形状的显示装置1的芯片中的面向彼此的两对边之间的一对边上形成信号电极107b。在示出的配置例中，仅在与x轴方向正交的两条边(页面的水平方向上的两条边)上形成信号电极107b。

应注意，尽管未详细示出，然而，在形成布线层107之前执行在绝缘膜105中设置接触孔的步骤。由于接触孔，在布线层107中形成的第一电极107a、驱动布线、信号电极107b、引出布线等电连接至下层的布线层104的对应布线。因为根据任意各种已知方法可以形成接触孔，所以将省去其细节描述。

布线层107的材料不受限制。例如，布线层107可以由一般半导体工艺中使用的任意各种布线材料形成，诸如al、tin、tion、alcu、或alsicu等。作为形成布线层107的方法，还可以使用一般半导体工艺中形成布线层时所使用的任意各种方法。例如，能够使用溅射方法等作为形成布线层107作为膜的方法。此外，例如，能够使用已知的照相平板印刷术与蚀刻技术执行布线层107的图案化。

随后，通过在平坦区域和锥形区域上形成绝缘材料作为膜并且随后移除锥形区域中的绝缘膜而在平坦区域中形成绝缘膜105b(见图3e)。绝缘膜105b由与上述绝缘膜105相同的材料形成。此外，例如，通过根据例如在通用的半导体工艺中形成绝缘膜时使用的任意各种方法(诸如，cvd方法)形成绝缘膜并且随后使用已知的照相平板印刷术和蚀刻技术图案化绝缘膜而能够形成绝缘膜105b。应注意，在随后制造方法的描述中，为了避免复杂的描述，在不需要具体彼此区分绝缘膜105、绝缘膜105a、以及绝缘膜105b的情况下，将绝缘膜105、绝缘膜105a、以及绝缘膜105b称之为绝缘膜105。此外，与此对应，在随后的图3f至图3j中，仅将总体上表示绝缘膜的参考标号“105”附标于绝缘膜105、绝缘膜105a、以及绝缘膜105b。

随后，通过在与位于绝缘膜105的第一电极107a正上方的一部分对应的位置处形成开口、随后在平坦区域和锥形区域上形成有机材料作为膜、并且移除锥形区域中的有机材料而在平坦区域中形成有机层111(见图3f)。尽管未详细示出，然而，此时，将有机层111适当地图案化成与平坦区域中的每个像素对应。作为有机层111的材料，能够应用通常用作有机el元件的发光层的任意各种已知材料。此外，作为形成有机层111的方法，例如，能够应用形成有机el元件时通常使用的任意各种已知方法，诸如，真空蒸发方法等。

随后，通过在平坦区域和锥形区域上形成导电材料作为膜并且随后移除锥形区域中的导电材料而形成布线层113。此时，还在平坦区域中适当地图案化布线层113。进一步地，在平坦区域和锥形区域上形成保护膜117(见图3g)。

布线层113与用作有机el元件115中的阴极的第二电极113对应。因为显示装置1是顶面发光类型的显示装置，所以第二电极113能够由高透光率的材料形成，来自有机el元件115的光能够合适地穿过该材料。例如，第二电极113由通常用作有机el元件的透明电极的诸如ito或izo的任意各种已知的材料形成。此外，作为形成第二电极113的方法，还可以应用形成有机el元件的透明电极时通常使用的任意各种方法。例如，如同布线层107，通过根据溅射方法等形成预定厚度的材料作为膜并且随后通过已知的照相平板印刷术和蚀刻技术图案化膜而能够形成第二电极113。

在绝缘膜105的开口中，通过按照此顺序堆叠第一电极107a、有机层111、以及第二电极113而形成有机el元件115。第一电极107a上的绝缘膜105用作设置在像素之间并且界定像素的面积的像素限定膜。

保护膜117被设置成覆盖平坦区域中的第二电极113。另一方面，在锥形区域中，保护膜117图案化成暴露信号电极107b。应注意，锥形区域中的保护膜117不可以被图案化并且可以移除。

保护膜117的材料不受限制。保护膜117可以由通常的有机el显示器中用作保护膜的诸如sin、al2o3/tio、或sion的任意各种材料形成。作为形成保护膜117的方法，还可以应用形成通常有机el显示器中的保护膜时所使用的任意各种方法。例如，能够使用cvd方法等作为形成保护膜117的方法。此外，例如，使用已知的照相平板印刷术或蚀刻技术能够图案化保护膜117。

随后，在平坦区域中形成cf层119(见图3h)。尽管未详细示出，然而，cf层119形成为使得在每个像素中设置的每个有机el元件115内设置有具有预定面积的各种颜色(r、g、以及b)的cf。通过组合一个有机el元件115与一个cf而形成一个像素。以这种方式，显示装置1是所谓的片上滤色器(occf)类型的显示装置，其中，在形成有机el元件115的第一基板101上形成有cf层119。然而，第一实施方式并不局限于该实例并且显示装置1可以是反cf类型的显示装置。

例如，通过照相平板印刷术以预定的形状曝光并且显影抗蚀剂材料能够形成cf层119。此外，可以使用任意各种已知的材料和方法作为cf层119的材料和形成cf层119的方法。

随后，经由粘结材料树脂材料127将第二基板103粘结至第一基板101(见图3i)。粘结材料树脂材料127是具有粘合剂功能的树脂基材料。粘结材料树脂材料127的材料不受限制并且可以使用任意各种已知的材料。应注意，在本说明书中，当将第一基板101与第二基板103粘结在一起时，将诸如下面描述的图16中示出的粘结材料树脂材料127和密封材料121的元件通常命名为行使粘合剂的功能的粘结材料。

此处，显示装置1是顶面发光类型的显示装置。相应地，作为粘结材料树脂材料127和第二基板103，使用来自有机el元件115的光能够合适地穿过的高透光率材料。例如，第二基板103是石英玻璃基板。然而，第一实施方式并不局限于该实例。作为第二基板103，能够应用在通常有机el显示器中用作光出射侧基板的任意各种已知材料的基板。

最后，通过执行切块制造分割的显示装置1(见图3j)。应注意，在切块时，在第二基板103中切割与平坦区域和锥形区域之间的边界对应的位置并且在第一基板101中切割与相互邻近的芯片之间的边界对应的锥形区域的外边缘。由此，如示出的，在显示装置1中，第二基板103并不位于在锥形区域中形成的信号电极107b的正上方。即，信号电极107b暴露在正向上方向和面内方向上。

图4是示出横向(x轴方向)观看图3j中示出的分割的显示装置1的锥形区域时的一方面的示图。如图4中示出的，显示装置1的锥形区域中布置有多个信号电极107b。在示出的实例中，矩形信号电极107b以相同的节距并排布置在与y轴方向平行的方向上。例如，节距为约200μm至300μm。然而，第一实施方式并不局限于该实例。根据显示装置1的电路配置等可以适当地确定信号电极107b的形状、设置的信号电极107b的数量、设置的信号电极107b的位置等，使得能够与外部交换所需信号。

上面已经描述了根据第一实施方式的制造显示装置1的方法。通过根据上述制造方法制造显示装置，显示装置1具有将信号电极107b设置在芯片的侧表面的局部区域中的配置。在下文中，还将设置有信号电极107b的区域称之为电极布置区域。在显示装置1中，电极布置区域与锥形区域对应。

此处，在诸如上述显示装置50等现有技术的显示装置中，将信号电极527设置在芯片的上表面上。然而，如上所述，在显示装置1中，不将电极布置区域设置在芯片的上表面上、而是设置在侧表面上。相应地，在显示装置1中，芯片面积能够比在现有技术的显示装置中进一步地减小。相应地，可以增加每个晶片所获取的芯片的数量并且由此可以实现制造成本的降低。

此外，如以下将在显示模块的配置的描述中所描述的，在第一实施方式中，通过如上所述设置电极布置区域而在不执行施加热的工艺的情况下，能够连接显示装置1的信号电极107b与fpc。相应地，因为不需要考虑到热传递而将电极布置区域显示为远离像素区域，所以可以进一步减小芯片面积。

应注意，如图3k中示出的，在显示装置1中，电极布置区域具有其中与基板的面内方向平行的截面的面积从上表面至下表面逐渐增加的锥形形状，但是，根据本公开的技术并不局限于该实例。在根据本公开的技术中，可以将电极布置区域设置在芯片的侧表面的一部分中或可以使用任意位置或任意形状的电极布置区域。例如，显示装置的电极布置区域可以具有其中与基板的面内方向平行的截面的面积从上表面至下表面逐渐减小的锥形形状(下面(2-3.第三实施方式)中将描述具有该配置的显示装置的配置)。可替代地，电极布置区域可以形成为使得电极布置区域具有与z轴方向大致平行的表面。

(2-1-2.显示模块的配置)

参考图5，将描述根据第一实施方式的显示模块31的配置。图5是示出根据第一实施方式的显示模块31的示意性配置的示图。

图5是示出显示模块31的分解侧视图(将显示装置1模拟地示出为与图3j相似的截面图，以阐明信号电极107b与模块壳体21之间的位置关系)。如图5中示出的，显示模块31被配置为使得将显示装置1容纳在模块壳体21中。

模块壳体21被配置为使得在壳体主体201中设置电连接至显示装置1的信号电极107b的信号电极203。壳体主体201包括具有矩形形状的顶板和在与顶板垂直的方向上从顶板的四条边延伸的侧壁。此外，信号电极203电连接至模块壳体21的顶板并且向外延伸的fpc205连接至顶板。

如示出的，在面向壳体主体201的顶板的内表面的方向上，从壳体主体201的向下开口插入作为显示装置1的显示表面的上表面，以使得将显示装置1容纳在模块壳体21内。尽管图5中未清晰地示出，然而，与显示装置1的像素区域对应的开口设置在壳体主体201的顶板的中间。当将显示装置1容纳在模块壳体21中时，显示装置1的像素区域从开口暴露。

通过闭锁等将容纳的显示装置1固化在模块壳体21中(未示出)。该固定装置不受具体限制并且可以使用任意配置的闭锁。

在壳体主体201的侧壁中，信号电极203设置在与显示装置1的芯片的四条边之中的设置有信号电极107b的边对应的侧壁的内表面上，以面向信号电极107b。在下文中，还将显示装置1的信号电极107b称之为装置侧信号电极107b并且还将设置在模块壳体21中的信号电极203称之为壳体侧信号电极203，以彼此区分这些电极。如示出的，壳体侧信号电极203具有板簧形状并且被配置为相对于壳体主体201的侧壁弹性地可变形。向外延伸的fpc205的一端连接至壳体主体201的顶板。壳体侧信号电极203与fpc205通过设置在壳体主体201的壁表面上的布线(未示出)而电连接。

在壳体主体201的侧壁上设置有壳体侧信号电极203的部位被配置为具有与显示装置1的电极布置区域的锥形形状大致平行的表面。此外，将壳体侧信号电极203的布置位置和数量调整为与显示装置1的装置侧信号电极107b的布置位置和数量对应。相应地，如上所述，当将显示装置1容纳在模块壳体21中时，装置侧信号电极107b与壳体侧信号电极203彼此接触，以使得装置侧信号电极107b与壳体侧信号电极203电连接。此处，在将显示装置1容纳并且固定至模块壳体21的情况下，适当地调整壳体侧信号电极203和壳体主体201的侧壁的形状，以使得装置侧信号电极107b以预定的压力压靠在壳体侧信号电极203上，该预定的压力至具有板簧形状的壳体侧信号电极203至少能够发生变形的程度。由此，装置侧信号电极107b与壳体侧信号电极203能够可靠地导电。

上面已经描述根据第一实施方式的显示模块31的配置。如上所述，根据第一实施方式，显示模块21被配置为使得将显示装置1容纳在模块壳体21中。壳体侧信号电极203设置在模块壳体21中的面向显示装置1的装置侧信号电极107b的位置处。相应地，通过将显示装置1容纳在模块壳体21中，可以通过显示装置1容纳在模块壳体21中时的压力而将装置侧信号电极107b电连接至壳体侧信号电极203，并且可以经由fpc205将装置侧信号电极107b的信号提取至外部。以这种方式，根据第一实施方式，由于能够在不执行施加热的工艺的情况下将装置侧信号电极107b的信号提取至外部，所以可以实现芯片面积的更加地减小。进一步地，因为壳体侧信号电极203具有板簧形状，所以可以更为可靠地将装置侧信号电极107b电连接至壳体侧信号电极203。应注意，在上述配置例中，在具有矩形形状的显示装置1的芯片的侧表面中，仅在面向彼此的两个表面上形成装置侧信号电极107b。相应地，在壳体主体201的侧壁中，仅在面向彼此的两个侧壁上形成壳体侧信号电极203，但是，第一实施方式并不局限于该实例。当将装置侧信号电极107b设置在显示装置1的侧表面上时，可以将装置侧信号电极107b设置在任意位置处。例如，装置侧信号电极107b可以仅设置在显示装置1的侧表面之中的一个表面上、可以设置在三个表面上、或可以设置在全部四个表面上。此外，根据装置侧信号电极107b的布置位置可以适当地改变模块壳体21中的壳体侧信号电极203的布置位置。

(2-1-3.变形例)

作为第一实施方式的变形例，将描述其中上述模块壳体21的壳体侧信号电极203的形状不同的变形例。应注意，除壳体侧信号电极203的形状不同的事实之外，根据变形例的显示模块与根据上述第一实施方式的显示模块31相似。相应地，在下列变形例的描述中，将主要描述与显示模块31不同的因素。将省去重复因素的细节描述。

图6是示出根据第一实施方式的变形例的显示模块32的示意性配置的示图。图6示出了显示模块32的分解侧视图(将显示装置1模拟地示出为与图3j相似的截面图，以阐明信号电极107b与模块壳体22之间的位置关系)。如图6中示出的，显示模块32被配置为使得将显示装置1容纳在模块壳体22中。

模块壳体22被配置为使得在壳体主体201中设置有壳体侧信号电极207。壳体主体201的配置与图5中示出的显示模块31的壳体主体201相似。

在变形例中，将壳体侧信号电极207配置为具有球形状的电极。如同上述显示模块31，当将显示装置1容纳在模块壳体22中时，装置侧信号电极107b与具有球形状的壳体侧信号电极207彼此接触，使得装置侧信号电极107b与壳体侧信号电极207电连接。此处，在将显示装置1容纳在模块壳体22中的情况下，适当地调整壳体侧信号电极207和壳体主体201的侧壁的形状，以使得装置侧信号电极107b以预定的压力压靠在壳体侧信号电极207上。由此，能够可靠地完成壳体侧信号电极207与装置侧信号电极107b的导电。

以这种方式，在被配置为使得壳体侧信号电极207具有球形状的显示模块32中，也可以获得与上述显示模块31的效果相似的有利效果，即，可以在不施加热的情况下将装置侧信号电极107b连接至fpc205。应注意，壳体侧信号电极207可以设置成被固定至壳体主体201的内壁表面或者可以被配置为在与壳体壳体201的内壁表面垂直的方向上弹性地可移动。通过将壳体侧信号电极207配置为弹性地可移动，当将装置侧信号电极107b压靠在壳体侧信号电极207上时，由于壳体侧信号电极207的弹性恢复力，可以进一步确保装置侧信号电极107b与壳体侧信号电极207之间的电连接。

图7是示出根据第一实施方式的另一变形例的显示模块33的示意性配置的示图。图7示出了显示模块33的分解侧视图(将显示装置1模拟地示出为与图3j相似的截面图，以阐明信号电极107b与模块壳体23之间的位置关系)。如图7中示出的，显示模块33被配置为使得显示装置1容纳在模块壳体23中。

模块壳体23被配置为使得在壳体主体201中设置有壳体侧信号电极209。壳体主体201的配置与图5中示出的显示模块31的壳体主体201相似。

在变形例中，将壳体侧信号电极209配置为具有板形状的电极。如同上述显示模块31，当显示装置1容纳在模块壳体23中时，装置侧信号电极107b与具有板形状的壳体侧信号电极209接触以弹性连接。此处，在显示装置1容纳在模块壳体23中的情况下，装置侧信号电极107b以预定的压力压靠在壳体侧信号电极209上，并且由此，适当地调整壳体侧信号电极209和壳体主体201的侧壁的形状，以使得装置侧信号电极107b与壳体侧信号电极209能够彼此接触而处于所谓的紧固状态。由此，能够可靠地完成壳体侧信号电极209与装置侧信号电极107b的导电。

以这种方式，在被配置为使得壳体侧信号电极209具有板形状的显示模块33中，也可以获得与上述显示模块31的效果相似的有利效果，即，可以在不施加热的情况下将装置侧信号电极107b连接至fpc205。此外，根据变形例，因为壳体侧信号电极209的形状简单，所以能够以较低的成本制造模块壳体23。因此，可以预期进一步降低制造成本的有利效果。

(2-2.第二实施方式)

参考图8，将描述根据第二实施方式的显示装置2的配置。图8是示出根据第二实施方式的显示装置2的示意性配置的示图。如同图3a至图3j，图8示出了显示装置2的x-z平面的截面图。

参考图8，显示装置2与在根据第一实施方式的图3j示出的显示装置1中不设置粘结材料树脂材料127和第二基板103的显示装置相对应。以这种方式，在本公开中，可以供应未设置第二基板103的显示装置2。

应注意，除了未设置粘结材料树脂材料127和第二基板103之外，显示装置2的其他因素与显示装置1的因素相同。因此，此处将省去显示装置2的配置与制造显示装置2的方法的细节描述。例如，制造显示装置2的方法与制造显示装置1的方法相同，但在不粘结第二基板103的情况下执行切块。

此外，在显示装置2中，如同显示装置1，通过将显示装置2容纳在模块壳体21、22、或23中而能够配置显示模块。因为除显示装置2的配置不同之外，显示模块的配置与根据第一实施方式的显示模块31、32、以及33相同，所以将省去重复描述。

上面已经描述了根据第二实施方式的显示装置2的配置。如同第一实施方式，在具有上述配置的显示装置2中，也可以获得减小芯片面积的有利效果。此外，在根据第二实施方式的显示模块中，在不如同根据第一实施方式的显示模块31、32、以及33中施加热的情况下，也可以获得将显示装置2连接至fpc205的有利效果。

(2-3.第三实施方式)

(2-3-1.显示装置的配置)

参考图9a至图9l，将描述根据第三实施方式的制造显示装置3的方法并且将描述显示装置3的配置。图9a至图9l是示出根据第三实施方式的制造显示装置3的方法的说明图。图9a至图9l以与图3a至图3j相似的方式示意性地示出了按照制造显示装置3的方法的步骤的顺序在x-z平面内的显示装置3的截面并且示出了制造方法的工艺流程。在图9a至图9k中，提取并且示出与晶片中的一个显示装置3对应的部分。图9l示出了一个被切块且分割的显示装置3的截面。

此处，根据第三实施方式的显示装置3与根据第一实施方式的改变显示装置1中的电极布置区域的结构的显示装置对应。显示装置3的其他因素与显示装置1的因素相同。因此，在下列第三实施方式的描述中，将主要描述与第一实施方式不同的因素并且将省去重复因素的细节描述。

在制造显示装置3的方法中，首先在第一基板101上形成处理与下面描述的有机el元件115有关的每个信号的电路(例如，驱动电路等)以及晶体管(所谓的tft等)(见图9a)。在图9a中，以与图3a相似的方式模拟地示出了形成在绝缘膜105中的布线层104来表示电路和晶体管。电路和晶体管可以如同第一实施方式一样形成。

随后，通过形成导电材料作为膜并且以预定的形状图案化导电材料而形成布线层107(见图9b：图9b中未示出图案化)。在布线层107中，形成第一电极107a、用于驱动有机el元件115的驱动布线、用于将与有机el元件115有关的预定信号传输至信号电极129a的引出布线等。应注意，尽管未详细示出，然而，在形成布线层107之前执行在绝缘膜105中设置接触孔的步骤。由于接触孔，在布线层107中形成的第一电极107a、驱动布线、引出布线等电连接至下层的布线层104的对应布线。接触孔与第一实施方式中将布线层107连接至下层的布线层104的接触孔相似。

随后，通过形成绝缘材料而形成绝缘膜105c作为膜(见图9c)。绝缘膜105c由与根据相同方法的上述绝缘膜的相同材料形成。应注意，在随后制造方法的描述中，为了避免复杂的描述，在不需要具体彼此区分绝缘膜105与绝缘膜105c的情况下，将绝缘膜105与绝缘膜105c称之为绝缘膜105。此外，与此对应，在后续的图9d至图9l中，仅将总体上表示绝缘膜的参考标号“105”附标于绝缘膜105和绝缘膜105c。

随后，通过在与绝缘膜105的第一电极107a正上方的一部分对应的位置处形成开口并且随后形成有机材料作为膜而形成有机层111(见图9d)。尽管未详细示出，然而，此时，将有机层111适当地图案化与每个像素对应。

随后，通过形成导电材料作为膜并且适当地图案化导电材料而形成布线层113。进一步地，保护膜117形成为覆盖第二电极113(见图9e)。布线层113与用作有机el元件115中的阴极的第二电极113对应。在绝缘膜105的开口中，通过按此顺序堆叠第一电极107a、有机层111、以及第二电极113而形成有机el元件115。第一电极107a上的绝缘膜105用作设置在像素之间并且界定像素的面积的像素限定膜。

随后，在保护膜117上形成cf层119(见图9f)。以这种方式，如同显示装置1，显示装置3还是occf类型的显示装置。

随后，经由粘结材料树脂材料127将第二基板103粘结至第一基板101(见图9g)。此处，如同显示装置1，因为显示装置3还是顶面发光类型的显示装置，所以使用来自有机el元件115的光合适地穿过的高透光率材料用于粘结材料树脂材料127和第二基板103。

随后，通过干蚀刻来蚀刻与第一基板101的后表面上的芯片的刻线或外圆周对应的区域(即，相互邻近的显示装置3之间的区域)(见图9h)。在干蚀刻中，如图9h中示出的，在蚀刻区域中，将第一基板101的后表面蚀刻为使得第一基板的后表面具有其中第一基板101的厚度朝向芯片的外圆周逐渐变薄的锥形形状。此时，执行蚀刻，直至全部移除第一基板101并且绝缘膜105暴露在与芯片的刻线或外圆周对应的区域中。

应注意，干蚀刻的具体方法不受限制。只要第一基板101的上述处理是可以的，则可以应用任意方法。例如，能够使用rie、drie、icp-die等作为干蚀刻。

在下列描述中，将具有通过在第一基板101的后表面上蚀刻而获得的锥形形状的区域称之为锥形区域并且其他区域是平坦区域。

随后，通过在平坦区域和锥形区域上形成绝缘材料而形成绝缘膜105d作为膜(见图9i)。绝缘膜105d由根据相同方法的上述绝缘膜的相同材料形成。应注意，在制造显示装置1的后续方法的描述中，为了避免复杂描述，在后续的图9j至图9l中，在不需要具体区分彼此的情况下，将绝缘膜105、绝缘膜105c、以及绝缘膜105d称之为绝缘膜105。此外，与此对应，仅将总体上表示绝缘膜的参考标号“105”附标于绝缘膜105、绝缘膜105c、以及绝缘膜105d。

随后，通过干蚀刻来蚀刻与芯片的外圆周对应的区域(即，相互邻近的芯片之间并且其中无第一基板101的区域)的绝缘膜105，直至布线层107的后表面暴露(见图9j)。干蚀刻的具体方法不受限制。例如，可以应用诸如上述rie等任意各种已知方法。

随后，通过在平坦区域和锥形区域上形成导电材料作为膜并且随后移除平坦区域中的导电材料而在锥形区域中形成布线层129(见图9k)。尽管未详细示出，然而，此时，在锥形区域中适当地图案化布线层129。在布线层129中，形成在显示装置1与外部之间交换各种信号的信号电极129a。根据显示装置3的电路配置等能够形成与外部交换信号所需的多个信号电极129a。此处，在第三实施方式中，在具有矩形形状的显示装置3的芯片中，仅在面向彼此的两对边之间的一对边上形成信号电极120a。在示出的配置例中，仅在与x轴方向正交的两条边上(位于纸面的水平方向上的两条边)配置信号电极129a。

布线层129能够由与上述布线层107相同的材料和方法形成。此处，因为需要对形成在锥形区域中的布线层129中与水平方向(与x-y平面平行的方向)倾斜的表面执行图案化，所以能够适当地使用与倾斜表面对应的任意各种已知的照相平板印刷术和蚀刻技术。应注意，在制造方法的下列描述中，为了避免复杂描述，在不需要具体彼此区分布线层129的情况下，将布线层107和布线层129称之为布线层107。此外，与此对应，即使在下列图9l中，也仅将总体上表示布线层的参考标号“107”附标于布线层107和布线层129。

随后，在锥形区域中形成保护膜117。例如，通过在平坦区域和锥形区域中形成诸如sin等保护膜的材料作为膜并且随后移除平坦区域中的膜而形成保护膜117。进一步地，此时，适当地图案化保护膜117，以使得信号电极129a暴露在锥形区域中。最后，通过执行切块而制造分割的显示装置3(见图9l)。

图10是示出横向(x轴方向)观看图9l中示出的分割显示装置3的锥形区域时的一方面的示图。如图10中示出的，在显示装置3的锥形区域中布置了多个信号电极129a。在示出的实例中，在与y轴方向平行的方向上以相同的节距并排布置矩形信号电极129a。例如，节距为约200μm至300μm。然而，第三实施方式并不局限于该实例。根据显示装置3的电路配置等可以适当地确定信号电极129a的形状、设置的信号电极129a的数量、设置的信号电极129a的位置等，使得能够与外部交换所需信号。

上面已经描述了根据第三实施方式制造显示装置3的方法。通过根据上述制造方法制造显示装置，将设置有信号电极129a的电极布置区域设置在显示装置3的芯片的侧表面的局部区域中。以这种方式，如同根据第一实施方式的显示装置1，通过不将电极布置区域设置在芯片的上表面上、而是设置在芯片的侧表面上，可以获得减小显示装置3中的芯片面积的有利效果。相应地，可以增加每个晶片所获取的芯片的数量，并且由此可以实现制造成本的降低。

此外，如上所述(当描述显示模块的配置时，下面将描述细节)，如同第一实施方式，在第三实施方式中，在不通过设置电极布置区域而执行施加热的工艺的情况下，也能够连接显示装置3的信号电极129a与fpc。相应地，因为在考虑热传递时不需要显示距像素区域较远的电极布置区域，所以可以进一步减小芯片面积。

(2-3-2.显示模块的配置)

参考图11，将描述根据第三实施方式的显示模块34的配置。图11是示出根据第三实施方式的显示模块34的示意性配置的示图。

图11是示出显示模块34的分解侧视图(显示装置3被模拟地示出为与图4l相似的截面图，以阐明信号电极129a与模块壳体24之间的位置关系)。如图11中示出的，显示模块34被配置为使得将显示装置3容纳在模块壳体24中。

模块壳体24被配置为使得在壳体主体211中设置壳体侧信号电极213。壳体主体211包括具有矩形形状的底板和在与底板垂直的方向上、从底板的四条边延伸的侧壁。此外，将壳体侧信号电极213电连接至模块壳体24的底板并且将向外延伸的fpc205连接至底板。

如示出的，在下表面(即，显示装置3的显示表面的相对表面)面向壳体主体211的底板的内表面的方向上，从壳体主体211的向上开口插入显示装置3，以使得将显示装置3容纳在模块壳体24内。通过闭锁等将容纳的显示装置3固化在模块壳体24中(未示出)。该固定装置不受具体限制并且可以使用任意配置的闭锁。

在显示装置3的芯片的四条边之中，壳体侧信号电极213设置在与设置有装置侧信号电极129a的一侧对应的侧壁的内表面上，壳体侧信号电极213设置在壳体主体211的侧壁上，以面向装置侧信号电极129a。如根据第一实施方式的图5中示出的壳体侧信号电极203，壳体侧信号电极203具有板簧形状并且被配置为相对于壳体主体211的侧壁可弹性地变形。向外延伸的fpc205的一端连接至壳体主体211的底板。壳体侧信号电极213与fpc205通过设置在壳体主体211的壁表面上的布线(未示出)而电连接。

在壳体主体211的侧壁上设置有壳体侧信号电极213的部位被配置为具有与显示装置3的电极布置区域的锥形形状大致平行的表面。此外，将壳体侧信号电极213的布置位置和数量调整为与显示装置3的装置侧信号电极129a的布置位置和数量对应。相应地，如上所述，当将显示装置3容纳在模块壳体24中时，装置侧信号电极129a与壳体侧信号电极213彼此接触，使得装置侧信号电极129a与壳体侧信号电极213电连接。此处，在将显示装置3容纳并且固定至模块壳体24的情况下，适当地调整壳体侧信号电极213和壳体主体211的侧壁的形状，以使得装置侧信号电极129a以预定压力压靠在壳体侧信号电极213上，该预定压力至具有板簧形状的壳体侧信号电极213至少能够发生变形的程度。由此，装置侧信号电极129a与壳体侧信号电极213能够可靠地导电。

上面已经描述了根据第三实施方式的显示模块34的配置。如上所述，根据第三实施方式，显示模块34被配置为使得将显示装置3容纳在模块壳体24中。如根据第一实施方式的显示模块31，将壳体侧信号电极213设置在面向模块壳体24中的显示装置3的装置侧信号电极129a的位置处。相应地，通过将显示装置3容纳在模块壳体24中，可以通过将显示装置3容纳在模块壳体24中的压力将装置侧信号电极129a电连接至壳体侧信号电极213，并且可以经由fpc205将装置侧信号电极129a的信号提取至外部。以这种方式，根据第三实施方式，因为能够在不执行施加热的工艺的情况下将装置侧信号电极129a的信号提取至外部，所以可以实现芯片面积的更加减小。进一步地，因为壳体侧信号电极213具有板簧形状，所以可以将装置侧信号电极129a更为可靠地电连接至壳体侧信号电极213。应注意，如同第一实施方式，在第三实施方式中，可以将装置侧信号电极129a设置在显示装置3的侧表面上或设置在任意位置处。例如，可以仅将装置侧信号电极129a设置在显示装置3的侧表面之中的一个表面上、可以设置在三个表面上、或可以设置在全部四个表面上。此外，根据模块壳体24中的壳体侧信号电极213的布置位置可以适当地改变装置侧信号电极129a的布置位置。

(2-3-3.变形例)

作为第三实施方式的变形例，将描述其中上述模块壳体24的壳体侧信号电极213的形状不同的变形例。应注意，根据变形例的显示模块与根据上述第三实施方式的显示模块34相似，但事实上壳体侧信号电极213的形状不同。相应地，在下列变形例的描述中，将主要描述与显示模块34不同的因素。将省去重复因素的细节描述。

图12是示出根据第三实施方式的变形例的显示模块35的示意性配置的示图。图12示出了显示模块35的分解侧视图(显示装置3被模拟地示出为与图4l相似的截面图，以阐明信号电极129a与模块壳体25之间的位置关系)。如图12中示出的，显示模块35被配置为使得将显示装置3容纳在模块壳体25中。

模块壳体25被配置为使得在壳体主体211中设置壳体侧信号电极215。壳体主体211的配置与图11中示出的显示模块34的壳体主体211相似。

在变形例中，将壳体侧信号电极215配置为具有球形状的电极。如同上述显示模块34，当显示装置3容纳在模块壳体25中时，装置侧信号电极129a与具有球形状的壳体侧信号电极215彼此接触，使得装置侧信号电极129a与壳体侧信号电极215电连接。此处，在显示装置3容纳在模块壳体25中的情况下，适当地调整壳体侧信号电极215和壳体主体211的侧壁的形状，以使得装置侧信号电极129a以预定的压力压靠在壳体侧信号电极215上。由此，能够可靠地完成壳体侧信号电极215与装置侧信号电极129a的导电。

以这种方式，在被配置为使得壳体侧信号电极215具有球形状的显示模块35中，也可以获得与上述显示模块34的效果相似的有利效果，即，可以在不施加热的情况下将装置侧信号电极129a连接至fpc205。应注意，壳体侧信号电极215可以被设置成固定至壳体主体211的内壁表面或可以被配置为在与壳体主体211的内壁表面垂直的方向上弹性地可移动。通过将壳体侧信号电极215配置为弹性地可移动，当将装置侧信号电极129a压靠在壳体侧信号电极215上时，由于壳体侧信号电极215的弹性恢复力，可以进一步确保装置侧信号电极129a与壳体侧信号电极215之间的电连接。

图13是示出根据第三实施方式的另一变形例的显示模块36的示意性配置的示图。图13示出了显示模块36的分解侧视图(显示装置3被模拟地示出为与图4l相似的截面图，以阐明信号电极129a与模块壳体26之间的位置关系)。如图13中示出的，显示模块36被配置为使得将显示装置3容纳在模块壳体26中。

模块壳体26被配置为使得在壳体主体211中设置壳体侧信号电极217。壳体主体211的配置与图11中示出的显示模块34的壳体主体211相似。

在变形例中，将壳体侧信号电极217配置为具有板形状的电极。如同上述显示模块34，当显示装置3容纳在模块壳体26中时，装置侧信号电极129a与具有板形状的壳体侧信号电极217接触以弹性地连接。此处，在将显示装置3容纳在模块壳体26中的情况下，装置侧信号电极129a以预定的压力压靠在壳体侧信号电极217上，并且由此，适当地调整壳体侧信号电极217和壳体主体211的侧壁的形状，以使得装置侧信号电极129a与壳体侧信号电极217能够彼此接触而处于所谓的紧固状态。由此，能够可靠地完成壳体侧信号电极217与装置侧信号电极129a的导电。

以这种方式，在被配置为使得壳体侧信号电极217具有板形状的显示模块36中，也可以获得与上述显示模块34的效果相似的有利效果，即，可以在不施加热的情况下将装置侧信号电极129a连接至fpc205。此外，根据变形例，因为壳体侧信号电极217的形状简单，所以能够以较低的成本制造模块壳体26。因此，可以预期进一步降低制造成本的有利效果。

(2-4.第四实施方式)

参考图14a至图14e，将描述根据第四实施方式的制造显示装置4的方法并且将描述显示装置4的配置。图14a至图14e是示出根据第四实施方式的制造显示装置4的方法的说明图。图14a至图14e以与图3a至图3j相似的方式示意性地示出了按照制造显示装置4的方法的步骤的顺序在x-z平面内的显示装置4的截面并且示出了制造方法的工艺流程。在图14a至图14d中，提取并且示出与晶片中的一个显示装置4对应的部分。图9e示出了一个被切块且分割的显示装置4的截面。

此处，根据第四实施方式的显示装置4与其中根据第三实施方式的粘结材料树脂材料127和第二基板103不设置在显示装置3中的显示装置对应。显示装置4的其他因素与显示装置3的因素相同。因此，在下列第四实施方式的描述中，将主要描述与第三实施方式不同的因素并且将省去重复因素的细节描述。

在制造显示装置4的方法中，直至形成参考图9f描述的cf层119的步骤与制造显示装置3的方法的步骤相同。相应地，在下文中，将描述形成cf层119之后的步骤。

在制造显示装置4的方法中，在形成cf层119之后，通过干蚀刻来蚀刻与第一基板101的后表面上的芯片的刻线或外圆周对应的区域(即，相互邻近的显示装置4之间的区域)(见图14a)。贯穿该步骤，将与第一基板101的后表面上的芯片的刻线或外圆周对应的区域处理成锥形形状。该步骤与参考图9h描述的制造显示装置3的方法中描述的步骤相同。此处，在蚀刻步骤中，如示出的，在相互邻近的芯片之间形成其中不存在第一基板101的区域。此外，不同于第三实施方式，在不设置第二基板103的状态下执行蚀刻。相应地，为了防止芯片彼此分离，将晶片反转并且在将支撑基板单独设置在cf层119的上表面上的状态下执行蚀刻。支撑基板还用于保护cf层119。

随后，通过在平坦区域和锥形区域上形成绝缘材料而形成绝缘膜105d作为膜(见图14b)。该步骤与参考图9i描述的制造显示装置3的方法中描述的步骤相似。应注意，在随后制造显示装置1的方法的描述中，为了避免复杂的描述，在不需要具体区分彼此的情况下，将绝缘膜105和绝缘膜105d称之为绝缘膜105。此外，与此对应，在随后的图14c至图14e中，仅将总体上表示绝缘膜的参考标号“105”附标于绝缘膜105和绝缘膜105d。

随后，通过干蚀刻来蚀刻与芯片的外圆周对应的区域(即，相互邻近的芯片之间并且其中不存在第一基板101的区域)的绝缘膜105，直至布线层107的前表面暴露(见图14c)。该步骤与参考图9j描述的制造显示装置3的方法中的步骤相似。

随后，通过在平坦区域和锥形区域上形成导电材料作为膜并且随后移除平坦区域中的导电材料而在锥形区域中形成布线层129(见图14d)。尽管未详细示出，然而，此时，在锥形区域中适当地图案化布线层129。在布线层129中，形成在显示装置1与外部之间交换各种信号的信号电极129a。该步骤与参考图9k描述的制造显示装置3的方法中的步骤相似。

随后，在锥形区域中形成保护膜117。此时，在锥形区域中图案化保护膜117，以使得信号电极129a暴露。最后，通过执行切块制造分割的显示装置4(见图14e)。该步骤与参考图9l描述的制造显示装置3的方法中的步骤相似。

图15是示出横向(x轴方向)观看图14e中示出的分割显示装置4的锥形区域时的一方面的示图。如图15中示出的，在显示装置4的锥形区域中布置多个信号电极129a。信号电极129a的配置与图10中示出的显示装置3的信号电极129a相似。

上面已经描述了根据第四实施方式的显示装置4的配置。在具有上述配置的显示装置4中，也可以获得与第三实施方式的效果相同的有利效果，即，减小芯片面积的有利效果。

应注意，如同显示装置3，在显示装置4中，通过将显示装置4容纳在模块壳体24、25、或26中能够配置显示模块。因为显示模块的配置与根据第三实施方式的显示模块34、35、或36相同，但显示装置4的配置不同，所以将省去重复描述。在根据第四实施方式的显示模块中，也可以获得与根据第三实施方式的显示模块34、35、或36的效果相似的有利效果，即，在不施加热的情况下，能够将显示装置2连接至fpc205的有利效果。

(3.第五至第十一实施方式)

将描述本公开的第五至第十一实施方式。在第五至第十一实施方式中，通过从上述第一实施方式至第四实施方式形成具有不同配置的i/o单元而实现芯片面积的减小。

此处，根据第五至第十一实施方式的显示装置的配置与根据第一至第四实施方式的显示装置的配置大致相似，但信号电极的配置不同。相应地，在下列第五至第十一实施方式的描述中，将主要描述与第一实施方式至第四实施方式不同的因素并且将省去重复因素的细节描述。应注意，如上所述，因为信号电极的其他配置大致相似，所以在示出下面描述的根据第五至第十一实施方式的显示装置的配置的每个附图(截面图)中，仅提取并且示出设置有信号电极的芯片的外圆周附近的配置。此外，在示出下面描述的根据第五至第十一实施方式的显示装置的的每个附图(截面图)中，未示出其中指示在第一基板101上形成的电路、晶体管等的布线层104。

(3-1.第五实施方式)

参考图16a至图16f，将描述根据第五实施方式的制造显示装置5的方法并且将描述显示装置5的配置。图16a至图16f是示出根据第五实施方式的制造显示装置5的方法的说明图。图16a至图16f示意性地示出了按照制造显示装置5的方法中的步骤的顺序在位于显示装置5的外圆周附近的x-z平面上的截面并且示出了制造方法的工艺流程。应注意，图16a至图16f模拟地示出了与处于芯片状态的一个显示装置5的外圆周对应的区域。实际上，在晶片状态下执行图16a至图16f中示出的步骤。因此，其他显示装置5的芯片能够位于外圆周附近。

在制造显示装置5的方法中，直至形成保护膜117的步骤与直至在根据上述第三实施方式的制造显示装置3的方法中形成参考图9a至图9e描述的保护膜117的步骤大致相似。相应地，在下文中，将描述形成保护膜117之后的工艺。

图16a示出了处于直至形成保护膜117的步骤结束的状态时的显示装置5的截面图。此处，如同上述显示装置3等，在显示装置5中，在布线层107中形成下面描述的用作阳极的第一电极107a、用于将与有机el元件115有关的预定信号传输至信号电极137的引出布线等。此时，在显示装置5中，在布线层107中形成与外部交换与像素有关的预定信号的引出电极131。然后，形成保护膜117，以使得引出电极131暴露。如示出的，能够将引出电极131设置在与保护膜117的末端对应的位置处，即，芯片的外圆周附近。

引出电极131电连接至用于与像素有关的预定信号的布线。在示出的实例中，将引出电极131电连接至用作阴极的第二电极113。即，引出电极131是将阴极电势提取至外部的电极。图14a仅示出了一个引出电极131。然而，实际上，设置了传递与像素有关的其他信号的多个引出电极131。根据显示装置5的电路配置等适当地确定引出电极131的数量，以使得能够适当地驱动显示装置5。

当保护膜117形成为使得引出电极131暴露时，相对于每个引出电极131形成引出布线133，引出布线133的一端电连接至引出电极131并且另一端在保护膜117上延伸(见图16b)。例如，通过溅射方法等使用金属掩模形成诸如al或cu等导电材料作为膜而形成引出布线133。用于引出布线133的材料及形成方法并不局限于该实例，而是可以应用一般半导体工艺所使用的任意各种已知材料和方法。

另一方面，在第一基板101的上述工艺的同时，对第二基板103执行下列工艺。首先，在第二基板103中形成通孔并且在通孔的内壁上形成导电材料作为膜，以在第二基板103的上表面与下表面之间延伸(见图16c)。即，在第二基板103中形成过孔135。此外，此时，通过在第二基板103上适当地图案化形成为膜的导电材料而同时在第二基板103的上表面上形成电连接至过孔135的信号电极137。例如，通过根据诸如溅射方法等任意各种方法形成导电材料作为膜并且随后使用已知的照相平板印刷术和蚀刻技术图案化导电材料能够形成过孔135和信号电极137。应注意，在示出的实例中，在过孔135中，仅在通孔的内壁上形成导电材料作为膜，但是，将导电材料嵌入在通孔中。应注意，在本公开中，在下面描述的实施方式中，在一些情况下，还在第一基板101上的元件中设置过孔。相应地，在本说明书中，在一些情况下，将设置在第二基板103中的过孔(例如，上述过孔135等)称之为第一过孔。此外，在一些情况下，将设置在第一基板101上的元件中的过孔称之为第二过孔。

当将第二基板103粘结至第一基板101时，调整形成有过孔135的位置，以使得保护膜117上的引出布线133定位在过孔135的正下方。即，相对于多个引出电极131和引出布线133，在第二基板103中形成多个过孔135。

随后，在第二基板103的下表面上形成cf层119、密封材料121、以及连接电极139(见图16d)。cf层119与根据第一至第四实施方式的显示装置1至4的cf层119相似并且形成为位于像素区域的正上方，因此，当将第二基板103粘结至第一基板101时，在设置于每个像素中的每个有机el元件115内形成具有预定面积的各种颜色(r、g、以及b)的cf。以这种方式，显示装置5是反cf类型的显示装置，其中，在面向形成有机el元件115的第一基板101的第二基板103上形成cf层119。然而，第五实施方式并不局限于该实例并且显示装置5可以是occf类型的显示装置。

密封材料121具有将第一基板101粘结至第二基板103的粘合剂的功能。当将第二基板103粘结至第一基板101时，密封材料121设置在密封材料121包围像素区域的位置处。以这种方式，材料121还具有密封像素区域的功能。如示出的，在与第二基板103的芯片表面对应的区域中，将密封材料121设置在过孔135的内侧上。作为密封材料121，能够应用通常有机el显示器中的密封材料所使用的任意各种已知材料。应注意，密封材料121与参考图1和图2描述的密封材料421对应。

连接电极139直接设置在过孔135的下方，以在z轴方向上延伸。当将第二基板103粘结至第一基板101时，调整连接电极139在z轴方向上的长度，以使得连接电极139的下端与保护膜117上的引出布线133接触，并且过孔135与引出布线133导电。例如，通过诸如钉头金凸点等技术形成连接电极139。

当第一基板101和第二基板103的上述工艺结束时，将第二基板103粘结至第一基板101(见图16e)。通过密封材料121粘接第一基板101与第二基板103。此时，在面内方向上执行定位、以使得保护膜117上的引出布线133定位在过孔135的正下方并且通过连接电极139连接引出布线133和过孔135之后，粘结引出布线133与过孔135。

随后，将利用密封材料121密封并且定位在位于像素区域正上方的空间填充密封树脂123。密封树脂123保护有机el元件115以防水等。作为密封树脂123，能够应用通常有机el显示器中的密封树脂所使用的任意各种已知材料。然后，通过利用芯片尺寸执行切块并且形成信号输出布线141而完成显示装置5，信号输出布线141的一端电连接至信号电极137并且另一端向外延伸(见图16f)。例如，根据诸如acf的任意各种已知的方法可以形成信号输出布线141。经由信号输出布线141电连接显示装置5与外部电路等。

上面已经描述了根据第五实施方式制造显示装置5的方法。如上所述，在显示装置5的第二基板103上形成信号电极137。然后，作为将信号电极137电连接至第一基板101的连接结构，设置电连接至用于与像素有关的预定信号的布线的引出电极131、被设置成在厚度方向上穿透第二基板103的过孔135、电连接至引出电极131并且直接在过孔135下方延伸的引出布线133、以及将过孔135电连接至引出布线133的连接电极139。经由过孔135、引出布线133、以及连接电极139将信号电极137电连接至用于与第一基板101上的有机el元件115有关的预定信号的布线。

此处，如参考图1和图2描述的，在现有技术的一般显示装置50中，考虑与fpc529的连接，在第二基板503不位于其正上方且位于芯片表面的密封材料521之外的区域设置信号电极527。相应地，为了确保第一基板101上设置信号电极527的区域(即，i/o单元525)，增加芯片面积。

然而，如上所述，根据第五实施方式，因为在第二基板103上形成信号电极137，所以不需要确保在第一基板101上设置信号电极137的区域(即，i/o单元)。相应地，例如，在利用与诸如显示装置50的现有技术的显示装置相同的芯片面积制造显示装置5的情况下，可以确保更宽的像素区域。可替代地，例如，在将显示装置5制造成具有与诸如显示装置50的现有技术的显示装置相同的面积的像素区域的情况下，可以减小芯片面积。在这种情况下，可以增加每个晶片所获取的芯片的数量，并且由此可以实现制造成本的降低。

应注意，作为执行参考图16a至图16f描述的制造显示装置5的方法的每个工艺的具体工艺，能够合适地选择以相对低的温度执行的工艺，以使得能够保持有机el元件115的特性。例如，优选执行至少形成有机层111之后的每个工艺，以使得晶片的温度保持处于100℃或更低。

(3-2.第六实施方式)

参考图17，将描述根据第六实施方式的显示装置6的配置。图17是示出根据第六实施方式的显示装置6的示意性配置的示图。如图16a至图16f，图17示出了显示装置6的外圆周附近的x-z平面内的截面图。

参考图17，显示装置6与这样一种显示装置对应，其中，根据第五实施方式的设置在图16f示出的显示装置5中的位于面内方向上的过孔135、信号电极137、连接电极139、以及密封材料121是改变的。具体地，如示出的，在显示装置6中，在芯片表面的密封材料121的内侧上设置过孔135、信号电极137、以及连接电极139。通过调整该位置关系能够实现该配置，因此，在粘结之前，当在第二基板103中形成过孔135、信号电极137、连接电极139、以及密封材料121时，在与第二基板103的芯片表面对应的区域中的过孔135的外面设置密封材料121。

应注意，显示装置6的其他因素与显示装置5的因素相同，但设置有过孔135、信号电极137、连接电极139、以及密封材料121。因此，此处将省去显示装置6的配置与制造显示装置6的方法的细节描述。

(3-3.第七实施方式)

参考图18，将描述根据第七实施方式的显示装置7的配置。图18是示出根据第七实施方式的显示装置7的示意性配置的示图。如同图16a至图16f，图18示出了显示装置7的外圆周附近的x-z平面内的截面图。

参考图18，根据第三实施方式的显示装置7与这样一种显示装置对应，即，引出布线133不设置在根据第五实施方式的图16f示出的显示装置5中。具体地，在显示装置7中，在不设置引出布线133的情况下，通过在过孔135的下表面与引出电极131的上表面之间形成连接电极139而将引出电极131与信号电极137电连接至彼此。当在粘结之前在第二基板103中形成过孔135、信号电极137、连接电极139、以及密封材料121时，通过调整形成过孔135、信号电极137、以及连接电极139的位置而使得在将第二基板103粘结至第一基板101时该位置定位在引出电极131正上方并且通过调整连接电极139在z轴方向上的长度而使得将第二基板103粘结至第一基板101时的连接电极139的下端与引出电极131的上表面接触能够实现该配置。

应注意，显示装置7的其他因素与显示装置5的因素相同，但未设置引出布线133并且过孔135、信号电极137、以及连接电极139的配置相应地改变。因此，此处将省去显示装置7的配置与制造显示装置7的方法的细节描述。

(3-4.第八实施方式)

参考图19，将描述根据第八实施方式的显示装置8的配置。图19是示出根据第八实施方式的显示装置8的示意性配置的示图。如图16a至图16f，图19示出了显示装置8的外圆周附近的x-z平面内的截面图。

参考图19，显示装置8与这样一种显示装置对应，即，密封材料121、引出布线133、以及连接电极139不设置在根据第五实施方式的图16f示出的显示装置5中。具体地，在显示装置8中，在不形成引出布线133并且不将第一基板101粘结至第二基板103的情况下，通过在过孔135的下表面与引出电极131的上表面之间形成具有导电性的密封材料143(导电密封材料143)而将引出电极131与信号电极137电连接至彼此。即，导电密封材料143还用作显示装置5中的密封材料121、引出布线133、以及连接电极139。

在粘结之前，当在第二基板103中形成过孔135和信号电极137时，通过将导电密封元件143形成为与过孔135的下表面接触、而非在显示装置5中形成连接电极139和密封材料121能够实现该配置。此时，当将第二基板103粘结至第一基板101时，调整导电密封材料143使得导电密封材料143的下端与保护膜117的上表面和引出电极131的上表面接触。

应注意，显示装置8的其他因素与显示装置5的因素相同，但设置了导电密封材料143、而非密封材料121、引出布线133、以及连接电极139。因此，此处将省去显示装置8的配置及制造显示装置8的方法的细节描述。

(3-5.第九实施方式)

(3-5-1.显示装置的配置)

参考图20a至图20m，将描述根据第九实施方式的制造显示装置9的方法并且将描述显示装置9的配置。图20a至图20m是示出根据第九实施方式的制造显示装置9的方法的说明图。如图16a至图16f，图20a至图20m示意性地示出了按照制造显示装置9的方法中的步骤的顺序在位于显示装置9的外圆周附近的x-z平面内的截面并且示出了制造方法的工艺流程。

在制造显示装置9的方法中，直至形成保护膜117的步骤与直至在根据上述第三实施方式的制造显示装置3的方法中形成参考图9a至图9e描述的保护膜117的步骤大致相似。相应地，在下文中，将描述形成保护膜117之后的工艺。

当在第一基板101中形成保护膜117的工艺结束时，将第一基板101粘结至第二基板103，其中，通过密封材料121在下表面上形成cf层119和密封材料121。进一步地，利用密封材料121密封并且定位在像素区域正上方的空间填充有密封树脂123(见图20a)。

cf层119与根据第五实施方式的显示装置5的cf层119相似，并且当将第二基板103粘结至第一基板101时，cf层119形成为使得在设置于每个像素中的每个有机el元件115内的像素区域上方直接设置具有预定面积的颜色(r、g、以及b)的cf。以这种方式，如同显示装置5，显示装置9是反cf类型的显示装置。然而，第九实施方式并不局限于该实例并且显示装置9可以是occf类型的显示装置。

此外，密封材料121与根据第五实施方式的显示装置5的密封材料121相似并且当将第二基板103粘结至第一基板101时将密封材料121设置成包围像素区域。密封材料121用作将第一基板101粘结至第二基板103的粘合剂并且还具有密封像素区域的功能。

此外，密封树脂123与根据第五实施方式的显示装置5的密封树脂123相似并且具有保护有机el元件115以防水的功能。

此处，如同上述显示装置5等，在显示装置9中，在布线层107中形成下面描述的用作阳极的第一电极107a、用于将与有机el元件115有关的预定信号传输至信号电极157的引出布线。此时，在显示装置9中，在布线层107中形成与外部交换与像素有关的预定信号的引出电极145。在本说明书中，在某些情况下，为了彼此区分这些电极，将上述第五至第八实施方式中的引出电极131称之为第一引出电极131并且将引出电极145称之为第二引出电极145。如示出的，当将第二基板103粘结至第一基板101时，将引出电极145设置成直接定位在密封材料121下方。即，如图20a中示出的，在将第一基板101粘结至第二基板103的状态下，将保护膜117、密封材料121、以及第二基板103直接堆叠在引出电极145上方。

通过与上述显示装置5中的引出电极131相似的方式，将引出电极145电连接至用于与像素有关的预定的信号的布线。在示出的实例中，将引出电极145电连接至用作阴极的第二电极113。即，引出电极145是将阴极电势提取至外部的电极。图20a仅示出了一个引出电极145。然而，实际上，设置传递与像素有关的其他信号的多个引出电极145。根据显示装置9的电路配置等适当地确定引出电极145的数量，因此，能够适当地驱动显示装置9。

当将第一基板101粘结至第二基板103时，随后在引出电极145上方直接形成穿透保护膜117的通孔147、密封材料121、以及位于z轴方向上并且到达引出电极145的前表面的第二基板103(见图20b)。例如，通过激光执行形成通孔147的工艺。应注意，例如，通孔147的直径为约100μm至150μm并且通孔147的深度(即，保护膜117、密封材料121、以及第二基板103的厚度的和)为约300μm至700μm。具体地，保护膜117与密封材料121各自的厚度为约3μm至5μm并且第二基板103的厚度为约300μm至700μm。

随后，在通孔147的内壁上形成导电材料作为膜，以在第二基板103的上表面与引出电极145之间延伸。即，在保护膜117、密封材料121、以及第二基板103上形成从第二基板103的上表面到达引出电极145的下表面的过孔155。此外，此时，通过在第二基板103上同时适当地图案化形成为膜的导电材料而形成电连接至过孔155的信号电极157。在下文中，将参考图20c至图20g描述形成过孔155和信号电极157的工艺的细节。

在形成过孔155和信号电极157的工艺中，首先使用已知的膜形成技术在第二基板103的上表面和通孔147的内壁上形成势垒金属和cu籽晶层(以下统称为势垒金属/籽晶层149)作为膜(见图20c)。例如，作为势垒金属，一般使用ti等并且在cu布线时应用ti等作为势垒金属。

随后，使用已知的照相平板印刷术在第二基板103上的除通孔147中具有预定面积的区域(稍后形成过孔155和信号电极157的区域)之外的区域和通孔147的外周上形成抗蚀剂掩模151(见图20d)。

随后，通过制版技术形成cu作为膜(见图20e)。此时，仅在未设置抗蚀剂掩模151的部位中的势垒金属/籽晶层149上形成cu膜153。即，在第二基板103上的通孔147的内壁上和通孔147周围的预定面积的区域中形成cu膜153。

随后，通过灰化移除抗蚀剂掩模151(见图20f)。

随后，通过干蚀刻移除位于抗蚀剂掩模151下方并且暴露在第二基板103上的势垒金属/籽晶层149(见图20g)。贯穿上述工艺，在通孔147的内壁上形成cu膜153并且形成过孔155。此外，同时在第二基板103的上表面上形成从电连接至过孔155的cu膜153形成的信号电极157。

应注意，例如，此处已经描述了在使用cu作为导电材料的情况下形成过孔155和信号电极157的工艺，但是，第九实施方式并不局限于该实例。作为过孔155和信号电极157的导电材料与形成过孔155和信号电极157的方法，可以使用任意各种已知的材料和方法。

当形成过孔155和信号电极157时，随后在信号电极157上形成凸点165。如下面描述的，当将显示装置9模块化成制造显示模块37时，经由凸点165电连接设置在模块壳体27中的信号电极157和信号电极221。在下文中，将参考图20h至图20m描述形成凸点165的工艺的细节。

在形成凸点165的工艺中，首先使用已知的膜形成技术在第二基板103的上表面上、信号电极157的上表面上、以及过孔155的内壁上形成下方势垒金属层161(见图20h)。作为下方势垒金属，能够应用形成凸点时通常使用的任意各种已知材料。

随后，使用已知的照相平板印刷术在除信号电极157的上表面的预定面积的区域(稍后形成凸点165的区域)之外的区域中形成抗蚀剂掩模163(见图20i)。

随后，通过制版方法形成凸点165(见图20j)。例如，作为凸点165的材料，可以使用诸如sn、ag、以及cu的合金等一般凸点材料所使用的任意各种已知材料。此时，仅在未设置抗蚀剂掩模151的部位中形成凸点165。即，在信号电极157的上表面上的预定面积的区域中形成凸点165。

随后，通过灰化移除抗蚀剂掩模163(见图20k)。

随后，通过干蚀刻移除位于抗蚀剂掩模163下方并且在第二基板103和通孔155的内壁上暴露的下方势垒金属层161(见图20l)。

随后，执行回流，并且执行凸点165中的气体析出并且临时融化凸点165而形成球面形状。贯穿上述工艺，在信号电极157上形成凸点165。然后，通过芯片尺寸执行切块而完成显示装置9。

应注意，形成凸点165的工艺并不局限于上述方法并且根据任意各种已知方法可以形成凸点165。例如，通过钉头金凸点技术可以形成凸点165。在使用钉头金凸点技术的情况下，通过粘结剂能够在信号电极157上形成凸点。

上面已经描述了根据第九实施方式的制造显示装置9的方法。如上所述，在显示装置9中，在第二基板103上形成信号电极157。因此，作为将信号电极157电连接至第一基板101的连接结构，设置了定位在密封材料121的正下方并且提取与第一基板101上的有机el元件115有关的信号的引出电极145、与设置成穿透第二基板103、密封材料121、以及保护膜117并且到达引出电极145的过孔155。经由过孔155将引出电极145电连接至信号电极157。

以这种方式，在显示装置9中，在与位于芯片表面的密封材料121正上方的一部分对应的位置处设置信号电极157。相应地，如根据上述第五实施方式的显示装置5，不需要确保在第一基板101上设置信号电极157的区域(即，i/o单元)。相应地，例如，在以与诸如显示装置50的现有技术的显示装置相同的芯片面积制造显示装置9的情况下，可以确保更宽的像素区域。可替代地，例如，在将显示装置9制造成具有与诸如显示装置50等现有技术的显示装置相同的面积的像素区域的情况下，可以减小芯片面积。在这种情况下，可以增加每个晶片所获取的芯片的数量，并且由此可以实现制造成本的降低。

应注意，作为执行参考图20a至图20m描述的制造显示装置9的方法的每个工艺的具体工艺，能够合适地选择以相对低的温度执行的工艺，以使得能够维持有机el元件115的特性。例如，优选执行至少形成有机层111之后的每个工艺，因此，晶片的温度保持处于100℃或更低。例如，如上所述，通过钉头金凸点技术形成凸点165，可以响应于对工艺的低温的请求。

(3-5-2.显示模块的配置)

参考图21，将描述根据第三实施方式的显示模块37的配置。图21是示出根据第九实施方式的显示模块37的示意性配置的示图。

图21示出了显示模块37的截面图。如图21中示出的，显示模块37被配置为使得将显示装置9容纳在模块壳体27中。

模块壳体27被配置为使得在壳体主体219中设置电连接至显示装置9的信号电极157的信号电极221。壳体主体219具有大致矩形形状。此外，电连接至信号电极221并且向外延伸的fpc205连接至模块壳体27的底板。

如示出的，在上表面(即，显示装置9的显示表面)面向壳体主体219的顶板的内表面的方向上，将显示装置9容纳在模块壳体27内。具体地，例如，壳体主体219被配置为使得将能够分离底板、与侧壁、以及顶板，并且将显示装置9放置在待固定的底板上。之后，通过将侧壁和顶板安装在底板上，将显示装置9容纳在模块壳体27内。将显示装置9固定至底板的方法不受限制并且可以采用任意各种已知方法。如图21中示出的，在壳体主体219的顶板的中间设置与显示装置9的像素区域对应的开口。当将显示装置9容纳在模块壳体27中时，从开口处暴露显示装置9的像素区域。

此外，在壳体主体219的顶板的内表面上不设置开口的区域中，在面向显示装置9的凸点165的位置处设置信号电极221。在下文中，还将显示装置9的信号电极157称之为装置侧信号电极157并且还将设置在模块壳体27中的信号电极221称之为壳体侧信号电极221，以彼此区分这些电极。凸点223设置在壳体侧信号电极221上。由此，当将显示装置9容纳在模块壳体27中时，凸点165和223经历倒装芯片粘结，以将装置侧信号电极157电连接至壳体侧信号电极221。将壳体侧信号电极221电连接至fpc205的布线225形成在壳体主体219的壁表面上。由此，通过凸点165和223的倒装芯片粘结与布线225电连接装置侧信号电极157与fpc205。

此处，装置侧信号电极157不需要一定必须等同地分散和布置在显示装置9的芯片表面中。相应地，如上所述，在一些情况下，当凸点165和223经历倒装芯片粘结时，将凸点165和223的连接部位集中在显示模块37的水平表面的局部区域中。以这种方式，当水平表面上的凸点165和223的连接部位具有偏置分布时，难以维持显示装置9相对于模块壳体27的平行并且存在显示模块37的可靠性发生劣化的担忧。相应地，为了维持显示装置9相对于模块壳体27的平行，如果需要，在显示模块37中，可以在显示装置9中形成虚设凸点227并且可以在模块壳体27中形成虚设凸点231。能够适当地设置虚设凸点227和231，以使得包括实际导电的凸点165和223的凸点165、223、227、以及231的分布在水平表面上大致均匀。当将显示装置9容纳在模块壳体27中时，通过对虚设凸点227和231执行倒装芯片粘结能够抑制显示装置9相对于模块壳体27的倾斜，并且由此能够实现具有高可靠性的显示模块37。

(3-5-3.变形例)

在上述制造方法中，在形成将信号电极157连接至引出电极145的过孔155的工艺中，当在第二基板103、密封材料121、以及保护膜117中形成通孔147时(即，当引出电极145打开时)，通过激光统一形成通孔147。然而，第九实施方式并不局限于该实例。此处，根据第九实施方式的变形例，将描述根据另一种方法打开引出电极145的开口的情况。

(3-5-3-1.激光处理与干蚀刻的组合使用)

通常，在通过激光统一处理由另一种材料形成的通孔的情况下，必须精确地控制激光的条件。因此，难以控制条件。就该观点而言，作为处理技术，据说干蚀刻在可控制性方面是卓越的。另一方面，因为干蚀刻的处理速度取决于蚀刻速率，所以加速是困难的。即，就处理速度方面而言，据说激光处理是卓越的。

以这种方式，在处理准确度和处理速度方面，激光处理与干蚀刻具有优点和缺点。相应地，根据第九实施方式的变形例，通过组合使用激光处理和干蚀刻形成通孔147。具体地，根据变形例，通过处理速度较快的激光处理处理第二基板103(即，相对厚的处理目标)。另一方面，为了尽可能多地抑制引出电极145的前表面上发生损坏，通过具有高可控制性的干蚀刻对与引出电极145接触的保护膜117执行处理。

在下文中，将参考图22a至图22d更为详细地描述使用组合执行的激光处理和干蚀刻打开引出电极145的方法。图22a至图22d是示出组合使用激光处理和干蚀刻打开引出电极145的方法的说明图。图22a至图22d示意性地示出了按照打开引出电极145的处理方法中的步骤的顺序在位于根据变形例的显示装置的外圆周附近的x-z平面上的截面并且示出了如图20a至图20m中的处理方法的工艺流程。

在根据变形例的打开引出电极145的处理方法中，在上述图20a示出的状态下(即，将第一基板101粘结至第二基板103的状态)，首先通过激光处理在第二基板103中形成通孔(见图22a)。例如，如上所述，虽然第二基板103的厚度为约300μm至700μm，然而，如上所述，密封材料121与保护膜117的厚度为约3μm至5μm。相应地，通过激光处理处理具有相对大的厚度的第二基板103中的通孔，可以在更短的处理时间内形成通孔。

随后，通过激光处理在密封材料121中形成通孔(见图22b)。应注意，在示出的实例中，逐步处理第二基板103和密封材料121中的通孔，但是，可以统一执行该处理。可替代地，通过干蚀刻可以执行密封材料121的处理。

随后，抗蚀剂掩模167设置成使得仅处理设置在第二基板103和密封材料121中的通孔的底部，并且然后，通过干蚀刻在保护膜117中形成到达引出电极145的通孔(见图22c)。然后，通过灰化移除抗蚀剂膜167，形成通孔147，即，打开引出电极145(见图22d)。

此处，例如，保护膜117和引出电极145分别由诸如半导体工艺中广泛使用的sin和al等材料形成。对于该半导体工艺中广泛使用的材料，基于之前的许多知识能够高准确度地控制干蚀刻时的时刻速率等的调整。此外，在分别使用sin和al作为保护膜117和引出电极145的材料的情况下，能够充分确保选择性。相应地，通过干蚀刻处理保护膜117中的通孔，可以在进一步抑制对引出电极145的前表面的损坏的同时形成通孔。

(3-5-3-2.使用具有小直径的第二基板的变形例)

如上所述，在根据第九实施方式的显示装置9中，视为第二基板103的厚度大于密封材料121和保护膜117的厚度。相应地，关于形成通孔147的工艺的tat，第二基板103的处理时间受速率限制。相应地，根据第九实施方式的另一变形例，使用具有比上述显示装置9更小的直径的第二基板。具体地，在变形例中，使用具有小直径的第二基板，该小直径至第二基板不位于至少引出电极145的局部区域正上方的程度。由此，当打开引出电极145时，不需要处理第二基板并且仅可以处理密封材料121和保护膜117。相应地，可以缩短打开引出电极145的工艺的处理时间。

在下文中，将参考图23a至图23c更为详细地描述在使用具有小直径的第二基板的情况下打开引出电极145的处理方法。图23a至图23c是示出在使用具有小直径的第二基板的情况下打开引出电极145的处理方法的说明图。图23a至图23c示意性地示出了按照打开引出电极145的处理方法中的步骤的顺序在位于根据变形例的显示装置的外圆周附近的x-z平面上的截面并且示出了如图20a至图20m中的处理方法的工艺流程。

图23a示出了在打开引出电极145之前将第一基板101粘结至第二基板103a时的状态。第二基板103a是具有比上述显示装置9的第二基板103更小的直径的基板，并且将直径的外圆周调整为定位在位于引出电极145的正上方。即，第二基板103a不位于至少引出电极145的局部区域的正上方。

在根据变形例的打开引出电极145的处理方法中，在图23a示出的状态下，使用已知的照相平板印刷术设置抗蚀剂掩模169，因此，首先仅处理密封材料121上的局部区域(需要设置通孔147a的区域)(见图23b)。

然后，通过干蚀刻来蚀刻密封材料121和保护膜117，以暴露引出电极145的前表面(见图23c)。由此，打开引出电极145。例如，通过执行在打开引出电极145上形成参考图20c至图20g描述的cu层的工艺等，沿着形成第二基板103、密封材料121、以及保护膜117的边缘形成由从第二基板103的上表面至引出电极145延伸的导电材料形成的膜(即，布线)。通过布线将设置在第二基板103的上表面上的信号电极137电连接至引出电极145。

根据上述处理方法，因为不需要处理第二基板103a，所以可以在更短的处理时间内打开引出电极145。应注意，通过上述处理方法中的干蚀刻处理密封材料121和保护膜117。然而，例如，通过激光处理可以处理密封材料121或通过干蚀刻可以处理保护膜117。

(3-6.第十实施方式)

参考图24a至图24h，将描述根据第十实施方式的制造显示装置10的方法并且将描述显示装置10的配置。图24a至图24h是示出根据第十实施方式的制造显示装置10的方法的说明图。图24a至图24h示意性地示出了按照制造显示装置10的方法中的步骤的顺序的位于显示装置10的外圆周附近的x-z平面内的截面并且示出了如图20a至图20m中的制造方法的工艺流程。

此处，根据第十实施方式的显示装置10与根据上述第九实施方式的显示装置9的相同之处还在于，直接在密封材料121下方设置引出电极145、在第二基板103的上表面上设置信号电极157、并且显示装置10具有通过穿透第二基板103、密封材料121、以及保护膜117的过孔电连接引出电极145和信号电极157的连接结构。显示装置10与显示装置9的不同在于形成连接结构的方法。

具体地，在制造显示装置10的方法中，在将第二基板103粘结至第一基板101之前，首先在第二基板103的下表面上形成cf层119(见图24a)。

随后，在第二基板103中设置通孔(见图24b)。例如，根据诸如激光处理或钻处理等任意各种已知方法形成通孔。

随后，在通孔的内壁上形成由导电材料形成的导电膜170，以在第二基板103的上表面与下表面之间延伸(见图24c)。即，在第二基板103中形成过孔171。例如。根据诸如半加性方法等任意各种已知方法可以形成导电材料作为膜。此外，形成过孔171，以使得当将第二基板103粘结至第一基板101时，过孔171定位在引出电极145的正上方(更精确地，位于设置在下述所述第一基板101中的过孔173正上方)。进一步地，此时，在第二基板103的上表面上形成电连接至过孔171的信号电极157。

另一方面，在第二基板103的上述工艺的同时，在第一基板101上执行下列工艺。首先，在形成形成保护膜117的工艺中，在第一基板101上形成密封材料121(见图24d)。当将第二基板103粘结至第一基板101时，密封材料121设置在密封材料121包围像素区域的位置处。应注意，直至在第一基板101中形成保护膜117的步骤与直至形成参考图9a至图9e描述的保护膜117的步骤的大致相似之处在于根据上述第三实施方式的制造显示装置3的方法。

随后，在密封材料121和保护膜117中设置到达引出电极145的通孔(见图24e)。例如，根据诸如激光处理或干蚀刻等任意各种已知方法形成通孔。

随后，在通孔的内壁上形成由导电材料形成的导电膜172，以在密封材料121的上表面与引出电极145之间延伸(见图24f)。即，在密封材料121和保护膜117中形成到达引出电极145的过孔173。例如，根据诸如溅射方法等任意各种已知方法或形成参考图20c至图20g描述的铜布线的工艺可以形成导电材料作为膜。

当第一基板101与第二基板103的上述工艺结束时，将第二基板103粘结至第一基板101(见图24g)。通过密封材料121粘接第一基板101与第二基板103。此时，在面内方向上执行定位，以使得设置在第二基板103中的过孔171的下表面电连接至设置在第一基板101中的过孔173的上表面之后，粘结两个基板。由此，形成将位于第二基板103的上表面上的信号电极157电连接至第一基板101的引出电极145的过孔175。

然后，在密封材料121的内部空间填充有密封树脂123之后，根据与参考图20h至图20m描述的方法相似的方法，在信号电极157的上表面上形成凸点165。然后，通过以芯片尺寸执行切块而完成显示装置10(见图24h)。应注意，在将第一基板101粘结至第二基板103之后，空间内可以不填充有密封树脂123。例如，在与第一基板101上的一部分对应的位置处形成密封树脂123之后，可以粘结第一基板101与第二基板103。

上面已经描述了根据第十实施方式的制造显示装置10的方法。如上所述，在第十实施方式中，在第一基板101和第二基板103中分别形成过孔173和171之后，通过粘结第一基板101与第二基板103制造显示装置10。根据方法，在第一基板101和第二基板103中分别形成过孔173和171。因此，考虑第一基板101和第二基板103中的处理材料等材料，根据适合于处理材料的方法能够分别形成过孔173和171。相应地，相比于第九实施方式中粘结第一基板101和第二基板103之后统一形成过孔155的情况，能够更为有效地形成过孔175。

应注意，如同显示装置9，在显示装置10中，通过将显示装置10容纳在模块壳体27中能够配置显示模块。因为除显示装置10的配置不同之外，显示模块的配置还与根据第九实施方式的显示模块37相同，所以将省去重复描述。

应注意，在示出的制造方法中，通过在通孔的内壁上形成导电材料作为膜而形成过孔173和171，但是，第十实施方式并不局限于该实例。通过将导电材料嵌入在通孔中可以形成过孔173和171。图25是示出设置在第二基本103中并且被配置为使得将导电材料嵌入在通孔中的过孔173a的示意性配置的示图。此外，图26是示出设置在第一基板101中并且被配置为使得将导电材料嵌入在通孔中的过孔171a的示意性配置的示图。

(3-7.第十一实施方式)

参考图27a至图27c，将描述根据第十一实施方式的制造显示装置11的方法并且将描述显示装置11的配置。图27a至图27c是示出根据第十一实施方式的制造显示装置11的方法的说明图。图27a至图27c示意性地示出了按照制造显示装置11的方法中的步骤的顺序在位于显示装置11的外圆周附近的x-z平面内的截面并且示出了如图20a至图20m中的制造方法的工艺流程。

此处，根据第十一实施方式的显示装置11与根据上述第九实施方式的显示装置9的相同之处还在于，直接在密封材料121下方设置引出电极145、在第二基板103的上表面上设置信号电极157、并且显示装置10具有通过穿透第二基板103、密封材料121、以及保护膜117的过孔电连接引出电极145和信号电极157的连接结构。显示装置11与显示装置9的不同之处在于形成连接结构的方法。

具体地，在制造显示装置11的方法中，在将第二基板103粘结至第一基板101并且设置通孔之前，首先，在第二基板103的下表面上形成cf层119。因为该工艺与上述第十实施方式中参考图24a和图24b描述的工艺相似，所以将省去其细节描述。应注意，当将第二基板103粘结至第一基板101时，通孔形成为定位在位于引出电极145的正上方。此外，在第二基板103的上述工艺的同时，在形成保护膜117的第一基板101上形成密封材料121。因为该工艺还与上述第十实施方式中参考图24d描述的工艺相似，所以将省去其细节描述。

当第一基板101与第二基板103的上述工艺结束时，将第二基板103粘结至第一基板101。通过密封材料121粘接第一基板101和第二基板103。进一步地，密封材料121的内部空间填充有密封树脂123(见图27a)。

随后，在设置于第二基板103内的通孔的底部中，在密封材料121和保护膜117中形成到达引出电极145的通孔(见图27b)。例如，根据诸如激光处理或干蚀刻等任意各种已知方法执行该工艺。如示出的，通过该工艺，形成从第二基板103的上表面到达引出电极145的通孔177。

后续工艺与根据第九实施方式的制造显示装置9的方法的工艺相似。即，根据与参考图20c至图20g描述的方法相似的方法，在第二基板103的上表面和通孔177的内壁上形成金属膜作为膜，以形成信号电极157和过孔155。进一步地，根据与参考图20h至图20m描述的方法相似的方法，在信号电极157的上表面上形成凸点165。然后，通过以芯片尺寸执行切块完成显示装置11(见图27c)。

上面已经描述了根据第十一实施方式的制造显示装置11的方法。如上所述，在第十一实施方式中，在第二基板103中形成通孔之后，将第一基板101粘结至第二基板103。之后，通过在第一基板101的密封材料121和保护膜117中形成通孔并且在设置于第二基板103内的通孔和设置于密封材料121和保护膜117内的通孔中统一形成导电材料作为膜而形成过孔155。如上所述，关于形成形成过孔155的开口的工艺的tat，第二基板103的处理时间受速率限制。另一方面，根据第十一实施方式，在将第一基板101粘结至第二基板103之前，执行在第二基板103中形成过孔的工艺。相应地，考虑第二基板103的材料等，因为执行在第二基板103中形成通孔的工艺作为独立工艺，所以根据最为合适的方法能够形成通孔。即，因为能够更为有效地执行处理时间为最长的在第二基板103中形成通孔的工艺，所以相比于第九实施方式中粘结两个基板之后统一形成过孔155的情况，能够更为有效地形成过孔155。

应注意，如同显示装置9，在显示装置11中，通过将显示装置11容纳在模块壳体27中能够配置显示模块。因为除显示装置11的配置不同之外，显示模块的配置还与根据第九实施方式的显示模块37相同，所以将省去重复描述。

(4.补充)

上面已经参考所附附图描述了本公开的优选实施方式，然而，本公开并不局限于上述实例。本领域技术人员可以在所附权利要求的范围内找出各种变更和改造，并且应当理解的是，其自然落在本公开的技术范围内。

例如，如上所述，根据各种实施方式的显示装置的各种配置与根据每个变形例的显示装置的各种配置能够相互组合并且应用于可能的范围内。

此外，例如，已经将显示装置是有机el显示器的实施方式描述为本公开的实例，但是，本公开并不局限于实例。只要显示装置(即，本公开的技术的目标)是通过粘结两个基板而配置的显示装置，则可以使用任意各种显示装置。即使在其他显示装置中，通过在上述每个实施方式和每个变形例中形成i/o单元，则可以获得与上述每个实施方式和每个变形例的效果相似的有利效果(即，进一步减小芯片面积的有利效果)。

进一步地，本说明书中描述的效果仅是示出性和例证效果并且不受限制。即，利用或替代上述效果，从本说明书的描述中，根据本公开的技术可以实现对本领域技术人员显而易见的其他效果。

此外，本技术还可以配置如下。

(1)一种显示模块，包括：

显示装置，被配置为使得其中布置有用于显示图像的多个像素的像素区域形成在基板的上表面上并且用于与外部交换与像素有关的信号的装置侧信号电极设置在基板的侧表面上；以及

模块壳体，被配置为容纳显示装置并且具有在面向装置侧信号电极的部位处电连接至装置侧信号电极的壳体侧信号电极。

(2)根据(1)所述的显示模块，其中，在基板的侧表面中设置有装置侧信号电极的电极布置区域具有锥形形状，该锥形形状的与基板的面内方向平行的截面的面积从上表面至下表面逐渐地改变。

(3)根据(2)所述的显示模块，其中，基板的电极布置区域具有正锥形形状，该正锥形形状的与基板的面内方向平行的截面的面积从上表面至下表面逐渐地增加。

(4)根据(2)所述的显示模块，其中，基板的电极布置区域具有倒锥形形状，该倒锥形形状的与基板的面内方向平行的截面的面积从上表面至下表面逐渐地减小。

(5)根据(1)至(4)中任一项所述的显示模块，其中，在模块壳体中设置有壳体侧信号电极的部位具有与在基板的侧表面中设置有装置侧信号电极的电极布置区域大致平行的表面。

(6)根据(5)所述的显示模块，其中，壳体侧信号电极具有板簧形状。

(7)根据(5)所述的显示模块，其中，壳体侧信号电极具有球形状。

(8)根据(7)所述的显示模块，其中，具有球形状的壳体侧信号电极在与模块壳体的内壁表面垂直的方向上可弹性地移动。

(9)根据(5)所述的显示模块，其中，壳体侧信号电极具有平面形状。

(10)一种制造显示模块的方法，方法包括：

制造显示装置的步骤，显示装置被配置为使得其中布置有用于显示图像的多个像素的像素区域形成在基板的上表面上并且用于与外部交换与像素有关的信号的装置侧信号电极设置在基板的侧表面上；以及

将显示装置容纳在模块壳体中的步骤，模块壳体具有电连接至装置侧信号电极的壳体侧信号电极。

(11)根据(10)所述的制造显示模块的方法，其中，在制造显示装置的步骤中，制造装置侧信号电极的步骤包括：

将一区域处理成锥形形状的步骤，所述区域与和处于晶片状态的基板中的一个显示装置对应的区域的外圆周相对应；以及

在基板的具有锥形形状的区域中形成与装置侧信号电极对应的布线图案的步骤。

(12)根据(11)所述的制造显示模块的方法，其中，形成在基板上的锥形形状是正锥形形状，该正锥形形状的与基板的面内方向平行的截面的面积从上表面至下表面逐渐地增加。

(13)根据(11)所述的制造显示模块的方法，其中，形成在基板上的锥形形状是倒锥形形状，该倒锥形形状的与基板的面内方向平行的截面的面积从上表面至下表面逐渐地减小。

(14)根据(10)至(13)中任一项所述的制造显示模块的方法，其中，在将显示装置容纳在模块壳体中的步骤中，将显示装置容纳在模块壳体中使得装置侧信号电极向壳体侧信号电极压靠。

此外，本技术还可以被配置成如下。

(1)一种显示装置，包括：

第一基板，被配置为使得其中布置有用于显示图像的多个像素的像素区域形成在上表面上；

第二基板，经由用于粘结第一基板的粘结材料设置在第一基板的上层中并且被配置为对从像素出射的光透明；以及

信号电极，定位在第二基板的上表面上并且被配置为与外部交换与像素有关的信号。

(2)根据(1)所述的显示装置，其中，用于电连接信号电极与第一基板的连接结构包括被设置成在厚度方向上穿透第二基板的第一过孔。

(3)根据(2)所述的显示装置，其中，连接结构包括：

引出布线，在第一基板上方电连接至用于与像素有关的预定信号的布线并且延伸至在第一过孔正下方的部分；以及

连接电极，将第一过孔的下表面电连接至引出布线。

(4)根据(3)所述的显示装置，

其中，粘结材料是定位成在面内方向上包围像素区域并且密封像素区域的密封材料；并且

连接电极在面内方向上定位在密封材料的外侧。

(5)根据(3)所述的显示装置，

其中，粘结材料是定位成在面内方向上包围像素区域并且密封像素区域的密封材料；并且

连接电极在面内方向上定位在密封材料的外侧。

(6)根据(2)所述的显示装置，

其中，每个像素包括被配置成使得第一电极、发光层、以及第二电极按此顺序堆叠的发光元件；并且

其中，连接结构包括：

第一引出电极，被设置成在第一电极的相同层中处于前表面暴露在与第一过孔正下方的部分相对应的位置处的状态并且电连接至用于与像素有关的预定信号的布线；和

连接电极，将第一过孔的下表面电连接至第一引出电极。

(7)根据(2)所述的显示装置，

其中，粘结材料是具有导电性的密封元件并且定位成在面内方向上包围像素区域并且密封像素区域；并且

其中，连接结构被配置为使得通过导电密封材料电连接第一过孔的下表面与第一基板。

(8)根据(2)所述的显示装置，

其中，粘结材料是定位成在面内方向上包围像素区域并且密封像素区域的密封材料；并且

连接结构包括：

第二引出电极，在第一基板上方定位在密封元件正下方并且电连接至用于与像素有关的预定信号的布线；以及

第二过孔，被设置成在第一过孔的正下方在厚度方向上至少穿透密封元件并且到达第二引出电极。

(9)根据(1)所述的显示装置，

其中，粘结材料是定位成在面内方向上包围像素区域并且密封像素区域的密封元件；并且

其中，将信号电极电连接至第一基板的连接结构具有：

第二引出电极，第二引出电极的局部区域定位在位于密封材料的正下方并且另一区域从第一基板上方的密封材料处暴露，并且第二引出电极电连接至用于与像素有关的预定信号的布线；以及

布线，至少沿着第二基板的边缘和密封材料的边缘在第二基板的上表面与第二引出电极之间延伸。

(10)根据(1)至(9)中任一项所述的显示装置，

其中，粘结材料是定位成在面内方向上包围像素区域并且密封像素区域的密封材料；并且

定位在像素区域上方并且与密封材料的内侧对应的空间填充有密封树脂。

(11)一种显示模块，包括：

显示装置，包括：

第一基板，被配置为使得其中布置有用于显示图像的多个像素的像素区域形成在上表面上；

第二基板，经由用于粘结第一基板的粘结材料设置在第一基板的上层中并且被配置为对从像素出射的光透明；以及

装置侧信号电极，定位在第二基板的上表面上并且被配置为与外部交换与像素有关的信号；以及

模块壳体，被配置为容纳显示装置；

其中，经由凸点电连接至装置侧信号电极的壳体侧信号电极位于模块壳体的与装置侧信号电极对应的部位。

(12)一种制造显示装置的方法，方法包括：

形成像素区域的步骤，在像素区域中在第一基板的上表面上布置有用于显示图像的多个像素；以及

经由粘结材料将第二基板粘结至第一基板的上表面的步骤，第二基板对从像素出射的光透明；

其中，在第二基板的上表面上形成有用于与外部交换与像素有关的信号的信号电极。

(13)根据(12)所述的制造显示装置的方法，

其中，用于电连接信号电极与第一基板的连接结构包括被设置成在厚度方向上穿透第二基板的第一过孔；

在将第二基板粘结至第一基板之前执行形成第一过孔和信号电极的步骤；并且

形成第一过孔和信号电极的步骤包括：

在第二基板中形成通孔的步骤；

至少在设置于第二基板中的通孔的侧壁上形成导电材料作为膜的步骤，使得导电材料在第二基板的上表面与下表面之间延伸；以及通过将由导电材料形成的膜图案化成预定的形状而形成电连接至在通孔中形成为膜的导电材料的信号电极的步骤。

(14)根据(12)所述的制造显示装置的方法，

其中，粘结材料是定位成在面内方向上包围像素区域并且密封像素区域的密封材料；并且

用于电连接信号电极与第一基板的连接结构包括：

第一过孔，被设置成在厚度方向上穿透第二基板；

第二引出电极，在第一基板上方定位在密封元件正下方并且电连接至用于与像素有关的预定信号的布线；并且

第二过孔，被设置成在第一过孔的正下方在厚度方向上至少穿透密封材料并且到达第二引出电极。

(15)根据(14)所述的制造显示装置的方法，

其中，在将第二基板粘结至第一基板之后执行形成第一过孔和第二过孔的步骤；并且

形成第一过孔和第二过孔的步骤包括：

在第二基板和包括在第一基板上方的密封材料的堆叠结构中形成到达第二引出电极的通孔的步骤；以及

至少在设置于第二基板中和包括在第一基板上方的密封材料的堆叠结构中的通孔的侧壁上形成导电材料作为膜的步骤，使得导电材料在第二基板的上表面与第二引出电极之间延伸。

(16)根据(15)所述的制造显示装置的方法，其中，在第二基板和包括在第一基板上方的密封材料的堆叠结构中形成通孔的步骤中，通过激光统一形成通孔。

(17)根据(15)所述的制造显示装置的方法，其中，在第二基板和包括在第一基板上方的密封材料的堆叠结构中形成通孔的步骤中，通过激光在第二基板中形成通孔并且通过蚀刻在包括密封材料的堆叠结构中形成通孔。

(18)根据(14)所述的制造显示装置的方法，

其中，在将第二基板粘结至第一基板之前执行形成第一过孔和第二过孔的步骤；并且

其中，形成第一过孔和第二过孔的步骤包括：

在第二基板中形成通孔的步骤；

至少在第二基板的通孔的侧壁上形成导电材料作为膜以从第二基板的上表面延伸至下表面的步骤；

在第一基板上方形成通孔以到达包括密封材料的堆叠结构中的第二引出电极的步骤；并且

至少在包括密封材料的堆叠结构的通孔的侧壁上形成导电材料作为膜以从密封材料的上表面延伸至第二引出电极的步骤；并且

其中，通过将其中形成有第一过孔的第二基板粘结至其中形成有第二过孔的第一基板而形成连接结构，使得第一过孔的下表面与第二过孔的上表面接触。

(19)根据(18)所述的制造显示装置的方法，其中通过激光或钻子在第二基板中形成通孔，并且通过激光或干蚀刻在包括位于第一基板上方的密封材料的堆叠结构中形成通孔。

(20)根据(14)所述的制造显示装置的方法，

其中，形成第一过孔和第二过孔的步骤包括：

在将第二基板粘结至第一基板之前，在第二基板中形成通孔的步骤；

将第一基板粘结至第二基板的步骤；

在包括位于第一基板上方的密封材料的堆叠结构中形成通孔以到达与第二基板的通孔的底部对应的部位中的第二引出电极的步骤；并且

至少在第二基板和包括位于第一基板上方的密封材料的堆叠结构的通孔的侧壁上形成金属材料作为膜以从第二基板的上表面延伸至第二引出电极的步骤。参考标号列表

1，2，3，4，5，6，7，8，9，10，11显示装置

21，22，23，24，25，26，27模块壳体

31，32，33，34，35，36，37显示模块

101第一基板

103第二基板

104布线层

105绝缘膜

107布线层

107a第一电极

107b，129a，137信号电极(装置侧信号电极)

111有机层

113第二电极(布线层)

115有机el元件

117保护膜

119cf层

121密封材料

123密封树脂

127粘结树脂材料

129布线层

131，145引出电极

133引出布线

135过孔

139连接电极

141信号输出布线

143导电密封材料

147通孔

155过孔

165，223，227，231凸点

175过孔

201，211，219壳体主体

203，207，209，213，215，217，221信号电极(壳体侧信号电极)

205fpc。