显示组件及具有该显示组件的光伏幕墙的制作方法

文档序号:20604090发布日期:2020-05-01 21:54阅读:183来源:国知局
显示组件及具有该显示组件的光伏幕墙的制作方法

本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示组件及具有该显示组件的光伏幕墙。



背景技术:

显示组件是光伏幕墙的主要构成部件,透明显示组件具有极高通透性及透明度,与建筑和装修环境融为一体,不影响采光及美观度。

由于铜具有良好的导电性能,所以通常用铜作为显示组件的导电线路。在导电线路的制作过程中,先在玻璃表面镀上一层二氧化硅,再镀上一层铜,再通过蚀刻工序,把导电线路制作出来。在显示组件的使用过程中,导电线路的铜容易与氧气接触而被氧化。由于氧化铜的导电性小于铜的导电性,铜发生氧化导致导电线路的导电性减弱,进而缩短了显示组件的使用寿命。



技术实现要素:

基于此,有必要针对目前显示组件中铜发生氧化导致导电线路的导电性减弱,进而缩短了透明显示组件的使用寿命的问题,提供一种显示组件及具有该显示组件的光伏幕墙。

一种显示组件包括:基板层、电路层以及显示元件。所述电路层包括:导电层和保护层。所述导电层设置于所述基板层的表面。所述保护层设置于所述导电层远离所述基板层的表面。所述显示元件设置于所述电路层的表面,与所述电路层电连接。

在一个实施例中,所述导电层包括附着导电层和增强导电层。所述附着导电层设置于所述基板层的表面。所述增强导电层设置于附着导电层远离所述基板层一侧的表面。

在一个实施例中,所述显示组件还包括隔离层,设置于所述基板层与所述附着导电层之间。

在一个实施例中,所述隔离层远离所述基板层一侧的表面设置为波纹结构或凸起结构。

在一个实施例中,所述保护层的材料为氧化铟锡、氧化铝锌或二氧化锡中的一种。

在一个实施例中,所述保护层的厚度为

一种显示组件的制作方法,包括以下步骤:

在所述基板层的一个表面制备导电层。

在所述导电层远离所述基板层的表面制备保护层。

刻蚀所述保护层和所述导电层形成导电线路。

将显示元件与所述电路层的导电线路连接。

在所述基板层的一个表面制备导电层的步骤包括:

在所述基板层的表面制备附着导电层。

在附着导电层远离所述基板层的表面制备增强导电层。

在所述基板层的一个表面制备导电层的步骤前还包括:在所述基板层靠近所述电路层的表面制备隔离层,对所述隔离层远离所述基板层的表面进行粗糙化处理,形成波纹结构或凸起结构。

一种光伏幕墙包括以上所述的显示组件。

本申请中提供一种显示组件及具有该显示组件的光伏幕墙。所述显示组件通过设置所述保护层,能避免所述导电层的金属直接暴露于空气,进而减小所述导电层与氧气接触的几率。因而所述导电层不易被氧化,因而所述导电层能维持良好的导电性。通过设置所述保护层能有效保护导电层不被氧化,保证所述电路层具有良好的导电性,增加所述显示组件的使用寿命。

附图说明

图1为本申请一个实施例中提供的显示组件的结构示意图;

图2为本申请一个实施例中提供的显示组件的分层结构示意图;

图3为本申请一个实施例中提供的显示组件的波纹结构示意图;

图4为本申请一个实施例中提供的显示组件的制作方法流程图;

图5为本申请另一个实施例中提供的显示组件的制作方法流程图;

图6为本申请另一个实施例中提供的显示组件的制作方法流程图;

图7为本申请一个实施例中提供的光伏幕墙的结构示意图。

附图标号说明:

显示组件10

基板层20

电路层30

狭缝区301

导电层310

附着导电层311

增强导电层312

保护层320

显示元件40

隔离层50

波纹结构501

封装板60

光伏电池板70

通孔701

透明板80

光伏幕墙100

第一粘着层101

第二粘着层102

第三粘着层103

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处描述的具体实施例仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。

请参见图1,一种显示组件10包括:基板层20、电路层30以及显示元件40。所述电路层30包括导电层310和保护层320。所述导电层310设置于所述基板层20的表面。所述保护层320设置于所述导电层40远离所述基板层20的表面。所述显示元件40设置于所述电路层30的表面,与所述电路层30电连接。

所述显示组件10通过设置所述保护层40,能避免所述导电层310的金属直接暴露于空气,进而减小所述导电层310与氧气接触的几率。所述导电层310不与氧气接触,不会氧化成化学性质相对稳定的氧化物,因而所述导电层310能维持良好的导电性。通过设置所述保护层40能有效保护所述导电层310不被氧化,保证所述导电层310具有良好的导电性,增加所述显示组件10的使用寿命。

所述基板层20可以为钢化玻璃、pet或pc等透明材料,也可以为钢板、亚克力板或pvc等不透明材料。在一个实施例中,所述基板层20为钢化玻璃,钢化玻璃具有一定硬度,能够支撑其他材料附着。钢化玻璃具有较高的粘连性,当破碎时,破碎部分可以相互粘连,不会散落,减小伤害。

所述基板层20为后续工序中的材料提供平面支撑结构,也为后续工作提供制作平面。当遇到挤压或碰撞情况时,所述基板层20也起到保护整体结构的作用。在一个实施例中,所述基板层20的厚度可以为10mm-100mm,所述基板层20的厚度可以是30mm-60mm。在一个实施例中,所述基板层20的厚度为30mm,具有很好的透光率和透明度。在一个实施例中,所述基板层20的厚度为60mm,具有较高硬度,提高安全系数,保证使用安全。所述导电层310作用为疏通电流,电流会按照特定线路在所述导电层310流动。所述电路层30可以为导线排布形成的层结构,也可以是导电薄膜。在一个实施例中,所述电路层30为导电薄膜层通过刻蚀形成电路,电薄膜层的厚度小,便于规模化生产和空间排布。

所述导电层310设置于所述基板层20,能够导通电流。在一个实施例中,所述导电层310的材料可以为铜、钼、铝或镍等金属材料。金属材料导电性比相同材料的氧化物的导电性强。由于受工艺限制,所述导电层310会有一段时间与空气接触,发生氧化反应。在封装的过程中,也会有小部分的气体残留,这部分气体也会与金属反应,降低所述导电层310的金属占比,增加金属氧化物的占比。在一个实施例中,所述导电层310的材料为钼,钼的还原性小,与空气接触不易氧化,能够保证整体结构具有稳定的使用性能。所述导电层310的厚度不限,只要能保证导电性能即可。所述导电层310的厚度为由于钼是不透明的材料,只要在厚度非常薄时,才能保证透光率。在一个实施例中,所述导电层40的厚度为不仅具有良好的导电性能,而且,在此厚度范围内,所述导电层40的透光率不小于75%。

所述保护层320可以用于隔离空气,避免空气中的氧气与所述导电层310接触,防止所述导电层310被氧化。在一个实施例中,所述保护层320的材料可以为氧化铟锡、氧化铝锌或二氧化锡等金属氧化物中的一种。在一个实施例中,所述保护层320的材料为氧化铟锡。氧化铟锡的化学性质稳定,不易与所述导电层310发生化学反应,将氧化铟锡作为保护层能够将所述导电层310与空气隔离,保护所述导电层310,使其不被氧化。进而,使所述显示组件10具有良好的导电性,增加了所述显示组件10的使用寿命。所述保护层320的厚度不限,只要能避免空气中的氧气渗透即可。所述保护层320的厚度为在一个实施例中,所述保护层50的厚度为既能够避免氧气与所述导电层310接触,发生氧化反应,又能保证透光率,维持所述显示组件10整体结构的透明度。所述保护层320采用氧化铟锡时,还具有导电的功能。

在一个实施例中,所述导电层310与所述保护层320可以形成并联结构,因而所述电路层30的电阻可以减小,具有更大的电流融通量,增加导电的宽度。所述导电层310与所述保护层320并联,能使所述显示组件10的导电性能增加,显示速率更快,显示界面切换速度更快。所述保护层320能够隔离所述导电层310,避免所述导电层310与空气接触,减小氧化反应的几率。

所述电路层30还可以包括绝缘层,可以设置于所述保护层320的表面。所述显示组件10运行较快时,封装中的气体也带电,空气与所述保护层320接触,会干扰所述保护层320的电流流向和大小,造成所述显示组件10的显示界面不稳定,甚至将外界的电磁感应带入控制机构,造成所述显示组件10被破坏。所述电路层30设置所述绝缘层,能够避免所述保护层320与空气接触,减少磁感效应。

所述显示元件40根据设定发光。在一个实施例中,所述显示元件40可以为led灯。所述一个所述显示元件40可以包括多个发光芯片。所述多个发光芯片用于发出不同颜色的光。所述显示元件40可以为led灯,所述发光芯片可以为led芯片。应理解,所述led芯片由于不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同,所以当电子和空穴复合时释放出的能量不同,因而可以发出的不同波长(即不同颜色)的光。具体地,例如,磷砷化镓led芯片可以发红光,磷化镓led芯片可以发绿光,碳化硅led芯片可以发黄光,铟镓氮led芯片可以发蓝光。具体地,所述led灯可以包括不同颜色的led芯片,所述多个led芯片被单独控制,可以混出不同颜色的光,还可以用于成像。led芯片发出的光纯度高,所以可以广泛应用在显示屏领域。led灯可以使用低压电源,单灯电压在1.9-4v之间,led灯更安全可靠。所述显示元件40通过与所述电路层30连接,获取电能,通过不同的通断电路,达到显示的目的。

请一并参见图2,所述导电层310包括附着导电层311和增强导电层312。所述附着导电层311设置于所述基板层20的表面。所述增强导电层312设置于附着导电层311远离所述基板层20一侧的表面。

所述附着导电层311能够增强所述导电层30附着于所述基板层20的附着能力。所述附着导电层311设置于所述基板层20表面。所述附着导电层311的原子与所述基板层20的原子之间相互作用,形成化学键,增强了所述导电层310的附着能力,减少所述导电层310的脱落。所述增强导电层312能够增强所述导电层30的导电能力。所述增强导电层312的金属中的自由电子活泼,当有电压作用时,电子有方向移动,形成电流,增强所述导电层310的导电性。

在一个实施例中,所述附着导电层311与所述增强导电层312的材料可以相同,也可以不同。当材料相同时,所述附着导电层311的密度可以大于所述增强导电层312的密度。在一个实施例中,所述附着导电层311与所述增强导电层312的材料可以均采用钼,制备过程中,可以使用一套制备工具,节约资源。所述附着导电层311与所述增强导电层312的材料相同,能够保证电流在流经两层的速度相同,两层之间不会产生电位差,保证整体结构的电能稳定性。所述显示组件10还包括隔离层50,设置于所述基板层20与所述附着导电层311之间。

所述隔离层50设置于所述基板层20与所述附着导电层311之间。所述隔离层50能够避免所述附着导电层311的金属被所述基板层20的带电原子浸染。

在一个实施例中,所述基板层20为玻璃材质。玻璃除含有二氧化硅外,还含有na2o和cao。二氧化硅的化学性质稳定,但na2o和cao的化学性质相对活泼,当遇到金属时,氧离子会靠近金属原子,远离钠离子和钙离子。在电子的缓慢迁移中,金属会被逐渐氧化,金属原子与氧离子紧密结合,金属电子的迁移性变差,表现在宏观现象,即为金属的导电性变差。通过将所述隔离层50设置于所述基板层20与所述附着导电层311之间,所述基板层20氧离子不会与所述附着导电层311接触,也就不会与所述附着导电层311的金属结合,通过设置所述隔离层50可以有效避免所述附着导电层311的金属被氧化。通过设置所述隔离层50,使整体结构具有良好的导电性。

在上述实施例中,所述隔离层50的材料可以为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等与玻璃成分接近的材料。在一个实施例中,所述玻璃中的二氧化硅含量为70%左右,同种材质的物质附着力大于其他材料,所述隔离层50与所述基板层20紧密粘连在一起。

在一个实施例中,所述导电层310采用钼时,所述隔离层50采用二氧化硅。所述电路层30的钼与所述隔离层50的二氧化硅的热膨胀系数基本一致,在外界温度变化时,钼能很好附着于所述隔离层50的二氧化硅的表面,避免所述电路层30脱离所述隔离层50。

所述显示组件10通过设置所述附着导电层311与所述隔离层50的紧密结合,实现结构的稳定性;通过设置所述增强导电层312,保证所述显示组件10的良好导电性。

请一并参见图3,所述隔离层50远离所述基板层20一侧的表面设置为波纹结构501或凸起结构。所述波纹结构501或凸起结构,能够增大所述隔离层50与所述附着导电层311的接触面积,增大静摩擦力。所述附着导电层311的体积一定,粘接面积越大,附着能力越大。所述波纹结构501或凸起结构使得,所述附着导电层311和所述增强导电层312能够紧密结合于所述隔离层50。请一并参见图4,本申请实施例还提供一种显示组件的制作方法,包括以下步骤:

在所述基板层20的一个表面制备导电层310。

在所述导电层310远离所述基板层20的表面制备保护层320。

刻蚀所述保护层320和所述导电层310形成导电线路;

将所述导电线路与显示元件60电连接。

所述显示组件10通过在所述导电层310远离所述基板层20的表面制备所述保护层320,能避免所述导电层310的金属直接暴露于空气,进而减小所述导电层310与氧气接触的几率。所述导电层310不与氧气接触,不会氧化成化学性质相对稳定的氧化物,因而,所述导电层310能维持良好的导电性。通过在所述导电层310的表面制备保护层320,能有效保护所述导电层310不被氧化,保证所述导电层310具有良好的导电性,增加所述显示组件10的使用寿命。

所述导电层310和所述保护层320的制备均采用磁控溅射镀膜的方法。磁控溅射镀膜:稀薄气体的等离子体在电场的作用下,对阴极靶材表面进行轰击,把靶材表面的分子、原子、离子及电子等溅射出来,被溅射出来的粒子带有一定的动能,沿一定的方向射向基体表面,在基体表面形成镀层。磁控溅射镀膜速度快,膜层致密,附着性好等特点,适合大批量、高效率工业生产。

在一个实施例中,所述导电层310可以采用磁控溅射法制备。在磁控溅射过程中,采用溅射靶材为钼陶瓷靶材,溅射的氛围为氩气与氧气的混合气,采用磁控溅射法制备钼薄膜时,在溅射气氛中添加氧气参与溅射可以有效的调节薄膜中的化学配比,减少氧空位缺陷,减小载流子浓度,并提高电阻率。控制溅射气氛中氩气与氧气的体积比在5:1到25:1的范围内,得到的钼薄膜空位缺陷少,载流子浓度低,电阻高,所述导电层310的厚度为本申请一个实施例中用到的所述导电层310为钼,采用本申请的制备方法制备的所述钼的禁带宽度为3.23v,采用本申请中磁控溅射的方法制备的所述导电层310具有较好的附着力和结合力。在一个实施例中,通过磁控溅射镀制钼膜层,镀膜室传动节拍:200s-350s;镀膜室内辐射温度:80℃-110℃;真空度:3.0×10-2pa-5×10-2pa;溅射功率:5000w-9000w;钼层的厚度:以保证钼层的方阻<3ω-4ω/mm2

在一个实施例中,所述保护层320采用磁控溅射法制备。在磁控溅射过程中,采用溅射靶材为氧化铟锡陶瓷靶材,溅射功率为150w-250w,溅射的氛围为氩气与氧气的混合气,采用磁控溅射法制备氧化铟锡薄膜时,在溅射气氛中添加氧气参与溅射可以有效的调节薄膜中的化学配比,减少氧空位缺陷,减小载流子浓度,并提高电阻率。控制溅射气氛中氩气与氧气的体积比在2:1到10:1的范围内,得到的氧化铟锡薄膜氧空位缺陷少,载流子浓度低,电阻高,所述保护层320的厚度为本申请一个实施例中用到的所述保护层320为氧化铟锡,采用本申请的制备方法制备的所述氧化铟锡的禁带宽度为3.23v,采用本申请中磁控溅射的方法制备的所述保护层320具有较好的附着力和结合力。在一个实施例中,通过磁控溅射镀制氧化铟锡,镀膜室传动节拍:50s-150s;镀膜温度:300℃-450℃;真空度:3.0×10-1pa-4.5×10-1pa;氧化铟锡溅射功率:8500w-9000w;o2流量为100sccm-130sccm、ar流量为200sccm-220sccm;氧化铟锡膜厚氧化铟锡膜的方阻为40ω/mm2-100ω/mm2

请一并参见图5,在一个实施例中,所述导电层310和所述保护层320制备完成后,进行刮胶、曝光、显影、蚀刻等工序后,形成导电线路,导电线路的两端分别与所述显示组件60和驱动控制器连接。在刻蚀过程中,在所述导电层310和所述保护层320会产生狭缝区301,所述狭缝区301的宽度为16mm-200mm,所述导电线路的宽度为0.2mm-0.4mm。

所述基板层20的一个表面制备导电层310的步骤包括:

在所述基板层20的表面制备附着导电层311。

在附着导电层311远离所述基板层20的表面制备增强导电层312。

在所述基板层20的表面制备所述附着导电层311可以用于增强所述导电层310的附着力。在制备所述附着导电层311的过程中,所述附着导电层311的原子与所述基板层20的原子之间相互作用,形成化学键,增强了所述导电层310附着于所述基板层20表面的能力,减少所述导电层310的脱落。

在附着导电层311远离所述基板层20的表面制备所述增强导电层312可以用于增强所述导电层310的导电能力。所述增强导电层312由于受到所述附着导电层311的保护,所述增强导电层312中的自由电子不被所述基板层20的带电原子束缚,所述增强导电层312有负载电压作用时,电子有方向移动速度较快,所述导电层310的导电性较强。

所述附着导电层311和所述增强导电层312的制备均可以采用磁控溅射的方法。

在一个实施例中,因为所述导电层310的钼附着力随溅射功率增大和工作气压减小而变小,所以所述导电层310与所述基板层20的接触面通常设置高附着力钼。所以在整个镀膜的过程中,通过控制磁控溅射的功率,来调整钼层的物理特性。在最初镀制过程中,我们采用大功率、低气压的方式,来获得高附着力、低电导率的膜层,即为所述附着导电层311,所述附着导电层311的镀制真空度:3.0×10-2pa-4×10-2pa;溅射功率:7000w-9000w;所述附着导电层311的厚度为镀制的过程中,逐渐减小功率、增加气压,来获得高电导率的膜层,即为增强导电层312,所述附着导电层311的镀制真空度:4.0×10-2pa-5×10-2pa;溅射功率:5000w-7000w;所述附着导电层311的厚度为所述附着导电层311和所述增强导电层312,能够保证所述导电层310具有良好的附着力和电导率。

请一并参见图6,在所述基板层20的一个表面制备导电层310的步骤前还包括:

在所述基板层20靠近所述电路层30的表面制备隔离层50,对所述隔离层50远离所述基板层20的表面粗糙化处理,形成波纹结构501或凸起结构。

所述基板层20与所述附着导电层311之间制备所述隔离层50,能够避免所述附着导电层311的金属被所述基板层20的带电原子浸染,保证所述导电层的导电性。所述隔离层的制备也采用磁控溅射法,磁控溅射镀膜速度快,膜层致密,附着性好。

在所述隔离层50表面制备所述波纹结构501或凸起结构,能够增大所述隔离层50与所述附着导电层311的接触面积,增大静摩擦力。所述附着导电层311的体积一定,粘接面积越大,附着能力越大。所述波纹结构501或凸起结构使得所述导电层310能够紧密结合于所述隔离层50。

请一并参见图7,本申请实施例还提供一种光伏幕墙100。所述光伏幕墙100包括以上所述的显示组件10。所述光伏幕墙100还包括封装面板60、光伏电池板70以及透明面板80。

所述显示组件10通过第一粘着层101粘接于所述封装面板60的表面。所述光伏电池板70通过第二粘着层102粘接于所述显示组件10远离所述封装面板60的表面。所述透明面板80通过第三粘着层103粘接于所述光伏电池板70远离所述显示组件10的表面。在一个实施例中,在所述光伏电池板70与所述显示元件40对应的位置开设通孔701,以便所述显示元件40的光射出。将所述光伏电池板70设置于所述显示组件10的发光面,可以避免将所述显示组件10前置遮挡所述光伏电池板70,而造成热斑效应。热板效应是指由于局部遮挡的存在,使所述光伏电池板120中某些电池单片的电流、电压发生了变化,从而在所述光伏电池板70上产生局部温升,严重影响所述光伏电池板70的安全性和使用寿命。因此,将所述光伏电池板70设置于所述显示组件10的前端,使所述光伏电池板70不受所述显示组件10遮挡,可以有效避免热斑效应,从而提高所述光伏电池板70的安全性,延长所述光伏电池板70的使用寿命。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

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