多级驱动器、显示装置及电子设备的制作方法

文档序号:16011329发布日期:2018-11-20 20:46阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种具有温度传感功能的多级驱动器,包括多级驱动单元,其特征在于:

每级驱动单元包括移位寄存器单元、第二输入端、第二输出端和反向器电路,所述第二输入端电耦接至所述反向器电路的输入端,所述第二输出端电耦接至所述反向器电路的输出端;

除第一级驱动单元外,每级驱动单元的第二输入端电耦接至前一级驱动单元的第二输出端;

所述第一级驱动单元的第二输入端电耦接至最后一级驱动单元的第二输出端。

2.如权利要求1所述的多级驱动器,其特征在于,所述反向器电路包括第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管,其中:

所述第一NMOS晶体管的源极和栅极与第一电源电耦接;

所述第一NMOS晶体管的漏极与所述第二NMOS晶体管的漏极电耦接;

所述第二NMOS晶体管的源极与第二电源电耦接;

所述反向器电路的输入端电耦接至所述第二NMOS晶体管的栅极;

所述反向器电路的输出端电耦接至所述第二NMOS晶体管的漏极。

3.如权利要求1所述的多级驱动器,其特征在于,所述反向器电路包括第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管,其中:

所述第一PMOS晶体管的源极与第一电源电耦接;

所述第一PMOS晶体管的漏极与所述第一NMOS晶体管的漏极电耦接;

所述第一NMOS晶体管的源极与第二电源电耦接;

所述反向器电路的输入端电耦接至所述第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管的栅极;

所述反向器电路的输出端电耦接至所述第一NMOS晶体管的漏极。

4.如权利要求2或3所述的多级驱动器,其特征在于,所述第一电源为高电平电源,所述第二电源为低电平电源或地电源。

5.如权利要求1所述的多级驱动器,其特征在于,所述反向器电路独立于所述移位寄存器单元。

6.如权利要求1所述的多级驱动器,其特征在于,所述反向器电路与所述移位寄存器单元基于同一半导体工艺。

7.一种显示装置,其特征在于,包括:

如权利要求1-6中任一项所述的多级驱动器,配置为用作栅极驱动器;

温度检测模块,与所述多级驱动器的任一级驱动单元的第二输出端电耦接以接收来自所述任一级驱动单元的第二输出端的频率信号,并将所述频率信号转换为温度信号。

8.如权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述温度检测模块配置为根据预置的温度频率关系模型将频率信号转换为温度信号。

9.如权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述温度检测模块包括温控IC或FPGA模块。

10.一种电子设备,其特征在于,包括:

如权利要求1-6中任一项所述的多级驱动器;

温度检测模块,与所述多级驱动器的任一级驱动单元的第二输出端电耦接以接收来自所述任一级驱动单元的第二输出端的频率信号,并将所述频率信号转换为温度信号。

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