电子装置的制作方法

本发明是有关于一种电子装置，特别是一种能够减少色偏的发光元件电子装置。

背景技术：

现今常见的发光元件驱动方式主要可以分成被动式(passivematrix，pm)及主动式(activematrix，am)。主动式的驱动方法虽然制程较为复杂，但是每一个像素都可以连续且独立驱动，并且可记忆驱动信号，而不需长时间在高脉冲电流下操作，因此相较于被动式的驱动方法，效率较高，发光元件电子装置的使用寿命也可延长。

在现有技术中，主动式的驱动方法主要会通过不同大小的驱动电流来驱动发光元件，使得发光元件能够发出不同亮度的光。举例来说，在显示面板的每个帧周期中，显示面板会持续地以对应的驱动电流来驱动发光元件，并在下一个帧周期中以更新后的驱动电流来驱动发光元件，使得发光元件能够呈现出每张画面所需的亮度。在此情况下，当发光元件所要呈现的亮度较低时，就需利用较小的驱动电流来驱动发光元件。然而，在利用小电流驱动发光元件时，发光元件所发出的光很容易随着电流变化出现明显的色偏，因此导致画面质量不佳。

技术实现要素：

本发明的一实施例提供一种电子装置。电子装置包括基板及设置在基板上的多个发光元件驱动电路。

多个发光元件驱动电路中的至少一第一发光元件驱动电路包括第一开关元件及脉冲调制单元。第一开关元件具有第一端及第二端，且第一开关元件的第一端耦接于比较信号线。脉冲调制单元具有第一端与第二端，脉冲调制单元的第一端耦接于第一数据线，而脉冲调制单元的第二端耦接于第一开关元件的第二端。

附图说明

图1是本发明的实施例的电子装置的示意图。

图2是图1的发光元件驱动电路在显示不同亮度时，驱动电流驱动发光元件的发光周期示意图。

图3是图1的脉冲调变单元及开关元件的示意图。

图4是图3的脉冲调变单元的信号波形图。

图5是本发明的另一实施例的脉冲调变单元的示意图。

图6是图5的脉冲调变单元的信号波形图。

图7是本发明一实施例的电子装置示意图。

图8是本发明另一实施例的电子装置示意图。

图9是本发明再一实施例的电子装置示意图。

附图标记说明：10、20、30、40-电子装置；12、22、32、42-基板；sc1至scm-扫描线；dta1至dtan-第一数据线；dtb1至dtbn-第二数据线；dtc1至dtcn-第三数据线；100(1,1)至100(m,n)、200(1,1)至200(m,n)、300(1,1)至300(m,n)、400(1,1)至400(m,n)-发光元件驱动电路；110-发光元件；120、420-电流输出单元；122-取样开关；124-第一存储元件；126-驱动元件；128-阈值电压补偿元件；130-电流开关单元；140、240、340-脉冲调变单元；150、160、250、260-开关元件；t1a、t2a、t1b、t2b、t1c、t2c-时段；142-比较器；144-电压移位电路；242-比较器；244-波形整形器；m1a至m17a、m1b至m7b-晶体管；c1a-第一储存元件；c1b-第二储存元件；inv、inv1、inv2、inv3、inv4-反相器；vr1-第一系统电压；vr2-第二系统电压；sigdta1至sigdtan、sigdtc1至sigdtcn-发光数据信号；sigdtb1至sigdtbn-预定数据信号；sigsc1至sigscm-扫描信号；sigem1至sigemm-发光控制信号；sigsc1b-反相扫描信号；sigem1b-反相发光控制信号；sigcpa、sigcpb、sigcp-比较信号；sigcs1至sigcsn-变动比较信号；sigpwm-发光周期调变信号；sigrst1至sigrstn-重置信号；sigclk0、sigclk1-时钟信号；nand-与非闸；rst1至rstn-重置信号线；vgh-高操作电压；vgl-低操作电压；24、34、44-波形产生单元；36、46-信号电压驱动电路；28、38、48-电路板。

具体实施方式

图1是本发明书实施例的电子装置10示意图，电子装置10包括基板12，基板12上可设置多条扫描线sc1至scm、多条第二数据线dtb1至dtbn、多条第一数据线dta1至dbtn、多条发光控制线em1至emm、多条比较信号线cs1至csn及多个发光元件驱动电路100(1,1)至100(m,n)，其中m及n可以是正整数。

在本发明的有些实施例中，多个发光元件驱动电路100(1,1)至100(m,n)可具有相同的结构并可根据相同的原理操作。在图1中，发光元件驱动电路100(1,1)至100(m,n)可以阵列的方式排列，并分别耦接至对应的多条扫描线sc1至scm、多条第二数据线dtb1至dtbn、多条第一数据线dta1至dbtn、多条发光控制线em1至emm及比较信号线cs1至csn。

在有些实施例中，耦接可以是两个元件之间为直接电性连接，或者两个元件之间存在一第三元件，则该两个元件之间为间接电性连接。未避免重复叙述，以下实施例皆适用本实施例中耦接的定义。此外，在本发明中所使用的编号，例如第一晶体管、第二晶体管、第一存储元件、第二存储元件等用语中的编号只是用以区隔各个元件，而并非用以限定元件本身，也并非用以限定元件之间的顺序。

在另一实施例中，多个发光元件驱动电路100(1,1)至100(m,n)并不限定于只能以阵列方式排列，也可根据电子装置10的外观更改设计，举例来说，当电子装置10的外观为圆形、椭圆形或任意形状，则多个发光元件驱动电路100(1,1)至100(m,n)于中心区域可为一阵列方式排列，非中心区域可为一非阵列方式排列(例如:交错排列)，而非中心区域可为电子装置10的外围区域，但上述仅是举例并非限定。

多条扫描线sc1至scm可以分别传送多个扫描信号sigsc1至sigscm以使对应的发光元件驱动电路100(1,1)至100(m,n)分别接收扫描数据电压。多条第二数据线dtb1至dtbn可以分别传送多个预定数据信号sigdtb1至sigdtbn。在本发明的实施例中，多个预定数据信号sigdtb1至sigdtbn可分别具有固定电压，因此可以使对应的发光元件驱动电路100(1,1)至100(m,n)中各自的发光元件110能够以固定的驱动电流发光。在有些实施例中，固定电压或固定的驱动电流实际上可能并非完全不变的常数值，而可能会随时间改变有些微变化，例如变化的幅度是在该预定数据信号的数值的正负10％以内的电压或驱动电流，在本发明中也可被视为实质上固定的电压或者固定的驱动电流，而该预定数据信号的数值可以是预定的理想电压值或驱动电流值，上述举例并非用以限定。

多条第一数据线dta1至dtan可以分别传送多个发光数据信号sigdta1至sigdtan，而多条比较信号线cs1至csn可以分别传送多个变动比较信号sigcs1至sigcsn。在本发明的实施例中，发光数据信号sigdta1至sigdtan的电压可以分别对应到发光元件驱动电路100(1,1)至100(m,n)中发光元件110的发光亮度，例如发光元件的一最大发光亮度、一最低发光亮度或者一预定发光亮度，上述举例并非用以限定，而根据发光数据信号sigdta1至sigdtan及其对应的变动比较信号sigcs1至sigcsn的比较结果就可以控制对应的发光元件驱动电路100(1,1)至100(m,n)的发光周期。发光控制线em1至emm可以传送发光控制信号sigem1至sigemm，以控制发光元件驱动电路100(1,1)至100(m,n)的发光时机。

在有些实施例中，发光周期可为一单位周期时间内，发光元件110实际的发光时间占该单位周期时间的比例，该发光周期的占比并不限定，用户可以根据电子装置10中多个发光元件110的整体色偏均匀性，而分别调整发光元件驱动电路100(1,1)至100(m,n)各自的发光周期，上述举例并非用以限定。

在其他有些实施例中，发光元件110可以是有机发光二极管(oled)、量子点发光二极管(quantumdot)、次毫米发光二极管(miniled)或微发光二极管(microled)、其中多个电子装置10可组合而成一拼接式电子装置(tiledelectronicdevice)，多个电子装置10并不限定只能使用单一类型的发光元件110，亦可使用不同类型的发光元件110，上述举例并非用以限定。

此外，在有些实施例中，至少一个发光元件驱动电路100(1,1)可包括发光元件110、电流输出单元120、电流开关单元130及脉冲调变单元140、开关元件150。电流输出单元120可耦接于扫描线sc1及第二数据线dtb1，并可根据扫描信号sigsc1及预定数据信号sigdtb1产生固定大小的驱动电流id。发光元件110则可由驱动电流id驱动而发光。

开关元件150具有第一端及第二端，开关元件150的第一端可耦接于比较信号线cs1以接收变动比较信号sigcs1。脉冲调变单元140具有第一端与第二端，脉冲调变单元140的第一端可耦接于第一数据线dta1以接收发光数据信号sigdta1，而脉冲调变单元140的第二端可耦接于开关元件150的第二端。在有些实施例中，发光元件驱动电路100(1,1)还可包含开关元件160，而脉冲调变单元140的第一端可通过开关元件160耦接至第一数据线dta1。在图1中，开关元件150及160可以分别根据发光控制信号sigem1及扫描信号sigsc1来控制脉冲调变单元140在适当的时间接收变动比较信号sigcs1及发光数据信号sigdta1，而脉冲调变单元140可对应地比较发光数据信号sigdta1及变动比较信号sigcs1以产生发光周期调变信号sigpwm。

电流开关单元130可耦接于脉冲调变单元140、电流输出单元120及发光元件110。电流开关单元130可接收发光周期调变信号sigpwm，并根据发光周期调变信号sigpwm来调变发光元件110所接受驱动电流id而产生对应的发光周期。

在发光元件驱动电路100(1,1)中，电流输出单元120会根据具有固定电压的扫描信号sigsc1来产生驱动电流id，并通过电流开关单元130来控制发光元件110的发光周期。图2是发光元件驱动电路100(1,1)在显示不同亮度时，驱动电流id驱动发光元件110的发光周期示意图。在有些实施例中，驱动电流id的大小可以是根据一特定时段(例如为t1a或t2a)内的所有驱动电流的强度积分来计算所得。

在图2中，发光元件驱动电路100(1,1)在时段t1a中所显示的亮度较亮，此时驱动电流id驱动发光元件110的发光周期占比较大。相较之下，发光元件驱动电路100(1,1)在时段t2a中所显示的亮度较暗，此时驱动电流id驱动发光元件110的发光周期占比则较小。然而，不论在时段t1a或t2a，驱动电流id的大小都维持固定。也就是说，即使在亮度较暗的情况下，发光元件110仍然会以适当的驱动电流id来驱动，因此可以减少发光元件110因为操作在低驱动电流而产生色偏的情况。

在本发明的有些实施例中，多个预定数据信号sigdtb1至sigdtb2的固定电压可以根据发光元件110的特性来设定，也就是说，通过选择适当的预定数据信号sigdtb1至sigdtb2，就可以确保电流输出单元120产生适当的驱动电流id，并使发光元件110操作在无色偏的状态。

在图1中，电流输出单元120可包括取样开关122、第一存储元件124及驱动元件126。

取样开关122具有第一端、第二端及控制端，取样开关122的第一端耦接于第二数据线dtb1，而取样开关122的控制端耦接于扫描线sc1。在图1中，取样开关122可例如包括晶体管，在有些实施例中，该晶体体管可以是为非晶硅晶体管(amorphousthin-filmtransistor)、低温多晶硅晶体管(lowtemperaturepolysiliconthin-filmtransistor)或金属氧化物晶体管(metal-oxidethin-filmtansistor)，上述仅是举例并非限定。

第一存储元件124具有第一端及第二端，第一存储元件124的第一端耦接于取样开关122的第二端，第一存储元件124的第二端用以接收第一系统电压vr1。在图1中，第一存储元件124可例如包括电容、内存或任何可储存电荷或电压的元件皆可适用，上述仅是举例并非限定。

驱动元件126具有第一端、第二端及控制端，驱动元件126的第一端耦接于第一存储元件124的第二端，驱动元件126的第二端用以输出驱动电流id，及驱动元件126的控制端耦接于取样开关122的第二端。在图1中，驱动元件126可例如包括晶体管。

在此情况下，当发光元件驱动电路100(1,1)进行扫描时，扫描信号sigsc1会将取样开关122导通，使得第一存储元件124能够接收到第二数据线dtb1上的预定数据信号sigdtb1，并在驱动元件126的第一端及控制端之间产生对应的偏压，进而使得驱动元件126产生对应大小的驱动电流id。

此外，由于制程上难以控制的差异，在不同发光元件驱动电路100(1,1)至100(m,n)中，驱动元件126根据相同的偏压所产生的驱动电流也可能会有所不同。在图1中，电流输出单元120还可包括阈值电压补偿元件128，阈值电压补偿元件128可耦接于驱动元件126的控制端，并且可以补偿驱动元件126的阈值电压，使得不同发光元件驱动电路100(1,1)至100(m,n)中的驱动元件126能够根据相同的偏压产生相近的驱动电流。

图3是本发明实施例的发光元件驱动电路100(1,1)的脉冲调变单元140、开关元件150及160的示意图。脉冲调变单元140可包括比较器142及电压移位电路144。

比较器142具有第一输入端、第二输入端、第一输出端及第二输出端。比较器142的第一输入端耦接于脉冲调变单元140的第一端且以通过第二开关元件160接收发光数据信号sigdta1，比较器142的第二输入端耦接于脉冲调变单元140的第二端以通过第一开关元件150接收变动比较信号sigcs1，而比较器142可以比较发光数据信号sigdta1及变动比较信号sigcs1以通过比较器142的第一输出端及第二输出端分别输出彼此电压振幅反相的第一比较信号sigcpa及第二比较信号sigcpb。电压移位电路144耦接于比较器142的第一输出端及第二输出端，用以将第一比较信号sigcpa及第二比较信号sigcpb的电位偏移以产生发光周期调变信号sigpwm。

在有些实施例中，电压移位电路144可将比较器142的第一输出端及第二输出端加以整形或调整输出，举例来说，比较器142的第一输出端或第二输出端的波形若接近方波信号，则该方波信号的上升曲线或下降曲线可能会存在有振幅波动(ripple)，而通过电压移位电路144便可将该方波信号整形成为较理想的方波信号，也就是说，该方波信号的上升曲线或下降曲线将具有较小的振幅波动，但上述举例并非用以限定。

比较器142可包括第一晶体管m1a至第七晶体管m7a。第一晶体管m1a具有第一端、第二端及控制端，第一晶体管m1a的第一端可接收第一系统电压vr1，第一晶体管m1a的第二端耦接于比较器142的第一输出端，而第一晶体管m1a的控制端耦接于第一晶体管m1a的第一端。

第二晶体管m2a具有第一端、第二端及控制端，第二晶体管m2a的第一端用以接收第一系统电压vr1，而第二晶体管m2a的第二端耦接于第一晶体管m1a的第二端，第二晶体管m2a的控制端耦接于比较器142的第二输出端。

第三晶体管m3a具有第一端、第二端及控制端，第三晶体管m3a的第一端可接收第一系统电压vr1，第三晶体管m3a的第二端耦接于第二晶体管m2a的控制端，而第三晶体管m3a的控制端耦接于第三晶体管m3a的第一端。

第四晶体管m4a具有第一端、第二端及控制端，第四晶体管m4a的第一端可接收第一系统电压vr1，第四晶体管m4a的第二端耦接于第二晶体管m2a的控制端，而第四晶体管m4a的控制端耦接于第二晶体管m2a的第二端。

第五晶体管m5a具有第一端、第二端及控制端，第五晶体管m5a的第一端耦接于第一晶体管m1a的第二端，而第五晶体管m5a的控制端耦接于比较器142的第一输入端。

第六晶体管m6a具有第一端、第二端及控制端，第六晶体管m6a的第一端耦接于第三晶体管m3a的第二端，第六晶体管m6a的第二端耦接于第五晶体管m5a的第二端，而第六晶体管m6a的控制端耦接于比较器142的第二输入端。

第七晶体管m7a具有第一端、第二端及控制端，第七晶体管m7a的第一端耦接于第五晶体管m5a的第二端，而第七晶体管m7a的控制端用以接收重置信号sigrst。

此外，在图3的实施例中，比较器142还可包括第十晶体管m10a。第十晶体管m10a具有第一端、第二端及控制端，第十晶体管m10a的第一端耦接于第七晶体管m7a的第二端，第十晶体管m10a的第二端可以接收第二系统电压vr2，而第十晶体管m10a的控制端可以接收反相发光控制信号sigem1b。然而，在有些实施例中，比较器142也可省略第十晶体管m10a，在此情况下，第七晶体管m7a的第二端则可接收第二系统电压vr2。

在本发明的有些实施例中，第一系统电压vr1可高于第二系统电压vr2，举例来说，第一系统电压vr1可以例如但不限于是系统中的操作电压，而第二系统电压vr2可例如但不限于是系统中的接地电压。此外，反相发光控制信号sigem1b与发光控制信号sigem1可以是具有反相的电压振幅两个信号。

在图1的实施例中(也可同时参阅图3)，开关元件160可包括第八晶体管m8a与第一储存元件c1a，而开关元件150可包括第九晶体管m9a。

第八晶体管m8a具有第一端、第二端及控制端，第八晶体管m8a的第一端可耦接于第一数据线dta1，第八晶体管m8a的第二端耦接于脉冲调变单元140的第一端，而第八晶体管m8a的控制端耦接于扫描线sc1，可接收扫描信号sigsc1。

第一储存元件c1a具有第一端及第二端，第一储存元件c1a的第一端耦接于第八晶体管m8a的第二端，而第一储存元件c1a的第二端可接收第二系统电压vr2。

第九晶体管m9a具有第一端、第二端及控制端，第九晶体管m9a的第一端可耦接于比较信号线cs1，第九晶体管m9a的第二端耦接于开关元件150的第一端，而第九晶体管m9a的控制端耦接于发光控制线em1，可接收发光控制信号sigem1。

此外，在有些实施例中，比较器142还可包括第十一晶体管m11a。第十一晶体管m11a具有第一端、第二端及控制端，第十一晶体管m11a的第一端可接收第一系统电压vr1，第十一晶体管m11a的第二端耦接于比较器142的第二输出端，而第十一晶体管m11a的控制端可接收反相发光控制信号sigem1b。

此外，在图3的实施例中，第一晶体管m1a、第三晶体管m3a、第五晶体管m5a、第六晶体管n6a、第七晶体管m7a及第十晶体管m10a可例如是n型晶体管，而第二晶体管m2a、第四晶体管m4a、第八晶体管m8a、第九晶体管m9a及第十一晶体管m11a可例如是p型晶体管。

在有些实施例中，由于变动比较信号sigcs1可以由外部的波形产生器持续产生，并可供给基板12上所有的发光元件驱动电路100(1,1)至100(m,n)共享，因此发光元件驱动电路100(1,1)中的比较器142可以通过第一开关元件150的第九晶体管m9a或第二开关元件160中的第八晶体管m8a来控制比较器142进行比较的时机。

图4是脉冲调变单元140的信号波形图。在时段t1b中，扫描信号sigsc1可处于低电位，并可导通第八晶体管m8a，使得发光数据信号sigdta1将第一储存元件c1a充电至对应的电位。接着在时段t2b中，扫描信号sigsc1可变为高电位，而发光控制信号sigem1可处于低电位并导通第九晶体管m9a。此外，重置信号sigrst可处于高电位并导通第七晶体管m7a，而反相发光控制信号sigem1b则可处于高电位并导通第十晶体管m10a。如此一来，在时段t2b中，第五晶体管m5a及第六晶体管m6a就会根据发光数据信号sigdta1及变动比较信号sigcs1的电位高低而产生大小相异的电流，并且改变第二晶体管m2a及第四晶体管m4a的偏压，最终输出电压振幅反相的第一比较信号sigcpa及第二比较信号sigcpb。

此外，在有些实施例中，当发光控制信号sigem1具有高电位而将第九晶体管m9a截止时，反相发光控制信号sigem1b会具有低电位并会将第十晶体管m10a截止，并将第十一晶体管m11a导通，此时第十一晶体管m11a会将比较器142的第二输出端的电位固定在第一系统电压vr1，以免电压移位电路144产生错误的发光周期调变信号sigpwm，而脉冲调变单元140也会停止作动。

当发光数据信号sigdta1的电位小于变动比较信号sigcs1的电位时，第六晶体管m6a将会比第五晶体管m5a被更大程度地导通，并且产生较大的电流，使得比较器142的第二输出端所输出的第二比较信号sigcpb被拉低至接近第二系统电压vr2，此时第二晶体管m2a会被导通，而第一比较信号sigcpa则会被拉升至接近第一系统电压vr1。反之，随着变动比较信号sigcs1的电位逐渐降低，当发光数据信号sigdta1的电位大于变动比较信号sigcs1的电位时，第五晶体管m5a会比第六晶体管m6a被更大程度地导通，并且产生较大的电流，使得比较器142的第一输出端所输出的第一比较信号sigcpa被拉低至接近第二系统电压vr2，而第二比较信号sigcpb则会被拉升至接近第一系统电压vr1。此外，在图4中，变动比较信号sigcs1具有类似锯齿波的波形，且上升沿的电位变化较为平缓，而非急遽持续地上升，然而本发明并不以图4中变动比较信号sigcs1的波形为限。在本发明的其他实施例中，变动比较信号sigcs1的上升沿也可以是实质上垂直上升，也就是减少电压振幅波动效应，甚至到可忽略电压振幅波动效应的情况，以提升比较器142的输出信号及转换电位时的效率。此外，设计者也可选择其他波形的变动比较信号sigcs1，例如但不限于弦波信号。比较器142产生了第一比较信号sigcpa及第二比较信号sigcpb之后，电压移位电路144可进一步调整第一比较信号sigcpa及第二比较信号sigcpb的电位及波形，并产生所需的发光周期调变信号sigpwm。

在图3中，电压移位电路144可包括第十二晶体管m12a至第十七晶体管m17a及反相器inv。第十二晶体管m12a具有第一端、第二端及控制端，第十二晶体管m12a的第一端可接收第一系统电压vr1，而第十二晶体管m12a的控制端耦接于比较器142的第一输出端。

第十三晶体管m13a具有第一端、第二端及控制端，第十三晶体管m13a的第一端可接收第一系统电压vr1，而第十三晶体管m13a的控制端耦接于比较器142的第二输出端。

第十四晶体管m14a具有第一端、第二端及控制端，第十四晶体管m14a的第一端耦接于第十二晶体管m12a的第二端，而第十四晶体管m14a的控制端耦接于第十三晶体管m13a的第二端。

第十五晶体管m15a具有第一端、第二端及控制端，第十五晶体管m15a的第一端耦接于第十三晶体管m13a的第二端，而第十五晶体管m15a的控制端耦接于第十二晶体管m12a的第二端。

第十六晶体管m16a具有第一端、第二端及控制端，第十六晶体管m16a的第一端耦接于第十四晶体管m14a的第二端，第十六晶体管m16a的第二端可接收第二系统电压vr2，而第十六晶体管m16a的控制端耦接于第十二晶体管m12a的控制端。

第十七晶体管m17a具有第一端、第二端及控制端，第十七晶体管m17a的第一端耦接于第十五晶体管m15a的第二端，第十七晶体管m17a的第二端可接收第二系统电压vr2，而第十七晶体管m17a的控制端耦接于第十三晶体管m13a的控制端。

反相器inv具有输出端及输出端，反相器inv的输入端耦接于第十二晶体管m12a的第二端，而反相器inv的输出端可输出发光周期调变信号sigpwm。

在图3的实施例中，第十二晶体管m12a及第十三晶体管m13a可以是p型晶体管，而第十四晶体管m14a、第十五晶体管m15a、第十六晶体管m16a及第十七晶体管m17a可以是n型晶体管。通过第十二晶体管m12a至第十七晶体管m17a及反相器inv就可将第一比较信号sigcpa及第二比较信号sigcpb的波形调整得更加锐利以使发光周期调变信号sigpwm更加接近脉冲调变信号。

此外，在图3中，第十六晶体管m16a及第十七晶体管m17a可以实时地根据第一比较信号sigcpa及第二比较信号sigcpb来产生下拉电流，使得发光周期调变信号sigpwm中的上升沿及下降沿更接近垂直，进而增加发光元件110于不同亮度(例如可以是灰阶)的分辨率。然而在有些实施例中，在发光周期调变信号sigpwm的波形已能满足需求的情况下，也可将第十六晶体管m16a及第十七晶体管m17a省略，并使第十四晶体管m14a及第十五晶体管m15a各自的第二端接收第二系统电压vr2。

由于脉冲调变单元140可以比较发光数据信号sigdta1及变动比较信号sigcs1以产生具有对应占空比(dutycycle)的发光周期调变信号sigpwm，因此发光元件驱动电路100(1,1)可以利用发光周期调变信号sigpwm调整发光元件110的发光时间长短，并达到呈现不同亮度的效果。在此情况下，由于发光元件驱动电路100(1,1)中的发光元件110可利用固定的驱动电流id来驱动，因此可以减少发光元件110产生色偏的情况。

再者，在本发明的有些实施例中，由于在基板12上，耦接到相异扫描线及相异发光控制线的发光元件驱动电路会在不同的时段内被选取发光，因此在有些实施例中，相异发光元件驱动电路的脉冲调变单元可以共享其中的电压移位电路。举例来说，发光元件驱动电路100(2,1)与发光元件驱动电路100(1,1)是分别耦接至扫描线sc1及sc2，并分别耦接至相异的发光控制线em1及em2，也就是说，发光元件驱动电路100(2,1)与发光元件驱动电路100(1,1)可以在相异的时段中被选取。在此情况下发光元件驱动电路100(2,1)的脉冲调变单元140可以包括比较器142，且发光元件驱动电路100(2,1)可以和发光元件驱动电路100(1,1)分时共享发光元件驱动电路100(1,1)中的电压移位电路144。然而，本发明并不限定发光元件驱动电路需分时共享其中的电压移位电路，在本发明的有些实施例中，每个发光元件驱动电路100(1,1)至100(m,n)可具有各自独立的脉冲调变单元。

图5是本发明另一实施例的脉冲调变单元240的示意图。脉冲调变单元240可以应用在发光元件驱动电路100(1,1)中，并且可以取代脉冲调变单元140。在图5中，脉冲调变单元240可包括比较器242及波形整形器244。

比较器242具有第一输入端、第二输入端及输出端，比较器242的第一输入端可耦接于脉冲调变单元240的第一端以接收发光数据信号sigdta1，比较器242的第二输入端可耦接于脉冲调变单元240的第二端以接收变动比较信号sigcs1，而比较器242可比较发光数据信号sigdta1及变动比较信号sigcs1以通过比较器242的输出端输出比较信号sigcp。波形整形器244可耦接于比较器242的输出端，并且可以锐化比较信号sigcp的波形以产生发光周期调变信号sigpwm。

在图5的实施例中，开关元件260可包括第一晶体管m1b，而开关元件250可包括第二晶体管m2b。第一晶体管m1b具有第一端、第二端及控制端，第一晶体管m1b的第一端耦接于第一数据线dta1，第一晶体管m1b的第二端耦接于比较器242的第一端，而第一晶体管m1a的控制端耦接于扫描线sc1。

第二晶体管m2b具有第一端、第二端及控制端，第二晶体管m2b的第一端耦接于比较信号线cs1，第二晶体管m2b的第二端耦接比较器242的第二端，而第二晶体管m2b的控制端可接收发光控制信号sigem1。

也就是说，开关元件250及260可以分别根据发光控制信号sigem1及扫描信号sigsc1来控制比较器242在适当的时间接收变动比较信号sigcs1及发光数据信号sigdta1。

比较器242包括第三晶体管m3b至第四晶体管m4b、第二储存元件c1b及第一反相器inv1。

第一反相器inv1具有输入端及输出端，第一反相器inv1的输入端耦接比较器242的第一输入端及第二输入端，而第一反相器inv1的输出端耦接于比较器242的输出端。

第二储存元件c1b具有第一端及第二端，第二储存元件c1b的第一端耦接于第一反相器inv1的输入端，而第二储存元件c1b的第二端可接收第二系统电压vr2。

第三晶体管m3b具有第一端、第二端及控制端，第三晶体管m3b的第一端耦接于第一反相器inv1的输出端，第三晶体管m3b的第二端耦接于第一反相器inv1的输入端，而第三晶体管m3b的控制端可接收与扫描信号sigsc1电压振幅反相的反相扫描信号sigsc1b。

第四晶体管m4b具有第一端、第二端及控制端，第四晶体管m4b的第一端耦接于第一反相器inv1的输出端，第四晶体管m4b的第二端耦接于第一反相器inv1的输入端，而第四晶体管m4b的控制端耦接于扫描线sc1。

在图5中，第一晶体管m1b、第二晶体管m2b及第四晶体管m4b可以是p型晶体管，而第三晶体管m3b可以是n型晶体管。

图6是脉冲调变单元240的信号波形图。在图6的时段t1c中，扫描信号sigsc1可为低电位，并可将第一晶体管m1b导通，此时第二储存元件c1b会被发光数据信号sigdta1充电至对应的电位。由于第三晶体管m3b及第四晶体管m4b也会被导通，因此第一反相器inv1的输出端及输入端会被维持在相同的电位，且第一反相器inv1中的上拉晶体管及下拉晶体管会同时被导通，因此第一反相器inv1的输出端及输入端会被维持在一个中间的缓冲电位。

接着，在时段t2c中，扫描信号sigsc1可变为高电位，而发光控制信号sigem1则变为低电位，使得第二晶体管m2b被导通，而第三晶体管m3b及第四晶体管m4b会被截止。此时变动比较信号sigcs1的电位会与第二储存元件c1b的电位迭加，随着变动比较信号sigcs1电位的变化，第二储存元件c1b的第一端的电位也会被抬升或拉低，使得第一反相器inv1不再输出中间电位，而会在高电位和低电位之间变换。而发光数据信号sigdta1的电位高低，也就是第二储存元件c1b被充电的电位高低，则会影响第一反相器inv1在时段t2c中处于高电位及低电位的时间长短。

此外，为了让比较器242在非扫描及非发光时段能够停止运作，以免产生误动作，在本发明的有些实施例中，比较器242还可包含与非闸(nandgate)nand以控制第一反相器inv1。

与非闸nand具有第一输入端、第二输入端及输出端，与非闸nand的第一输入端可接收反相扫描信号sigsc1b，及与非闸nand的第二输入端可以接收与发光控制信号sigem1电压振幅反相的反相发光控制信号sigem1b。

在此情况下，第一反相器inv1可包含第五晶体管m5b、第六晶体管m6b及第七晶体管m7b。

第五晶体管m5b具有第一端、第二端及控制端，第五晶体管m5b的第一端可接收第一系统电压vr1，而第五晶体管m5b的控制端耦接于第一反相器inv1的输入端。

第六晶体管m6b具有第一端、第二端及控制端，第六晶体管m6b的第一端耦接于第五晶体管m5b的第二端，第六晶体管m6b的第二端耦接于第一反相器inv1的输出端，而第六晶体管m6b的控制端耦接于与非闸nand的输出端。

第七晶体管m7b具有第一端、第二端及控制端，第七晶体管m7b的第一端耦接于第六晶体管m6b的第二端，第七晶体管m7b的第二端可接收第二系统电压vr2，而第七晶体管m7b的控制端耦接于第五晶体管m5b的控制端。

在图5中，第五晶体管m5b及第六晶体管m6b可以是p型晶体管，而第七晶体管m7b可以是n型晶体管。如此一来，在非扫描时段及非发光时段中，由于反相扫描信号sigsc1b处于低电位且反相发光控制信号sigem1b处于低电位，此时与非闸nand的输出端为高电位，因此第六晶体管m6b会被截止，使得第一反相器inv1停止反相电位的操作。反之，在扫描时段或发光时段中，反相扫描信号sigsc1b会处于高电位或反相发光控制信号sigem1b会处于高电位，此时与非闸nand的输出端会变为低电位，使得第六晶体管m6b被导通，而第一反相器inv1则可进行反相电位的操作。

虽然比较器242可以比较发光数据信号sigdta1及变动比较信号sigcs1以输出在高电位和低电位之间变换的比较信号sigcp，然而比较信号sigcp的电位变换速度较缓，因此脉冲调变单元240还可通过波形整形器244来调整比较信号sigcp的波形。

在图5中，波形整形器244可包括第二反相器inv2、第三反相器inv3及第四反相器inv4。

第二反相器inv2具有输入端及输出端，第二反相器inv2的输入端耦接于比较器242的输出端。第三反相器inv3具有输入端及输出端，第三反相器inv3的输入端耦接于第二反相器inv2的输出端。第四反相器inv4具有输入端及输出端，第四反相器inv4的输入端耦接于第三反相器inv3的输出端，而第四反相器inv4的输出端可输出发光周期调变信号sigpwm。

通过第二反相器inv2、第三反相器inv3及第四反相器inv4，就可以根据比较信号sigcp输出上升沿及下降沿较为垂直的发光周期调变信号sigpwm，使得发光元件驱动电路100(1,1)中的发光元件110可以根据固定大小的驱动电流id来驱动，并减少色偏的产生。

此外，图6的变动比较信号sigcs1的波形与图4的变动比较信号sigcs1的波形不同。在图6中，变动比较信号sigcs1的上升沿实质上可以接近垂直上升，以提升比较器242的输出信号及转换电位时的效率。也就是说，图4及图6虽然例示性地说明变动比较信号sigcs1可能具有的波形，然而在实际操作时，若根据需求选择不同类型的波形产生器而产生波形不同的变动比较信号，或者因为硬件元件特性导致变动比较信号的波形有不规则变形的情况，则都应属于本发明的范围。

图7是本发明一实施例的电子装置20的示意图。电子装置20与电子装置10具有相似的结构并且可根据相似的原理操作，然而电子装置20还可包括波形产生单元24与电路板28。在图7中，发光元件驱动电路200(1,1)至200(m,n)可以设置在基板22的主动区域aa，而波形产生单元24则可以设置在基板22上主动区域aa以外的周边区域pa，波形产生单元24用以产生变动比较信号sigcs1。在有些实施例中，基板22可以例如是以玻璃或是树脂实作的透明材质，而波形产生单元24可以利用薄膜覆晶封装(chiponfilm，cof)或玻璃覆晶封装(chiponglass，cog)的方式设置在基板12上。

电路板28可设置在基板22的外部，并且可以产生电子装置20中发光元件驱动电路200(1,1)至200(m,n)所需的高操作电压vgh及低操作电压vgl，并可产生预定数据信号sigdtb1至sigdtbn、发光数据信号sigdta1至sigdtan及重置信号sigrst1至sigrstn。在有些实施例中，高操作电压vgh可以例如是系统中用以导通n型晶体管的操作电压，而低操作电压vgl可以例如是系统中用以截止n型晶体管的操作电压。此外，电子装置20还可以通过重置信号线rst1至rstn来传送重置信号sigrst1至sigrstn以重置发光元件200(1,1)至200(m,n)驱动电路中脉冲调变单元240。

在有些实施例中，电路板28可以根据像素值及伽玛校正表产生发光数据信号sigdta1至sigdtan。举例来说，电路板28可以根据影像内容所对应的像素值来查对伽玛(gamma)校正表以产生对应的发光数据信号sigdta1至sigdtan。由于人眼视觉对于亮度的感受并非线性，因此通过伽玛校正表可以得出对应的发光数据信号sigdta1至sigdtan以使发光元件驱动电路200(1,1)至200(m,n)呈现出更符合人眼视觉效果的画面。此外，在有些实施例中，电路板28还可进一步执行减少画面不均匀程度(demura)的操作以产生适当的发光数据信号sigdta1至sigdtan，减少发光元件驱动电路200(1,1)至200(m,n)所呈现的影像出现不均匀瑕疵的情况。

图8是本发明另一实施例的电子装置30的示意图。电子装置30与电子装置20具有相似的结构并可以根据相似的原理操作，电路板38也可设置在基板32的外部。然而，电子装置30还可包括信号电压驱动电路36，耦接于电路板38。在此情况下，波形产生单元34可以设置在电路板38中，减少基板32上的电路元件，简化电子装置30的电路设计。此外，信号电压驱动电路36还可以产生时钟信号sigclk0及sigclk1供波形产生单元34调整所需的变化周期，例如但不限于，将时钟信号sigclk0及sigclk1送入电路板38，使得波形产生单元34能够根据时钟信号sigclk0及sigclk1的时序来产生对应振幅及相位的变动比较信号sigcs1至sigcsn。

图9是本发明再一实施例的电子装置40示意图。电子装置40与电子装置30具有相似的结构并可以根据相似的原理操作。然而，在电子装置40中，波形产生单元44可以设置在信号电压驱动电路46而不设置在电路板48中。由于波形产生单元44同样会设置在基板42以外的系统电路板上，因此电子装置40同样可以减少基板42上的电路元件，并且可简化电路设计的复杂度。

此外，在图9中，电路板48所提供电子装置40所需的电源，信号电压驱动电路46还可以根据像素值及伽玛校正表产生与发光数据信号sigdta1至sigdtan实质上相同的发光数据信号sigdtc1至sigdtcn，而发光元件驱动电路400(1,1)至400(m,n)的电流输出单元420则可通过第三数据线dtc1至dtcn接收发光数据信号sigdtc1至sigdtcn，并且可根据预定数据信号sigdtb1至sigdtbn及发光数据信号sigdtc1至sigdtcn产生对应的驱动电流。

举例来说，电流输出单元420可以在低亮度的时候，根据预定数据信号sigdtb1至sigdtbn产生固定大小的驱动电流以减少发光元件110的色偏产生，而在高亮度的时候，则改以根据发光数据信号sigdtc1至sigdtcn输出对应大小的驱动电流来驱动发光元件110。如此一来，就能够更加细致地控制发光元件驱动电路400(1,1)至400(m,n)所呈现的亮度。

综上所述，本发明的电子装置可以利用固定大小的驱动电流来驱动发光元件驱动电路中的发光元件，并且可以通过脉冲调变单元来调变发光元件的发光周期，因此可以减少先前技术中，利用低电流驱动发光元件以呈现低亮度时，所造成的色偏问题。此外，由于波形产生单元可以设置在基板的周边区域、信号电压驱动电路或电路板中，因此可以简便地在电子装置中实作。

以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。