一种阵列基板的检测方法及检测系统与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的检测方法及检测系统。

背景技术：

电致发光显示装置由于具有自发光、低功耗、宽视角、响应速度快以及高对比度等优点，因而成为目前显示装置的主流发展趋势。

电致发光显示装置包括显示用基板以及用于封装显示用基板的封装层。显示用基板包括阵列基板，阵列基板包括多个亚像素，每个亚像素包括像素电路。

技术实现要素：

本发明的实施例提供一种阵列基板的检测方法及检测系统，可以用于检测第一电源线与亚像素中的第一子像素电路是否断开。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种阵列基板的检测方法，所述阵列基板包括多个亚像素，每个所述亚像素包括像素电路，所述像素电路包括第一子像素电路、第二子像素电路以及发光器件；所述第一子像素电路与第一电源线、第一扫描信号线、数据信号线以及所述发光器件的阳极电连接；所述第二子像素电路与第二电源线、第二扫描信号线以及所述发光器件的阳极电连接；所述阵列基板的检测方法，包括：在写入阶段，向所述第一电源线输入直流电压，向所述第一扫描信号线输入选通信号，所述第一子像素电路打开，以使所述第一电源线的直流电压向所述发光器件的阳极输入；向所述第二电源线输入交流电压，向所述第二扫描信号线输入选通信号，所述第二子像素电路打开，以使所述第二电源线的交流电压向所述发光器件的阳极输入；在检测阶段，检测所述亚像素中所述发光器件的所述阳极的电压值，并判断所述阳极的电压值与所述直流电压的差值的绝对值是否大于预设电压值，若所述阳极的电压值与所述直流电压的差值的绝对值大于预设电压值，则该所述亚像素中所述第一子像素电路与所述第一电源线断开；其中，所述直流电压和所述交流电压在所述写入阶段的电压的差值的绝对值大于所述预设电压值。

在一些实施例中，所述直流电压为正电压，所述交流电压在所述写入阶段的电压为负电压；或者，所述直流电压为负电压，所述交流电压在所述写入阶段的电压为正电压。

在一些实施例中，在所述写入阶段之前设置有重置阶段，所述的阵列基板的检测方法，还包括：在所述重置阶段，向所述第一电源线、所述第二电源线以及所述数据信号线均输入接地电压；向所述第一扫描信号线输入选通信号，以使所述第一子像素电路打开，所述数据信号线的接地电压向所述发光器件的阳极输入；向所述第二扫描信号线输入选通信号，以使所述第二子像素电路打开，所述第二电源线的接地电压向所述发光器件的阳极输入。

在一些实施例中，在所述重置阶段之后，在所述写入阶段之前设置有充电阶段，所述阵列基板的检测方法还包括：在所述充电阶段，向所述第一扫描信号线输入选通信号，以使所述第一子像素电路断开；向所述第二扫描信号线输入选通信号，以使所述第二子像素电路断开；向所述第一电源线输入直流电压，向所述第二电源线输入交流电压。

在一些实施例中，所述第一子像素电路包括驱动子电路和写入子电路；所述驱动子电路与所述第一电源线、所述写入子电路以及所述发光器件的阳极电连接，用于驱动所述发光器件发光；所述写入子电路与所述数据信号线和所述第一扫描信号线电连接，用于在所述第一扫描信号线的控制下，将所述数据信号线的电压写入到所述驱动子电路。

在一些实施例中，所述驱动子电路包括驱动晶体管和存储电容；所述驱动晶体管的栅极与所述写入子电路电连接，第一极与所述第一电源线电连接，第二极与所述发光器件的阳极电连接；所述存储电容的一端与所述驱动晶体管的栅极电连接，另一端与所述发光器件的阳极电连接。

在一些实施例中，在所述检测所述亚像素中所述发光器件的所述阳极的电压值之前，所述的阵列基板的检测方法还包括：在所述检测阶段，向所述第一扫描信号线输入选通信号，以使所述第一子像素电路断开；向所述第二扫描信号线输入选通信号，以使所述第二子像素电路断开。

在一些实施例中，所述第二子像素电路包括第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与第二扫描信号线电连接，第一极与所述第二电源线电连接，第二极与所述发光器件的阳极电连接。

另一方面，提供一种检测系统，所述检测系统包括检测设备和阵列基板，所述检测设备与所述阵列基板电连接；所述检测设备包括：存储器和处理器；所述存储器配置为存储指令；所述处理器，与所述存储器电连接，当所述指令被所述处理器执行时，使得所述处理器执行上述的阵列基板的检测方法。

在一些实施例中，所述检测设备还包括显示屏；所述显示屏包括多个区域，每个所述区域对应所述阵列基板的一个亚像素；若所述阵列基板的亚像素中阳极的电压值与直流电压的差值的绝对值大于预设电压值，则所述显示屏中与该所述亚像素对应的区域显示第一颜色；若所述阵列基板的亚像素中所述阳极的电压值与所述直流电压的差值的绝对值小于或等于预设电压值，则所述显示屏中与该所述亚像素对应的区域显示第二颜色。

本发明实施例提供一种阵列基板的检测方法及检测系统，在写入阶段，向第一电源线输入直流电压，向第一扫描信号线输入选通信号，第一子像素电路打开，以使第一电源线的直流电压向发光器件的阳极输入；向第二电源线输入交流电压，向第二扫描信号线输入选通信号，第二子像素电路打开，以使第二电源线的交流电压向发光器件的阳极输入；在检测阶段，检测亚像素中发光器件的阳极的电压值，并判断阳极的电压值与直流电压的差值的绝对值是否大于预设电压值，若阳极的电压值与直流电压的差值的绝对值大于预设电压值，则阳极写入的是交流电压在写入阶段的电压，从而可以判断出该亚像素中第一子像素电路与第一电源线断开；若阳极的电压值与直流电压的差值的绝对值小于或等于预设电压值，则阳极写入的是直流电压，从而可以判断出该亚像素中第一子像素电路与第一电源线未断开。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种电致发光显示装置的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种电致发光显示面板的区域划分示意图；

图3为本发明实施例提供的一种电致发光显示面板的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图一；

图5为本发明实施例提供的一种像素电路的结构示意图一；

图6为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图二；

图7为本发明实施例提供的一种像素电路的结构示意图二；

图8为本发明实施例提供的一种阵列基板的检测方法的流程示意图；

图9为本发明实施例提供的一种各个信号线的时序图；

图10为本发明实施例提供的一种检测系统的结构示意图；

图11为本发明实施例提供的一种显示屏显示第一颜色和第二颜色的示意图。

附图标记：

01-显示区；02-周边区；011-亚像素；1-电致发光显示面板；2-框架；3-盖板玻璃；4-电路板；10-像素电路；11-显示用基板；12-封装层；13-阵列基板；20-连接线；30-检测设备；101-第一子像素电路；102-第二子像素电路；110-衬底；111-晶体管；112-阳极；113-发光功能层；114-阴极；115-像素界定层；116-平坦层；301-存储器；302-处理器；303-显示屏；1011-驱动子电路；1012-写入子电路。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供一种电致发光显示装置，如图1所示，电致发光显示装置包括电致发光显示面板1、框架2、盖板玻璃3以及电路板4等其它电子配件。

其中，框架2的纵截面呈u型，电致发光显示面板1、电路板4以及其它电子配件均设置于框架2内，电路板4设置于电致发光显示面板1的下方，盖板玻璃3设置于电致发光显示面板1远离电路板4的一侧。

本发明实施例提供的电致发光显示装置可以是有机电致发光显示装置(organiclight-emittingdiodedisplay，简称oled)，在此情况下，电致发光显示面板1为有机电致发光显示面板；也可以是量子点电致发光显示装置(quantumdotlightemittingdiodesdisplay，简称qled)，在此情况下，电致发光显示面板1为量子点电致发光显示面板。

如图2所示，电致发光显示面板1包括显示区01和位于显示区01至少一侧的周边区02，附图2以周边区02包围显示区01为例进行示意。显示区01包括多个亚像素011。周边区02用于布线，此外，也可以将栅极驱动电路设置于周边区02。

如图3所示，电致发光显示面板1的主要结构包括显示用基板11以及用于封装显示用基板11的封装层12。此处，封装层12可以为封装薄膜，也可以为封装基板。

如图3所示，显示用基板11包括阵列基板13和设置在阵列基板13上，且位于每个亚像素011的发光器件。阵列基板13包括设置在衬底110上，且位于每个亚像素011的驱动电路，驱动电路包括多个晶体管111。发光器件包括依次层叠设置的阳极112、发光功能层113以及阴极114，阳极112和驱动电路的多个晶体管111中作为驱动晶体管的晶体管111的漏极电连接。显示用基板11还包括像素界定层115，像素界定层115包括多个开口区，一个发光器件设置在一个开口区中。在一些实施例中，发光功能层113包括发光层(emittinglayer，简称el)。在另一些实施例中，发光功能层113除包括发光层外，还包括电子传输层(electiontransportinglayer，简称etl)、电子注入层(electioninjectionlayer，简称eil)、空穴传输层(holetransportinglayer，简称htl)以及空穴注入层(holeinjectionlayer，简称hil)中的一层或多层。此外，在电致发光显示面板1为有机电致发光显示面板的情况下，发光层为有机发光层。在电致发光显示面板1为量子点电致发光显示面板的情况下，发光层为量子点发光层。

如图3所示，阵列基板13还包括设置在驱动电路远离衬底110一侧的平坦层116。

本发明实施例提供一种阵列基板，可以应用于上述的电致发光显示面板1中，阵列基板包括多个亚像素011，每个亚像素011包括像素电路。如图4和图5所示，像素电路10包括第一子像素电路101、第二子像素电路102以及发光器件l；第一子像素电路101与第一电源线s1、第一扫描信号线g1、数据信号线data以及发光器件l的阳极112电连接，用于在第一扫描信号线g1和数据信号线data的控制下，将第一电源线s1与发光器件l的阳极112导通；第二子像素电路102与第二电源线s2、第二扫描信号线g2以及发光器件l的阳极112电连接，用于在第二扫描信号线g2的控制下，将第二电源线s2与发光器件l的阳极112导通。

在一些实施例中，第一电源线s1为vdd电源线，第二电源线s2为感应线(senseline)。

在一些实施例中，如图4所示，阵列基板13上多条第一电源线s1的一端通过一条连接线(busline)20电连接在一起，连接线20与电压输入端(图4中未示意出电压输入端)电连接，电压输入端输入的电压经过连接线20输入至第一电源线s1。在另一些实施例中，如图6所示，阵列基板13上多条第一电源线s1的两端分别通过两条连接线20电连接在一起，多条第一电源线s1的左端通过一条连接线20电连接在一起，多条第一电源线s1的右端通过一条连接线20电连接在一起，每条连接线20都与电压输入端(图6中未示意出电压输入端)电连接。

基于此，在向第一电源线s1输入的电压为直流电压的情况下，由于第一电源线s1上的电阻会导致电压降，因此沿远离连接线20的方向，第一电源线s1的电压会逐渐下降，从而导致沿远离连接线20的方向，第一电源线s1输入至亚像素011的电压逐渐减小。在第一电源线s1的两端分别与两条连接线20电连接的情况下，由于该两条连接线20会同时向一条第一电源线s1输入直流电压，即直流电压由第一电源线s1的两端向中间同时输入，这样一来，沿远离连接线20的方向，第一电源线s1的电压降较小，在一些实施例中，可以忽略第一电源线s1的电压降，近似认为，第一电源线s1输入至每个亚像素011的直流电压都是相同的，且等于连接线20输入至第一电源线s1的直流电压。

应当理解到，如图5所示，发光器件l的阴极114与第三电源线vss电连接。

此处，对于第二子像素电路102的结构不进行限定，以在第二扫描信号线g2的控制下，能将第二电源线s2与发光器件l的阳极112导通为准。在一些实施例中，如图6和图7所示，第二子像素电路102包括第一晶体管t1，第一晶体管t1的栅极与第二扫描信号线g2电连接，第一极与第二电源线s2电连接，第二极与发光器件l的阳极112电连接。

此处，对于第一晶体管t1的类型不进行限定，可以是第一晶体管t1为n型晶体管，在此情况下，第一晶体管t1的第一极为漏极，第二极为源极；也可以是第一晶体管t1为p型晶体管，在此情况下，第一晶体管t1的第一极为源极，第二极为漏极。

在一些实施例中，第二子像素电路102除了包括第一晶体管t1外，第二子像素电路102还包括至少一个与第一晶体管t1并联的开关晶体管。上述仅仅是对第二子像素电路102的举例说明，其它与第二子像素电路102功能相同的结构在此不再一一赘述，但都应当属于本发明的保护范围。

对于第一子像素电路101的结构不进行限定，以在第一扫描信号线g1和数据信号线data的控制下，能将第一电源线s1与发光器件l的阳极112导通为准。在一些实施例中，如图7所示，第一子像素电路101包括驱动子电路1011和写入子电路1012；驱动子电路1011与第一电源线s1、写入子电路1012以及发光器件l的阳极112电连接，用于驱动发光器件l发光；写入子电路1012与数据信号线data和第一扫描信号线g1电连接，用于在第一扫描信号线g1的控制下，将数据信号线data的电压写入到驱动子电路1011。

此处，对于驱动子电路1011的结构不进行限定，以能驱动发光器件l发光为准。在一些实施例中，如图7所示，驱动子电路1011包括驱动晶体管td和存储电容cst；驱动晶体管td的栅极与写入子电路1012电连接，第一极与第一电源线s1电连接，第二极与发光器件l的阳极112电连接；存储电容cst的一端与驱动晶体管td的栅极电连接，另一端与发光器件l的阳极112电连接。

此处，对于驱动晶体管td的类型不进行限定，可以是驱动晶体管td为n型晶体管，在此情况下，第一极为漏极，第二极为源极；也可以是驱动晶体管td为p型晶体管，在此情况下，第一极为源极，第二极为漏极。

在一些实施例中，驱动子电路1011除了包括驱动晶体管td外，驱动子电路1011还包括至少一个与驱动晶体管td并联的开关晶体管。上述仅仅是对驱动子电路1011的举例说明，其它与驱动子电路1011功能相同的结构在此不再一一赘述，但都应当属于本发明的保护范围。

对于写入子电路1012的结构不进行限定，以在第一扫描信号线g1的控制下，能将数据信号线data的电压写入到驱动子电路1011为准。在一些实施例中，如图7所示，写入子电路1012包括第二晶体管t2；第二晶体管t2的栅极与第一扫描信号线g1电连接，第一极与数据信号线data电连接，第二极与驱动晶体管td的栅极电连接。

对于第二晶体管t2的类型不进行限定，可以是第二晶体管t2为n型晶体管，在此情况下，第一极为漏极，第二极为源极；也可以是第二晶体管t2为p型晶体管，在此情况下，第一极为源极，第二极为漏极。

在一些实施例中，写入子电路1012除了包括第二晶体管t2外，写入子电路1012还包括至少一个与第二晶体管t2并联的开关晶体管。上述仅仅是对写入子电路1012的举例说明，其它与写入子电路1012功能相同的结构在此不再一一赘述，但都应当属于本发明的保护范围。

基于上述，本发明实施例提供的像素电路10的结构包括但不限于如图6和图7所示的3t1c的像素电路，还可以是6t1c、7t1c或8t1c等其它类型的像素电路。此处，ntmc表示一个像素电路包括n个晶体管(用字母“t”表示)和m个电容(用字母“c”表示)。在此基础上，在一些实施例中，例如在像素电路10的结构为6t1c、7t1c或8t1c等其它类型的像素电路的情况下，第一子像素电路101的结构除了包括驱动子电路1011、写入子电路1012外，还可以包括重置子电路和发光控制子电路等。重置子电路和发光控制子电路的具体结构可以参考相关技术中6t1c、7t1c或8t1c中重置子电路和发光控制子电路的结构，此处不再赘述。

本发明实施例还提供一种阵列基板13的检测方法，可以用于检测上述的阵列基板13上第一电源线s1与亚像素011中的第一子像素电路101是否断开，阵列基板13的检测方法，如图8所示，包括：

s100、在写入阶段t1，向第一电源线s1输入直流电压(directcurrentsourcepower，简称dcsourcepower)，向第一扫描信号线g1输入选通信号，第一子像素电路101打开，以使第一电源线s1的直流电压向发光器件l的阳极112输入；向第二电源线s2输入交流电压(alternatingcurrentsourcepower，简称acsourcepower)，向第二扫描信号线g2输入选通信号，第二子像素电路102打开，以使第二电源线s2的交流电压向发光器件l的阳极112输入；直流电压的电压值和交流电压在写入阶段t1的电压值不相等。

在写入阶段t1，由于第一子像素电路101和第二子像素电路102均打开，因而第一电源线s1的直流电压和第二电源线s2的交流电压会同时向发光器件l的阳极112输入。

本领域技术人员应该明白，在第一电源线s1的直流电压和第二电源线s2的交流电压同时向发光器件l的阳极112输入的情况下，检测发光器件l的阳极112电压时，发光器件l的阳极112电压应为直流电压的电压值。

此处，对于向第二电源线s2输入的交流电压不进行限定，以交流电压的波形为矩形波为准。在一些实施例中，交流电压的高电平为正，低电平为负。在另一些实施例中，交流电压的高电平为正，低电平为零。在另一些实施例中，交流电压的高电平为零，低电平为负。

在此基础上，对于直流电压的电压值和交流电压在写入阶段t1的电压值不进行限定，可以是直流电压的电压值为正，交流电压在写入阶段t1的电压值为负；也可以是直流电压的电压值为负，交流电压在写入阶段t1的电压值为正；当然还可以是直流电压的电压值和交流电压在写入阶段t1的电压值均为正，或者均为负。

s101、在检测阶段t2，检测亚像素011中发光器件l的阳极112的电压值，并判断阳极112的电压值与直流电压的差值的绝对值是否大于预设电压值，若阳极112的电压值与直流电压的差值的绝对值大于预设电压值，则该亚像素011中第一子像素电路101与第一电源线s1断开；若阳极112的电压值与直流电压的差值的绝对值小于或等于预设电压值，则该亚像素011中第一子像素电路101与第一电源线s1未断开；其中，直流电压和交流电压在写入阶段t1的电压的差值的绝对值大于预设电压值。

在第一子像素电路101与第一电源线s1断开(open)，第二子像素电路102与第二电源线s2未断开的情况下，由于第一电源线s1的直流电压不能通过第一子像素电路101写入至发光器件l的阳极112，第二电源线s2的交流电压可以通过第二子像素电路102写入至发光器件l的阳极112，因而在检测阶段t2，检测得到发光器件l的阳极112的电压值为第二电源线s2的交流电压在写入阶段t1的电压。在此情况下，阳极112的电压值与直流电压的差值的绝对值即为第二电源线s2的交流电压在写入阶段t1的电压与直流电压的差值的绝对值。

在第一子像素电路101与第一电源线s1未断开，第二子像素电路102与第二电源线s2未断开的情况下，第一电源线s1的直流电压通过第一子像素电路101输入至发光器件l的阳极112，同时第二电源线s2的交流电压通过第二子像素电路102输入至发光器件l的阳极112，因而在检测阶段t2，检测得到发光器件l的阳极112的电压值即为输入至亚像素011的直流电压。在此情况下，阳极112的电压值与直流电压的差值的绝对值即为输入至亚像素011的直流电压与输入至第一电源线s1的直流电压的差值的绝对值。在不考虑第一电源线s1上直流电压的电压降的情况下，输入至亚像素011的直流电压与输入至第一电源线s1的直流电压相等。在考虑第一电源线s1上直流电压的电压降的情况下，输入至亚像素011的直流电压小于输入至第一电源线s1的直流电压。

此处，对于预设电压值不进行限定，可以根据需要进行设置。在第一电源线s1不存在电压降或电压降较小可忽略的情况下，例如，可以将预设电压值设定为0。若阳极112的电压值与向第一电源线s1输入的直流电压的差值的绝对值大于0，即阳极112的电压值与向第一电源线s1输入的直流电压的电压值不相等，在此情况下，阳极112的电压值等于交流电压在写入阶段t1的电压值，基于上述，可以判断出第一电源线s1与第一子像素电路101断开。若阳极112的电压值与向第一电源线s1输入的直流电压的差值的绝对值等于0，即阳极112的电压值与向第一电源线s1输入的直流电压的电压值相等。基于上述，可以判断出第一电源线s1与第一子像素电路101未断开。

又例如，在第一电源线s1存在电压降的情况下，可以将预设电压值设定为使预设电压值大于第一电源线s1上的最大电压降(电压降等于输入至第一电源线s1上的直流电压减去输入至亚像素011的直流电压)，且预设电压值小于输入至亚像素011的最小直流电压和交流电压在写入阶段t1的电压的差值的绝对值。

在此基础上，对于直流电压和交流电压在写入阶段t1的电压不进行限定，直流电压和交流电压在写入阶段t1的电压的差值的绝对值越大，若亚像素011中第一子像素电路101与第一电源线s1断开，由于阳极112的电压值为交流电压在写入阶段t1电压值，因此阳极112的电压值与直流电压的差值的绝对值就会越大。这样一来，第一子像素电路101与第一电源线s1未断开的亚像素011中阳极112的电压值与直流电压的差值的绝对值和第一子像素电路101与第一电源线s1断开的亚像素011中阳极112的电压值与直流电压的差值的绝对值的差异会非常明显，更有利于检测出第一子像素电路101与第一电源线s1是否断开。

本发明实施例提供一种阵列基板13的检测方法，在写入阶段t1，向第一电源线s1输入直流电压，向第一扫描信号线g1输入选通信号，第一子像素电路101打开，以使第一电源线s1的直流电压向发光器件l的阳极112输入；向第二电源线s2输入交流电压，向第二扫描信号线g2输入选通信号，第二子像素电路102打开，以使第二电源线s2的交流电压向发光器件l的阳极112输入；在检测阶段t2，检测亚像素011中发光器件l的阳极112的电压值，并判断阳极112的电压值与直流电压的差值的绝对值是否大于预设电压值，若阳极112的电压值与直流电压的差值的绝对值大于预设电压值，则阳极112写入的是交流电压在写入阶段t1的电压，从而可以判断出该亚像素011中第一子像素电路101与第一电源线s1断开；若阳极112的电压值与直流电压的差值的绝对值小于或等于预设电压值，则阳极112写入的是直流电压，从而可以判断出该亚像素011中第一子像素电路101与第一电源线s1未断开。

在一些实施例中，直流电压为正电压，交流电压在写入阶段t1的电压为负电压；或者，直流电压为负电压，交流电压在写入阶段t1的电压为正电压。

本发明实施例，由于直流电压为正电压，交流电压在写入阶段t1的电压为负电压；或者，直流电压为负电压，交流电压在写入阶段t1的电压为正电压，因而直流电压和交流电压在写入阶段t1的电压差值比较大。这样一来，在检测阶段t2，第一子像素电路101与第一电源线s1未断开的亚像素011中阳极112的电压值与直流电压的差值的绝对值和第一子像素电路101与第一电源线s1断开的亚像素011中阳极112的电压值与直流电压的差值的绝对值的差异会发生明显突变，从而能够精确地检测出第一子像素电路101与第一电源线s1是否断开。

在一些实施例中，在写入阶段t1之前设置有重置阶段t3，上述阵列基板13的检测方法还包括：

在重置阶段t3，向第一电源线s1、第二电源线s2以及数据信号线data均输入接地电压(即gnd信号)；向第一扫描信号线g1输入选通信号，以使第一子像素电路101打开，数据信号线data的接地电压向发光器件l的阳极112输入；向第二扫描信号线g2输入选通信号，以使第二子像素电路102打开，第二电源线s2的接地电压向发光器件l的阳极112输入。

本发明实施例，在写入阶段t1之前，在重置阶段t3，通过数据信号线data和第二电源线s2向发光器件l的阳极112输入接地电压，这样可以消除前一帧发光器件l的阳极112的信号残留，从而确保了当前帧检测的发光器件l的阳极112的电压更准确。

在一些实施例中，在重置阶段t3之后，在写入阶段t1之前设置有充电阶段t4，上述阵列基板的检测方法还包括：

在充电阶段t4，向第一扫描信号线g1输入选通信号，以使第一子像素电路101断开；向第二扫描信号线g2输入选通信号，以使第二子像素电路102断开；向第一电源线s1输入直流电压，向第二电源线s2输入交流电压。

向第一电源线s1输入直流电压的同时，若向第一扫描信号线g1输入选通信号，以使第一子像素电路101打开，考虑到由于第一电源线s1存在信号延迟，因此在第一子像素电路101打开的情况下，第一电源线s1上的直流电压并不能通过第一子像素电路101立刻输入至发光器件l的阳极112。为了避免信号延迟，因此在第一子像素电路101断开的情况下，先向第一电源线s1输入直流电压进行预充电。同样的，为了避免第二电源线s2存在信号延迟，在第二子像素电路102打开的情况下，第二电源线s2上的交流电压不能通过第二子像素电路102立刻输入至发光器件l的阳极112，因此在第二子像素电路102断开的情况下，先向第二电源线s2输入交流电压进行预充电。

在本发明实施例提供的第一子像素电路101包括驱动子电路1011，驱动子电路1011包括存储电容cst的情况下，由于存储电容cst与发光器件l的阳极112的电连接，因此在写入阶段t1，向发光器件l的阳极112输入电压后，存储电容cst会存储发光器件l的阳极112的电压。基于此，在一些实施例中，在检测阶段t2，在检测亚像素011中发光器件l的阳极112的电压值之前，上述阵列基板13的检测方法还包括：

在检测阶段t2，向第一扫描信号线g1输入选通信号，以使第一子像素电路101断开；向第二扫描信号线g2输入选通信号，以使第二子像素电路102断开。

本发明实施例，在检测阶段t2，在检测亚像素011中发光器件l的阳极112的电压值之前，向第一扫描信号线g1输入选通信号，以使第一子像素电路101断开，这样第一电源线s1上的直流电压便不能通过第一子像素电路101向发光器件l的阳极112输入。向第二扫描信号线g2输入选通信号，以使第二子像素电路102断开，这样第二电源线s2上的交流电压便不能通过第二子像素电路102向发光器件l的阳极112输入。由于发光器件l的阳极112与存储电容cst电连接，因此存储电容cst在写入阶段t1存储的电压在检测阶段t2会输入至发光器件l的阳极112，从而可以在检测阶段t2对发光器件l的阳极112电压进行检测。

以下以图7所示的像素电路10为例，结合图9所示的时序图对阵列基板13的检测过程进行详细说明。

在重置阶段t3，向第一电源线s1、第二电源线s2以及数据信号线data均输入gnd信号，向第一扫描信号线g1输入高电平信号，以使第二晶体管t2导通，数据信号线data上的gnd信号经过第二晶体管t2输入至存储电容cst的一端，使存储电容cst残留的电荷通过数据信号线data释放。向第二扫描信号线g2输入高电平信号，以使第一晶体管t1导通，第二电源线s2的gnd信号通过第一晶体管t1输入至存储电容cst的另一端，使存储电容cst残留的电荷通过第二电源线s2释放。在此阶段，存储电容cst放电，消除了前一帧发光器件l的阳极112的信号残留。

在充电阶段t4，向第一扫描信号线g1输入低电平信号，第二晶体管t2截止，向第二扫描信号线g2输入低平信号，第一晶体管t1截止。向数据信号线data输入高电平信号，向第一电源线s1输入直流电压，直流电压为正电压，向第二电源线s2输入交流电压。在此阶段，对数据信号线data、第一电源线s1以及第二电源线s2进行预充电。

在写入阶段t1，向第一扫描信号线g1输入高电平信号，第二晶体管t2导通，第二晶体管t2的栅极电压等于第一扫描信号线g1的电压，即vg＝vg1。由于第二晶体管t2导通，向数据信号线data输入高电平信号后，数据信号线data的信号经过第二晶体管t2输入至驱动晶体管td的栅极，驱动晶体管td的栅极电压等于数据信号线data上的电压，即vg＝vdata。向第一电源线s1输入直流电压，直流电压为正电压，驱动晶体管td的源极电压等于第一电源线s1的直流电压，即vd＝vs1。由于驱动晶体管td的vgs＞vth，因此驱动晶体管td导通，第一电源线s1上的直流电压经过驱动晶体管td向发光器件l的阳极112输入。向第二扫描信号线g2输入高电平信号，第一晶体管t1导通。向第二电源线s2输入交流电压，交流电压在写入阶段t1的电压为负电压，第二电源线s2上的交流电压经过第一晶体管t1向发光器件l的阳极112输入。

由于向第一电源线s1输入直流电压，向第二电源线s2输入交流电压，因此在第一电源线s1与第一子像素电路101未断开的情况下，发光器件l的阳极112的电压为直流电压。参考图6，v1＝v2＝…＝vn-2＝vn-1＝vn＝…＝vn+m＝vn+m+1＝vn+m+2＝vs1。在第一电源线s1与第一子像素电路101断开的情况下，第一电源线s1的直流电压不能写入发光器件l的阳极112，亚像素011中发光器件l的阳极112的电压为第二电源线s2在写入阶段t1输入的交流电压，因此在第n个亚像素中第一子像素电路101与第一电源线s1断开的情况下，v1＝v2＝…＝vn-2＝vn-1＝vs1≠vn＝vs2≠vn+m＝…vn+m+1＝vn+m+2＝vs1。由于直流电压为正电压，交流电压在写入阶段t1的电压为负电压，因此第一电源线s1与第一子像素电路101断开的亚像素011中发光器件l的阳极112的电压与第一电源线s1与第一子像素电路101未断开的亚像素011中发光器件l的阳极112的电压会产生较大的电压突变。

在检测阶段t2，向第一扫描信号线g1输入低电平信号，第二晶体管t2截止，向第二扫描信号线g2输入低电平信号，第一晶体管t1截止，存储电容cst保持充电阶段t1，发光器件l的阳极112的电压。检测每个亚像素011中发光器件l的阳极112的电压，便可以判断出该亚像素011中第一电源线s1与第一子像素电路101是否断开，即可以判断出该亚像素011是否异常。若阳极112的电压值与直流电压的差值的绝对值大于预设电压值，则阳极112的电压为第二电源线s2的交流电压，因此可以判断出该亚像素011中第一子像素电路101与第一电源线s1断开。若阳极112的电压值与直流电压的差值的绝对值小于或等于预设电压值，则阳极112的电压值为第一电源线s1输入至该亚像素011的直流电压，因此可以判断出该亚像素011中第一子像素电路101与第一电源线s1未断开。

本发明实施例还提供一种检测系统，如图10所示，检测系统包括检测设备30和阵列基板13，检测设备30与阵列基板13电连接；检测设备30包括：存储器301和处理器302；存储器301配置为存储指令；处理器302，与存储器301电连接，当指令被处理器302执行时，使得处理器302执行上述的阵列基板13的检测方法。

此处，对于检测设备30不进行限定，以能根据上述阵列基板13的检测方法对阵列基板13进行检测即可。在一些实施例中，检测设备30为at(arraytest)设备。

在一些实施例中，如图11所示，检测设备30还包括显示屏303；显示屏303包括多个区域，每个区域对应阵列基板13的一个亚像素011；若阵列基板13的亚像素011中阳极112的电压值与直流电压的差值的绝对值大于预设电压值，则显示屏303中与该亚像素011对应的区域显示第一颜色；若阵列基板13的亚像素011中阳极112的电压值与直流电压的差值的绝对值小于或等于预设电压值，则显示屏303中与该亚像素011对应的区域显示第二颜色。

此处，在一些实施例中，电压图像光学系统(voltageimageopticalsystem，简称vios)包括显示屏，电压图像光学系统可以根据阳极112的电压值和直流电压的差值的绝对值与预设电压值的关系，控制显示屏中与该亚像素011对应的区域显示第一颜色或第二颜色。

此外，对于第一颜色和第二颜色不进行限定，以第一颜色和第二颜色不相同为准。例如，第一颜色为红色，第二颜色为绿色。

应当理解到，若显示屏中与阵列基板13的亚像素011对应的区域显示第一颜色，则第一电源线s1与该亚像素011中的第一子像素电路101断开。若显示屏中与阵列基板13的亚像素011对应的区域显示第二颜色，则第一电源线s1与该亚像素011中的第一子像素电路101未断开。

本发明实施例，由于检测设备30包括显示屏303，若阳极112的电压值与直流电压的差值的绝对值大于预设电压值，则显示屏中与该亚像素011对应的区域显示第一颜色；若阳极112的电压值与直流电压的差值的绝对值小于或等于预设电压值，则显示屏中与该亚像素011对应的区域显示第二颜色，因而可以根据显示屏显示的颜色直观、快速地判断出阵列基板13上各个亚像素011的第一子像素电路101与第一电源线s1是否断开，以及第一电源线s1发生断裂的亚像素011的位置，以便于对第一电源线s1进行修补。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。